JPH0568113B2 - - Google Patents

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JPH0568113B2
JPH0568113B2 JP9069363A JP6936390A JPH0568113B2 JP H0568113 B2 JPH0568113 B2 JP H0568113B2 JP 9069363 A JP9069363 A JP 9069363A JP 6936390 A JP6936390 A JP 6936390A JP H0568113 B2 JPH0568113 B2 JP H0568113B2
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JP
Japan
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copper
inner layer
circuit board
metal
copper oxide
Prior art date
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Application number
JP9069363A
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English (en)
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JPH0387092A (ja
Inventor
Tomio Tanno
Tsutomu Ichiki
Hideo Funo
Toshuki Akamatsu
Tomoaki Yamane
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
Publication of JPH0387092A publication Critical patent/JPH0387092A/ja
Publication of JPH0568113B2 publication Critical patent/JPH0568113B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46Manufacturing multilayer circuits
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/382Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
    • H05K3/385Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal by conversion of the surface of the metal, e.g. by oxidation, whether or not followed by reaction or removal of the converted layer
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/03Metal processing
    • H05K2203/0315Oxidising metal
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/11Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
    • H05K2203/1157Using means for chemical reduction
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4611Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】 【産業䞊の利甚分野】
本発明は、倚局プリント配線板の補造に䜿甚さ
れる内局甚回路板の銅回路の凊理方法に関するも
のである。
【埓来の技術】
倚局プリント配線板は、片面乃至䞡面に銅箔等
で回路を圢成した内局甚回路板にプリプレグを介
しお倖局甚回路板もしくは銅箔を重ね、これを加
熱加圧成圢しお内局甚回路板ず倖局甚回路板もし
くは銅箔ずを積局するこずによ぀お、補造される
のが䞀般的である。 この倚局プリント配線板にあ぀おは、内局甚回
路板に圢成した銅の回路ず倖局甚回路板もしくは
銅箔を積局されるプリプレグの暹脂ずの接着性を
確保するこずが必芁である。特に内局甚回路板の
回路を電解銅箔によ぀お圢成する堎合、銅箔の片
面は粗面に圢成されるが他の片面は平滑面に圢成
されおおり、内局甚回路板の補造に際しおは粗面
で銅箔を接着させおいるために、内局甚回路板の
銅回路の衚面は銅箔の平滑面ずなり、銅回路ずプ
リプレグの暹脂ずの接着性は非垞に䜎くなるもの
であ぀お、接着性を高める工倫が必芁ずなるので
ある。 そこで、埓来から皮々の方法で銅の回路ず暹脂
ずの接着性を高めるこずが怜蚎されおおり、䟋え
ば銅回路の衚面に銅酞化物を圢成しお接着性を高
めるこずが䞀般になされおいる。銅を酞化凊理し
お埗られる銅酞化物には衚面に埮现な突起が圢成
されるこずにより、この突起によ぀お銅の回路の
衚面を粗面化しお接着性を高めるこずができるの
である。そしおこの銅回路の衚面に銅酞化物を圢
成する方法ずしおは、過硫酞カリりムを含むアル
カリ氎溶液、あるいは亜鉛玠酞ナトリりムを含む
アルカリ氎溶液などを甚いお凊理するこずによ぀
おおこなうこずが䞀般的である。 このように銅回路の衚面に酞化物局を圢成させ
るこずによ぀お、銅回路ず暹脂ずの接着性を十分
に確保するこずができる。しかしながら、特開昭
56−153797号公報や特開昭61−176192号公報にお
いおも報告されおいるように、銅酞化物、特に酞
化第二銅は溶解し易いために、倚局プリント配線
板にスルヌホヌルをドリル加工した埌にスルヌホ
ヌルメツキをする際に化孊メツキ液や電気メツキ
液に浞挬するず、スルヌホヌルの内呚に露出する
銅回路の断面郚分の銅酞化物局がメツキ液の酞
塩酞等に溶解し、スルヌホヌルの内呚から銅
回路ず暹脂ずの界面を酞が浞入する溶解䟵食が発
生するいわゆるハロヌ珟象が起こり易くなり、倚
局プリント配線板の信頌性が䜎䞋するおそれがあ
るずいう問題が発生するものであ぀た。
【発明が解決しようずする課題】
このために䞊蚘特開昭56−153797号公報では、
内局甚回路板の銅回路の衚面に銅酞化物を圢成し
た埌に、アルカリ性還元剀溶液に浞挬凊理するこ
ずによ぀お、衚面の埮现な凹凞を残したたた銅酞
化物を酞に溶解しにくい酞化第䞀銅あるいは金属
銅に還元し、ハロヌ珟象を抑制する詊みがなされ
おいる。しかし䞊蚘特開昭61−176192号公報に瀺
唆されおいるように、アルカリ性還元剀溶液では
銅酞化物の還元が䞍十分であ぀おハロヌ珟象の抑
制が十分ではない。このために特開昭61−176192
号公報ではアミンボラン類の氎溶液を甚いお、銅
回路の衚面に圢成した銅酞化物を還元凊理する詊
みがなされおいる。このようにアミンボラン類の
氎溶液を甚いるず銅酞化物を匷力に還元するこず
ができ、ハロヌ珟象を有効に抑制するこずができ
る。しかしアミンボラン類による還元反応はある
郚分を栞にしお連鎖反応的になされるものであ
り、回路のパタヌンの圢状によ぀お反応の時間が
倧幅に異な぀おくるなど、反応時間のバラツキが
倧きくお量産のうえで問題になるず共に、アミン
ボラン類はKg圓たり数䞇円ず非垞に高䟡でもあ
り、実甚性が䜎いものである。 本発明は䞊蚘の点に鑑みお為されたものであ
り、銅回路ず暹脂ずの接着性を高める効果を維持
し぀぀ハロヌ珟象の発生を防止するこずができる
内局甚回路板の銅回路の凊理方法を提䟛するこず
を目的ずするものである。
【課題を解決するための手段】
本発明に係る内局甚回路板の銅回路の凊理方法
は、内局甚回路板に蚭けた銅の回路を酞化凊理し
お回路の衚面に銅酞化物を圢成し、次いで銅酞化
物の衚面に還元性ガスを䜜甚させるこずによ぀
お、銅酞化物を酞に溶解しにくい酞化第䞀銅
Cu2Oやあるいは金属銅Cuに還元させる
こずを特城ずするものである。 このように銅酞化物を還元させるにあた぀およ
り具䜓的には、銅の回路の衚面に圢成した銅酞化
物の衚面に銅酞化物よりもむオン化し易い金属を
コヌテむングした埌、酞奜たしくは酞化力のない
匷酞でこの金属を溶解させるず同時にこの際に発
生する還元性ガスで銅酞化物を還元させるこずを
特城ずするものである。 以䞋本発明を詳现に説明する。 内局甚回路板ずしおは、銅箔を匵぀た銅匵ガラ
ス゚ポキシ暹脂積局板、銅匵ガラスポリむミド暹
脂積局板などの銅箔を゚ツチング凊理等するこず
によ぀お、片面もしくは䞡面に銅の回路を蚭けお
圢成したものを䜿甚するこずができるが、その
他、積局板に化孊メツキや電気メツキで銅の回路
を片面もしくは䞡面に圢成したものなどを䜿甚す
るこずもできる。そしおたずこの内局甚回路板の
衚面を粗面化凊理するのが奜たしい。粗面化凊理
は、バフ研摩、゜フト゚ツチング等による化孊薬
品凊理、電解凊理、液䜓ホヌニング等によ぀おお
こなうこずができる。銅箔ずしお䞡面が粗面に予
め圢成されたものを甚いる堎合には、このような
粗面化凊理は省略するこずができる。 次に、この内局甚回路板の銅回路の衚面を酞化
凊理する。酞化凊理は、過硫酞カリりムを含むア
ルカリ氎溶液や、亜鉛玠酞ナトリりムを含むアル
カリ氎溶液など、酞化剀を含むアルカリ氎溶液を
甚いお凊理するこずによ぀おおこなうこずができ
る。このように酞化凊理するこずによ぀お銅回路
の衚面に銅酞化物を圢成するこずができるもので
あり、銅酞化物は䞻ずしお酞化第二銅CuOに
よ぀お圢成される。そしおこの酞化凊理によ぀お
銅回路の衚面には埮现な突起が生成され、銅回路
の衚面に凹凞を圢成しお粗面化するこずができる
ものである。 このようにしお内局甚回路板の銅回路の衚面に
銅酞化物を圢成させた埌に、本発明では銅酞化物
に還元性ガスを䜜甚させ、銅酞化物をその衚面の
凹凞を残したたた酞化第䞀銅あるいは金属銅に還
元させるものである。この還元性ガスずしおは、
氎玠が最も有効であるが、その他、䞀酞化炭玠
COやアンモニアNH3なども䜿甚するこ
ずができる。䜆し、これら䞀酞化炭玠やアンモニ
アなどで銅酞化物を還元するには、300℃以䞊の
高枩で加熱をおこなう必芁があり、あるいは䜎枩
で還元するには癜金黒等の觊媒を甚いたり、玫倖
線やプラズマを照射しおこれらのガスを原子化す
る必芁がある。埓぀お実甚性の䞊では、垞枩でし
かもガスを原子化したりする必芁なく還元をおこ
なうこずができる氎玠を䜿甚するようにするのが
最も奜たしい。 そしお本発明においおは、銅酞化物に還元性ガ
スを䜜甚させる方法ずしお、以䞋に説明する方法
が採甚される。すなわちたず、銅酞化物䞻ずし
おCuOよりもむオン化し易い金属を銅回路の酞
化物局の衚面にコヌテむングする。この銅酞化物
よりもむオン化し易い金属ずしおは、暙準電極単
䜍が0.3V以䞋のものを甚いるものであり、䟋
えばSn−0.14V、Fe−0.74V、Zn−0.76V、
Al−1.66Vなどを䟋瀺するこずができる。こ
れらは䞀皮単独であるいは耇数皮を混合しお䜿甚
するこずができるものである。この金属は粉末の
状態で甚いるこずができるものであり、䟋えば銅
回路の衚面を氎で濡らしおおいお金属粉末を吹き
付けるこずによ぀お、金属粉末で銅回路の酞化物
局の衚面をコヌテむングするこずができる。金属
粉末をコヌテむングする方法は勿論これに限定さ
れるものではなく、この他、金属の粉末を氎や溶
媒等に分散した液をロヌルで銅回路に塗垃した
り、あるいは金属粉末を分散したこの液䞭に内局
甚回路板を浞挬したりしお、金属粉末で銅回路の
銅酞化物の衚面をコヌテむングするこずもでき
る。銅回路の銅酞化物の衚面を金属でコヌテむン
グできればどのような方法でもよいものであり、
必ずしも塗垃量を均䞀にしなくおも埌述の工皋で
銅酞化物を還元するこずができる。たた金属のコ
ヌテむング量は特に限定されないが、銅回路の銅
酞化物の衚面で付着する量ずしお〜300m2、
奜たしくは〜100m2皋床である。金属のコ
ヌテむング量がm2より少ないず、銅酞化物
を還元させる䜜甚を十分に埗るこずができず、逆
に金属のコヌテむング量が300m2を超えるず、
埌述の金属を溶解させる工皋においお凊理液ぞの
金属の溶解量が倚くなり、凊理液の劣化が著しく
なるおそれがあるために奜たしくない。金属粉末
の粒埄も特に限定されるものではないが、平均粒
子埄が0.1〜100Ό皋床が奜たしい。金属粉末の
平均粒埄が0.1Όより小さいず、金属粉末は比衚
面積が倧きくなるために非垞に酞化され易くな぀
お保存䞭や凊理䞭に酞化されおしたい、還元䜜甚
を発揮しなくなるおそれがあるず共に凝集し易く
な぀お取り扱いが困難になるおそれがあるために
奜たしくない。たた金属粉末の平均粒埄が100ÎŒ
より倧きいず銅回路の衚面に金属粉末を安定し
お付着させるこずが困難になり、特に金属粉末を
氎や溶媒等に分散させお甚いる堎合には金属粉末
が沈降し易く均䞀な分散を維持するこずが困難に
な぀お銅回路の衚面に金属粉末を安定しお付着さ
せるこずができなくなるために奜たしくない。 銅回路ぞの金属粉末の付着の安定性を高めるた
めには、金属粉末の衚面にその金属の化合物を圢
成させるのが奜たしい。䟋えば亜鉛粉末の堎合は
衚面が酞化亜鉛ZnO、炭酞亜鉛ZnCO3、塩
化亜鉛ZnCl2、氎酞化亜鉛ZnOH2の局
にな぀おいるものを甚いるのが奜たしい。玔金局
の粉末は䞀般に衚面は平滑面であるために付着性
が䜎いが、このように金属粉末の衚面を金属の化
合物ずするこずによ぀お、衚面に突起が生成され
たに粘着性が高た぀たりするために、銅回路の衚
面ぞの金属粉末の付着性が高たるものである。金
属粉末ずしおZn粉末を䟋にずるず、Zn粉末の組
成が重量比でZnOZnZnO0.03〜0.90に
なるように衚面を酞化させたものが奜たしく、こ
のように酞化させおZn粉末の衚面に0.1Ό以䞊
あるいは粒子埄の1/50以䞊の高さの突起を圢
成させたものを甚いるのが奜たしい。このように
金属粉末の衚面に酞化物を圢成させるには、䟋え
ば金属粉末を氎䞭に分散させお加熱するこずによ
぀お容易におこなうこずができる。たた金属粉末
の衚面に塩化物や炭酞化物や氎酞化物を圢成する
には、HClやH2CO3などを〜100ppm添加する
こずによ぀お容易におこなうこずができる。 たた、金属粉末を銅回路の衚面にコヌテむング
するにあた぀お、金属の粉末を氎や溶媒等に分散
した液を甚いる堎合、氎に察しお金属粉末を均䞀
に分散させるこずは困難であり、金属粉末の凝集
を抑制しお分散を良くする物質を液䞭に含有させ
おおくのがよい。この凝集抑制物質ずしおは、平
均粒子埄が1Ό以䞋の嵩密床の高い無機質埮粉
末、䟋えば酞化珪玠SiO2やアルミナ
Al2O3などの埮粉末を甚いるこずができる。
たた凝集抑制物質ずしおは液を増粘させるゲル化
剀を甚いるこずもできる。このゲル化剀ずしおは
䟋えばれラチン、でんぷん、カンテン、ポバヌル
などを䜿甚するこずができる。さらに凝集抑制物
質ずしお氎溶性の有機系溶媒を甚いるこもでき
る。この有機系溶媒ずしお䟋えば゚チレングリコ
ヌルやブチルアルコヌル、ポリ゚チレングリコヌ
ル、グリセリン、その他のアルコヌル類や䜎玚脂
肪酞などを䜿甚するこずができ、氎に代えおこの
有機系溶媒を甚いるこずもできる。このように凝
集抑制物質を含有させお金属粉末を液䞭に均䞀に
分散させるこずによ぀お、この金属粉末分散液を
甚いお浞挬や吹き付け塗垃、ロヌルコヌト等する
こずによ぀お内局甚回路板の銅回路の衚面に金属
粉末をコヌテむングするに際しお、銅回路の衚面
に金属粉末を均䞀に付着させるこずができるもの
である。この金属粉末を分散させた液においお金
属粉末の分散量は圓たり〜2000皋床が
適圓である。 䞊蚘のようにしお銅回路の酞化物局の衚面に金
属をコヌテむングした埌、この金属を酞で銅酞化
物の衚面から溶解させる。金属を溶解させる酞は
特に限定されるものではないが、銅酞化物の溶解
ず還元速床の点から、酞化力の䜎い硫酞や塩酞な
どの氎溶液が奜たしい。たた酞で金属を溶解させ
るにあた぀おは、酞の济に内局甚回路板を浞挬し
たり、内局甚回路板に酞をスプレヌしたりするこ
ずによ぀おおこなうこずができる。このように酞
で金属を溶解させるず、金属は銅酞化物よりもむ
オン化し易いために銅酞化物より優先的に陜むオ
ンの状態で溶解される。このように金属が酞に溶
解される際に氎玠が発生し、この氎玠で銅回路の
銅酞化物に還元䜜甚が働き、銅酞化䞭の酞化第二
銅CuOを酞化第䞀銅Cu2Oや金属銅
Cuに還元させるこずができる。特に、金属が
酞の氎溶液に溶解する際に生成される氎玠の発生
盎埌の状態は極めお反応性に富み、この発生期の
氎玠は還元䜜甚が非垞に高いものであり、銅酞化
物の衚面にコヌテむングされた金属が溶解する際
に発生するこの発生期の氎玠は銅酞化物に盎接䜜
甚するために、銅酞化物を匷力に還元させるこず
ができる。このように銅回路の衚面に圢成した銅
酞化物を還元させるこずによ぀お、既述の特開昭
56−153797号公報や特開昭61−176192号公報にお
いおも報告されおいるように、銅酞化物を溶解し
にくいものにするこずができるものであり、酞に
溶解するこずによ぀お発生するハロヌ珟象を防ぐ
こずが可胜になるのである。ここで、䞊蚘のよう
に酞を䜜甚させる際に銅回路の衚面に圢成した銅
酞化物が酞に溶解されるず、銅の酞化で圢成され
た凹凞粗面が消倱されおしたうおそれがあるが、
銅酞化物の衚面には銅酞化物よりも優先しお酞に
溶解される金属がコヌデむングされおいるため
に、この金属で銅酞化物を酞から保護しながら還
元させるこずができ、銅の酞化で圢成される凹凞
粗面を保持し぀぀銅酞化物を酞に溶解しにくい状
態に還元するこずができるものである。たた金属
が酞に溶解する際に発生する氎玠などのガスが銅
酞化物の衚面を包むために、このガスによ぀おも
銅酞化物を酞から保護するこずができる。尚、銅
酞化物の衚面にコヌテむングされた金属を溶解さ
せお銅酞化物を還元させるにあた぀お、䞊蚘のよ
うな酞の他に、アルカリ、䟋えば氎酞化ナトリり
ムなどの匷アルカリ氎溶液を甚いるこずも可胜で
ある。 䞊蚘のようにしお銅回路の銅酞化物局を還元す
る凊理をおこな぀たのち、盎ちに氎掗や湯掗等し
お也燥し、あずはこの内局甚回路板を甚いお、通
垞の工皋で倚局プリント配線板を補造するこずが
できる。すなわち、この内局甚回路板にプリプレ
グを介しお倖局甚回路板あるいは他の内局甚回
路板やもしくは銅箔を重ね、これを加熱加圧し
お積局成圢するこずによ぀おプリプレグをボンデ
むング局ずしお倚局に積局し、さらにスルヌホヌ
ルをドリル加工しお蚭けるず共に化孊メツキ等に
よ぀おスルヌホヌルメツキを斜し、さらに゚ツチ
ング等の凊理をしお倖局回路を圢成するこずによ
぀お、倚局プリント配線板を補造するこずができ
る。
【䜜甚】
本発明にあ぀おは、内局回路板の銅回路の衚面
を酞化凊理しお銅酞化物を圢成するこずによ぀
お、銅回路の衚面に埮现な突起を圢成させるこず
ができるものであり、衚面を粗面化しお銅回路ず
暹脂ずの接着性を高めるこずができる。しかも銅
酞化物の衚面に還元性ガスを䜜甚させお銅酞化物
を還元させるこずによ぀お、銅酞化物を酞に溶解
しにくい状態にするこずができ、銅酞化物に圢成
した銅酞化物がメツキ凊理の際などに酞に溶解し
おハロヌ珟象が生じるこずを防止するこずができ
る。たた、銅酞化物を還元させるにあた぀お、銅
の回路の衚面に圢成した銅酞化物の衚面に銅酞化
物よりもむオン化し易い金属をコヌテむングした
埌、酞でこの金属を溶解させるず同時にこの際に
発生する還元性ガスで銅酞化物を還元させるよう
にするこずによ぀お、銅酞化物の衚面にコヌテむ
ングした金属が酞に溶解する際に発生する還元性
ガスは発生期の状態で銅酞化物に䜜甚しお、銅酞
化物を匷力に還元するこずができるず共に、この
コヌテむングした金属や発生したガスで銅酞化物
を酞から保護するこずができるものであり、銅酞
化物によ぀お圢成されおいる粗面を消倱させるこ
ずなく銅酞化物を酞に溶解しにくい状態に十分に
還元するこずができる。
【実斜䟋】
次に本発明を実斜䟋によ぀お説明する。 実斜䟋  䞡面に70Ό厚の銅箔を匵぀お圢成した厚み1.0
mmのガラス垃基材゚ポキシ暹脂積局板束䞋電
工株匏䌚瀟補品番R1766を甚いお内局甚回路
板を䜜成し、内局甚回路板の銅回路の衚面をバ
フ研摩しお粗面化凊理した。 次に、 K2S2O8 

13 NaOH 

55 の組成の過硫酞カリりム济を60℃に調敎し、こ
の酞化凊理济に内局甚回路板を分間浞挬しお
銅回路の衚面を酞化凊理した。 次に、内局甚回路板を氎掗し、衚面が少し濡
れおいる状態で平均粒埄が6Όの金属Zn粉末
玔正化孊株匏䌚瀟補詊薬玚を内局甚回路
板の衚面に吹き付け、銅回路の衚面にZn粉末
をコヌテむングした。Zn粉末のコヌテむング
量は玄50m2であ぀た。 このようにZn粉末でコヌテむングをおこな
぀た埌に、塩酞濃床10の塩酞氎溶液䞭に内局
甚回路板を30秒間浞挬しお、Znを溶解陀去し
た。この際に銅回路の衚面の銅酞化物局は還元
䜜甚を受けた。 塩酞氎溶液でZnの溶解凊理をした埌、盎ち
に内局甚回路板を流氎で氎掗しお也燥した。 そしおこのように凊理した内局甚回路板の
䞡面に、第図に瀺すようにガラス垃基材に゚
ポキシ暹脂を含浞しお調補した厚み0.1mmのプ
リプレグ束䞋電工株匏䌚瀟補R1661を䞉
枚ず぀重ねるず共に、さらにその倖偎に厚み
18Όの銅箔を重ねおビルドアツプし、6.7×
103バルカスに滅圧した雰囲気䞋で、170℃、40
Kgcm2、120分間の条件で二次積局成圢する
こずによ぀お倚局板を埗た。 実斜䟋  実斜䟋においお、の工皋で銅回路衚面ぞの
Zn粉末のコヌテむング量が玄m2ずなるよ
うにした他は実斜䟋ず同様にしお倚局板を埗
た。 実斜䟋  実斜䟋においお、の工皋で銅回路衚面ぞの
Zn粉末のコヌテむング量が玄100m2ずなるよ
うにし、さらにの工皋での10塩酞氎溶液䞭ぞ
の内局甚回路板の浞挬時間を60秒に蚭定するよう
にした他は、実斜䟋ず同様にしお倚局板を埗
た。 実斜䟋  実斜䟋においお、の工皋での銅回路衚面ぞ
のZn粉末のコヌテむング量が玄250m2ずなる
ようにし、さらにの工皋での10塩酞氎溶液䞭
ぞの内局甚回路板の浞挬時間を120秒に蚭定しお、
銅回路衚面の銅酞化物を還元凊理した。この凊理
の埌においおも未溶解のZnが銅回路の衚面に残
぀たので、別の新しい10塩酞氎溶液䞭に内局甚
回路板をさらに60秒間浞挬凊理した。他は実斜䟋
ず同様にしお倚局板を埗た。 実斜䟋  実斜䟋ず同様にしお内局甚回路板を䜜成
し、 CuCl2 

30 HCl 

350ml の組成の塩化銅の゜フト゚ツチング液を30℃に
調敎し、この゜フト゚ツチング液で内局甚回路
板の衚面を1.5分間凊理するこずによ぀お、銅
回路の衚面を粗面化凊理した。 次に、 NaClO2 

60 NaOH 

10 Na2PO4 

12 の組成の亜塩玠酞゜ヌダ济を95℃に調敎し、こ
の酞化凊理济に内局甚回路板を分間浞挬しお
銅回路の衚面を酞化凊理した。 次に、内局甚回路板を氎掗し、平均粒埄が
10Όの金属Sn粉末玔正化孊株匏䌚瀟詊薬
玚をの氎に察しお500分散させた液に
内局甚回路板を分間浞挬し、銅回路の衚面に
Sn粉末をコヌテむングした。Sn粉末のコヌテ
むング量は玄60m2であ぀た。 このようにSn粉末でコヌテむングをおこな
぀た埌に、10の塩酞氎溶液䞭に内局甚回路板
を分間浞挬しお、Snを溶解陀去した。この
際に銅回路の衚面の銅酞化物局は還元䜜甚を受
けた。 塩酞氎溶液でSnの溶解凊理をした埌、盎ち
に内局甚回路板を流氎で氎掗しお也燥し、あず
はこの内局甚回路板を甚いお実斜䟋ず同様に
しお二次成圢しお倚局板を埗た。 実斜䟋  実斜䟋の及びず同様にしお、内局甚回路
板の銅回路の粗面化凊理ず酞化凊理をおこな぀
た。 次に、内局甚回路板を氎掗し、平均粒埄が
6Όの金属Zn粉末ず平均粒埄が10Όの金属Sn
粉末ずもに玔正化孊株匏䌚瀟補詊薬玚を
の氎に察しお500ず぀分散させた液に内
局甚回路板を分間浞挬し、銅回路の衚面に
Zn粉末ずSn粉末をコヌテむングした。Zn粉末
ずSn粉末のコヌテむング量は玄100m2であ
぀た。 あずは実斜䟋の及びず同様にしお、倚
局板を埗た。 実斜䟋  平均粒埄が3Όの金属Zn粉末䞉井金属塗
料化孊株匏䌚瀟補LS−をの氎に察し
お10分散させ、撹拌しながら95℃で10分間加
熱するこずによ぀おZn粉末の衚面を酞化させ
た埌、80℃で撹拌しながらこれに、実斜䟋の
ずの粗面化凊理ず酞化凊理をした内局甚回
路板を分間浞挬し、銅回路の衚面にZn粉末
をコヌテむングした。Zn粉末コヌテむング量
は玄1.0m2であ぀た。 このようにZn粉末でコヌテむングをおこな
぀た埌に、20の硫酞氎溶液䞭に内局甚回路板
を分間浞挬しお、Znを溶解陀去した。この
際に銅回路の衚面の銅酞化物局は還元䜜甚を受
けた。 硫酞氎溶液でZnの溶解凊理をした埌、盎ち
に内局甚回路板を流氎で氎掗しお100℃で30分
間也燥し、あずはこの内局甚回路板を甚いお実
斜䟋ず同様にしお二次成圢するこずによ぀お
倚局板を埗た。 実斜䟋  平均粒埄が3Όの金属Zn粉末䞉井金属塗
料化孊株匏䌚瀟補LS−をの氎に察し
お100分散させるず共にNa2CO3を10mg添加
し、70℃で30分間撹拌するこずによ぀おZn粉
末の衚面に炭酞亜鉛を圢成させた。この埌、80
℃で撹拌しながらこれに、実斜䟋のずの
粗面化凊理ず酞化凊理をした内局甚回路板を
分間浞挬し、銅回路の衚面にZn粉末をコヌテ
むングした。Zn粉末コヌテむング量は玄60
m2であ぀た。 あずは実斜䟋の及びず同様にしお、倚
局板を埗た。 実斜䟋  実斜䟋においお、の工皋でNa2CO3の代わ
りに35塩酞氎溶液を添加するこずによ぀おZn
粉末の衚面に塩化亜鉛を圢成させるようにした他
は、実斜䟋ず甚にしお倚局板を埗た。 実斜䟋 10 実斜䟋のの工皋においお、金属Zn粉末ず
金属Sn粉末を分散させる氎ずしお、SiO2埮粉末
日本ア゚ロゞル工業株匏䌚瀟補200を金属
Zn粉末ず金属Sn粉末の合成量に察しお重量比で
になるように添加しお、バスケツトミル浅
田鉄工株匏䌚瀟補SS−を甚いお1000rpmで
30分間撹拌したものを䜿甚するようにした他は、
実斜䟋ず同様にしお倚局板を埗た。 実斜䟋 11 実斜䟋のの工皋においお、金属Zn粉末ず
金属Sn粉末を分散させる氎ずしお、氎にで
んぷんを加えお60℃で10分間加枩したものを
䜿甚するようにした他は、実斜䟋ず同様にしお
倚局板を埗た。 実斜䟋 12 実斜䟋のの工皋においお、金属Zn粉末ず
金属Sn粉末を分散させるにあた぀お、氎の代わ
りに゚チレングリコヌルを䜿甚するようにした他
は、実斜䟋ず同様にしお倚局板を埗た。 比范䟋  実斜䟋においお及びのZn粉末のコヌテ
むングず塩酞氎溶液によるZn粉末の溶解凊理ず
をおこなわないようにした他は、実斜䟋ず同様
にしお倚局板を埗た。 比范䟋  実斜䟋においお及びのZn粉末ずSn粉末
のコヌテむングず塩酞氎溶液によるZn粉末ずSn
粉末の溶解凊理ずをおこなわないようにした他
は、実斜䟋ず同様にしお倚局板を埗た。 比范䟋  実斜䟋のずの粗面化凊理ず酞化凊理をし
た内局甚回路板を、アルカリ性還元剀氎溶液氎
玠化ホり玠ナトリりム、NaOH125
、液枩55℃に分間浞挬し、銅回路の衚面の
銅酞化物を還元凊理した。あずはこの内局甚回路
板を甚いお実斜䟋ず同様にしお二次成圢しお倚
局板を埗た。 䞊蚘各実斜䟋、各埓来䟋及び各比范䟋で埗た倚
局板に、0.4mmφのドリルビツトを甚いお䞇
rpmの回転速床及び1.6minの送り速床の条件
でスルヌホヌル加工をおこな぀た。これを17.5
の塩酞氎溶液に60分間浞挬しお、ハロヌの発生状
態を100倍の顕埮鏡で芳察した。ハロヌの倧きさ
スルヌホヌルの内呚から酞溶液の浞入幅寞法で
枬定を次衚に瀺す。たた倚局板をダむダモンド
カツタヌで10mm幅に切断しおサンプルを䜜成し、
銅回路の凊理面ずプリプレグずの間の接着力を株
匏䌚瀟島接補䜜所補オヌトグラフAGS−500B圢
を甚いお枬定した。同様のサンプルを−
100100℃の蒞留氎に時間浞挬の条件で煮沞
吞氎凊理し、このものに぀いおも銅回路ずプリプ
レグずの間の接着力を枬定した。これらの結果を
次衚に瀺す。そしお凊理前の接着力に察する煮沞
吞氎距離埌の接着力の比率を保持率ずしお算出
し、結果を次衚に瀺した。
【衚】 前衚の結果にみられるように、銅回路を酞化凊
理したのちに、その衚面にZnやSnの金沿粉末を
コヌテむングするず共にこの金属粉末を酞で溶解
陀去する凊理をおこなうこずによ぀お、銅回路の
銅酞化物を還元するようにした各実斜䟋のもの
は、このような凊理をおこなわない比范䟋、
のものに比べお、ハロヌの発生を倧幅に䜎枛でき
るこずが、たた還元凊理をアルカリ性還元剀溶液
でおこなうようにした比范䟋のものに比べおも
ハロヌの発生を䜎枛できるこずが、それぞれ確認
される。たた銅回路ずプリプレグずの接着力に぀
いおも、各実斜䟋のものは接着力の保持率が高
く、煮沞吞氎凊理をしおも接着力の䜎䞋が小さい
こずが確認される。
【発明の効果】
䞊述のように本発明にあ぀おは、内局甚回路板
の銅回路の衚面を酞化凊理しお銅酞化物を圢成す
るようにしたので、銅回路の衚面に埮现な突起を
圢成させお粗面化するこずができ、銅回路ず暹脂
ずの接着性を高めるこずができるものであり、し
かも銅酞化物の衚面に還元性ガスを䜜甚させお銅
酞化物を還元させるようにしたので、銅酞化物を
酞に溶解しにくい状態にするこずができ、銅回路
に圢成した銅酞化物がメツキ凊理の際などに酞に
溶解しおハロヌ珟象が生じるこずを防止するこず
ができるものである。 たた、銅酞化物を還元させるにあた぀お、銅の
回路の衚面に圢成した銅酞化物の衚面に銅酞化物
よりもむオン化し易い金属をコヌテむングした
埌、酞でこの金属を溶解させるず同時にこの際に
発生する還元性ガスで銅酞化物を還元させるよう
にしたので、銅酞化物の衚面にコヌテむングした
金属が酞に溶解する際に発生する還元性ガスは発
生盎埌に銅酞化物に䜜甚しお、銅酞化物を匷力に
還元するこずができるず共に、このコヌテむング
した金属や発生したガスで銅酞化物を酞から保護
するこずができるものであ぀お、銅酞化物によ぀
お圢成されおいる粗面を消倱させるこずなく銅酞
化物を酞に溶解しにくい状態に還元するこずがで
きるものであり、銅回路ず暹脂ずの接着性を高く
保持し぀぀ハロヌ珟象を防止するこずができるも
のである。 さらに、金属ずしお粉末を䜿甚するにあた぀
お、金属粒子の衚面に該金属の化合物が圢成され
たものを甚いるようにしたので、銅回路の衚面ぞ
の金属粉末の付着性が高た぀お、銅回路に金属粉
末を安定しお付着させるこずができるものであ
り、加えお、金属粉末を分散させた液を甚いお金
属粉末を銅回路の衚面に付着させるにあた぀お、
金属粉末を分散させた液には無機質の埮粉末や有
機系溶媒、ゲル化剀のような金属粉末の凝集を抑
制する物質を含有させるようにしたので、金属粉
末を液䞭に均䞀に分散させるこずができ、銅回路
の衚面金属粉末を均䞀に付着させるこずができる
ものである。
【図面の簡単な説明】
第図は倚局板を成圢する際の積局構成を瀺す
抂略分解図であり、は内局回路板、はプリプ
レグ、は銅箔である。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  内局甚回路板に蚭けた銅の回路を酞化凊理し
    お回路の衚面に銅酞化物を圢成し、次いで銅酞化
    物の衚面に還元性ガスを䜜甚させお銅酞化物を還
    元させるこずを特城ずする内局甚回路板の銅回路
    の凊理方法。  還元性ガスは発生期の氎玠であるこずを特城
    ずする請求項に蚘茉の内局甚回路板の銅回路の
    凊理方法。  内局甚回路板に蚭けた銅の回路を酞化凊理し
    お回路の衚面に銅酞化物を圢成し、次いで銅酞化
    物の衚面に銅酞化物よりもむオン化し易い金属を
    コヌテむングした埌、酞でこの金属を溶解させる
    ず同時にこの際に発生する還元性ガスで銅酞化物
    を還元させるこずを特城ずする内局甚回路板の銅
    回路の凊理方法。  銅酞化物よりもむオン化し易い金属ずしお、
    Sn、Fe、Zn、Alから遞ばれるものを甚いるこず
    を特城ずする請求項に蚘茉の内局甚回路板の銅
    回路の凊理方法。  銅酞化物よりもむオン化し易い金属ずしお、
    平均粒埄が100Ό以䞋の粉末を甚いるこずを特
    城ずする請求項又はに蚘茉の内局甚回路板の
    銅回路の凊理方法。  金属の粉末が、金属粒子の衚面に該金属の化
    合物が圢成されたものであるこずを特城ずする請
    求項に蚘茉の内局甚回路板の銅回路の凊理方
    法。  金属の粉末を分散させた液を内局甚回路板に
    接觊されるこずによ぀お、銅酞化物の衚面に銅酞
    化物よりもむオン化し易い金属をコヌテむングす
    るこずを特城ずする請求項乃至のいずれかに
    蚘茉の内局甚回路板の銅回路の凊理方法。  金属の粉末を分散させた液には金属粉末の凝
    集を抑制する物質が含たれおいるこずを特城ずす
    る請求項に蚘茉の内局甚回路板の銅回路の凊理
    方法。  金属粉末の凝集を抑制する物質が無機質に埮
    粉末であるこずを特城ずする請求項に蚘茉の内
    局甚回路板の銅回路の凊理方法。  金属粉末の凝集を抑制する物質が氎溶性の
    有機系溶媒であるこずを特城ずする請求項に蚘
    茉の内局甚回路板の銅回路の凊理方法。  金属粉末の凝集を抑制する物質がゲル化剀
    であるこずを特城ずする請求項に蚘茉の内局甚
    回路板の銅回路の凊理方法。  銅酞化物の衚面ぞの金属のコヌテむング量
    が、m2〜300m2であるこずを特城ずす
    る請求項乃至に蚘茉の内局甚回路板の銅回
    路の凊理方法。
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