JPH0563099A - 半導体装置の配線構造 - Google Patents
半導体装置の配線構造Info
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- JPH0563099A JPH0563099A JP25046491A JP25046491A JPH0563099A JP H0563099 A JPH0563099 A JP H0563099A JP 25046491 A JP25046491 A JP 25046491A JP 25046491 A JP25046491 A JP 25046491A JP H0563099 A JPH0563099 A JP H0563099A
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- Japan
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- metal
- wiring
- interconnection
- resist
- layer wiring
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- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】リフトオフ法によって形成された配線金属の周
辺部に生ずる突起状の異常形状に起因する下層配線と上
層配線との間の絶縁不良を防止する。 【構成】半導体基板上に第一の配線金属が形成され、さ
らに前記第一の配線金属の上に絶縁性薄膜を挟んで第二
の配線金属が形成されることにより、前記半導体基板上
に形成された各能動素子及び受動素子間を立体的に配線
し作成される半導体装置において、図のように、第一の
配線金属22のエッジと、これと絶縁されるべき第二の配
線金属27が交差する地点で、第二の配線が必ず空中配線
となるように、配線金属を形成する。
辺部に生ずる突起状の異常形状に起因する下層配線と上
層配線との間の絶縁不良を防止する。 【構成】半導体基板上に第一の配線金属が形成され、さ
らに前記第一の配線金属の上に絶縁性薄膜を挟んで第二
の配線金属が形成されることにより、前記半導体基板上
に形成された各能動素子及び受動素子間を立体的に配線
し作成される半導体装置において、図のように、第一の
配線金属22のエッジと、これと絶縁されるべき第二の配
線金属27が交差する地点で、第二の配線が必ず空中配線
となるように、配線金属を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、絶縁性薄膜を挟んで複
数層形成された配線金属を用いて、立体的配線がなされ
た半導体の配線構造に関するものであり、特に配線金属
がリフトオフ法によって形成される半導体装置の配線構
造に関するものである。
数層形成された配線金属を用いて、立体的配線がなされ
た半導体の配線構造に関するものであり、特に配線金属
がリフトオフ法によって形成される半導体装置の配線構
造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１（ａ）〜（ｄ）に、リフトオフ法に
よる２層配線構造の形成工程を示す。半導体基板上に、
同図（ａ）のようにレジストを用いて下層配線（第一の
配線金属）のパターン10を形成し、その上に下層配線用
の金属11を蒸着する。レジスト10除去により、レジスト
上に蒸着された金属は容易に取り除かれ（リフトオフさ
れ）、レジストの開口部にのみ金属パターンが形成され
る。続いて、同図（ｂ）に示すように、上層と下層の配
線金属間を絶縁するため、プラズマＣＶＤ法等を用いて
ＳｉＮx 、ＳｉＯ2 、ＳｉＯＮなどの絶縁性薄膜12を、
下層配線上（もしくは基板上）に形成し、必要なところ
にコンタクトを取るための穴開けを行なう。さらに、上
層と下層配線の交差部に生じる寄生容量が回路特性上望
ましくない場合は、空中配線構造を形成するため、その
交差部にポストベークによってエッジを丸めたレジスト
パターン13を形成する。その後、（ｃ）のようにレジス
トを用いて、上層配線のパターン14を形成し、上層配線
用の金属15を蒸着する。ここに示した例では、厚い金属
層を形成するため２層レジスト構造を用いている。レジ
スト14除去後、金属の不要な部分は取り除かれ、さらに
配線の交差部に形成されたレジスト13も除去されて、同
図（ｄ）のような構造が得られる。
よる２層配線構造の形成工程を示す。半導体基板上に、
同図（ａ）のようにレジストを用いて下層配線（第一の
配線金属）のパターン10を形成し、その上に下層配線用
の金属11を蒸着する。レジスト10除去により、レジスト
上に蒸着された金属は容易に取り除かれ（リフトオフさ
れ）、レジストの開口部にのみ金属パターンが形成され
る。続いて、同図（ｂ）に示すように、上層と下層の配
線金属間を絶縁するため、プラズマＣＶＤ法等を用いて
ＳｉＮx 、ＳｉＯ2 、ＳｉＯＮなどの絶縁性薄膜12を、
下層配線上（もしくは基板上）に形成し、必要なところ
にコンタクトを取るための穴開けを行なう。さらに、上
層と下層配線の交差部に生じる寄生容量が回路特性上望
ましくない場合は、空中配線構造を形成するため、その
交差部にポストベークによってエッジを丸めたレジスト
パターン13を形成する。その後、（ｃ）のようにレジス
トを用いて、上層配線のパターン14を形成し、上層配線
用の金属15を蒸着する。ここに示した例では、厚い金属
層を形成するため２層レジスト構造を用いている。レジ
スト14除去後、金属の不要な部分は取り除かれ、さらに
配線の交差部に形成されたレジスト13も除去されて、同
図（ｄ）のような構造が得られる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】配線金属をリフトオフ
法で形成する場合、形成された配線金属の周辺部に、図
２（ｂ）に示すような上方に突起した異常形状30が観察
されることがある。これは、同図（ａ）に示すように、
蒸着された金属11の入射角がレジスト開口面に対して必
ずしも垂直とならないため、開口パターンの側壁部に蒸
着金属が付着し、レジスト10の除去後も残ってしまうか
らである。多層配線を行なう場合、上述のように、この
下層配線の上に絶縁性の薄膜を形成し、上層の配線金属
を形成する。このとき下層の配線金属に図２（ｂ）のよ
うな突起があると、絶縁性薄膜による被覆がこの部分で
薄くなり、上層配線と下層配線の間で絶縁不良を起こす
原因となる。
法で形成する場合、形成された配線金属の周辺部に、図
２（ｂ）に示すような上方に突起した異常形状30が観察
されることがある。これは、同図（ａ）に示すように、
蒸着された金属11の入射角がレジスト開口面に対して必
ずしも垂直とならないため、開口パターンの側壁部に蒸
着金属が付着し、レジスト10の除去後も残ってしまうか
らである。多層配線を行なう場合、上述のように、この
下層配線の上に絶縁性の薄膜を形成し、上層の配線金属
を形成する。このとき下層の配線金属に図２（ｂ）のよ
うな突起があると、絶縁性薄膜による被覆がこの部分で
薄くなり、上層配線と下層配線の間で絶縁不良を起こす
原因となる。
【０００４】例えば、下層配線と上層配線と相関の絶縁
性薄膜で構成されるＭＩＭ（MetalInsulator Metal ）
構造を利用してキャパシタを形成する場合、通常図３に
示すような構造となる。即ち、下層配線11上に絶縁性薄
膜12を挟んで上層配線15が形成された構造である。この
とき上層の配線金属15は、下層の配線金属11のエッジ31
と交差することになり、上述のように、この部分で絶縁
不良を起こすことがある。このような場合に限らず、下
層の配線金属のエッジと上層の配線金属の交差する部分
では、絶縁不良が生ずる可能性が高い。
性薄膜で構成されるＭＩＭ（MetalInsulator Metal ）
構造を利用してキャパシタを形成する場合、通常図３に
示すような構造となる。即ち、下層配線11上に絶縁性薄
膜12を挟んで上層配線15が形成された構造である。この
とき上層の配線金属15は、下層の配線金属11のエッジ31
と交差することになり、上述のように、この部分で絶縁
不良を起こすことがある。このような場合に限らず、下
層の配線金属のエッジと上層の配線金属の交差する部分
では、絶縁不良が生ずる可能性が高い。
【０００５】本発明は、このような問題を解決し、下層
配線金属と上層配線金属間で絶縁不良のない半導体装置
の配線構造を提供することを目的とする。
配線金属と上層配線金属間で絶縁不良のない半導体装置
の配線構造を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の半導体装置の配線構造は、半導体基板上に
第一の配線金属が形成され、さらに前記第一の配線金属
の上に絶縁性薄膜を挟んで第二の配線金属が形成される
ことにより、前記半導体基板上に形成された各能動素子
及び受動素子間を立体的に配線し作成される半導体装置
において、前記第一の配線金属のエッジと、これと絶縁
されるべき前記第二の配線金属が交差する地点で、前記
第二の配線を空中配線としている。
め、本発明の半導体装置の配線構造は、半導体基板上に
第一の配線金属が形成され、さらに前記第一の配線金属
の上に絶縁性薄膜を挟んで第二の配線金属が形成される
ことにより、前記半導体基板上に形成された各能動素子
及び受動素子間を立体的に配線し作成される半導体装置
において、前記第一の配線金属のエッジと、これと絶縁
されるべき前記第二の配線金属が交差する地点で、前記
第二の配線を空中配線としている。
【０００７】
【作用】このようにすると、リフトオフ法によって形成
された配線金属の周辺部に生じる突起に起因する、前記
突起上に形成された上層配線と下層配線との間の絶縁不
良を防止することができる。
された配線金属の周辺部に生じる突起に起因する、前記
突起上に形成された上層配線と下層配線との間の絶縁不
良を防止することができる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ、
説明する。図４（ａ）〜（ｄ）に、本発明を用いた一実
施例として、下層配線と上層配線と層間の絶縁性薄膜で
構成されるＭＩＭ構造を利用したＭＩＭキャパシタを含
む半導体装置の配線形成工程を示す。半導体基板上に、
同図（ａ）のようにレジストを用いて下層配線パターン
20を形成し、その上に下層配線用の金属21、22を蒸着す
る。レジスト20の除去により、レジスト上に蒸着された
金属は容易に取り除かれ、レジストの開口部にのみ金属
パターンが形成される。このとき、下層配線金属の周辺
に突起等の異常形状が発生する場合がある。続いて、同
図（ｂ）に示すように、上層と下層の配線金属間を絶縁
するため、プラズマＣＶＤ法によって、ＳｉＯＮ薄膜23
を、下層配線上（もしくは基板上）に形成した後、必要
なところに上層配線とのコンタクトを取るための穴開け
を行なう。さらに、上層と下層配線の交差部に空中配線
構造を形成するため、その交差部にポストベークによっ
てエッジを丸めたレジストパターンを形成する。具体的
に同図（ｂ）において、22がＭＩＭキャパシタの下部電
極となる部分であり、そのエッジを上部電極となる上層
の配線金属が横切る地点32が絶縁不良の発生箇所となる
ことから、この部分にレジストパターン24を形成する。
25は通常の空中配線を形成するための支持材となるレジ
ストパターンである。その後、（ｃ）のようにレジスト
を用いて、上層配線のパターン26を形成し、上層配線の
金属27を蒸着する。ここに示した例では、厚い金属層を
形成するため２層レジスト構造を用いている。レジスト
26除去後、金属の不要な部分は取り除かれ、さらに配線
の交差部に形成されたレジスト24及び25も除去されて、
同図（ｄ）のような構造が得られる。
説明する。図４（ａ）〜（ｄ）に、本発明を用いた一実
施例として、下層配線と上層配線と層間の絶縁性薄膜で
構成されるＭＩＭ構造を利用したＭＩＭキャパシタを含
む半導体装置の配線形成工程を示す。半導体基板上に、
同図（ａ）のようにレジストを用いて下層配線パターン
20を形成し、その上に下層配線用の金属21、22を蒸着す
る。レジスト20の除去により、レジスト上に蒸着された
金属は容易に取り除かれ、レジストの開口部にのみ金属
パターンが形成される。このとき、下層配線金属の周辺
に突起等の異常形状が発生する場合がある。続いて、同
図（ｂ）に示すように、上層と下層の配線金属間を絶縁
するため、プラズマＣＶＤ法によって、ＳｉＯＮ薄膜23
を、下層配線上（もしくは基板上）に形成した後、必要
なところに上層配線とのコンタクトを取るための穴開け
を行なう。さらに、上層と下層配線の交差部に空中配線
構造を形成するため、その交差部にポストベークによっ
てエッジを丸めたレジストパターンを形成する。具体的
に同図（ｂ）において、22がＭＩＭキャパシタの下部電
極となる部分であり、そのエッジを上部電極となる上層
の配線金属が横切る地点32が絶縁不良の発生箇所となる
ことから、この部分にレジストパターン24を形成する。
25は通常の空中配線を形成するための支持材となるレジ
ストパターンである。その後、（ｃ）のようにレジスト
を用いて、上層配線のパターン26を形成し、上層配線の
金属27を蒸着する。ここに示した例では、厚い金属層を
形成するため２層レジスト構造を用いている。レジスト
26除去後、金属の不要な部分は取り除かれ、さらに配線
の交差部に形成されたレジスト24及び25も除去されて、
同図（ｄ）のような構造が得られる。
【０００９】図５は、図４（ｄ）の右部のＭＩＭキャパ
シタを拡大したものである。図３の従来例と比較する
と、下層配線のエッジ部分と上層配線が十分距離を持っ
ており、しかもその間には空気が存しているので、絶縁
不良の心配はない。
シタを拡大したものである。図３の従来例と比較する
と、下層配線のエッジ部分と上層配線が十分距離を持っ
ており、しかもその間には空気が存しているので、絶縁
不良の心配はない。
【００１０】図６（ａ）に、大きな面積の下層配線21を
上層配線27が横切る場合の実施例を、また、同図（ｂ）
に、下層配線21を面積の大きな上層配線27が横切る場合
の実施例を示す。（ｂ）においては、空中配線構造を形
成するための支持材となるレジストが除去しやすいよう
に、空中配線となる部分に穴28を開けてある。
上層配線27が横切る場合の実施例を、また、同図（ｂ）
に、下層配線21を面積の大きな上層配線27が横切る場合
の実施例を示す。（ｂ）においては、空中配線構造を形
成するための支持材となるレジストが除去しやすいよう
に、空中配線となる部分に穴28を開けてある。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
リフトオフ法で形成された配線金属の周辺部に生ずる突
起状の異常形状に起因する下層配線と上層配線の絶縁不
良を防止することができ、信頼性の向上が図れる。
リフトオフ法で形成された配線金属の周辺部に生ずる突
起状の異常形状に起因する下層配線と上層配線の絶縁不
良を防止することができ、信頼性の向上が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 従来例、リフトオフ法による配線形成工程を
示す図。
示す図。
【図２】 従来例の問題点を示す図。
【図３】 従来の構造で形成されたＭＩＭキャパシタを
示す図。
示す図。
【図４】 本発明を実施した、ＭＩＭキャパシタを含む
配線形成工程を示す図。
配線形成工程を示す図。
【図５】 本発明を実施して形成された、ＭＩＭキャパ
シタの拡大図。
シタの拡大図。
【図６】 下層もしくは上層配線の面積が大きい場合に
本発明を実施した図。
本発明を実施した図。
10 下層配線レジストパターン 11 下層配線金属 12 絶縁性薄膜 13 空中配線支持用レジスト 14 上層配線レジストパターン 15 上層配線金属 20 下層配線レジストパターン 21 下層配線金属 22 下層配線金属 23 絶縁性薄膜 24 空中配線支持用レジスト 25 空中配線支持用レジスト 26 上層配線レジストパターン 27 上層配線金属 28 穴 30 突起 31 下層配線金属のエッジ 32 下層配線金属のエッジ
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板上に第一の配線金属が形成さ
れ、さらに前記第一の配線金属の上に絶縁性薄膜を挟ん
で第二の配線金属が形成されることにより、前記半導体
基板上に形成された各能動素子及び受動素子間を立体的
に配線し作成される半導体装置において、 前記第一の配線金属のエッジと、これと絶縁されるべき
前記第二の配線金属が交差する地点で、前記第二の配線
が空中配線となっていることを特徴とする半導体装置の
配線構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25046491A JPH0563099A (ja) | 1991-09-02 | 1991-09-02 | 半導体装置の配線構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25046491A JPH0563099A (ja) | 1991-09-02 | 1991-09-02 | 半導体装置の配線構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0563099A true JPH0563099A (ja) | 1993-03-12 |
Family
ID=17208263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25046491A Pending JPH0563099A (ja) | 1991-09-02 | 1991-09-02 | 半導体装置の配線構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0563099A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012191111A (ja) * | 2011-03-14 | 2012-10-04 | Showa Denko Kk | 厚膜金属電極の形成方法、及び厚膜レジストの形成方法 |
-
1991
- 1991-09-02 JP JP25046491A patent/JPH0563099A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012191111A (ja) * | 2011-03-14 | 2012-10-04 | Showa Denko Kk | 厚膜金属電極の形成方法、及び厚膜レジストの形成方法 |
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