JPH0566919B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0566919B2 JPH0566919B2 JP60261369A JP26136985A JPH0566919B2 JP H0566919 B2 JPH0566919 B2 JP H0566919B2 JP 60261369 A JP60261369 A JP 60261369A JP 26136985 A JP26136985 A JP 26136985A JP H0566919 B2 JPH0566919 B2 JP H0566919B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- aln
- film
- cvd
- carbon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 30
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 18
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 7
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 4
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 4
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- -1 Aluminum halides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000070 arsenic hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M chlorogallium Chemical compound [Ga]Cl XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N triethylaluminium Chemical compound CC[Al](CC)CC VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体、特にGaAs、InP等の−
族化合物半導体の気相成長に用いられるサセプタ
に関するものである。
族化合物半導体の気相成長に用いられるサセプタ
に関するものである。
−族化合物半導体（混晶を含む）は、キヤ
リア易動度が高く高速素子として用いられている
他、発光素子として用いられる等、シリコン半導
体に見られない特徴を有することから、活発は研
究開発が行なわれている。そのためデバイス形成
に必要な−族化合物半導体エピタキシヤルウ
エハの量産が進められており、特に高性能デバイ
ス用の高品質エピタキシヤルウエハに対する需要
が急速に高まりつつある。
リア易動度が高く高速素子として用いられている
他、発光素子として用いられる等、シリコン半導
体に見られない特徴を有することから、活発は研
究開発が行なわれている。そのためデバイス形成
に必要な−族化合物半導体エピタキシヤルウ
エハの量産が進められており、特に高性能デバイ
ス用の高品質エピタキシヤルウエハに対する需要
が急速に高まりつつある。
エピタキシヤルウエハの製造は量産性の面から
気相成長法により行なわれる事が多い、気相成長
法では化合物半導体の原料ガス、例えばGaAsの
場合にはGa源としてGaCl3やGa（CH3）3を、As源
としてAs4やAsH3を、H2などのキヤリアガスに
より気相成長炉内に搬送する。成長炉内には
GaAs基板ウエハがサセプタ上に置かれており、
高周波誘導加熱方式や赤外ランプ加熱方式により
基板加熱が行なわれる。サセプタは炭素（黒鉛を
含む）製で、炭素中の不純物による汚染を防ぐた
めにSiCや熱分解黒鉛により被覆されている。こ
のようなサセプタは、シリコン半導体の気相成長
用として従来から用いられていたものを化合物半
導体用に転用したものであるが、高品質を化合物
半導体膜を成長させる場合に問題を生じていた。
即ち、サセプタ表面のSiCや熱分解黒鉛被覆自身
はCVD法により形成されており高純度であるが、
被覆物質が周期律表第族の元素から構成されて
いるため、これらが−族化合物半導体中に混
入すると電気的特性が低下する。特にサセプタと
基板ウエハは高温で直接接触しているため、SiC
黒鉛のサセプタ上の被覆物質が基板ウエハ側に拡
散等して、成長する化合物半導体の電気特性低下
を招く可能性が非常に高かつたのである。
気相成長法により行なわれる事が多い、気相成長
法では化合物半導体の原料ガス、例えばGaAsの
場合にはGa源としてGaCl3やGa（CH3）3を、As源
としてAs4やAsH3を、H2などのキヤリアガスに
より気相成長炉内に搬送する。成長炉内には
GaAs基板ウエハがサセプタ上に置かれており、
高周波誘導加熱方式や赤外ランプ加熱方式により
基板加熱が行なわれる。サセプタは炭素（黒鉛を
含む）製で、炭素中の不純物による汚染を防ぐた
めにSiCや熱分解黒鉛により被覆されている。こ
のようなサセプタは、シリコン半導体の気相成長
用として従来から用いられていたものを化合物半
導体用に転用したものであるが、高品質を化合物
半導体膜を成長させる場合に問題を生じていた。
即ち、サセプタ表面のSiCや熱分解黒鉛被覆自身
はCVD法により形成されており高純度であるが、
被覆物質が周期律表第族の元素から構成されて
いるため、これらが−族化合物半導体中に混
入すると電気的特性が低下する。特にサセプタと
基板ウエハは高温で直接接触しているため、SiC
黒鉛のサセプタ上の被覆物質が基板ウエハ側に拡
散等して、成長する化合物半導体の電気特性低下
を招く可能性が非常に高かつたのである。
本発明者等は従来のサセプタの前記問題点を解
決するために炭素製サセプタから不純物汚染を防
止し、かつ化合物半導体に対して電気的に中性な
材料からなる被覆層の開発について検討し、−
族化合物半導体材料と同族元素からなるAlN
被覆層が好ましい性能を有することを見出し、特
に炭素基材を表面を気相から析出した結晶質窒化
アルミニウム（AlN）膜により被覆した場合に
最も性能の安定したサセプタが得られることを見
出だした。側ち本発明は、炭素基材の表面を気相
から析出した結晶質窒化アルミニウム膜により被
覆したことを特徴とする−属化合物半導体気
相成長用サセプタである。
決するために炭素製サセプタから不純物汚染を防
止し、かつ化合物半導体に対して電気的に中性な
材料からなる被覆層の開発について検討し、−
族化合物半導体材料と同族元素からなるAlN
被覆層が好ましい性能を有することを見出し、特
に炭素基材を表面を気相から析出した結晶質窒化
アルミニウム（AlN）膜により被覆した場合に
最も性能の安定したサセプタが得られることを見
出だした。側ち本発明は、炭素基材の表面を気相
から析出した結晶質窒化アルミニウム膜により被
覆したことを特徴とする−属化合物半導体気
相成長用サセプタである。
AlN膜は化学気相蒸着（CVD）法により気相
から炭素基材表面上に析出させる。原料として
Al源にはAlCl3やAlBr3などのハロゲン化アルミ
ニウムやAlEt3（トリエチルアルミニウム）など
の有機アルミニウム化合物が用いられ、Ｎ源には
NH3が一般に用いられる。NH3はAl源に対して
モル比で0.5から20倍、より好ましくは１〜５倍
の割合で供給するのがよい。
から炭素基材表面上に析出させる。原料として
Al源にはAlCl3やAlBr3などのハロゲン化アルミ
ニウムやAlEt3（トリエチルアルミニウム）など
の有機アルミニウム化合物が用いられ、Ｎ源には
NH3が一般に用いられる。NH3はAl源に対して
モル比で0.5から20倍、より好ましくは１〜５倍
の割合で供給するのがよい。
NH3の供給量が少いと反応率が低下してAl源
が無駄になり、また多すぎると過剰のNH3によ
つてCVD反応室の腐食等がおこり好ましくない
からである。Al源のハロゲン化アルミニウム、
有機アルミニウム化合物は常温で固体もしくは液
体であるので、適当な蒸気圧が得られる温度まで
加熱して、N2やH2などのキヤリアガスにより気
体原料としてCVD反応炉内に送られる。反応炉
内には基材（この場合には所定のサセプタの形状
に加工された炭素基材）が置かれ、所定の温度・
圧力等の条件の下、基材表面にAlNが析出され
る。この時の温度・圧力条件等によつて析出する
AlN膜の性状が変化するが、本発明が目的とす
るサセプタとして好ましい特性のものはAlN膜
が結晶質の場合にのみ得られ、非晶質AlN膜で
はサセプタに好ましくない。
が無駄になり、また多すぎると過剰のNH3によ
つてCVD反応室の腐食等がおこり好ましくない
からである。Al源のハロゲン化アルミニウム、
有機アルミニウム化合物は常温で固体もしくは液
体であるので、適当な蒸気圧が得られる温度まで
加熱して、N2やH2などのキヤリアガスにより気
体原料としてCVD反応炉内に送られる。反応炉
内には基材（この場合には所定のサセプタの形状
に加工された炭素基材）が置かれ、所定の温度・
圧力等の条件の下、基材表面にAlNが析出され
る。この時の温度・圧力条件等によつて析出する
AlN膜の性状が変化するが、本発明が目的とす
るサセプタとして好ましい特性のものはAlN膜
が結晶質の場合にのみ得られ、非晶質AlN膜で
はサセプタに好ましくない。
非晶質AlN膜はCVD温度が低い場合（たとえ
ば500℃）に得られるが、このような膜は繰り返
しの加熱冷却によりクラツクの発生を起こしやす
く、基材炭素の不純物がクラツク部分から出て来
るという問題がある。また非晶質AlN膜は空気
中の水分により容易に加水分解するためその取り
扱いが著しく困難で、実用性に著しい難点があ
る。これに対し、600℃以上、より好ましくは800
℃以上の高温でAlN膜のCVDを行うと結晶質の
膜が得られる。結晶質AlN膜はサセプタのよう
に繰り返しの加熱冷却を受ける場合でもクラツク
の発生を起こすことがなく、また加水分解性もな
いのでサセプタ被覆として優れた特性を有してい
る。AlN自身が族（Al）と族（Ｎ）の化合
物であるのでSiC被覆サセプタを用いる場合のよ
うな−族化合物半導体への族元素の混入汚
染という問題がなく、また本発明におけるAlN
被覆は気相からの析出により形成されるので極め
て高純度であり、他の不純物による汚染の心配も
ない。このため本発明のサセプタは高品質の−
族化合物半導体を気相成長させる上で最適の特
性を有するものである。
ば500℃）に得られるが、このような膜は繰り返
しの加熱冷却によりクラツクの発生を起こしやす
く、基材炭素の不純物がクラツク部分から出て来
るという問題がある。また非晶質AlN膜は空気
中の水分により容易に加水分解するためその取り
扱いが著しく困難で、実用性に著しい難点があ
る。これに対し、600℃以上、より好ましくは800
℃以上の高温でAlN膜のCVDを行うと結晶質の
膜が得られる。結晶質AlN膜はサセプタのよう
に繰り返しの加熱冷却を受ける場合でもクラツク
の発生を起こすことがなく、また加水分解性もな
いのでサセプタ被覆として優れた特性を有してい
る。AlN自身が族（Al）と族（Ｎ）の化合
物であるのでSiC被覆サセプタを用いる場合のよ
うな−族化合物半導体への族元素の混入汚
染という問題がなく、また本発明におけるAlN
被覆は気相からの析出により形成されるので極め
て高純度であり、他の不純物による汚染の心配も
ない。このため本発明のサセプタは高品質の−
族化合物半導体を気相成長させる上で最適の特
性を有するものである。
サセプタを構成する炭素基材は高純度のものが
好ましく、灰分0.1％以下であることが望まれる。
またAlN被覆層の厚さは5μｍ以上が好ましい。
灰分が0.1％を越える炭素基材を用いたり、AlN
層が5μｍ未満であると基材炭素中の不純物が
AlN層を拡散して外部に出現し、成長膜を汚染
するからである。尚、AlN層をCVD法により析
出させる際に高周波プラズマやマイクロ波プラズ
マCVD法を採用することも勿論可能である。
好ましく、灰分0.1％以下であることが望まれる。
またAlN被覆層の厚さは5μｍ以上が好ましい。
灰分が0.1％を越える炭素基材を用いたり、AlN
層が5μｍ未満であると基材炭素中の不純物が
AlN層を拡散して外部に出現し、成長膜を汚染
するからである。尚、AlN層をCVD法により析
出させる際に高周波プラズマやマイクロ波プラズ
マCVD法を採用することも勿論可能である。
また、結晶性AlN膜を10μｍ／hr以上の高蒸着
速度で析出させるためにはCVDを100Torr以下
の圧力で行うことが好ましい。これ以上の圧力で
行うと原料ガスが気相中で反応してAlN微粒子
を形成するため蒸着速度が低下するばかりでな
く、微粒子が膜中に取り込まれて欠陥となり、ク
ラツク発生を起こしやすくなる等の悪影響を及ぼ
すからである。
速度で析出させるためにはCVDを100Torr以下
の圧力で行うことが好ましい。これ以上の圧力で
行うと原料ガスが気相中で反応してAlN微粒子
を形成するため蒸着速度が低下するばかりでな
く、微粒子が膜中に取り込まれて欠陥となり、ク
ラツク発生を起こしやすくなる等の悪影響を及ぼ
すからである。
次に実施例により本発明を更に詳しく説明す
る。
る。
AlCl3とNH3を原料として、減圧CVD法により
サセプタ形状に加工した炭素基材上にAlN膜を
析出させた。AlCl3をガス状原料として減圧CVD
炉内に搬送するため、AlCl3を入れた容器を170
℃に加熱し、この容器にキヤリアガスとしてN2
ガスを流し、AlCl3容器とCVD炉の間のAlCl3供
給用ガス配管部を200℃に加熱してAlCl3の再析
出を防止するようにした。AlCl3の170℃におけ
る蒸気圧とキヤリアN2ガスの流量とからAlCl3の
CVD炉内への供給量が計算できる。NH3の流量
を１／minとし、AlCl3流量が0.5／minとな
るようにキヤリアN2ガスの流量を調整し、圧力
5Torr、基材温度1000℃の条件で炭素基材上に
AlN膜を析出させた。
サセプタ形状に加工した炭素基材上にAlN膜を
析出させた。AlCl3をガス状原料として減圧CVD
炉内に搬送するため、AlCl3を入れた容器を170
℃に加熱し、この容器にキヤリアガスとしてN2
ガスを流し、AlCl3容器とCVD炉の間のAlCl3供
給用ガス配管部を200℃に加熱してAlCl3の再析
出を防止するようにした。AlCl3の170℃におけ
る蒸気圧とキヤリアN2ガスの流量とからAlCl3の
CVD炉内への供給量が計算できる。NH3の流量
を１／minとし、AlCl3流量が0.5／minとな
るようにキヤリアN2ガスの流量を調整し、圧力
5Torr、基材温度1000℃の条件で炭素基材上に
AlN膜を析出させた。
CVDを８時間行い、400μｍの厚さのAlN膜を
析出させた（実施例）。Ｘ線回析法により析出膜
を調べたところ、AlNのシヤープなＸ線回析ピ
ークが測定され、結晶質AlN膜が析出している
ことが確認された。比較のため、基材温度を450
℃とした他は上と同一の条件でAlN膜を析出さ
せたが、Ｘ線回析を行つてもピークは検出され
ず、非晶質AlN膜であつた（比較例）。
析出させた（実施例）。Ｘ線回析法により析出膜
を調べたところ、AlNのシヤープなＸ線回析ピ
ークが測定され、結晶質AlN膜が析出している
ことが確認された。比較のため、基材温度を450
℃とした他は上と同一の条件でAlN膜を析出さ
せたが、Ｘ線回析を行つてもピークは検出され
ず、非晶質AlN膜であつた（比較例）。
サセプタとして使用される事を想定し、実施例
と比較例のサセプタをN2雰囲気中で高週波誘導
加熱により600℃に加熱した後、自然冷却するサ
イクルを繰り返し、毎サイクルごとにサセプタ上
のAlN被覆の様子を調べた。実施例のサセプタ
は20回の加熱・冷却の繰り返し後も何の変化もな
く、AlN層は強固に基材に付着し、クラツクの
発生も全く認められなかつた。これに対し比較例
のサセプタは第１回目のサイクルでクラツクが無
数に発生し、AlN層の部分的欠落が起きており、
炭素基材表面を被覆するAlN層が結晶質でなけ
ればならないことが明白に示された。
と比較例のサセプタをN2雰囲気中で高週波誘導
加熱により600℃に加熱した後、自然冷却するサ
イクルを繰り返し、毎サイクルごとにサセプタ上
のAlN被覆の様子を調べた。実施例のサセプタ
は20回の加熱・冷却の繰り返し後も何の変化もな
く、AlN層は強固に基材に付着し、クラツクの
発生も全く認められなかつた。これに対し比較例
のサセプタは第１回目のサイクルでクラツクが無
数に発生し、AlN層の部分的欠落が起きており、
炭素基材表面を被覆するAlN層が結晶質でなけ
ればならないことが明白に示された。
また、２種のサセプタを温度25℃、温度60％の
条件下で１ケ月放置した後、外観を検査したとこ
ろ、実施例のサセプタのAlN被覆層には何の変
化も認められなかつたが、比較例のサセプタでは
AlN被覆層が白色化し、また無数のクラツクが
発生していた。
条件下で１ケ月放置した後、外観を検査したとこ
ろ、実施例のサセプタのAlN被覆層には何の変
化も認められなかつたが、比較例のサセプタでは
AlN被覆層が白色化し、また無数のクラツクが
発生していた。
実施例のサセプタと従来のSiC被覆サセプタを
用いてGaAsウエハ上にGaAsのエピタキシヤル
成長を実施した。得られたエピタキシヤル膜中の
不純物濃度を測定したところ、実施例のサセプタ
を用いた場合には２×2014atoms／cm3と高純度で
あつたが、従来のSiC被覆サセプタを用いた場合
には３×1015原子／cm3と１行悪い純度となつてい
た。
用いてGaAsウエハ上にGaAsのエピタキシヤル
成長を実施した。得られたエピタキシヤル膜中の
不純物濃度を測定したところ、実施例のサセプタ
を用いた場合には２×2014atoms／cm3と高純度で
あつたが、従来のSiC被覆サセプタを用いた場合
には３×1015原子／cm3と１行悪い純度となつてい
た。
本発明のサセプタを用いて−族化合物半導
体の気相成長を行えば、サセプタの基材炭素から
の不純物混入が抑止できるだけでなく、サセプタ
被覆層物質の混入による電気的特性低下がなくな
るので、高品質の化合物半導体膜を成長させるこ
とができる。
体の気相成長を行えば、サセプタの基材炭素から
の不純物混入が抑止できるだけでなく、サセプタ
被覆層物質の混入による電気的特性低下がなくな
るので、高品質の化合物半導体膜を成長させるこ
とができる。
Claims (1)
- １ 炭素基材の表面を気相から析出した結晶質窒
化アルミニウム膜により被覆したことを特徴とす
る−属化合物半導体気相成長用サセプタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26136985A JPS62123094A (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | ３―５属化合物半導体気相成長用サセプタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26136985A JPS62123094A (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | ３―５属化合物半導体気相成長用サセプタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62123094A JPS62123094A (ja) | 1987-06-04 |
| JPH0566919B2 true JPH0566919B2 (ja) | 1993-09-22 |
Family
ID=17360881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26136985A Granted JPS62123094A (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | ３―５属化合物半導体気相成長用サセプタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62123094A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3071933B2 (ja) * | 1991-05-28 | 2000-07-31 | 日本碍子株式会社 | 解離したハロゲン系腐蝕性ガスに対する耐蝕性部材およびその製造方法 |
| JP3078671B2 (ja) * | 1992-11-26 | 2000-08-21 | 日本碍子株式会社 | 耐蝕性部材、その使用方法およびその製造方法 |
| NL1015550C2 (nl) * | 2000-06-28 | 2002-01-02 | Xycarb Ceramics B V | Werkwijze voor het vervaardigen van een uit een kern opgebouwde susceptor, aldus verkregen susceptor en een werkwijze voor het aanbrengen van actieve lagen op een halfgeleidersubstraat onder toepassing van een dergelijke susceptor. |
| CN101048531A (zh) | 2004-07-07 | 2007-10-03 | 通用电气公司 | 基材上的保护涂层及其制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5392338A (en) * | 1976-12-28 | 1978-08-14 | Suwa Seikosha Kk | Sheath parts for portable watch |
| JPS54157778A (en) * | 1978-06-02 | 1979-12-12 | Toshiba Ceramics Co | Susceptor |
| JPS56158866A (en) * | 1980-05-09 | 1981-12-07 | Toshiba Corp | Structural material for use at high temperature |
| JPS60216536A (ja) * | 1984-04-12 | 1985-10-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 基板載置台 |
-
1985
- 1985-11-22 JP JP26136985A patent/JPS62123094A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5392338A (en) * | 1976-12-28 | 1978-08-14 | Suwa Seikosha Kk | Sheath parts for portable watch |
| JPS54157778A (en) * | 1978-06-02 | 1979-12-12 | Toshiba Ceramics Co | Susceptor |
| JPS56158866A (en) * | 1980-05-09 | 1981-12-07 | Toshiba Corp | Structural material for use at high temperature |
| JPS60216536A (ja) * | 1984-04-12 | 1985-10-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 基板載置台 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62123094A (ja) | 1987-06-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2704181B2 (ja) | 化合物半導体単結晶薄膜の成長方法 | |
| JP3707726B2 (ja) | 炭化珪素の製造方法、複合材料の製造方法 | |
| Kouvetakis et al. | Chemical vapor deposition of gallium nitride from diethylgallium azide | |
| US20080083970A1 (en) | Method and materials for growing III-nitride semiconductor compounds containing aluminum | |
| US4897149A (en) | Method of fabricating single-crystal substrates of silicon carbide | |
| Mori et al. | GaAs growth by atomic layer epitaxy using diethylgalliumchloride | |
| JPH01162326A (ja) | β−炭化シリコン層の製造方法 | |
| JP2520060B2 (ja) | 窒化硼素製るつぼ及びそれを製造するための方法 | |
| AU2016296147A1 (en) | Growing expitaxial 3C-siC on single-crystal silicon | |
| Ho et al. | MOVPE of AlN and GaN by using novel precursors | |
| JP4733882B2 (ja) | 炭化珪素単結晶及びその製造方法並びに炭化珪素単結晶育成用炭化珪素結晶原料 | |
| JP2009543946A (ja) | ワイドバンドギャップ半導体材料 | |
| JPH0331678B2 (ja) | ||
| US5492752A (en) | Substrates for the growth of 3C-silicon carbide | |
| Fu et al. | Residual stress in GaN epilayers grown on silicon substrates | |
| JPH0566919B2 (ja) | ||
| JPH033233A (ja) | 化合物半導体単結晶薄膜の成長方法 | |
| JPS63178516A (ja) | 化合物半導体単結晶膜の成長方法 | |
| JPH0754802B2 (ja) | ＧａＡｓ薄膜の気相成長法 | |
| KR100191737B1 (ko) | 규소 기질 위에 질화갈륨 막을 형성하는 방법 | |
| KR100821360B1 (ko) | 탄화규소 단결정, 탄화규소 단결정 웨이퍼 및 그것의 제조 방법 | |
| JPH0380198A (ja) | 窒素化合物半導体単結晶膜の成長方法 | |
| KR0124972B1 (ko) | 갈륨 나이트라이드 단결정 박막의 제조방법 | |
| JPS6115150B2 (ja) | ||
| JP7392526B2 (ja) | 炭化ケイ素単結晶基板の製造方法 |