JPH0569834B2 - - Google Patents

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JPH0569834B2
JPH0569834B2 JP1859388A JP1859388A JPH0569834B2 JP H0569834 B2 JPH0569834 B2 JP H0569834B2 JP 1859388 A JP1859388 A JP 1859388A JP 1859388 A JP1859388 A JP 1859388A JP H0569834 B2 JPH0569834 B2 JP H0569834B2
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JP
Japan
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group
compound
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fulgide
thermal stability
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Hisao Suzuki
Akira Kaneko
Mitsuo Ishizuka
Akihiko Tomota
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Yamaha Corp
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Yamaha Corp
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/244Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03CPHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
    • G03C1/00Photosensitive materials
    • G03C1/72Photosensitive compositions not covered by the groups G03C1/005 - G03C1/705
    • G03C1/73Photosensitive compositions not covered by the groups G03C1/005 - G03C1/705 containing organic compounds

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
  • Plural Heterocyclic Compounds (AREA)
  • Nitrogen And Oxygen Or Sulfur-Condensed Heterocyclic Ring Systems (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野] この発明は、光記録、光記憶、複写媒体になど
に用いられるホトクロミツク化合物に関する。 [従来の技術] この種のホトクロミツク化合物の一種に、特公
昭60−52150号に開示されたものがある。この化
合物は、例えば次の一般式()で表される。
〔式中、R11、R12、R13、R14、R15は、それぞれ水素、アルキル基、アリル基、アラルキル基を示し、Yは酸素、硫黄、N−R16(R16は水素、アルキル基、アリル基、アラルキル基を示す。)を表す。〕
このフルギド系ホトクロミツク化合物は、これ
に紫外線を照射すると、490〜550nmに最大吸収
波長を持つ着色体に変化し、さらにこれに可視光
を照射すると元のフルギド化合物に戻る性質を有
している。そこで、このような長波長吸収特性に
より、半導体レーザ等を利用しての光読み取りや
光書き込みが可能となり、各種光記録、光記憶、
複写媒体などとして使用することができる。 ところで、このような光記録媒体として応用す
るにあたり、以下のような性質が要求される。 (1) 暗所熱的安定性が良好であこと。(発色状態
の保存) (2) 繰り返し耐久性が良好であること。(書き込
み、消去の繰り返し) (3) 長波長感受性が良好であること。(半導体レ
ーザ波長との適合性) [発明が解決しようとする課題] ところが、上記()式に示したフルギド化合
物にあつては、上記(1)および(2)の条件を満足する
ことができず、暗所熱的安定性や繰り返し耐久性
の良好なフルギド化合物を得ることはできなかつ
た。特に()式Yがの酸素原子であるフルギド
化合物の場合には、80℃空気雰囲気下における吸
光度の低下率は、10日後にはほぼ100%と、その
熱的安定性は極めて低いものであつた。また、こ
のフルギド化合物の発消色繰り返し回数50回後に
おける吸光度の低下率は、約80%と低く、繰り返
し耐久性も極めて悪いものであつた。 この発明は、上述の問題点を解消し、熱的安定
性および繰り返し耐久性の良好なホトクロミツク
化合物を提供することを目的としている。 [課題を解決するための手段] この発明では、このようなフルギド系ホトクロ
ミツク化合物のフラン環、チオフエン環あるいは
ピロール環の代わりに、オキサゾール環を配し、
熱的安定性および繰り返し耐久性を向上させた。 すなわち、この発明のホロクロミツク化合物
は、次の一般式()で表されるものである。
〔式中、R1、R2、R3、R4、R5はそれぞれ水素、ハロゲン、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アリル基、アラルキル基、ピリル基、アミノ基、フリル基、チエニル基、チアゾリル基、オキサゾリル基、シアノ基、ニトロ基、エステル基、トリフルオロメチル基を示し、Xは酸素またはN−R6基(R6は水素、アルキル基、アリル基、アリール基、アラルキル基を示す。)〕
この発明のホトクロミツク化合物は、第1図に
示すように、2,4−ペンタソジオンから合成さ
れ、次の一般式()で示されるオキサゾール
と、コハク酸ジエステルとのストツブ縮合により
合成することができる。
〔式中、R1、R2、R3は一般式()の置換基と同一である。〕
こうして得られ、上記()式の構造を有する
フルギド系化合物は、オキサゾール環を有してい
るので、従来のものに比べ、その熱的安定性およ
び繰り返し耐久性が著しく向上する。 またこの化合物は、ホトクロミツク性を示し、
紫外線を照射すると、次の()式に示すよう
に、開環型から閉環型に変化して着色体となり、
これに可視光を照射すると再び開環型に変化し、
無色体に戻る。
【化】 開環体(無色体) 開環体(着色体) 〔式中、R1、R2、R3、R4、R5、Xは一般式
()の置換基と同一である。〕 このような特性を有することから、この化合物
は光記録、記憶材料、複写材料、印刷用感光体、
光学フイルター、デイスプレー材料などとして使
用することができる。[実施例] 実施例 1 (E)−α−5−メチル−2−フエニル−4−オキ
サゾリルエチリデン(イソプロピリデン)コハ
ク酸無水物(A)の合成
〔式中、Rhはフエニル基を表す。〕
(1) 中間原料4−アセチル−5−メチル−2−フ
エニルオキサゾールの合成
〔式中、Rhはフエニル基を表す。〕
アセチルアセトン300gを500mlの氷酢酸に溶
解し、氷冷攪拌しながら、亜硝酸ナトリウム
250gを水500mlに溶かした溶液を滴下し、反応
させた。反応物をジエチルエーテル抽出し、溶
媒留去後、トルエンより再結晶してヒドロキシ
イミノアセチルアセトン169g(融点74〜75℃)
を得た。 次に、このヒドロキシイミノアセチルアセト
ン100gとベンズアルデヒド82gを氷酢酸240ml
に溶解し、0〜5℃に冷却しながら塩化水素ガ
ス通気を4時間行つた。この反応液にジエチル
エーテル1.5を加えて沈殿物を析出させ、ア
セトンより再結晶して、4−アセチル−5−メ
チル−2−フエニルオキサゾール−N−オキサ
イドハイドロクロライド129g(融点85〜87℃)
を得た。 次いで、4−アセチル−5−メチル−2−フ
エニルオキサゾール−N−オキサイドハイドロ
クロライド100gを氷酢酸500mlに溶解し、氷水
浴中で冷却しながら亜鉛末100gを加えて攪拌
した。そして、これに水2を析出物をろ別
し、メタノールより再結晶して、4−アセチル
−5−メチル−2−フエニルオキサゾール10g
(融点74〜76℃)を得た。 (2) 標記フルギド化合物(A)の合成 カリウム t−ブトキシド100gをt−ブタ
ノール800mlに溶解させた溶液中に、コハク酸
ジエステル174gとアセトン46.5gの混合液を
加え、30分間加熱還流させた。ジエチルエーテ
ル抽出した半エステルをエタノール1と濃硫
酸10mlに加え、8時間加熱還流させた。溶媒留
去後、ジエチルエーテル抽出し、次いで減圧蒸
留により精製し、ジエチルイソプロピリデンス
クシネート120gを得た。(沸点74〜75℃/2mm
Hg) カリウム t−ブトキシド3.6gをブタノー
ル40mlに溶解させた溶液に4−アセチル−5−
メチル−2−フエニルオキサゾール5.8gとジ
エチルイソプロピリデンスクシネート7.7gの
混合液を滴下し、加熱還流させた。トルエン抽
出した半エステルを溶媒留去後、5w/vエタ
ノール性水酸化ナトリウム200mlを加え、11時
間加熱還流させた。塩酸酸性より得られた沈澱
物を酢酸エチルで抽出し、溶媒留去した後、無
水酢酸50mlに溶解して、90℃で30分間加熱し
た。ヘキサン−クロロホルムから再結晶し、(Z)
−α−5−メチル−2−フエニル−4−オキサ
ゾリルエチリデン(イソプロピリデン)コハク
酸無水物1.4g(融点131〜132.5℃)を得た。 次いで、(Z)−α−5−メチル−2−フエニル
−4−オキサゾリルエチリデン(イソプロピリ
デン)コハク酸無水物100mgをベンゼン1に
溶解し、3時間光照射した。溶媒留去後、ヘキ
サン−クロロホルムから再結晶して、20mgの(E)
−α−5−メチル−2−フエニル−4−オキサ
ゾリルエチリデン(イソプロピリデン)コハク
酸無水物(融点157〜160℃)を得た。 このフルギド化合物のNMRスペクトルによる
固定結果を以下の表に示す。
【表】 (試験例) 実施例1で得られたフルギド化合物をトルエン
に溶解して濃度1×10-4mol/の溶液を調整し
た。この溶液に、250wの超高圧水銀ランプ(ウ
シオ電機製)を光源として、ガラスフイルター
(東芝硝子社製、UV−35+UV−D36C)を用い
て、波長365nmの紫外光を60秒間照射したとこ
ろ、溶液は着色し、波長462nmに極大吸収を有
する閉環体に変化した。 次に、300Wキセノンランプ(ウシオ電機製)
を光源とし、ガラスフイルター(東芝硝子社製、
L−39)を用いて、390nm以上の可視光を40秒
間照射したところ、着色が消え、339nmに極大
吸収を有する元の開環体に戻つた。 そこで、365nmの紫外光と390nm以上の可視
光とをそれぞれ60秒、40秒ずつ200回交互に繰り
返し照射し、その際の吸収スペクトルの変化を測
定した。その結果を第2図に示す。第2図中各ス
ペクトルに付した数字は、発消色繰り返し回数を
表す。 試験例 2 実施例1で得られたフルギド化合物0.2gと、
ポリメチルメタクリレート(PMMA)(和光純薬
製)0.8gとをシクロヘキサノン9mlに溶解させ、
これを60mm×60mmの角ガラス基板上にスピンコー
テイング法にてコーテイングして、厚さ1.0μmの
コーテイングフイルムを作成した。これに試験例
1と同様にして、365nmの紫外光を照射したの
ち、80℃の暗所に放置し、経時的なスペクトル変
化を測定することにより熱的安定性を調べ、第3
図に示した。また、試験例1と同様にして365n
mの紫外光と390nm以上の可視光とをそれぞれ
交互に繰り返し照射し、その際の吸収スペクトル
の変化を測定することにより、繰り返し耐久性を
調べ、第4図に示した。 比較試験例 1 従来公知の(E)−α−2,5−ジメチル−3−フ
リルエチリデン(イソプロピロデン)コハク酸無
水物を、上記試験例2と同様の方法で調整してフ
イルムを作成した。このフイルムにおける発色状
態の暗所熱的安定性を第3図に、また発消色の繰
り返し耐久性を第4図に、実施例1とともに示し
た。 第3図から明らかなように、従来公知のフルギ
ド化合物においては、暗所熱的安定性が極めて不
良で、特に80℃暗所中では1日経過後でも、その
吸光度の低下率は90%以上と著しいものであつ
た。これに対し、この発明のフルギド化合物にお
いては、80℃暗所中で10日経過後でも、その吸光
度の低下率は30%程度と低く、暗所熱的安定性が
良好であることを示していた。 また第4図より、従来公知のフルギド化合物に
あつては、繰り返し回数50回目で吸光度の低下率
が約90%と極めて繰り返し耐久性が悪かつたのに
対し、この発明のフルギド化合物では、同条件下
での吸光度の低下率は25%程度と、優秀な繰り返
し耐久性を有していることが明らかとなつた。 [発明の効果] 以上説明したように、この発明のホロクロミツ
ク化合物は、フルギド系ホトロミツク化合物のフ
ラン環、チオフエン環あるいはピロール環の代わ
りに、オキサゾール環を配したものであるので、
暗所熱的安定性および繰り返し耐久性が良好とな
つたものである。従つて、加熱暗所で保存した場
合でも、また書き込みや消去を繰り返し行つた場
合でも、その鮮やかな発色状態を保存することが
できる利点が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、この発明のホトクロミツク化合物の
合成方法の一例を示す合成スキームであり、第2
図は、この発明の一例である(E)−α−5−メチル
−2−フエニル−4−オキサゾリルエチリデン
(イソプロピリデン)コハク酸無水物の紫外光お
よび可視光の交互的な照射にともなう吸収スペク
トルの変化を示す図であり、第3図は、この発明
の一例である上記化合物および従来公知である(E)
−α−2,5−ジメチル−3−フリルエチリデン
(イソプロピリデン)コハク酸無水物の、それぞ
れの暗所における発色状態の熱的安定性を示した
グラフであり、第4図は、この発明の一例である
上記化合物および従来公知である上記化合物の、
それぞれの発消色の繰り返し耐久性を示したグラ
フである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一般式、 【式】 〔式中、R1、R2、R3、R4、R5はそれぞれ水素、
    ハロゲン、アルキル基、アルコキシ基、アリール
    オキシ基、アリル基、アラルキル基、ピリル基、
    アミノ基、フリル基、チエニル基、チアゾリル
    基、オキサゾリル基、シアノ基、ニトロ基、エス
    テル基、トリフルオロメチル基を示し、Xは酸素
    またはN−R6基(R6は水素、アルキル基、アリ
    ル基、アリール基、アラルキル基を示す。)〕で表
    されるホトクロミツク化合物。
JP1859388A 1988-01-29 1988-01-29 ホトクロミック化合物 Granted JPH01193266A (ja)

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JP1859388A JPH01193266A (ja) 1988-01-29 1988-01-29 ホトクロミック化合物

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JP1859388A JPH01193266A (ja) 1988-01-29 1988-01-29 ホトクロミック化合物

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JPH01193266A JPH01193266A (ja) 1989-08-03
JPH0569834B2 true JPH0569834B2 (ja) 1993-10-01

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