JPS584985A - 光検知素子 - Google Patents
光検知素子Info
- Publication number
- JPS584985A JPS584985A JP56102767A JP10276781A JPS584985A JP S584985 A JPS584985 A JP S584985A JP 56102767 A JP56102767 A JP 56102767A JP 10276781 A JP10276781 A JP 10276781A JP S584985 A JPS584985 A JP S584985A
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- Japan
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- substrate
- electrodes
- shaped grooves
- semiconductor substrate
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
Landscapes
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光検知素子に係シ、特にＶＨットキ形の赤外線
検知素子構造の改良に関するものである。
検知素子構造の改良に関するものである。
一般に￥ヨブトキ形の赤外線検知素子は例えばｐ形Ｓ１
等の半導体゛基板表面に白金等の金属電極を配設して半
導体基板と金属電極との界面にＶ’１ットキ障壁を形成
し、その半導体基板を所宏の動作温度にまで冷却した状
部で半導体基板裏面側から赤外光を入射せしめるように
なっている。
等の半導体゛基板表面に白金等の金属電極を配設して半
導体基板と金属電極との界面にＶ’１ットキ障壁を形成
し、その半導体基板を所宏の動作温度にまで冷却した状
部で半導体基板裏面側から赤外光を入射せしめるように
なっている。
ところでこのように半導体基板表面に金属電極を配設し
てその基板裏面を光の入射面とした構造の赤外線検知素
子を例えば冷却基台に実装するには次のような方法が採
られている。すなわち、赤外線検知素子の金属電極配設
面側を冷却基台上にボンデイングパンデを介して実装す
るいわゆるフェイスダウンボンディング法が採られてい
る。ところがこのようなフェイスダウンボンディングで
は赤外線検知素子を形成した半導体基板の全面を冷却基
台に密着した形で実装することができないので冷却効率
が低く、それ故に冷却開始時において、赤外線検知素子
を所定の動作湿温度にまで冷却するに要する時間も長く
なるといった問題があった。
てその基板裏面を光の入射面とした構造の赤外線検知素
子を例えば冷却基台に実装するには次のような方法が採
られている。すなわち、赤外線検知素子の金属電極配設
面側を冷却基台上にボンデイングパンデを介して実装す
るいわゆるフェイスダウンボンディング法が採られてい
る。ところがこのようなフェイスダウンボンディングで
は赤外線検知素子を形成した半導体基板の全面を冷却基
台に密着した形で実装することができないので冷却効率
が低く、それ故に冷却開始時において、赤外線検知素子
を所定の動作湿温度にまで冷却するに要する時間も長く
なるといった問題があった。
本発明は前述の点に鑑みなされたもので、その目的は半
導体基板表面側からの光入射を可能にし、もって実装時
における冷却効率の向上を図った構造の光検知素子を提
供することであり、その特徴は半導体基板表面に複数の
７字溝を形成し、当該各７字溝の同一傾斜方向にある一
方の斜面にＳ／−ｌットキ障壁を形成する金属電極を配
設し、各７字溝の他方の斜面を光入射面としたところに
ある。
導体基板表面側からの光入射を可能にし、もって実装時
における冷却効率の向上を図った構造の光検知素子を提
供することであり、その特徴は半導体基板表面に複数の
７字溝を形成し、当該各７字溝の同一傾斜方向にある一
方の斜面にＳ／−ｌットキ障壁を形成する金属電極を配
設し、各７字溝の他方の斜面を光入射面としたところに
ある。
以下本発明の好ましい実施例につき図面を参照して詳細
に説明する。
に説明する。
図は本発明を赤外線検知素子に適用した一実施例の構造
を説明するための模式的に示した要部断面図であプ、１
は例えばｐ形層１の半導体基板であって、その半導体基
板１の表面には複数の７字溝２が並行して形成しである
。これら７字溝２は異方性エツチングにより形成したも
ので、半導体基板１の（１００）面上の７字溝を形成す
べき領域以外の領域をホトレジストでマスキングした後
、例えば水（ＨｓＯ）とヒドラジノ（ＮＢＨ４）との水
溶液（例えば水溶液温度１００℃）に浸漬して、基板１
の露出部表層領域を異方性エツチングすることによｆｉ
（１１１）面が現れ、７字溝２が基板１表面に形成され
る。そして前記各７学溝の一方の斜面には蒸着によシ形
成した白金（ｐｔ）の金属電極８が配設してあり、それ
ら各金属電極８と半導体基板ｌとの界面にショットキ障
壁が形成される。
を説明するための模式的に示した要部断面図であプ、１
は例えばｐ形層１の半導体基板であって、その半導体基
板１の表面には複数の７字溝２が並行して形成しである
。これら７字溝２は異方性エツチングにより形成したも
ので、半導体基板１の（１００）面上の７字溝を形成す
べき領域以外の領域をホトレジストでマスキングした後
、例えば水（ＨｓＯ）とヒドラジノ（ＮＢＨ４）との水
溶液（例えば水溶液温度１００℃）に浸漬して、基板１
の露出部表層領域を異方性エツチングすることによｆｉ
（１１１）面が現れ、７字溝２が基板１表面に形成され
る。そして前記各７学溝の一方の斜面には蒸着によシ形
成した白金（ｐｔ）の金属電極８が配設してあり、それ
ら各金属電極８と半導体基板ｌとの界面にショットキ障
壁が形成される。
なお本実施例においては各７字溝の一方の斜面表層部に
燐［Ｆ］をイオン注入してｎ形層４が形成しである。そ
のｎ形層４は金属電極８と半導体基板ｌとで構成される
ＶＭットキダイオード周辺領域の電気的安６図るために
設けたもので、それらｎ形層４には逆バイアス電位（本
実施例の場合は半導体基板１に対して正電位）が印加し
である。
燐［Ｆ］をイオン注入してｎ形層４が形成しである。そ
のｎ形層４は金属電極８と半導体基板ｌとで構成される
ＶＭットキダイオード周辺領域の電気的安６図るために
設けたもので、それらｎ形層４には逆バイアス電位（本
実施例の場合は半導体基板１に対して正電位）が印加し
である。
前述のような構成において、半導体基板１を接地電位に
保ち、を九番金属電極８を共通の母線（図示を省略）に
接続して、その母線に正電位を印加した状頗で、半導体
基板１０表面側から赤外光６を入射すると、その赤外光
６は各金属電極８の表面で反射される。そしてそれら反
射された赤外光は各７字溝の一方の斜面に入射されて、
各々隣接する金属電極８の裏面側に達し、入射された赤
外光量に応じた電流が半導体基板１側から各金属電極８
側に流れて、入射赤外光量が検知されるのである。
保ち、を九番金属電極８を共通の母線（図示を省略）に
接続して、その母線に正電位を印加した状頗で、半導体
基板１０表面側から赤外光６を入射すると、その赤外光
６は各金属電極８の表面で反射される。そしてそれら反
射された赤外光は各７字溝の一方の斜面に入射されて、
各々隣接する金属電極８の裏面側に達し、入射された赤
外光量に応じた電流が半導体基板１側から各金属電極８
側に流れて、入射赤外光量が検知されるのである。
このように観測すべき赤外光を半導体基板ｌの表面側か
ら入射してその入射光量に応じた電気信号を取り出す構
造であることから、半導体基板１の裏面を冷却基台上に
密着して実装することが可能となり、その結果赤外線検
知素子の冷却効率を向上できる池、素子の実装が容易に
なる。
ら入射してその入射光量に応じた電気信号を取り出す構
造であることから、半導体基板１の裏面を冷却基台上に
密着して実装することが可能となり、その結果赤外線検
知素子の冷却効率を向上できる池、素子の実装が容易に
なる。
以上の説明から明らかなように要するに本発明は、半導
体基板表面に複数の７字溝を並設し、当該各７字溝の同
一傾斜方向にある一方の斜面にＶヨットキ障壁を形成す
る金属電極を配設し、各７字溝の他方の斜面を光入射面
とすることにより、半導体基板表面側からの光入射を可
能にしたもので、光検知素子の実装が容易に１Ｌ冷却効
率の向上がなし得て、その実用的効果は大である。
体基板表面に複数の７字溝を並設し、当該各７字溝の同
一傾斜方向にある一方の斜面にＶヨットキ障壁を形成す
る金属電極を配設し、各７字溝の他方の斜面を光入射面
とすることにより、半導体基板表面側からの光入射を可
能にしたもので、光検知素子の実装が容易に１Ｌ冷却効
率の向上がなし得て、その実用的効果は大である。
回状本発明による光検知素子の一例構造を説明する丸め
の模式的に示した要部断面図である。 ｌ：半導体基板、２：ｖ字溝、８：金属電極。
の模式的に示した要部断面図である。 ｌ：半導体基板、２：ｖ字溝、８：金属電極。
Claims (1)
- 半導体基板表面に複数の７字溝を並設し、当該各７字溝
の同一傾斜方向にある一方の斜面にＶＨットキ障壁を形
成する金属電極を配設し、各７字溝の他方の斜面を光入
射面としたことを特徴とする光検知素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56102767A JPS584985A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 光検知素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56102767A JPS584985A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 光検知素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS584985A true JPS584985A (ja) | 1983-01-12 |
Family
ID=14336323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56102767A Pending JPS584985A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 光検知素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS584985A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH022692A (ja) * | 1987-12-21 | 1990-01-08 | Sangamo Weston Inc | 赤外線検知用溝付きショットキーバリアホトダイオード |
| US5272356A (en) * | 1991-11-12 | 1993-12-21 | Hughes Aircraft Company | Multiple quantum well photodetector for normal incident radiation |
-
1981
- 1981-06-30 JP JP56102767A patent/JPS584985A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH022692A (ja) * | 1987-12-21 | 1990-01-08 | Sangamo Weston Inc | 赤外線検知用溝付きショットキーバリアホトダイオード |
| US5272356A (en) * | 1991-11-12 | 1993-12-21 | Hughes Aircraft Company | Multiple quantum well photodetector for normal incident radiation |
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