JPH0560673B2 - - Google Patents
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- JPH0560673B2 JPH0560673B2 JP61143902A JP14390286A JPH0560673B2 JP H0560673 B2 JPH0560673 B2 JP H0560673B2 JP 61143902 A JP61143902 A JP 61143902A JP 14390286 A JP14390286 A JP 14390286A JP H0560673 B2 JPH0560673 B2 JP H0560673B2
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- light
- receiving
- light receiving
- optical sensor
- sensor
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 18
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
- G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
- G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
- G01J1/0407—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
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- G01J1/02—Details
- G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
- G01J1/0407—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings
- G01J1/0411—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings using focussing or collimating elements, i.e. lenses or mirrors; Aberration correction
-
- G—PHYSICS
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- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/4228—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors arrangements with two or more detectors, e.g. for sensitivity compensation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02325—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements not being integrated nor being directly associated with the device
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
- G01J1/0204—Compact construction
- G01J1/0209—Monolithic
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
- G01J1/0214—Constructional arrangements for removing stray light
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
Landscapes
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
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- Light Receiving Elements (AREA)
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Description
本発明は外光の照度を検出する光センサに関す
るもので、特に複数の受光素子が一帯に設けら
れ、異なる目的の照度測定が一体の光センサで行
えるようにしたものであり、例えば自動車の照明
灯の自動点灯を行うときには、周辺光の測定と前
方光の測定などのように使用される複合型光セン
サに係るものである。
るもので、特に複数の受光素子が一帯に設けら
れ、異なる目的の照度測定が一体の光センサで行
えるようにしたものであり、例えば自動車の照明
灯の自動点灯を行うときには、周辺光の測定と前
方光の測定などのように使用される複合型光セン
サに係るものである。
従来、光センサを用いて異なる目的の照度測
定、例えば平均照度と部分照度の測定を行うとき
には、夫々の目的に合致するように専用に製作さ
れた個別の光センサを必要数だけ使用するもので
あつた。
定、例えば平均照度と部分照度の測定を行うとき
には、夫々の目的に合致するように専用に製作さ
れた個別の光センサを必要数だけ使用するもので
あつた。
しかしながら、上記に説明した従来の方法で
は、第一に、光センサを個別に設けるために小形
化が困難である問題点を生じ、第二には、この個
別に設けることによつて光センサ設置の際には
夫々にその取付け方向の調整などを行うことが必
要となり生産工程上でも手間のかかるという問題
点を生ずるものであつた。
は、第一に、光センサを個別に設けるために小形
化が困難である問題点を生じ、第二には、この個
別に設けることによつて光センサ設置の際には
夫々にその取付け方向の調整などを行うことが必
要となり生産工程上でも手間のかかるという問題
点を生ずるものであつた。
本発明は前記した従来の問題点を解決するため
の具体的手段として、2つ以上の受光素子が一つ
の基板の受光側に固定された複合型光センサにお
いて、前記受光素子は基板と一緒に透明樹脂でモ
ールドされ、夫々の前記受光素子の受光側前方に
は前記透明樹脂で一体に形成された端面を持つ受
光部が夫々に形成され、夫々の前記受光部以外の
部分は凹部として形成され、該凹部で前記受光素
子に影響を与える受光部の受光面積に変化を与え
ることを特徴とする複合型光センサを提供するこ
とで、前記した従来の問題点を解決するものであ
る。
の具体的手段として、2つ以上の受光素子が一つ
の基板の受光側に固定された複合型光センサにお
いて、前記受光素子は基板と一緒に透明樹脂でモ
ールドされ、夫々の前記受光素子の受光側前方に
は前記透明樹脂で一体に形成された端面を持つ受
光部が夫々に形成され、夫々の前記受光部以外の
部分は凹部として形成され、該凹部で前記受光素
子に影響を与える受光部の受光面積に変化を与え
ることを特徴とする複合型光センサを提供するこ
とで、前記した従来の問題点を解決するものであ
る。
つぎに、本発明を図に示す一実施例に基づいて
詳細に説明する。 第1図、第2図に示すものは本発明の複合型光
センサの最も基本的なセンサ部1を示すもので透
明樹脂、例えばエポキシ樹脂などでホトダイオー
ドなどの二個の受光素子13が一体にモールドさ
れて、モールドパツケージ10とされている。こ
のときに前記モールドパツケージ10の前記受光
素子13の夫々の前面に対応する位置には受光部
11,12が形成され、該受光部11,12の受
光部端面11A,12Bは要求される受光角な
ど、光学特性を与えるのに適宜な形状に形成され
ている。尚、前記モールドパツケージ10の前記
受光部11,12以外の部分は凹部17とされ、
例えば受光角を設定するときには前記受光部1
1,12と凹部17との面積の比率を変えること
などで行われるものとなる。また、前記受光素子
13はセラミツク基板14の受光側の面の規定の
位置に予めにマウントし、リード線15を設けた
ものとすれば工程を容易なものとすることができ
好ましく、又このセラミツク基板14を利用して
前記受光素子13の増幅回路などを組込むことも
可能であり、図中に符号16で示したものは、こ
のようにして組込まれた増幅回路などの回路部品
の取付の例を示したものである。 第3図に示すものは本発明の複合型光センサの
センサ部1aのモールドパツケージ10aの別の
実施例を示したものであり、一方の受光部12a
の受光部端面12Bが球面状に樹脂モールドで形
成されたものであり、ここで示すように前記受光
部は目的とする受光に適する形状であればどのよ
うな形状にしても良いものである。尚、他の一方
の受光部11a、受光部端面11Bは第1図、第
2図の実施例と全くに同様であるのでここでの説
明を省略する。 第4図、第5図に示すものは同じく本発明のセ
ンサ部1bのモールドパツケージ10bの更に好
ましい別の実施例であり、受光素子13が夫々に
設けられている略中間の位置、即ち受光部11b
の受光部12bとの略中間の位置の前記モールド
パツケージ10bには適宜な幅に摺割状の溝状凹
部17aが設けられ、該溝状凹部17aには不透
明部材18が嵌合されている。このようにするこ
とで、例えば受光部11b側から入射した光線が
他の一方の側の受光素子13の側に達することを
防止する遮光部が形成されると共に、この溝状凹
部17aの背面側も外部からの光線が達し難くな
るので図中に符号19で示すようにこの部分に、
例えば前記受光素子13の前置増幅器用の半導体
集積回路をチツプの状態で配設しても外光による
誤動作の発生などを防止するものとなる。この実
施例においても、上記に説明した以外の部分、例
えば受光部11b,12b、受光部端面11C,
12Cなどに就いては第1図、第2図及び第3図
で説明したものと同様であるのでここでの説明を
省略する。 第6図に示すものは前記で説明した本発明のセ
ンサ部1,1a,1bなどを、同じく本発明のケ
ース部2に収納した状態を示したものであり、代
表的にセンサ部1の例で示してある。このときに
前記ケース部2には透明な樹脂などによる前面レ
ンズ20と、不透明な樹脂などによるホルダケー
ス23とがあり、前記前面レンズ20には前記セ
ンサ部1に設けられた受光部11,12と夫々に
対応するようにうに受光手段として受光レンズ2
1,22が設けられている。その具体的な例とし
ては本図の実施例においては、一方の側の受光レ
ンズは受光角を広くするために平板状とされ、他
の一方の受光レンズ22は受光角を狭くするため
に凸レンズ状とされている例で示してあるが、こ
の形状は目的に適合するものであればどのような
形状としても良いことは言うまでもなく、又、こ
こでの図示は省略するが第4図、第5図で示した
ものと同様な方法で、この前面レンズ20の側に
前記溝状凹部を設けて遮光部とすることも当然に
可能である。尚、前記ホルダケース23には前記
前面レンズ20を取付けるための適宜の形状とし
たレンズ受部24、或いは前記センサ部1の駆動
回路30を収納する回路ケース部25などが必要
に応じ設けられている。 第7図に示すものは更に詳細に本発明の複合型
光センサの要部を拡大して示すもので、特に前記
した遮光部が前面レンズ20の側に設けられた例
が示してあり、該前面レンズ20に設けられた溝
状凹部27aには不透明部材28が嵌合され遮光
部とされると共に、前記溝状凹部27aの背面側
に生じる凸部27bと嵌合するようにセンサ部1
にも溝状凹部17bが形成されていて、該センサ
部1を前記ケース部2に収納したときには前記受
光部11と受光レンズ21、及び受光部12と受
光レンズ22との相互位置関係を正確に維持させ
るものとされている、このようにすることで、組
立工程上において高い精度が容易に得られるもの
となり、また、該組立も防止でき好都合である。
つぎに、本発明の主目的である夫々の受光素子1
3aと13bとに対する光学的な特性について説
明を行うと、受光素子13aの側においては受光
部11の受光部端面11Aを広く取り、更に受光
レンズ21を平面状としたことで、受光角αは約
45度と広く設定し、受光素子13bの側において
は受光部12の受光部端面12Aを狭く取り、更
に受光レンズ22を凸レンズ状としたことで、受
光角βは約3.5度と狭く設定して目的を達してい
る。
詳細に説明する。 第1図、第2図に示すものは本発明の複合型光
センサの最も基本的なセンサ部1を示すもので透
明樹脂、例えばエポキシ樹脂などでホトダイオー
ドなどの二個の受光素子13が一体にモールドさ
れて、モールドパツケージ10とされている。こ
のときに前記モールドパツケージ10の前記受光
素子13の夫々の前面に対応する位置には受光部
11,12が形成され、該受光部11,12の受
光部端面11A,12Bは要求される受光角な
ど、光学特性を与えるのに適宜な形状に形成され
ている。尚、前記モールドパツケージ10の前記
受光部11,12以外の部分は凹部17とされ、
例えば受光角を設定するときには前記受光部1
1,12と凹部17との面積の比率を変えること
などで行われるものとなる。また、前記受光素子
13はセラミツク基板14の受光側の面の規定の
位置に予めにマウントし、リード線15を設けた
ものとすれば工程を容易なものとすることができ
好ましく、又このセラミツク基板14を利用して
前記受光素子13の増幅回路などを組込むことも
可能であり、図中に符号16で示したものは、こ
のようにして組込まれた増幅回路などの回路部品
の取付の例を示したものである。 第3図に示すものは本発明の複合型光センサの
センサ部1aのモールドパツケージ10aの別の
実施例を示したものであり、一方の受光部12a
の受光部端面12Bが球面状に樹脂モールドで形
成されたものであり、ここで示すように前記受光
部は目的とする受光に適する形状であればどのよ
うな形状にしても良いものである。尚、他の一方
の受光部11a、受光部端面11Bは第1図、第
2図の実施例と全くに同様であるのでここでの説
明を省略する。 第4図、第5図に示すものは同じく本発明のセ
ンサ部1bのモールドパツケージ10bの更に好
ましい別の実施例であり、受光素子13が夫々に
設けられている略中間の位置、即ち受光部11b
の受光部12bとの略中間の位置の前記モールド
パツケージ10bには適宜な幅に摺割状の溝状凹
部17aが設けられ、該溝状凹部17aには不透
明部材18が嵌合されている。このようにするこ
とで、例えば受光部11b側から入射した光線が
他の一方の側の受光素子13の側に達することを
防止する遮光部が形成されると共に、この溝状凹
部17aの背面側も外部からの光線が達し難くな
るので図中に符号19で示すようにこの部分に、
例えば前記受光素子13の前置増幅器用の半導体
集積回路をチツプの状態で配設しても外光による
誤動作の発生などを防止するものとなる。この実
施例においても、上記に説明した以外の部分、例
えば受光部11b,12b、受光部端面11C,
12Cなどに就いては第1図、第2図及び第3図
で説明したものと同様であるのでここでの説明を
省略する。 第6図に示すものは前記で説明した本発明のセ
ンサ部1,1a,1bなどを、同じく本発明のケ
ース部2に収納した状態を示したものであり、代
表的にセンサ部1の例で示してある。このときに
前記ケース部2には透明な樹脂などによる前面レ
ンズ20と、不透明な樹脂などによるホルダケー
ス23とがあり、前記前面レンズ20には前記セ
ンサ部1に設けられた受光部11,12と夫々に
対応するようにうに受光手段として受光レンズ2
1,22が設けられている。その具体的な例とし
ては本図の実施例においては、一方の側の受光レ
ンズは受光角を広くするために平板状とされ、他
の一方の受光レンズ22は受光角を狭くするため
に凸レンズ状とされている例で示してあるが、こ
の形状は目的に適合するものであればどのような
形状としても良いことは言うまでもなく、又、こ
こでの図示は省略するが第4図、第5図で示した
ものと同様な方法で、この前面レンズ20の側に
前記溝状凹部を設けて遮光部とすることも当然に
可能である。尚、前記ホルダケース23には前記
前面レンズ20を取付けるための適宜の形状とし
たレンズ受部24、或いは前記センサ部1の駆動
回路30を収納する回路ケース部25などが必要
に応じ設けられている。 第7図に示すものは更に詳細に本発明の複合型
光センサの要部を拡大して示すもので、特に前記
した遮光部が前面レンズ20の側に設けられた例
が示してあり、該前面レンズ20に設けられた溝
状凹部27aには不透明部材28が嵌合され遮光
部とされると共に、前記溝状凹部27aの背面側
に生じる凸部27bと嵌合するようにセンサ部1
にも溝状凹部17bが形成されていて、該センサ
部1を前記ケース部2に収納したときには前記受
光部11と受光レンズ21、及び受光部12と受
光レンズ22との相互位置関係を正確に維持させ
るものとされている、このようにすることで、組
立工程上において高い精度が容易に得られるもの
となり、また、該組立も防止でき好都合である。
つぎに、本発明の主目的である夫々の受光素子1
3aと13bとに対する光学的な特性について説
明を行うと、受光素子13aの側においては受光
部11の受光部端面11Aを広く取り、更に受光
レンズ21を平面状としたことで、受光角αは約
45度と広く設定し、受光素子13bの側において
は受光部12の受光部端面12Aを狭く取り、更
に受光レンズ22を凸レンズ状としたことで、受
光角βは約3.5度と狭く設定して目的を達してい
る。
以上に詳細に説明したように本発明により、受
光素子は基板と一緒に透明樹脂でモールドされ、
夫々の受光素子の受光側前方には透明樹脂で一体
に形成された端面を持つ受光部が夫々に形成さ
れ、夫々の前記受光部以外の部分は凹部として形
成され、該凹部で前記受光素子に影響を与える受
光部の受光面積に変化を与える複合型光センサと
したことで、一体のセンサで広角と狭角或いは正
面と斜方向など、異なる種類の照度検出が可能と
なり、この種の装置の部品点数を削減して小形化
し、取付、調整も容易にする優れた効果を奏する
と共に、併せて設けた遮光部などにより遮光と位
置決めなどの作用も行わせ、その効果の確実性を
一層に高めるものである。
光素子は基板と一緒に透明樹脂でモールドされ、
夫々の受光素子の受光側前方には透明樹脂で一体
に形成された端面を持つ受光部が夫々に形成さ
れ、夫々の前記受光部以外の部分は凹部として形
成され、該凹部で前記受光素子に影響を与える受
光部の受光面積に変化を与える複合型光センサと
したことで、一体のセンサで広角と狭角或いは正
面と斜方向など、異なる種類の照度検出が可能と
なり、この種の装置の部品点数を削減して小形化
し、取付、調整も容易にする優れた効果を奏する
と共に、併せて設けた遮光部などにより遮光と位
置決めなどの作用も行わせ、その効果の確実性を
一層に高めるものである。
第1図は本発明に係る複合型光センサのセンサ
部の一実施例を示す断面図、第2図は同じ実施例
の正面図、第3図は同じく本発明の別な実施例を
示す断面図、第4図は更に別の実施例を示す断面
図、第5図は第4図の実施例の正面図、第6図は
センサ部とケース部を組合せた本発明の実施例を
示す断面図、第7図はセンサ部とケース部との組
合せを要部で詳細に示す説明図である。 1……センサ部、10……モールドパツケー
ジ、11,11a,11b……受光部、11A,
11B,11C……受光部端面、12,12a,
12b……受光部、12A,12B,12C……
受光部端面、13,13a,13b……受光素
子、14……セラミツク基板、15……リード
線、16……回路部品、17……凹部、17a,
17b……溝状凹部、18……不透明部材、19
……半導体集積回路、2……ケース部、20……
前面レンズ、21,22……受光レンズ、23…
…ホルダケース、24……レンズ受部、25……
回路ケース部、30……駆動回路。
部の一実施例を示す断面図、第2図は同じ実施例
の正面図、第3図は同じく本発明の別な実施例を
示す断面図、第4図は更に別の実施例を示す断面
図、第5図は第4図の実施例の正面図、第6図は
センサ部とケース部を組合せた本発明の実施例を
示す断面図、第7図はセンサ部とケース部との組
合せを要部で詳細に示す説明図である。 1……センサ部、10……モールドパツケー
ジ、11,11a,11b……受光部、11A,
11B,11C……受光部端面、12,12a,
12b……受光部、12A,12B,12C……
受光部端面、13,13a,13b……受光素
子、14……セラミツク基板、15……リード
線、16……回路部品、17……凹部、17a,
17b……溝状凹部、18……不透明部材、19
……半導体集積回路、2……ケース部、20……
前面レンズ、21,22……受光レンズ、23…
…ホルダケース、24……レンズ受部、25……
回路ケース部、30……駆動回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 2つ以上の受光素子が一つの基板の受光側に
固定された複合型光センサにおいて、前記受光素
子は基板と一緒に透明樹脂でモールドされ、夫々
の前記受光素子の受光側前方に前記透明樹脂で一
体に形成された端面を持つ受光部が夫々に形成さ
れ、夫々の前記受光部以外の部分は凹部として形
成され、該凹部で前記受光素子に影響を与える受
光部の受光面積に変化を与えることを特徴とする
複合型光センサ。 2 前記受光部の少なくとも一方がレンズ状に形
成された受光部を持つことを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載の複合型光センサ。 3 前記凹部は前記受光部と受光部との間に成形
され、該凹部に不透明部材が嵌合されたことを特
徴とする特許請求の範囲第1項又は特許請求の範
囲第2項記載の複合型光センサ。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61143902A JPS63176A (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | 複合型光センサ |
US07/062,442 US4808812A (en) | 1986-06-19 | 1987-06-11 | Composite type light sensor having plural sensors with different light receiving angle optical characteristics |
CA000539917A CA1277390C (en) | 1986-06-19 | 1987-06-17 | Composite type light sensor |
GB8714400A GB2192709B (en) | 1986-06-19 | 1987-06-19 | Composite light sensor |
DE3720406A DE3720406C2 (de) | 1986-06-19 | 1987-06-19 | Lichtsensor |
FR878708621A FR2600459B1 (fr) | 1986-06-19 | 1987-06-19 | Detecteur de lumiere de type composite |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61143902A JPS63176A (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | 複合型光センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63176A JPS63176A (ja) | 1988-01-05 |
JPH0560673B2 true JPH0560673B2 (ja) | 1993-09-02 |
Family
ID=15349723
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61143902A Granted JPS63176A (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | 複合型光センサ |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4808812A (ja) |
JP (1) | JPS63176A (ja) |
CA (1) | CA1277390C (ja) |
DE (1) | DE3720406C2 (ja) |
FR (1) | FR2600459B1 (ja) |
GB (1) | GB2192709B (ja) |
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1986
- 1986-06-19 JP JP61143902A patent/JPS63176A/ja active Granted
-
1987
- 1987-06-11 US US07/062,442 patent/US4808812A/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-06-17 CA CA000539917A patent/CA1277390C/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-06-19 GB GB8714400A patent/GB2192709B/en not_active Expired
- 1987-06-19 FR FR878708621A patent/FR2600459B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1987-06-19 DE DE3720406A patent/DE3720406C2/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2192709B (en) | 1989-12-13 |
DE3720406A1 (de) | 1988-01-07 |
GB2192709A (en) | 1988-01-20 |
US4808812A (en) | 1989-02-28 |
JPS63176A (ja) | 1988-01-05 |
FR2600459B1 (fr) | 1990-08-31 |
FR2600459A1 (fr) | 1987-12-24 |
DE3720406C2 (de) | 1994-03-24 |
CA1277390C (en) | 1990-12-04 |
GB8714400D0 (en) | 1987-07-22 |
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