JPS58103180A - 半導体光検出装置 - Google Patents
半導体光検出装置Info
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- JPS58103180A JPS58103180A JP56201906A JP20190681A JPS58103180A JP S58103180 A JPS58103180 A JP S58103180A JP 56201906 A JP56201906 A JP 56201906A JP 20190681 A JP20190681 A JP 20190681A JP S58103180 A JPS58103180 A JP S58103180A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体光検出装置に関する。
牛導体党検出装置として従来、諏１１Ｑに示す知音例え
ば８１１の半導体基板１上にＰＨ９合２を形威すべ（Ｐ
ａｌの半導体層５が形成され、一方牛導体基ｆｉ１の半
導体層ｓ側とは反対−の主面４上に電Ｉｋ５がオー建ツ
クに附されてなる構成を有するものが提案されている。
ば８１１の半導体基板１上にＰＨ９合２を形威すべ（Ｐ
ａｌの半導体層５が形成され、一方牛導体基ｆｉ１の半
導体層ｓ側とは反対−の主面４上に電Ｉｋ５がオー建ツ
クに附されてなる構成を有するものが提案されている。
所で、斯る構成の半導体党検出装置は、電極５及び半導
体層５間にＰＨ９合２に逆）（イアスとなるバイアス電
源６を接続して、ＰＮ接合２より王として半導体基板１
儒に広がる空乏層を形成せる状態で、光７を半導体層５
側より入射せしめれば、これに応じた光１１ｃ流を電ｌ
ｋ５及び半導体層３を過って外部に導出するという機能
を呈するものであるが、その分党感！１ｉｊ４Ｉ性が第
２図に示す如（、ＰＮ接合２の深さＤに応じて変化し、
ＰＮ接合２の縁さＤが小である程、広い波長域に亘って
感度を有するものである。又感度を有する波長域の下限
は、半導体基′４ｂ１及び半導体層Ｓのバンドギャップ
によって決まり、又上限は表面層の反射、吸収によって
制約を受けるものである。
体層５間にＰＨ９合２に逆）（イアスとなるバイアス電
源６を接続して、ＰＮ接合２より王として半導体基板１
儒に広がる空乏層を形成せる状態で、光７を半導体層５
側より入射せしめれば、これに応じた光１１ｃ流を電ｌ
ｋ５及び半導体層３を過って外部に導出するという機能
を呈するものであるが、その分党感！１ｉｊ４Ｉ性が第
２図に示す如（、ＰＮ接合２の深さＤに応じて変化し、
ＰＮ接合２の縁さＤが小である程、広い波長域に亘って
感度を有するものである。又感度を有する波長域の下限
は、半導体基′４ｂ１及び半導体層Ｓのバンドギャップ
によって決まり、又上限は表面層の反射、吸収によって
制約を受けるものである。
然し乍ら、第１−に示す半導体光検出装置の場合、広い
波長域に皿って感度を得べ（、ＰＮ接合２の深さＤを小
とするのに幽−を伴い、この為広い波長域に亘って感度
を得ることが回動であった。
波長域に皿って感度を得べ（、ＰＮ接合２の深さＤを小
とするのに幽−を伴い、この為広い波長域に亘って感度
を得ることが回動であった。
この為、従来、第３ａｉｉに示す如き、例えばＰ型半導
体基板１１上に薄いＮ！ｉｄ１層１２が層成２れるべく
ｓｔｏ、ｍａｌｓが形成され、一方半導体基、１に１１
０）８１０．１１１ Ｓ側とは反対側に電極１４がオー
イックに附され、又Ｎｌ１層１２にｓｔｙ、 膜１５に
穿設せる［１１５を介して電極１６を附してなる構成を
有する半導体光検出装置が提案されている。
体基板１１上に薄いＮ！ｉｄ１層１２が層成２れるべく
ｓｔｏ、ｍａｌｓが形成され、一方半導体基、１に１１
０）８１０．１１１ Ｓ側とは反対側に電極１４がオー
イックに附され、又Ｎｌ１層１２にｓｔｙ、 膜１５に
穿設せる［１１５を介して電極１６を附してなる構成を
有する半導体光検出装置が提案されている。
所で、斯る構成を有する半導体光検出装置の場合、半導
体１１に１１とＮ型層１２との間にＰＮ＠合１７が形成
されているので、電［１４及び１６間にＰＮ接合１７を
逆バイアスすべくバイアス電源６をＩｌ続して、半導体
基板１１内にＰＮ＠合１７より拡がる空乏層を得ている
状態て光７を照射せしめれば、第１図の場合と同様に電
極１４及び１６を介して光電流を得ることが出来るが、
この半導体光検出装置を再現性嵐く祷るのに困難を伴う
という欠点を有していた。
体１１に１１とＮ型層１２との間にＰＮ＠合１７が形成
されているので、電［１４及び１６間にＰＮ接合１７を
逆バイアスすべくバイアス電源６をＩｌ続して、半導体
基板１１内にＰＮ＠合１７より拡がる空乏層を得ている
状態て光７を照射せしめれば、第１図の場合と同様に電
極１４及び１６を介して光電流を得ることが出来るが、
この半導体光検出装置を再現性嵐く祷るのに困難を伴う
という欠点を有していた。
又第４Ｉ！！Ｉに示す如く例えばＮ型の半導体基板２１
の一方の面上に、ショットキ接合２２を形成すべく金属
電極２３が附され、又半導体基板２１の金属電１ｉ２５
ｍとは反対側に電極２４がオー（ツタに附されてなる構
成の半導体光検出装置も従来提案されている。
の一方の面上に、ショットキ接合２２を形成すべく金属
電極２３が附され、又半導体基板２１の金属電１ｉ２５
ｍとは反対側に電極２４がオー（ツタに附されてなる構
成の半導体光検出装置も従来提案されている。
然し乍ら、斯る構成を有する半導体光検出装置の場合、
電極２５及び２４間にショットキ接合２２を逆バイアス
すべくバイアス電源６を接続して、半導体基板２１内に
ショットキ接合２２より拡がる空乏層を形成せる状態で
、光７を照射せしめれば、＃！１図の場合と同様に篭ａ
２Ｓ及び２４を介して光電流を得ることが出来るが、金
属電ｆｉ２３での光７の反射損失が大である為、効率が
患いという欠点を有していたと共に、ショットキ接合２
２を良好に形成するのが困難であった等の欠点を有して
いた。
電極２５及び２４間にショットキ接合２２を逆バイアス
すべくバイアス電源６を接続して、半導体基板２１内に
ショットキ接合２２より拡がる空乏層を形成せる状態で
、光７を照射せしめれば、＃！１図の場合と同様に篭ａ
２Ｓ及び２４を介して光電流を得ることが出来るが、金
属電ｆｉ２３での光７の反射損失が大である為、効率が
患いという欠点を有していたと共に、ショットキ接合２
２を良好に形成するのが困難であった等の欠点を有して
いた。
依って本発明は上述せる欠点のない新規な半導体光検出
装置を提案せんとするもので、以下詳述する所より明ら
かとなるであろう。
装置を提案せんとするもので、以下詳述する所より明ら
かとなるであろう。
第１図は本発明による半導体光検出装置の第１の実施例
を示し、例えばＮ型の半導体基板５１内にその主面５２
側より、複数のＰＮ振合５３ｍ、５５ｂ・・・・・・・
・・を形成すべ（ＰＩ！の半導体領域５４＆、５４に範
囲一・−が形成されている。
を示し、例えばＮ型の半導体基板５１内にその主面５２
側より、複数のＰＮ振合５３ｍ、５５ｂ・・・・・・・
・・を形成すべ（ＰＩ！の半導体領域５４＆、５４に範
囲一・−が形成されている。
又半導体基１に５１の主面５２と対向する主面５５上に
電極５６がオーイックに削されている。
電極５６がオーイックに削されている。
更に半導体基＆５１内に、その王１５２側より複数のＮ
＋型電極用半導体懺域５７ｍ、５７ｂ・・・・・・か、
半導体領域５４ｍ及び５４ｂ間、５４ｂ及び５４ｃ間に
配されてなる一様を以って形成されている。
＋型電極用半導体懺域５７ｍ、５７ｂ・・・・・・か、
半導体領域５４ｍ及び５４ｂ間、５４ｂ及び５４ｃ間に
配されてなる一様を以って形成されている。
尚更に電４ｊ５６と、半導体領域５７へ５７ｂ・・・・
・・とがバイアス電源６の一端［１１続され、半導体領
域５４ｍ、５４ｂ・−・・・かバイアス電源６の他端（
ＩＩ地）に接続されている。
・・とがバイアス電源６の一端［１１続され、半導体領
域５４ｍ、５４ｂ・−・・・かバイアス電源６の他端（
ＩＩ地）に接続されている。
以上が本発明による半導体党検ｉｆｉ装置の第１のＩｌ
ｌの実施例の構成であるが、断る構成によれ（１１、ハ
イｙｘ電ｆｊ１６を、ＰＮ＠會５！ａ、５３に同一・−
に逆バイアスが与えられる極性とし置けば、半導体基板
５１内にＰＮ接合５３ｍ、５１ｂ・・・・・・・−より
、電極５６側に縦方向く広がる空乏層と、半導体領域５
７ｍ、５７ｂ−−一側に横方向に拡がる空乏層とが形成
されるものである。
ｌの実施例の構成であるが、断る構成によれ（１１、ハ
イｙｘ電ｆｊ１６を、ＰＮ＠會５！ａ、５３に同一・−
に逆バイアスが与えられる極性とし置けば、半導体基板
５１内にＰＮ接合５３ｍ、５１ｂ・・・・・・・−より
、電極５６側に縦方向く広がる空乏層と、半導体領域５
７ｍ、５７ｂ−−一側に横方向に拡がる空乏層とが形成
されるものである。
従って半導体基板５１と、半導体領域ｓ４１゜５４ ｂ
−−−−一と、電極！Ｓ６とを含んで複数の縦Ｊ７オ
トダイオードＶＤａ、ＶＤｂ ・・・−・−を構成し
、又半導体基板５１と、半導体領域５４ａ１５４ ｂ
−・−・−と、半導体領域ｓ７ｍ、５ｙｂ−・・・・−
とを含んで複数の横ｌｌフォトダイオードＬＤａ％Ｌ、
Ｄｂ −−−一・−を構成しているものである。
−−−−一と、電極！Ｓ６とを含んで複数の縦Ｊ７オ
トダイオードＶＤａ、ＶＤｂ ・・・−・−を構成し
、又半導体基板５１と、半導体領域５４ａ１５４ ｂ
−・−・−と、半導体領域ｓ７ｍ、５ｙｂ−・・・・−
とを含んで複数の横ｌｌフォトダイオードＬＤａ％Ｌ、
Ｄｂ −−−一・−を構成しているものである。
依って半導体基板５１の主面５２側より光７を入射せし
めれば、縦置フォトダイオードＶＤａ。
めれば、縦置フォトダイオードＶＤａ。
ＶＤｂ−一・・・−による光電流を電極５６と半導体領
域５４ａ％５４ｂ−−−−・−とを介して得ることがで
龜、又横型フォトダイオードｌ、Ｄａ％Ｌ Ｄ ｂ−・
・・−による光電流とを半導体領域５４ｍ、５４ｂ−−
・−と亭６体領域５７ｍ、５７に一−−−とを介して得
ることができるものである。
域５４ａ％５４ｂ−−−−・−とを介して得ることがで
龜、又横型フォトダイオードｌ、Ｄａ％Ｌ Ｄ ｂ−・
・・−による光電流とを半導体領域５４ｍ、５４ｂ−−
・−と亭６体領域５７ｍ、５７に一−−−とを介して得
ることができるものである。
この為縦■アオトダイオードＶＤａ、ＶＤｂ−−−によ
って長波長領域の感度を得ることかで自。
って長波長領域の感度を得ることかで自。
又横−フオドダイオードＬＤａ、ＬＤｂ−−−によって
短練長領域の感度を得ることかで１１、依って金体とし
て広い波畏域に１って感度を得ることがで自る大なる特
徴を有するものである。
短練長領域の感度を得ることかで１１、依って金体とし
て広い波畏域に１って感度を得ることがで自る大なる特
徴を有するものである。
次に第６図を伴なって本発明の１１２の実施例を述べる
に、第５ｍとの対応部分には岡−符号を附して詳細説明
はこれを省略するも、第５園にて上述せる構成に於て、
電１ｉ５６と半導体領域５７ｍ、５７ｋ・−・・・とが
切換スイッチ６０を介してバイアス電源６に接続されて
いることを除いては、＄Ｒ５図の場合と一機の構成を有
する。
に、第５ｍとの対応部分には岡−符号を附して詳細説明
はこれを省略するも、第５園にて上述せる構成に於て、
電１ｉ５６と半導体領域５７ｍ、５７ｋ・−・・・とが
切換スイッチ６０を介してバイアス電源６に接続されて
いることを除いては、＄Ｒ５図の場合と一機の構成を有
する。
以上が本発明による半導体光検ａｓ装置の第２の実施例
であるが、欺る構成によれば、それが上述せる事項を除
いてｍｓ！！ｌｌの場合と同様の構成を有するのて、詳
細説明はこれを省略するも、切換スイッチ６０の切換に
よって縦１１７オトダイオードＶＤ、 、 ＶＤｂ−−
−−−を選択することにより、党７を王として長波長域
で検出することが出来、又横＃１１７オトダイｔ −Ｖ
ＩＪ）、 、 ＶＤ、 −−−−−−ヲｊｌ Ｆする
ことにより、光７を主として髄液長域で検出することが
出来る大なる４Ｉ像を有するものである。
であるが、欺る構成によれば、それが上述せる事項を除
いてｍｓ！！ｌｌの場合と同様の構成を有するのて、詳
細説明はこれを省略するも、切換スイッチ６０の切換に
よって縦１１７オトダイオードＶＤ、 、 ＶＤｂ−−
−−−を選択することにより、党７を王として長波長域
で検出することが出来、又横＃１１７オトダイｔ −Ｖ
ＩＪ）、 、 ＶＤ、 −−−−−−ヲｊｌ Ｆする
ことにより、光７を主として髄液長域で検出することが
出来る大なる４Ｉ像を有するものである。
次に嬉７図を伴なって本発明の第５の実施例を遮べるに
、第４１１との対応−分に同一符号を附しτ詳５ｓｉｉ
＊はこれを省略するも、嬉４ｍにて上述せる構成に於て
、複数の半導体領域５４ａ。
、第４１１との対応−分に同一符号を附しτ詳５ｓｉｉ
＊はこれを省略するも、嬉４ｍにて上述せる構成に於て
、複数の半導体領域５４ａ。
５４ｂ−−一が切換スイッチ６２にて選択されることを
除いては％第４１１の場合と同様の構成を有する。
除いては％第４１１の場合と同様の構成を有する。
以上が零員−による半導体光検出装置の嬉Ｓの実施例の
構成であるが、斬る構成によれば、それか上遠せる事項
を除いて嬉４１１の場合と同様の構成を有するので、切
換スイッチ６０及び４１の切換により、複数の縦置フォ
トダイオ−）”ＶＤａ、ＶＤｂ −−−−４ＤｊｌＷと
、複数Ｋ）横置７オトダイオードＬＤａ、ＬＤｂ−−−
−の選択とをなしτ光電の長波長域の検出と、短波長域
の検出をなし得る大なる特徴を有するものである。
構成であるが、斬る構成によれば、それか上遠せる事項
を除いて嬉４１１の場合と同様の構成を有するので、切
換スイッチ６０及び４１の切換により、複数の縦置フォ
トダイオ−）”ＶＤａ、ＶＤｂ −−−−４ＤｊｌＷと
、複数Ｋ）横置７オトダイオードＬＤａ、ＬＤｂ−−−
−の選択とをなしτ光電の長波長域の検出と、短波長域
の検出をなし得る大なる特徴を有するものである。
崗上述に於ては本実−の僅かな実施例を椴したに１蓼り
、本発明の精神を脱することなしく種々の変１ｌＩＩｌ
！更をなし得るであろう。
、本発明の精神を脱することなしく種々の変１ｌＩＩｌ
！更をなし得るであろう。
第１図は従来の半導体光検出装置を示す路線図、ｔＩＡ
２図はその紋明に供する１１１１図、第３−及び第４図
は従来の半導体光検出装置を示す路線図、第５図、第６
図及び第７図は夫々本発明による半導体光検出装置のｌ
ｐ、１、第２及び第３の寮施例を示すＭｋ−である。 出願人 日本亀信電姑公社
２図はその紋明に供する１１１１図、第３−及び第４図
は従来の半導体光検出装置を示す路線図、第５図、第６
図及び第７図は夫々本発明による半導体光検出装置のｌ
ｐ、１、第２及び第３の寮施例を示すＭｋ−である。 出願人 日本亀信電姑公社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 第１の導電蓋を有する半導体基板内に、そのＩ１
１の主画側よりｓ ｍ １のＰＨ１合を形成すべく形成
された第１の導電１ｍとは逆の第２の尋電湿を有する１
ｌｌｌのＰＮＮ金倉形成用半導体領域、 上記半導体基板の上記第１の主面と対向する第２の主向
側に形成されたｆ／ｓ１の′ＩＥ極又は１１！１の導電
型を有する第１の電極用半導体領域と、 上記半導体基板のＪｌｌの主＃ｊＪｇａに形成された＠
２の１１１１物又は第１の導電型を有する第２の電極用
半導体領域とを有し、 上記半導体基板、上記第１のＰＮ接合形成用半導体領域
、及び上記第１の電極又は第１の電極用半導体領域を含
んで、第１の縦型フォトターイオードか構成され、 上記半導体基板、上記第１のＰＮ接合形成用牛半導体域
、及び上記第２の電極又は纂２の電極用半導体領域を含
んで、＠１の横ＩＮフォトダイオードが構成されてなる
事を特徴とする半導体光検出装置。 ２ 第１の導電型を有する半纏体基坂内に、その第１の
主面側より、第１のＰＮＷｋ合を形成すべく形成された
＃！１の導電型とは逆の第２の導電蓋を有する第１のＰ
Ｎ＠會形成形成用半導体領域 上記半導体基板の上記第１の主面と対向する纂２の主面
側に形成された第１の電極又は第１の導電蓋を有する第
１の電極用半導体領域と、 上記半導体基板の第１の主顛偶に形成された第２の電極
又は第１の４電製を有する第２の電極用半導体領域とを
有し、 上記半導体基板、上記第１のＰＮ接合形成用牛半導体域
、及び上記第１の電極又は第１の電極用半導体領域を含
んで、ｌｌＩ４１の縦型フォトＩイオードが構成され、 上記半導体基板、上記第１のＰＮ像合形成用牛導体領域
、及び上記第２の１１１，４１ｉ又は第２の電極用半導
体領域を含んで、第１の横型フォトダイオードが構成さ
れ、 上記第１の縦型フォトダイオード及び上記第１の横型フ
ォトダイオードに、それ等に共通のバイアス電源を与え
るｊｌｌのバイアス電源給与手段を有する事を特徴とす
る半導体光検出装置。 五 第１の導電型を有する半導体基板内に、その謝１の
主面側より、鯖１のＰＮ嶺合を形威すべく形威された１
Ｉ４１の導電型とは逆の＠２の尋％型を有する第１のＰ
Ｎ接酋形成用半導体領域と、 上記半導体基板の上記Ｊｌ１１の生−と対向する第２の
主面側に形成された第１の電極又は第１の４亀型を有す
る第１の電極用半導体領域と、 上記半導体基板の纂１の主面側に形成された第２の電極
又は＃に１の導電型を有する＠２のｔ＠用牛尋体領域と
を有し、 上記半導体基板、上記第１のＰＮ接合形成用半導体領域
、及び上記第１の電極又は第１の電極用半導体領域を含
んで、第１の縦型フォトダイオードが構成され、 上記半導体基板、上記第１のＰＮｌ！合形成月形成用半
導体領域上記第２の電極又は第２の電極用半導体領域を
含んで、＃ｇ１の横ＩＪ７オトダイオードが構成され、 上記Ｉ１１の縦部７オトダイオード及び上記第１の横１
１１７オトダイオードに１各別のバイアス電源を与える
＃！２のバイアス電源給与手段を有する事を特徴とする
半導体光検出装置。 處 亀１の導電型を有する半導体基板内に、その第１の
主画側より、第１のＰＮＮ会合形成すべく形成された第
１の導電型とは逆の謝２の導電型を有するｌＢ１のＰＮ
Ｎ会合形成用半導体領域、 上記＃Ｐ導体基板内に、その第１の主面側より、第２の
ＰＮ接合を形成すべく形成された第２の導電量を有する
第２のＰＮ接合形成用半導体領域と、 上記半導体基板の上記第１の主面と対向する第２の主面
側に形成された第１の電極又は第１の導電型を有する第
１の電極用半導体領域と、 上記半導体基板の第１の主面側に形成された第２の電極
又は＃＆１の導電型を有する第２の電極用半導体領域と
を有し、 上記半導体基数、上記第１のＰＮｉｉ合形成用牛導体領
域、及び上記第１の電極又は第１の電極用半導体領域を
含んで、＃！１の縦属フォトダイオードが構成され１ 、 上記半導体基板、上記第２のＰＮ＠Ｎ９成形成
用半導域、及び上記ｗＬ１の電極又は鶏１の電極用半導
体領域を含んで第２の縦型フォトダイオードが構成され
、 上記半導体基板、上記第１のＰＮＪ會形成用牛導体領域
、及び上記１ｇ２の電極又は第２の電極用半導体領域を
含んで、第１の横型フォトダイオードが構成され、 上記半導体基板、上ｎｉｌ！第２のＰＮＮ接合形成子牛
導体領域及び上記第２の電極又は第２の電極用半導体領
域を含んで、第２の横型フォトダイオードが構成されて
なる事を４１徽とする半導体光検出装置。 五 第１の導電型を有する半導体基板内に、その籐１の
主画側より、ｊｌｌｌのＰＮｇ合を形威すべ（形成され
た菖１の導電量とは逆の第２の導電型を有する第１のＰ
Ｎ接合形成用牛半導体域と、 上記半導体基板内に、その第１の主画側より、謳２ＱＰ
ＮＩＩ合を形成すべく形成された第２の導電型を有する
＃４２のＰＮ接合形成用＋ｓ体領域と、 上記半導体基板の上記第１の主面と対向する第２の主画
側に形成された第１の電極又は第１の導電型を有する總
１０電砺用牛番体領域と、 上記半導体基板の第１の主画側に形成された第２の電−
又はＩｌｌの導電型を有する第２＃）ＩｌＥＩｌｉ用亭
導体領域とを有し、上記半導体基板、上記＃！１のＰＮ
ｇ會形成用牛導体領域、及び上記８１の電極又は第１の
電極用半導体領域を含んで、ｉＩｌ！１の縦Ｗ７オトダ
イオードが構成され、 上記半導体基板、上記第２のＰＮＱＮ９成形成用半導域
、及び上記ｊ１１の電極又は第１の電極用半導体領域を
含んで第２の＃１ｌｉｙオドダイオードが構成され、 上記半導体基板、上記第１のＰＮ接合形成用半導体領域
、及び上記第２の％也又は馬２の電極用半導体領域を含
んで、第１の横＃！７オトダイオードが構成され、 上記半導体基板、上記第２のＰＮ＠會形成用牛導体領域
、及び上記ＪＩＩ２の電極又は第２の電極用半導体領域
を含んで、第２の横型フォトダイオードが構成され、 上記第１及びｊ１２の縦型フォトターイオードに各別に
バイアス電源を与える＃！３のバイアス電源給与手段を
有する事を特徴とする半導体光検出装置。 ＆ 第１の導電型を有する半導体基板内に、そのＪＩｌ
ｌの主画側より、第１のＰＮＷ！倉を形成すべく形成さ
れた第１の導電型とは逆の第２の導電型を有するｊｌｌ
のＰＮ接合形成用半導体領域と、 上記半導体基板内ｉζ、その第１の主画側より、ｊＩ２
のＰＨ９合を形成すべく形成されたＪＩ２の導電型を有
する第２のＰＮ振合形成用牛半導体域と、 上記半導体基板の上記Ｉ１１の主面と対向する１１８２
の主面側に形成されたｊｌｌの電極又は第１の導電型を
有する第１の１１Ｅ極用半番体領域と、 上記半導体基板のｊｌｌの主画側に形成された第２の１
１１極又は絽１の導電製を有する謝２の電極用半導体領
域とを有し、 上記半導体基板、上記第１のＰＮ振合形成用牛４体領域
、及び上記ｊ％１のｗ１他又は第１のｍ他用半導体領域
を含んで、第１の鉄製７オトダイオードが構成され、 上記半導体基板、上記第２のＰＮ＠４を形成用半導体領
域、及び上記第１のｍ極又は第１の電極用半導体領域を
含んで１１ｇ２の縦型フォトダイオードが＊＊され、 上紀牛尋体基歇、上記餠１のＰＮ接合形成用半導体領域
、及び上記熟２の電極又は亀２の電極用半導体領域を含
んで、ｍｌの横型フォトダイオードが構成され、 上記−Ｐ導体基板、上記ｉｓ２のＰＲ接合形成用牛尋体
領域、及び上記第２の電極又は第２の電極用半導体領域
を含んで、第２のｍ淑７オトダイオードが構成され、 上記ＩＮ及び１ｇ２の縦型フォトダイオード及び上記第
１及び第２の横型フォトダイオードに各別にバイアス電
源を与える亀４のバイアス電源給与＋段を有する事を特
徴とする半導体光検出！ｉ ｔ ＊
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56201906A JPS58103180A (ja) | 1981-12-15 | 1981-12-15 | 半導体光検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56201906A JPS58103180A (ja) | 1981-12-15 | 1981-12-15 | 半導体光検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58103180A true JPS58103180A (ja) | 1983-06-20 |
| JPS6244866B2 JPS6244866B2 (ja) | 1987-09-22 |
Family
ID=16448776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56201906A Granted JPS58103180A (ja) | 1981-12-15 | 1981-12-15 | 半導体光検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58103180A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011510486A (ja) * | 2008-01-14 | 2011-03-31 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 波長選択的吸収層の堆積を含む多重接合光電子デバイス、製造方法、及び、集積回路、 |
-
1981
- 1981-12-15 JP JP56201906A patent/JPS58103180A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011510486A (ja) * | 2008-01-14 | 2011-03-31 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 波長選択的吸収層の堆積を含む多重接合光電子デバイス、製造方法、及び、集積回路、 |
| US8299556B2 (en) | 2008-01-14 | 2012-10-30 | International Business Machines Corporation | Using 3d integrated diffractive gratings in solar cells |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6244866B2 (ja) | 1987-09-22 |
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