JPH0562836A - 半導体装置とその製造方法 - Google Patents
半導体装置とその製造方法Info
- Publication number
- JPH0562836A JPH0562836A JP22282391A JP22282391A JPH0562836A JP H0562836 A JPH0562836 A JP H0562836A JP 22282391 A JP22282391 A JP 22282391A JP 22282391 A JP22282391 A JP 22282391A JP H0562836 A JPH0562836 A JP H0562836A
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- Japan
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- inductor line
- inductor
- semiconductor substrate
- line
- semiconductor device
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- Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 インダクタ線路の幅をそのままにして低抵抗
のスパイラル・インダクタを得る。 【構成】 長方形または正方形または円形の凹部２を半
導体基板１の一主面上に所要深さに形成し、この凹部２
内にインダクタ線路３を形成することにより、厚みの厚
いインダクタ線路３を形成できるようにしたことを特徴
としている。
のスパイラル・インダクタを得る。 【構成】 長方形または正方形または円形の凹部２を半
導体基板１の一主面上に所要深さに形成し、この凹部２
内にインダクタ線路３を形成することにより、厚みの厚
いインダクタ線路３を形成できるようにしたことを特徴
としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置とその製造
方法に係り、特に高周波用のＩＣ（ＭＭＩＣ）およびそ
の製造方法に関するものである。
方法に係り、特に高周波用のＩＣ（ＭＭＩＣ）およびそ
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のスパイラル・インダクタの外観図
を図４に、そのＢ−Ｂ断面図を図５に示す。これらの図
で、１は半導体基板で、例えばＧａＡｓ基板が高周波用
としてよく用いられる。３はこの半導体基板１上に導電
配線がスパイラル状に配置されたインダクタ線路、３ａ
はエアーブリッジ、３ｂは前記インダクタ線路３の両端
と外部回路を結ぶ引き出し配線である。
を図４に、そのＢ−Ｂ断面図を図５に示す。これらの図
で、１は半導体基板で、例えばＧａＡｓ基板が高周波用
としてよく用いられる。３はこの半導体基板１上に導電
配線がスパイラル状に配置されたインダクタ線路、３ａ
はエアーブリッジ、３ｂは前記インダクタ線路３の両端
と外部回路を結ぶ引き出し配線である。
【０００３】次に、動作について説明する。引き出し配
線３ｂにつながる外部回路（図示せず）から、エアーブ
リッジ３ａを経由してインダクタ線路３に対して信号電
流を流す。インダクタ線路３は渦巻状に巻かれており、
コイルとして作用するため電磁誘導によりインダクタと
して働く。
線３ｂにつながる外部回路（図示せず）から、エアーブ
リッジ３ａを経由してインダクタ線路３に対して信号電
流を流す。インダクタ線路３は渦巻状に巻かれており、
コイルとして作用するため電磁誘導によりインダクタと
して働く。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のインダクタは、
以上のように構成されているので、インダクタ配線の抵
抗を下げようとした場合、渦巻き配線の断面積を増やさ
なければならない。断面積を増やすには２通りの方法が
ある。第１はインダクタ線路３の太さ、すなわち幅を大
きくする方法で、その場合には渦巻き全体の大きさが増
えてしまうために高集積化が難しいという欠点を持つ。
また、第２はインダクタ線路３の太さはそのままで、高
さ、すなわちインダクタ線路３の厚みを増やす方法であ
る。しかしながら、従来の方法では、インダクタ線路３
の厚みはフォトレジストマスクの厚みによる制限があっ
たので、最大でも７μｍまでしか厚く形成できなかっ
た。
以上のように構成されているので、インダクタ配線の抵
抗を下げようとした場合、渦巻き配線の断面積を増やさ
なければならない。断面積を増やすには２通りの方法が
ある。第１はインダクタ線路３の太さ、すなわち幅を大
きくする方法で、その場合には渦巻き全体の大きさが増
えてしまうために高集積化が難しいという欠点を持つ。
また、第２はインダクタ線路３の太さはそのままで、高
さ、すなわちインダクタ線路３の厚みを増やす方法であ
る。しかしながら、従来の方法では、インダクタ線路３
の厚みはフォトレジストマスクの厚みによる制限があっ
たので、最大でも７μｍまでしか厚く形成できなかっ
た。
【０００５】以上のように、従来のインダクタ線路で
は、低抵抗で、かつ高集積化に向いたものを得ることが
困難であった。本発明は、上記のような問題点を解決す
るためになされたもので、配線の太さを増やすことな
く、抵抗の低いインダクタ線路を得ることを目的とす
る。
は、低抵抗で、かつ高集積化に向いたものを得ることが
困難であった。本発明は、上記のような問題点を解決す
るためになされたもので、配線の太さを増やすことな
く、抵抗の低いインダクタ線路を得ることを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
は、半導体基板の一主面上に設けた所要深さの長方形ま
たは正方形または円形の凹部内にインダクタ線路を形成
したものである。
は、半導体基板の一主面上に設けた所要深さの長方形ま
たは正方形または円形の凹部内にインダクタ線路を形成
したものである。
【０００７】また、本発明に係る半導体装置の製造方法
は、半導体基板の一主面上に所要深さの長方形または正
方形または円形のスパイラル溝を形成し、このスパイラ
ル溝内に導体からなるインダクタ線路を形成し、このイ
ンダクタ線路の導体と導体との間の半導体基板部分をイ
ンダクタ線路と同程度の深さにエッチング除去するもの
である。
は、半導体基板の一主面上に所要深さの長方形または正
方形または円形のスパイラル溝を形成し、このスパイラ
ル溝内に導体からなるインダクタ線路を形成し、このイ
ンダクタ線路の導体と導体との間の半導体基板部分をイ
ンダクタ線路と同程度の深さにエッチング除去するもの
である。
【０００８】
【作用】本発明の半導体装置においては、インダクタ線
路の厚さは半導体基板に形成されたスパイラル溝の深さ
により制限されるので、スパイラル溝の深さを従来のフ
ォトレジストの厚みよりも大きくすることによって、イ
ンダクタ線路の厚みを大きくすることができ、低抵抗な
インダクタ線路を得ることができる。また、インダクタ
線路の太さは従来と変わらないので高集積化にも適して
いる。
路の厚さは半導体基板に形成されたスパイラル溝の深さ
により制限されるので、スパイラル溝の深さを従来のフ
ォトレジストの厚みよりも大きくすることによって、イ
ンダクタ線路の厚みを大きくすることができ、低抵抗な
インダクタ線路を得ることができる。また、インダクタ
線路の太さは従来と変わらないので高集積化にも適して
いる。
【０００９】本発明の半導体装置の製造方法において
は、スパイラル溝内に導体を埋め込んでから導体と導体
の間の半導体基板部分をエッチング除去するので、製造
が容易となる。
は、スパイラル溝内に導体を埋め込んでから導体と導体
の間の半導体基板部分をエッチング除去するので、製造
が容易となる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図について説明す
る。図１は本発明の一実施例を示すインダクタ線路の斜
視図である。また、図２は、図１のＡ−Ａ断面図であ
る。図１，図２において、図４，図５と同一符号は同じ
ものを示し、２は前記半導体基板１上に形成された長方
形または正方形または円形の凹部である。
る。図１は本発明の一実施例を示すインダクタ線路の斜
視図である。また、図２は、図１のＡ−Ａ断面図であ
る。図１，図２において、図４，図５と同一符号は同じ
ものを示し、２は前記半導体基板１上に形成された長方
形または正方形または円形の凹部である。
【００１１】次に、製造方法について説明する。図３
（ａ）〜（ｄ）は、図１，図２のインダクタ線路３の製
造方法を示す図である。まず、フォトレジストをマスク
として、スパイラル溝２′をウエットエッチングあるい
はドライエッチングで形成する（図３（ａ））。この場
合のスパイラル溝２′の深さは、例えば３０μｍとす
る。次に、スパイラル溝２′内部にのみ導体３′を形成
し、インダクタ線路３とする（図３（ｂ））。導体３′
としてはＡｕ，Ｎｉ，Ｃｕメッキ等が使われる。次に、
スパイラル・インダクタの外周から内側に開口するよう
にフォトレジストをパターニングしてスパイラル状のイ
ンダクタ線路３の外周から内側の半導体基板１をエッチ
ング除去する（図３（ｃ））。つまり、導体３′と導体
３′の間にある半導体基板１の部分を除去する。その結
果、凹部２内にインダクタ線路３が形成されたことにな
る。この場合の深さは、例えば３０μｍとする。次に、
引き出し配線３ｂとエアブリッジ配線３ａを形成する
（図３（ｄ））。材質はＡｕ，Ｎｉ，Ｃｕメッキ等であ
る。
（ａ）〜（ｄ）は、図１，図２のインダクタ線路３の製
造方法を示す図である。まず、フォトレジストをマスク
として、スパイラル溝２′をウエットエッチングあるい
はドライエッチングで形成する（図３（ａ））。この場
合のスパイラル溝２′の深さは、例えば３０μｍとす
る。次に、スパイラル溝２′内部にのみ導体３′を形成
し、インダクタ線路３とする（図３（ｂ））。導体３′
としてはＡｕ，Ｎｉ，Ｃｕメッキ等が使われる。次に、
スパイラル・インダクタの外周から内側に開口するよう
にフォトレジストをパターニングしてスパイラル状のイ
ンダクタ線路３の外周から内側の半導体基板１をエッチ
ング除去する（図３（ｃ））。つまり、導体３′と導体
３′の間にある半導体基板１の部分を除去する。その結
果、凹部２内にインダクタ線路３が形成されたことにな
る。この場合の深さは、例えば３０μｍとする。次に、
引き出し配線３ｂとエアブリッジ配線３ａを形成する
（図３（ｄ））。材質はＡｕ，Ｎｉ，Ｃｕメッキ等であ
る。
【００１２】この動作は、引き出し配線３ｂにつながれ
る外部回路からインダクタ線路３に対し信号電流を流す
と、インダクタ線路３は渦巻状に巻かれているので、コ
イルとして作用し、その電磁誘導によりインダクタとし
て働く。
る外部回路からインダクタ線路３に対し信号電流を流す
と、インダクタ線路３は渦巻状に巻かれているので、コ
イルとして作用し、その電磁誘導によりインダクタとし
て働く。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置によれば、半導体基板の一主面上に設けた長方形また
は正方形または円形の凹部内にインダクタ線路を形成し
たので、インダクタ線路の厚みを厚く形成でき、インダ
クタ線路の太さを増やすことなく、抵抗の低いインダク
タ線路を得ることができる。また、インダクタ線路の太
さが増えないので高集積化にも適している。
置によれば、半導体基板の一主面上に設けた長方形また
は正方形または円形の凹部内にインダクタ線路を形成し
たので、インダクタ線路の厚みを厚く形成でき、インダ
クタ線路の太さを増やすことなく、抵抗の低いインダク
タ線路を得ることができる。また、インダクタ線路の太
さが増えないので高集積化にも適している。
【００１４】また、本発明の半導体装置の製造方法によ
れば、スパイラル溝内に導体を埋め込んでから導体と導
体間の半導体基板部分をエッチングして除去するので、
簡単な工程で製造できる。
れば、スパイラル溝内に導体を埋め込んでから導体と導
体間の半導体基板部分をエッチングして除去するので、
簡単な工程で製造できる。
【図１】本発明の一実施例を示すスパイラル状のインダ
クタ線路の斜視図である。
クタ線路の斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】本発明のスパイラル状のインダクタ線路の製造
フローを示す断面図である。
フローを示す断面図である。
【図４】従来のスパイラル状のインダクタ線路の斜視図
である。
である。
【図５】図４のＢ−Ｂ断面図である。
１ 半導体基板 ２ 凹部 ２′ スパイラル溝 ３ インダクタ線路 ３′ 導体 ３ａ エアーブリッジ配線 ３ｂ 引き出し配線
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板の一主面上に所要深さの長方
形または正方形または円形の凹部を形成し、この凹部内
にスパイラル状のインダクタ線路を形成したことを特徴
とする半導体装置。 - 【請求項２】 半導体基板の一主面上に所要深さの長方
形または正方形または円形のスパイラル溝を形成し、こ
のスパイラル溝内に導体からなるインダクタ線路を形成
し、このインダクタ線路の導体と導体との間の前記半導
体基板部分を前記インダクタ線路と同程度の深さにエッ
チング除去することを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3222823A JP3068266B2 (ja) | 1991-09-03 | 1991-09-03 | 半導体装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3222823A JP3068266B2 (ja) | 1991-09-03 | 1991-09-03 | 半導体装置とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0562836A true JPH0562836A (ja) | 1993-03-12 |
| JP3068266B2 JP3068266B2 (ja) | 2000-07-24 |
Family
ID=16788472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3222823A Expired - Lifetime JP3068266B2 (ja) | 1991-09-03 | 1991-09-03 | 半導体装置とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3068266B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6395637B1 (en) * | 1997-12-03 | 2002-05-28 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Method for fabricating a inductor of low parasitic resistance and capacitance |
| KR100764914B1 (ko) * | 2006-08-07 | 2007-10-09 | 한국과학기술연구원 | 전자기 노이즈 필터 |
| KR20220134741A (ko) | 2021-03-25 | 2022-10-05 | 듀폰 도레이 컴파니, 리미티드 | 커버레이 필름 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6348809A (ja) * | 1986-08-19 | 1988-03-01 | Mitsubishi Electric Corp | スパイラルインダクタ |
-
1991
- 1991-09-03 JP JP3222823A patent/JP3068266B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6348809A (ja) * | 1986-08-19 | 1988-03-01 | Mitsubishi Electric Corp | スパイラルインダクタ |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6395637B1 (en) * | 1997-12-03 | 2002-05-28 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Method for fabricating a inductor of low parasitic resistance and capacitance |
| KR100764914B1 (ko) * | 2006-08-07 | 2007-10-09 | 한국과학기술연구원 | 전자기 노이즈 필터 |
| WO2008018658A1 (en) * | 2006-08-07 | 2008-02-14 | Korea Institute Of Science And Technology | Electromagnetic noise filter |
| KR20220134741A (ko) | 2021-03-25 | 2022-10-05 | 듀폰 도레이 컴파니, 리미티드 | 커버레이 필름 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3068266B2 (ja) | 2000-07-24 |
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