JPH0562606A - イオン源 - Google Patents
イオン源Info
- Publication number
- JPH0562606A JPH0562606A JP3246488A JP24648891A JPH0562606A JP H0562606 A JPH0562606 A JP H0562606A JP 3246488 A JP3246488 A JP 3246488A JP 24648891 A JP24648891 A JP 24648891A JP H0562606 A JPH0562606 A JP H0562606A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion source
- valve
- chamber
- valve body
- extraction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Particle Accelerators (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 イオン源を真空に保ったまま取外しを可能に
すること。 【構成】 イオン源チェンバ１のビ−ム引出し部にゲ−
トバルブ部１１を設け、ビ−ムダクト８に結合する。ゲ
−トバルブ部のＬ字型の筐体１２内に、ビ−ム引出し口
３が形成された引出し用弁体１７と、これと９０度角度
を異にして遮蔽用弁体（１８）が設けられている。ビ−
ム発生時、引出し用弁体を弁座１６に配置する。イオン
源のクリ−ニング時、引出し用弁体を収容部２１内に引
込み、遮蔽用弁体（１８）を弁座に配置し、イオン源チ
ェンバ内を真空状態に保ったままビ−ムダクトから取り
外す。チェンバ内に溜った有毒物質は空気中に洩れず、
空気が流入しないから発火反応も起こらない。
すること。 【構成】 イオン源チェンバ１のビ−ム引出し部にゲ−
トバルブ部１１を設け、ビ−ムダクト８に結合する。ゲ
−トバルブ部のＬ字型の筐体１２内に、ビ−ム引出し口
３が形成された引出し用弁体１７と、これと９０度角度
を異にして遮蔽用弁体（１８）が設けられている。ビ−
ム発生時、引出し用弁体を弁座１６に配置する。イオン
源のクリ−ニング時、引出し用弁体を収容部２１内に引
込み、遮蔽用弁体（１８）を弁座に配置し、イオン源チ
ェンバ内を真空状態に保ったままビ−ムダクトから取り
外す。チェンバ内に溜った有毒物質は空気中に洩れず、
空気が流入しないから発火反応も起こらない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、イオン源チェンバ内を
真空に保ったまま取り外せるイオン源に関する。
真空に保ったまま取り外せるイオン源に関する。
【０００２】
【従来の技術】イオン源のイオンビ−ム引出し部には、
その形式を問わずビ−ム引出し口が存在し、例えば図３
に示すように、イオン源チェンバ１のフランジ２に引出
し口３を有する引出し口フランジ４が密閉用Ｏ−リング
５を介在させて複数のボルト６で取り付けられている。
かかる引出し口フランジ４を有するイオン源は、Ｏ−リ
ング７を挾んでビ−ムダクト８にボルト９で結合され、
イオンビ−ムは引出し口３に近接して配置した引出し電
極１０で引出され、ビ−ム下流側に送出される。
その形式を問わずビ−ム引出し口が存在し、例えば図３
に示すように、イオン源チェンバ１のフランジ２に引出
し口３を有する引出し口フランジ４が密閉用Ｏ−リング
５を介在させて複数のボルト６で取り付けられている。
かかる引出し口フランジ４を有するイオン源は、Ｏ−リ
ング７を挾んでビ−ムダクト８にボルト９で結合され、
イオンビ−ムは引出し口３に近接して配置した引出し電
極１０で引出され、ビ−ム下流側に送出される。
【０００３】イオン源の運転に伴い、イオン源チェンバ
１内には、発生ビ−ム種、イオン源形式により変わる
が、燐、砒素、セシウム等の有毒物質、発火性物質が付
着し、溜っていく。かかる物質を除去するするために、
引出し口フランジ４と共にイオン源チェンバ１を取外
し、排気ドラフト等に持ち込んでクリ−ニングを行うこ
とを要する。これには、先ずイオン源チェンバ１、ビ−
ムダクト８内の真空を破らなければならないが、この
際、有毒物質が空気中に洩れることがあり得るし、不活
性ガス（Ｎ2等）で真空をリ−クする場合にも、Ｏ2及び
水分を含む若干の空気が混入して発火することがある。
そこで、この反応の可能性を少なくするため、使用後、
イオン源チェンバを放置冷却し、真空リ−クを行ってい
るが、かなりの無駄な時間を必要とする。
１内には、発生ビ−ム種、イオン源形式により変わる
が、燐、砒素、セシウム等の有毒物質、発火性物質が付
着し、溜っていく。かかる物質を除去するするために、
引出し口フランジ４と共にイオン源チェンバ１を取外
し、排気ドラフト等に持ち込んでクリ−ニングを行うこ
とを要する。これには、先ずイオン源チェンバ１、ビ−
ムダクト８内の真空を破らなければならないが、この
際、有毒物質が空気中に洩れることがあり得るし、不活
性ガス（Ｎ2等）で真空をリ−クする場合にも、Ｏ2及び
水分を含む若干の空気が混入して発火することがある。
そこで、この反応の可能性を少なくするため、使用後、
イオン源チェンバを放置冷却し、真空リ−クを行ってい
るが、かなりの無駄な時間を必要とする。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、イオン源チ
ェンバ内を真空に保ったまま、イオン源を取り外すこと
を可能とするイオン源を提供することを目的とするもの
である。
ェンバ内を真空に保ったまま、イオン源を取り外すこと
を可能とするイオン源を提供することを目的とするもの
である。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、イオン源にお
いて、ビ−ム引出し口部にゲ−トバルブ部を有し、チェ
ンバを密閉可能に構成したことを主たる特徴とするもの
であり、更に、具体的には、ビ−ム引出し口部に、ビ−
ム引出し用弁体と遮蔽用弁体とを有するゲ−トバルブ部
を備えたことを特徴とするものである。
いて、ビ−ム引出し口部にゲ−トバルブ部を有し、チェ
ンバを密閉可能に構成したことを主たる特徴とするもの
であり、更に、具体的には、ビ−ム引出し口部に、ビ−
ム引出し用弁体と遮蔽用弁体とを有するゲ−トバルブ部
を備えたことを特徴とするものである。
【０００６】
【作用】クリ−ニングのためのイオン源の取外しに際し
ては、ゲ−トバルブ部を閉じることによりイオン源チェ
ンバを密閉し真空状態を保持したまま取り外す。ビ−ム
を発生させるイオン源の動作時には、引出し口が形成さ
れた弁体を用いてイオンを引出す。
ては、ゲ−トバルブ部を閉じることによりイオン源チェ
ンバを密閉し真空状態を保持したまま取り外す。ビ−ム
を発生させるイオン源の動作時には、引出し口が形成さ
れた弁体を用いてイオンを引出す。
【０００７】
【実施例】本発明の実施例について図面を参照して説明
する。図１はイオン源のビ−ム引出部付近の断面図、図
２は二つの弁体を開放したときの図１のＡ−Ａ線におけ
るゲ−トバルブ部の断面図であり、図３と同一符号は同
等部分を示す。イオン源チェンバ１のビ−ム引出し口フ
ランジ部２にゲ−トバルブ部１１がＯ−リング５を介在
させてボルト６によって固定され、これら全体はビ−ム
ダクト８の角型フランジ８1に、Ｏ−リング７を挾み、
ゲ−トバルブ部１１のＬ字型の筐体１２に形成されたネ
ジ穴１３に螺合するボルト９で結合される。ゲ−トバル
ブ部１１におけるＬ字型の筐体１２の両側面部にはそれ
ぞれイオン源チェンバ１及びビ−ムダクト８に連通する
開口部１４及び１５が設けられており、筐体１２内に
は、開口部１４側の弁座１６に配置可能の二つの弁体、
ビ−ムの引出し口３が形成されたビ−ム引出し用弁体１
７及び開口をもたない遮蔽用弁体１８を有する。弁体１
７と１８は９０度位置を異にして配置されており、各弁
体の操作軸１９、２０は、筐体１２の弁体収容部２１、
２２の端部の閉塞板２３、２４から延出し、各操作軸に
設けられた鍔部２５、２６と閉塞板２３、２４との間に
ベロ−ズシ−ル部２７、２８がそれぞれ設けられてい
る。各弁体１７、１８の弁座１６側周辺部にはＯ−リン
グ２９が配設されている。
する。図１はイオン源のビ−ム引出部付近の断面図、図
２は二つの弁体を開放したときの図１のＡ−Ａ線におけ
るゲ−トバルブ部の断面図であり、図３と同一符号は同
等部分を示す。イオン源チェンバ１のビ−ム引出し口フ
ランジ部２にゲ−トバルブ部１１がＯ−リング５を介在
させてボルト６によって固定され、これら全体はビ−ム
ダクト８の角型フランジ８1に、Ｏ−リング７を挾み、
ゲ−トバルブ部１１のＬ字型の筐体１２に形成されたネ
ジ穴１３に螺合するボルト９で結合される。ゲ−トバル
ブ部１１におけるＬ字型の筐体１２の両側面部にはそれ
ぞれイオン源チェンバ１及びビ−ムダクト８に連通する
開口部１４及び１５が設けられており、筐体１２内に
は、開口部１４側の弁座１６に配置可能の二つの弁体、
ビ−ムの引出し口３が形成されたビ−ム引出し用弁体１
７及び開口をもたない遮蔽用弁体１８を有する。弁体１
７と１８は９０度位置を異にして配置されており、各弁
体の操作軸１９、２０は、筐体１２の弁体収容部２１、
２２の端部の閉塞板２３、２４から延出し、各操作軸に
設けられた鍔部２５、２６と閉塞板２３、２４との間に
ベロ−ズシ−ル部２７、２８がそれぞれ設けられてい
る。各弁体１７、１８の弁座１６側周辺部にはＯ−リン
グ２９が配設されている。
【０００８】ビ−ム発生時、操作軸１９を操作して引出
し用弁体１７を弁座１６に配置し、イオン源チェンバ１
からイオンを引出す。クリ−ニングのためのイオン源の
取外しに際しては、開口を持たない遮蔽用弁体１８でイ
オン源チェンバ１を密閉し真空状態を保ったままビ−ム
ダクト８から取り外す。イオン源の立ち上げ時、チェン
バ１内を高真空に引く際には、両方の弁体１７、１８を
収容部２１、２２内に引き込んでゲ−トバルブ部を開放
し、コンダクタンスの良い状態で行うと立ち上げ時間の
短縮が図れる。
し用弁体１７を弁座１６に配置し、イオン源チェンバ１
からイオンを引出す。クリ−ニングのためのイオン源の
取外しに際しては、開口を持たない遮蔽用弁体１８でイ
オン源チェンバ１を密閉し真空状態を保ったままビ−ム
ダクト８から取り外す。イオン源の立ち上げ時、チェン
バ１内を高真空に引く際には、両方の弁体１７、１８を
収容部２１、２２内に引き込んでゲ−トバルブ部を開放
し、コンダクタンスの良い状態で行うと立ち上げ時間の
短縮が図れる。
【０００９】
【発明の効果】本発明は以上説明したように構成したの
で、イオン源チェンバを取り外す場合には、チェンバを
密閉し真空状態を保ったまま取り外すことができるか
ら、有毒物質が空気中に洩れることがないし、チェンバ
内に空気が流入することもないから発火する恐れもな
く、安全に取り扱うことができる。そして、発火の恐れ
もないことに伴い、取り外す前に放置冷却する必要がな
いから簡便、迅速に取外し作業を行うことができる。
で、イオン源チェンバを取り外す場合には、チェンバを
密閉し真空状態を保ったまま取り外すことができるか
ら、有毒物質が空気中に洩れることがないし、チェンバ
内に空気が流入することもないから発火する恐れもな
く、安全に取り扱うことができる。そして、発火の恐れ
もないことに伴い、取り外す前に放置冷却する必要がな
いから簡便、迅速に取外し作業を行うことができる。
【００１０】イオン源のゲ−トバルブ部は、ビ−ム引出
用弁体と遮蔽用弁体を有するから、イオン源チェンバか
らのビ−ム引出し得る状態とチェンバを密閉する状態に
簡単に切り換えることができる。
用弁体と遮蔽用弁体を有するから、イオン源チェンバか
らのビ−ム引出し得る状態とチェンバを密閉する状態に
簡単に切り換えることができる。
【００１１】ゲ−トバルブは機能の異なる二つの弁体を
各別に操作し、弁座に配置されるから、各弁体の操作行
程が短くて済み、真空状態に維持されるゲ−トバルブ内
の容積も小さくすることができ、全体を小型に構成する
ことができる。
各別に操作し、弁座に配置されるから、各弁体の操作行
程が短くて済み、真空状態に維持されるゲ−トバルブ内
の容積も小さくすることができ、全体を小型に構成する
ことができる。
【図１】本発明の実施例の断面図である。
【図２】バルブを開放したときの図１のＡ−Ａ線におけ
るゲ−トバルブ部の断面図である。
るゲ−トバルブ部の断面図である。
【図３】従来例の断面図である。
【符号の説明】 1 イオン源チェンバ 3 ビ−ム引出し口 8 ビ−ムダクト 10 引出し電極 11 ゲ−トバルブ部 12 筐体 14，15 開口部 16 弁座 17 ビ−ム引出し用弁体 18 遮蔽用弁体 19，20 操作軸 27，28 ベロ−ズシ−ル部
Claims (3)
- 【請求項１】 ビ−ム引出し口部にゲ−トバルブ部を有
し、チェンバを密閉可能に構成したことを特徴とするイ
オン源。 - 【請求項２】 ビ−ム引出し口部に、ビ−ム引出し用弁
体と遮蔽用弁体とを有するゲ−トバルブ部を備えたこと
を特徴とするイオン源。 - 【請求項３】 異なる機能をもつ２枚の弁体を有するこ
とを特徴とする真空ゲ−トバルブ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3246488A JPH0562606A (ja) | 1991-09-02 | 1991-09-02 | イオン源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3246488A JPH0562606A (ja) | 1991-09-02 | 1991-09-02 | イオン源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0562606A true JPH0562606A (ja) | 1993-03-12 |
Family
ID=17149147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3246488A Pending JPH0562606A (ja) | 1991-09-02 | 1991-09-02 | イオン源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0562606A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013182863A (ja) * | 2012-03-05 | 2013-09-12 | Toshiba Corp | イオン源 |
| EP3533493A1 (en) * | 2018-03-02 | 2019-09-04 | Hitachi, Ltd. | Particle beam treatment system and method for renewing facilities of particle beam treatment system |
-
1991
- 1991-09-02 JP JP3246488A patent/JPH0562606A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013182863A (ja) * | 2012-03-05 | 2013-09-12 | Toshiba Corp | イオン源 |
| US9355809B2 (en) | 2012-03-05 | 2016-05-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ion source |
| EP3533493A1 (en) * | 2018-03-02 | 2019-09-04 | Hitachi, Ltd. | Particle beam treatment system and method for renewing facilities of particle beam treatment system |
| CN110215620A (zh) * | 2018-03-02 | 2019-09-10 | 株式会社日立制作所 | 粒子射线治疗系统以及粒子射线治疗系统的设备更新方法 |
| JP2019150295A (ja) * | 2018-03-02 | 2019-09-12 | 株式会社日立製作所 | 粒子線治療システムおよび粒子線治療システムの設備更新方法 |
| JP2022105048A (ja) * | 2018-03-02 | 2022-07-12 | 株式会社日立製作所 | 粒子線治療システムおよび粒子線治療システムの設備更新方法 |
| US11389671B2 (en) | 2018-03-02 | 2022-07-19 | Hitachi, Ltd. | Particle beam treatment system and method for renewing facilities of particle beam treatment system |
| CN110215620B (zh) * | 2018-03-02 | 2022-08-16 | 株式会社日立制作所 | 粒子射线治疗系统以及粒子射线治疗系统的设备更新方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |