JPS58192366A - 受光素子内蔵集積回路装置 - Google Patents
受光素子内蔵集積回路装置Info
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- JPS58192366A JPS58192366A JP57075345A JP7534582A JPS58192366A JP S58192366 A JPS58192366 A JP S58192366A JP 57075345 A JP57075345 A JP 57075345A JP 7534582 A JP7534582 A JP 7534582A JP S58192366 A JPS58192366 A JP S58192366A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本＠＃４ｒｉ受′ｊｔ素子内威巣槓回路装置ｔこ関する
。
。
ｍ１元りるー框側距用の集検回路装瀘（ｘｃＨｃに、受
ｆｔ素子か内雇さｎてしる。この受光素子内蔵工Ｃに受
光素子部に外部の光力・刺通するＬうｔこ透明レジン尋
の透明刺止体で伽ゎＩしてｂる。ｌた、受光部となる透
明刺止体の六面にＳかやｒいたりめる込は汚れたりする
と光の散乱や遮蔽か起きて受光量か減るため、従来は第
１図＋ａｌ 、 １１）ｌで示すように、受ｊｔ素子部
１（同図１ｂｌのクロスハツチングで示す惨域〕ｔも含
めるベレット２の全体に略対応する透明封止体３１１Ｓ
分に一段と低い窪み４に形成されて−る。なお、図中、
５はベレット２を固定するタブ、６は外端か透明刺止体
３から突出するリード、７ｒｉベレツト２の電極とリー
ド６の内端を接続する導線である。
ｆｔ素子か内雇さｎてしる。この受光素子内蔵工Ｃに受
光素子部に外部の光力・刺通するＬうｔこ透明レジン尋
の透明刺止体で伽ゎＩしてｂる。ｌた、受光部となる透
明刺止体の六面にＳかやｒいたりめる込は汚れたりする
と光の散乱や遮蔽か起きて受光量か減るため、従来は第
１図＋ａｌ 、 １１）ｌで示すように、受ｊｔ素子部
１（同図１ｂｌのクロスハツチングで示す惨域〕ｔも含
めるベレット２の全体に略対応する透明封止体３１１Ｓ
分に一段と低い窪み４に形成されて−る。なお、図中、
５はベレット２を固定するタブ、６は外端か透明刺止体
３から突出するリード、７ｒｉベレツト２の電極とリー
ド６の内端を接続する導線である。
ところで、このような構造の受光素子内蔵ＩＣは受光面
か平坦であることと、受光素子Ｓか数百２７３４口ｓｆ
と小さいことから、受光量か小場く感度か１＃にい１１
７点かある。
か平坦であることと、受光素子Ｓか数百２７３４口ｓｆ
と小さいことから、受光量か小場く感度か１＃にい１１
７点かある。
したかつて、本発明の目的は受光感度の高い受ｙｔ素子
内腋集ｓＩｉｇ１ｗＩ装置を提供することにめる。
内腋集ｓＩｉｇ１ｗＩ装置を提供することにめる。
このような目的′ｋｊＩ成する九めに本発明に、受光素
子内蔵集８１１回ｌｌ１１装瀘において、透明刺止体内
の受ｆｔ、嵩子向に光か収束するように透明到止体宍ｒ
ｊ７Ｊｔ＃ＰＲ状または半円弧状断面ｔした突条とする
４のである。ま交、こｎら半Ｒ状部、突条Ｓは傷か付い
たり、汚れたりしない工うに１透明封止体に設けた舗み
の底に形成してなるものであって、以下実施か１に１ｐ
本発明を紋明する。
子内蔵集８１１回ｌｌ１１装瀘において、透明刺止体内
の受ｆｔ、嵩子向に光か収束するように透明到止体宍ｒ
ｊ７Ｊｔ＃ＰＲ状または半円弧状断面ｔした突条とする
４のである。ま交、こｎら半Ｒ状部、突条Ｓは傷か付い
たり、汚れたりしない工うに１透明封止体に設けた舗み
の底に形成してなるものであって、以下実施か１に１ｐ
本発明を紋明する。
第２図に本発明の一実ｍガによる受元素子内腋１０ｉ示
すｗｒ面図、第３図に同じく一部拡大断面図、纂４図に
同じく元１１Ｅ免籍性を示すグラフである。
すｗｒ面図、第３図に同じく一部拡大断面図、纂４図に
同じく元１１Ｅ免籍性を示すグラフである。
この実施例の受光素子内戚工ｏｒ！纂２図に示すように
、タブ５の主ｒｋＪ（上ｒｆｉ）に纂３囚の拡大断ｒｋ
ｉ図で示すように受光素子ｉ１！１ｔ（ｒ一部に壱する
ベレット２ｋｌ！ｉｆｌ定して−る。また、前にタブ５
の周辺に内端【臨ませる多数のり−ド６０内趨部と前記
ベレット２のＷＬ極（図示せず）とに導−７で従続され
ている。また、タブ５．ベレット２．り一部６の内端部
、導＃７に透明レジン等〃・らなる透明刺止体３で刺止
され、リード６の外ｙｓ部のみか透明封止体３から突出
てる構造となっている。１次、ベレット２の上部に対応
する透明刺止体３部分にａ績み４ｔＰ設けら几るととも
に、その績み４の戚＠框受光素子部ｌの位置かレンズの
焦点位置となるような突出し九半球体８となっている。
、タブ５の主ｒｋＪ（上ｒｆｉ）に纂３囚の拡大断ｒｋ
ｉ図で示すように受光素子ｉ１！１ｔ（ｒ一部に壱する
ベレット２ｋｌ！ｉｆｌ定して−る。また、前にタブ５
の周辺に内端【臨ませる多数のり−ド６０内趨部と前記
ベレット２のＷＬ極（図示せず）とに導−７で従続され
ている。また、タブ５．ベレット２．り一部６の内端部
、導＃７に透明レジン等〃・らなる透明刺止体３で刺止
され、リード６の外ｙｓ部のみか透明封止体３から突出
てる構造となっている。１次、ベレット２の上部に対応
する透明刺止体３部分にａ績み４ｔＰ設けら几るととも
に、その績み４の戚＠框受光素子部ｌの位置かレンズの
焦点位置となるような突出し九半球体８となっている。
ζらに、ベレット２の狭面に第３図で示すように、受光
菓子部ｌの表面領域を除く表面部分にａ元を透通しない
遮光１［９か取り付けら３．ＩＣの他の領域のＰＮ優會
部分に元か遅しないように配慮芒ｎでいる。こｎｒｉ、
曲の領域のＰＨｆ＃台に光か到達すると、受光素子のＰ
Ｍ接合部分と同様に元凰光か発生し、この電流かＩＯの
誤動作の原因ともなることｔ防止するためでめる。受光
素子ｓ１に第３図で示すように、たとえばＰＪｔ型のシ
リコン基ｆＩ１１０の王１ｊ０１７Ｃ設は友Ｎ尋亀溢の
エピタキシャル層ｔアイソレーションしたアイランド１
１の六面中犬部にＰ４１Ｅ型領域１２を形成することに
よって形成場れる。ベレット２の我面に絶縁膜１２で僅
わｎるとともに、１ｔｌＦｉｅＰ導電型餉域１２お工び
Ｍ ４（ｆｆｉｉ１１域（アイランド）１１上の絶ｍａ
ｉ！１３に瑳遍孔を設けたコンタクト孔を利用して引出
電極１４ρ為そｎ−ｔ’ｎａａらｔて因る。ｌ几、受光
素 ！子部１に域以外のベレット表面は前述の
１うに遡光躾すで蛋わｎている。なお、繭配績み４の底
に形成される半球体８の頂部に透明封止体３の上面より
も下方に位置し、窪み４円に入った状態となっている。
菓子部ｌの表面領域を除く表面部分にａ元を透通しない
遮光１［９か取り付けら３．ＩＣの他の領域のＰＮ優會
部分に元か遅しないように配慮芒ｎでいる。こｎｒｉ、
曲の領域のＰＨｆ＃台に光か到達すると、受光素子のＰ
Ｍ接合部分と同様に元凰光か発生し、この電流かＩＯの
誤動作の原因ともなることｔ防止するためでめる。受光
素子ｓ１に第３図で示すように、たとえばＰＪｔ型のシ
リコン基ｆＩ１１０の王１ｊ０１７Ｃ設は友Ｎ尋亀溢の
エピタキシャル層ｔアイソレーションしたアイランド１
１の六面中犬部にＰ４１Ｅ型領域１２を形成することに
よって形成場れる。ベレット２の我面に絶縁膜１２で僅
わｎるとともに、１ｔｌＦｉｅＰ導電型餉域１２お工び
Ｍ ４（ｆｆｉｉ１１域（アイランド）１１上の絶ｍａ
ｉ！１３に瑳遍孔を設けたコンタクト孔を利用して引出
電極１４ρ為そｎ−ｔ’ｎａａらｔて因る。ｌ几、受光
素 ！子部１に域以外のベレット表面は前述の
１うに遡光躾すで蛋わｎている。なお、繭配績み４の底
に形成される半球体８の頂部に透明封止体３の上面より
も下方に位置し、窪み４円に入った状態となっている。
これは、半球体８の表面に物か接触して傷か付す友り、
あるいに汚ｎたりすることｔ防止する九めである。
あるいに汚ｎたりすることｔ防止する九めである。
このような実施料の受光素子内淑工Ｃによｎば、半球体
８のレンズ効果によって受光素子Ｓ領域エクも媛かに広
い面積に呻ｐ注ぐｊｔ、’ｒ受光素子部ｌに集取させる
ことかできる。このため、檜出光鎗か増大し、光感度か
角鑵的に増大する。受光素子の光量に対する光ＷＬＩＬ
は第４図で示す工うに、それぞれ対数（、ｚｏｇ ）に
ＩＪ ニアとなる。したかつて、一点鎖−で示す従来品
による従来品党ＷＬ流特性ムに比較して、この実施ガに
よる実ｍガ品元電流脣性Ｂ（実−で示す。）に大輪に同
上する。
８のレンズ効果によって受光素子Ｓ領域エクも媛かに広
い面積に呻ｐ注ぐｊｔ、’ｒ受光素子部ｌに集取させる
ことかできる。このため、檜出光鎗か増大し、光感度か
角鑵的に増大する。受光素子の光量に対する光ＷＬＩＬ
は第４図で示す工うに、それぞれ対数（、ｚｏｇ ）に
ＩＪ ニアとなる。したかつて、一点鎖−で示す従来品
による従来品党ＷＬ流特性ムに比較して、この実施ガに
よる実ｍガ品元電流脣性Ｂ（実−で示す。）に大輪に同
上する。
また、半球体の形ＩｆＣにレジンモールド型に光重に半
球窪み面を薯する突部を般ける勢子にとによって容易に
行なうことかでき、コストアップとはならない利点もあ
る。
球窪み面を薯する突部を般ける勢子にとによって容易に
行なうことかでき、コストアップとはならない利点もあ
る。
なお、本発明に前記夾厖ガに限定プルない。たとえば、
＠５図に示すように、ベレット２の上部の半球体８に透
明封止体３の上面工９も突出させてお込ても前記実施ガ
と同様に光感度に高くなる。
＠５図に示すように、ベレット２の上部の半球体８に透
明封止体３の上面工９も突出させてお込ても前記実施ガ
と同様に光感度に高くなる。
この場合、取り！ＥＬｔｎに注意して、半球体表面に接
触による傷や汚れか付かないようにすることか望まれる
。＃Ｉ６図は光収束を半球体に代えて断面か半円弧状の
突条体１５に用いて行なうＰＪｔ−示す。
触による傷や汚れか付かないようにすることか望まれる
。＃Ｉ６図は光収束を半球体に代えて断面か半円弧状の
突条体１５に用いて行なうＰＪｔ−示す。
この場合は、受光素子ｓ１か細長い場合に待に翌効であ
る。この突条体１５ｒｉ透明封止体３の蒲み底面に形成
してもよい。さらに、光収束効釆會尚めるために各種の
ａｒｋｉｋ組み合せにヶ合曲圓体をベレット上方の透明
封止体に作るようにしてもよい。
る。この突条体１５ｒｉ透明封止体３の蒲み底面に形成
してもよい。さらに、光収束効釆會尚めるために各種の
ａｒｋｉｋ組み合せにヶ合曲圓体をベレット上方の透明
封止体に作るようにしてもよい。
また、本発明に混成集積１ｇ１ｗ５装置の場合にも同様
に通用できる。
に通用できる。
ざらに、必要ならば受光素子に代えて発光素子を内戚す
るＩＣ等への通用も可能でおる。
るＩＣ等への通用も可能でおる。
以上のように、本発明によれば受光感度の高い受元素子
内本集槓回路装置を通用することかできる９
内本集槓回路装置を通用することかできる９
＠１図＋ａｌ 、 Ｉｂ１ｉ従来の受元素子内廐工ａｙ
示す＃Ｉｆｉ図お工び平面図、 第２図は本発明の一実ＭＡＩＬｌｌによる受元素子内蔵
工Ｃ１−示すＷ＃面図、 第３図は同じく一部拡大斬面図、 第４図は同じく元電流脣性を示すグラフ、第５図および
＃Ｉ６図にそれぞｎ他の実施ガによる受光素子内蔵工Ｏ
１−示す１１ｒ向図および斜視図である。 １・・・受光Ｓ子部、２・・・ペレット、３・・・邊胸
刺止体、４・・・棲み、６・・・リード、８・・・半球
体、９・・・週元躾、１０・・・シリコン基板、１１・
・・アイランド、１２・・・Ｐ４電＃ＪＩ領域、１５・
・・突条体。 第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ｒ２１３３９− 第 ４ 図 第 ５ 図 第 ６ 図
示す＃Ｉｆｉ図お工び平面図、 第２図は本発明の一実ＭＡＩＬｌｌによる受元素子内蔵
工Ｃ１−示すＷ＃面図、 第３図は同じく一部拡大斬面図、 第４図は同じく元電流脣性を示すグラフ、第５図および
＃Ｉ６図にそれぞｎ他の実施ガによる受光素子内蔵工Ｏ
１−示す１１ｒ向図および斜視図である。 １・・・受光Ｓ子部、２・・・ペレット、３・・・邊胸
刺止体、４・・・棲み、６・・・リード、８・・・半球
体、９・・・週元躾、１０・・・シリコン基板、１１・
・・アイランド、１２・・・Ｐ４電＃ＪＩ領域、１５・
・・突条体。 第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ｒ２１３３９− 第 ４ 図 第 ５ 図 第 ６ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、受光素子内賊集槓回路装置において、透明刺止体内
の受光素子面に元か収束する工うに透明刺止体表ｒＭｔ
−半球状またに半円弧状断面ｔした突条とすることｔ特
徴とする受元素子内販集槓回路装置。 ２６ 前記半球状またに半円弧状ＩＴＩｊｌｌｋＬ几
突東部分に透明刺止体の舗みの底に鵠みから上縁刀・突
出しない１うＫｆｆけらｎていることに％像とする特許
請求の範囲ｊｌｌｌ配積の受元案子内賦集横回路＃ｒ１
Ｍ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57075345A JPS58192366A (ja) | 1982-05-07 | 1982-05-07 | 受光素子内蔵集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57075345A JPS58192366A (ja) | 1982-05-07 | 1982-05-07 | 受光素子内蔵集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58192366A true JPS58192366A (ja) | 1983-11-09 |
Family
ID=13573565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57075345A Pending JPS58192366A (ja) | 1982-05-07 | 1982-05-07 | 受光素子内蔵集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58192366A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0186044A2 (en) * | 1984-12-17 | 1986-07-02 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photodetector |
| FR2600459A1 (fr) * | 1986-06-19 | 1987-12-24 | Honda Motor Co Ltd | Detecteur de lumiere de type composite |
| US5912504A (en) * | 1986-07-16 | 1999-06-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor photo-sensor and method for manufacturing the same |
| JP2008016142A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-01-24 | Tdk Corp | 受光素子及びそれを用いた光ヘッド並びにそれを用いた光記録再生装置 |
| WO2009027459A3 (de) * | 2007-08-29 | 2009-05-28 | Behr Hella Thermocontrol Gmbh | Sonnensensor zur erfassung der einfallsrichtung und der intensität von sonnenstrahlung |
-
1982
- 1982-05-07 JP JP57075345A patent/JPS58192366A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0186044A2 (en) * | 1984-12-17 | 1986-07-02 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photodetector |
| FR2600459A1 (fr) * | 1986-06-19 | 1987-12-24 | Honda Motor Co Ltd | Detecteur de lumiere de type composite |
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