JPS6386481A - 高感度横型受光素子 - Google Patents
高感度横型受光素子Info
- Publication number
- JPS6386481A JPS6386481A JP61229811A JP22981186A JPS6386481A JP S6386481 A JPS6386481 A JP S6386481A JP 61229811 A JP61229811 A JP 61229811A JP 22981186 A JP22981186 A JP 22981186A JP S6386481 A JPS6386481 A JP S6386481A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- photosensitive regions
- interdigital electrodes
- receiving
- interdigital electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 abstract 2
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 abstract 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- UMVBXBACMIOFDO-UHFFFAOYSA-N [N].[Si] Chemical compound [N].[Si] UMVBXBACMIOFDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
受光領域を有する活性層上に、インターディジタル電極
を形成し、このインターディジタル電極上に分布レンズ
を形成した高感度横型受光素子であって、インターディ
ジタル電極に遮られる入力光を分布レンズにより屈折せ
しめて、入力光パワーを受光領域に有効に集光するよう
にした高感度横型受光素子である。
を形成し、このインターディジタル電極上に分布レンズ
を形成した高感度横型受光素子であって、インターディ
ジタル電極に遮られる入力光を分布レンズにより屈折せ
しめて、入力光パワーを受光領域に有効に集光するよう
にした高感度横型受光素子である。
本発明は、光・電子集積回路に用いる高感度横型受光素
子に関する。
子に関する。
近年、光通信において、受信器をより高速化。
低雑音化するために、光素子と電子回路とを同一基板上
に集積化した光・電子集積回路（以下０ＢＩＣという）
の研究開発が行なわれている。この０ＥＩＣを構成する
受光素子として用いられているピンホトダイオードでは
、電子回路とその作製プロセスが大きく異なっているた
め、０ＥＩＣ作製の歩留りが悪く、特性の向上が期待出
来ない。
に集積化した光・電子集積回路（以下０ＢＩＣという）
の研究開発が行なわれている。この０ＥＩＣを構成する
受光素子として用いられているピンホトダイオードでは
、電子回路とその作製プロセスが大きく異なっているた
め、０ＥＩＣ作製の歩留りが悪く、特性の向上が期待出
来ない。
そこで電子回路と同一のプロセスで作製可能な受光素子
として光電流が基板の横方向に流れるホトコンダクタ、
Ｍ Ｓ Ｍ （Ｍｅｔａｌ−Ｓｅ＋ｗｉｃｏｎｄｕｃ
ｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）ホトダイオードなどの横型受光素
子の開発が要望されている。
として光電流が基板の横方向に流れるホトコンダクタ、
Ｍ Ｓ Ｍ （Ｍｅｔａｌ−Ｓｅ＋ｗｉｃｏｎｄｕｃ
ｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）ホトダイオードなどの横型受光素
子の開発が要望されている。
第３図は、従来のインターディジタル電極構造の横型受
光素子を説明する要部断面図である。
光素子を説明する要部断面図である。
図において、活性層１に複数の受光領域２を所定の間隔
に形成し、該受光領域２上にインターディジタル電極３
を、その端部が受光領域２と若干型なるように形成した
構造であり、従って入力光５の内インターディジタル電
極３上の入力光５ａは受光領域２に集光されない。
に形成し、該受光領域２上にインターディジタル電極３
を、その端部が受光領域２と若干型なるように形成した
構造であり、従って入力光５の内インターディジタル電
極３上の入力光５ａは受光領域２に集光されない。
上記従来のインターディジタル電極構造の横型受光素子
にあっては、活性層上に形成した受光領域がインターデ
ィジタル電極に遮られているため、入力光パワーの受光
効率が低く、受光感度が悪いという問題点があった。
にあっては、活性層上に形成した受光領域がインターデ
ィジタル電極に遮られているため、入力光パワーの受光
効率が低く、受光感度が悪いという問題点があった。
本発明は、上記の問題点を解決して受光効率の向上を図
った高感度Ｍ横型受光素子を提供するものである。
った高感度Ｍ横型受光素子を提供するものである。
すなわち、受光領域２を有する活性層１上に、インター
ディジタル電極３が前記受光領域２にその端部が若干型
なるようにして、隣接するインターディジタル電極３に
跨るように凸状の分布レンズ４を形成したことによって
解決される。
ディジタル電極３が前記受光領域２にその端部が若干型
なるようにして、隣接するインターディジタル電極３に
跨るように凸状の分布レンズ４を形成したことによって
解決される。
上記高感度横型受光素子は、隣接するインターディジタ
ル電極に跨るように凸状の分布レンズを設けたことによ
り、インターディジタル電極に遮られる入力光を分布レ
ンズにより屈折せしめて、受光領域に集光するので受光
感度が向上する。
ル電極に跨るように凸状の分布レンズを設けたことによ
り、インターディジタル電極に遮られる入力光を分布レ
ンズにより屈折せしめて、受光領域に集光するので受光
感度が向上する。
第１図は、本発明の一実施例を説明する図で、同図（ａ
）は斜視図、（ｂ）は側断面図で、第３図と同等の部分
については同一符号を付している。
）は斜視図、（ｂ）は側断面図で、第３図と同等の部分
については同一符号を付している。
第１図（ａ）は、活性ｒｊ１に複数の受光領域２を所定
の間隔に形成し、該受光領域２上にインターディジタル
電極３を、その端部が受光領域２と若干型なるように形
成し、該インターディジタル電極３の隣接する電極に跨
るように窒化シリコン等からなる凸状の分布レンズ４を
形成したものである。
の間隔に形成し、該受光領域２上にインターディジタル
電極３を、その端部が受光領域２と若干型なるように形
成し、該インターディジタル電極３の隣接する電極に跨
るように窒化シリコン等からなる凸状の分布レンズ４を
形成したものである。
このような構造にしたことによって、インターディジタ
ル電極３上への入力光５ａは第２図（ｂｌに示す如く分
布レンズ４で屈折して、受光領域２に集光される。
ル電極３上への入力光５ａは第２図（ｂｌに示す如く分
布レンズ４で屈折して、受光領域２に集光される。
第２図は、本発明の高感度横型受光素子の製造方法を説
明する図で、同図（ａ）はエツチング前の要部側断面図
、（ｂ）はエツチング後の要部断面図で、第１図と同等
の部分については同一符号を付している。
明する図で、同図（ａ）はエツチング前の要部側断面図
、（ｂ）はエツチング後の要部断面図で、第１図と同等
の部分については同一符号を付している。
第２図（ａ）は、複数の受光領域２を形成した半絶縁性
のＧａＡＳ （ガリウム・砒素）等からなる活性層１上
に、前記受光領域２上にインターディジタル電極３を、
その端部が受光領域２と若干型なるように形成し、該イ
ンターディジタル電極３上に窒化シリコン（Ｓ ｉ３
Ｎ４ ）層６を形成し、該窒素シリコン層６のディジタ
ル電極３に対応する部分にレジスト７を干渉縞状に焼付
けたものを、エツチングすると第２図（ｂｌに示すごと
く分布レンズ４が形成される。
のＧａＡＳ （ガリウム・砒素）等からなる活性層１上
に、前記受光領域２上にインターディジタル電極３を、
その端部が受光領域２と若干型なるように形成し、該イ
ンターディジタル電極３上に窒化シリコン（Ｓ ｉ３
Ｎ４ ）層６を形成し、該窒素シリコン層６のディジタ
ル電極３に対応する部分にレジスト７を干渉縞状に焼付
けたものを、エツチングすると第２図（ｂｌに示すごと
く分布レンズ４が形成される。
発明者等の実験によれば、分布レンズ４を最適に設けた
場合、受光感度は従来のそれの１．７倍程度に改善でき
た。
場合、受光感度は従来のそれの１．７倍程度に改善でき
た。
以上の説明から明らかなように、本発明によればインタ
ーディジタル電極上の入力光が分布レンズで屈折して受
光領域で集光されるので、受光効率が向上し受光感度の
向上に極めて有効である。
ーディジタル電極上の入力光が分布レンズで屈折して受
光領域で集光されるので、受光効率が向上し受光感度の
向上に極めて有効である。
第１図は、本発明の一実施例を説明する図で、同図（ａ
）は斜視図、（ｂ）は側断面図、第２図は、本発明の高
感度横型受光素子の製造方法を説明する図で、同図（ａ
）はエツチング前の要部側断面図、 （ｂｌはエツチン
グ後の要部断面図、第３図は、従来のインターディジタ
ル電極構造の横型受光素子を説明する要部断面図である
。 図において、１は活性層、２は受光領域、３はインター
ディジタル電極、４は分布レンズ、５゜５ａは入力光、
６は窒化シリコン層、７はレジスト、をそれぞれ示す。 特許出願人 工業技術院長 飯塚 幸三糾技図 （Ｑ） ＋ｂ） 浄発昭り−ｒ始例 第１図
）は斜視図、（ｂ）は側断面図、第２図は、本発明の高
感度横型受光素子の製造方法を説明する図で、同図（ａ
）はエツチング前の要部側断面図、 （ｂｌはエツチン
グ後の要部断面図、第３図は、従来のインターディジタ
ル電極構造の横型受光素子を説明する要部断面図である
。 図において、１は活性層、２は受光領域、３はインター
ディジタル電極、４は分布レンズ、５゜５ａは入力光、
６は窒化シリコン層、７はレジスト、をそれぞれ示す。 特許出願人 工業技術院長 飯塚 幸三糾技図 （Ｑ） ＋ｂ） 浄発昭り−ｒ始例 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 受光領域（２）を有する活性層（１）上に、インターデ
ィジタル電極（３）を形成し、 隣接する前記インターディジタル電極（３）に跨るよう
に分布レンズ（４）を形成したことを特徴とする高感度
横型受光素子
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61229811A JPS6386481A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 高感度横型受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61229811A JPS6386481A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 高感度横型受光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6386481A true JPS6386481A (ja) | 1988-04-16 |
Family
ID=16898035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61229811A Pending JPS6386481A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 高感度横型受光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6386481A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5132251A (en) * | 1990-12-31 | 1992-07-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for manufacturing a color filter |
| US5661328A (en) * | 1995-01-23 | 1997-08-26 | Agency Of Industrial Science & Technology, Ministry Of International Trade & Industry | Photo-receiving device, and method of fabricating a photo-device |
| US5682203A (en) * | 1992-02-14 | 1997-10-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image sensing device and photo-taking system utilizing condenser type micro-lenses |
| US5973337A (en) * | 1997-08-25 | 1999-10-26 | Motorola, Inc. | Ball grid device with optically transmissive coating |
| JP2005277312A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Seiko Epson Corp | Ｍｓｍ型受光素子およびその製造方法、光モジュール、並びに、光伝達装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5994456A (ja) * | 1982-11-20 | 1984-05-31 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子用マイクロ集光レンズの形成方法 |
| JPS6019181A (ja) * | 1983-07-13 | 1985-01-31 | Canon Inc | 定着装置 |
| JPS61154085A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-12 | Fujitsu Ltd | 半導体受光装置 |
-
1986
- 1986-09-30 JP JP61229811A patent/JPS6386481A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5994456A (ja) * | 1982-11-20 | 1984-05-31 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子用マイクロ集光レンズの形成方法 |
| JPS6019181A (ja) * | 1983-07-13 | 1985-01-31 | Canon Inc | 定着装置 |
| JPS61154085A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-12 | Fujitsu Ltd | 半導体受光装置 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5132251A (en) * | 1990-12-31 | 1992-07-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for manufacturing a color filter |
| US5682203A (en) * | 1992-02-14 | 1997-10-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image sensing device and photo-taking system utilizing condenser type micro-lenses |
| US5661328A (en) * | 1995-01-23 | 1997-08-26 | Agency Of Industrial Science & Technology, Ministry Of International Trade & Industry | Photo-receiving device, and method of fabricating a photo-device |
| US5895227A (en) * | 1995-01-23 | 1999-04-20 | Agency Of Industrial Science & Technology, Ministry Of International Trade & Industry | Method of fabricating a photo-device |
| US5945720A (en) * | 1995-01-23 | 1999-08-31 | Agency Of Industrial Science & Technology, Ministry Of International Trade & Industry | Photo-receiving device with light guide |
| US5973337A (en) * | 1997-08-25 | 1999-10-26 | Motorola, Inc. | Ball grid device with optically transmissive coating |
| JP2005277312A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Seiko Epson Corp | Ｍｓｍ型受光素子およびその製造方法、光モジュール、並びに、光伝達装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6632702B2 (en) | Color image sensor and method for fabricating the same | |
| DE69115834T2 (de) | Vorrichtungen von Infrarot-Detektoren | |
| KR20000047901A (ko) | 모노리식 반도체 광 검출기 및 그의 제조 방법 | |
| US8053853B2 (en) | Color filter-embedded MSM image sensor | |
| US6812059B2 (en) | Method of manufacturing a photodiode to have an active region with a convex-lens-shaped surface | |
| JP2661341B2 (ja) | 半導体受光素子 | |
| US5614950A (en) | CCD image sensor and method of preventing a smear phenomenon in the sensor | |
| JPS6386481A (ja) | 高感度横型受光素子 | |
| JPS6116580A (ja) | 光検知半導体装置 | |
| JPS63269580A (ja) | 光検出器 | |
| JPH0653537A (ja) | 半導体受光素子 | |
| KR100263469B1 (ko) | 고체 촬상 소자의 제조 방법 | |
| JPH012376A (ja) | フオトセンサ | |
| JPH0482269A (ja) | 二次元アレイ光検出器 | |
| JPH0537005A (ja) | 受光素子及びその製造方法 | |
| JPS63161680A (ja) | 半導体受光素子 | |
| KR100340059B1 (ko) | 핑거형상의포토다이오드를갖는이미지센서 | |
| JPH02105585A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JPS5833373A (ja) | 半導体撮像装置 | |
| KR100512846B1 (ko) | 포토디텍터의 제조방법 | |
| JP2709008B2 (ja) | 半導体光検出器の製造方法 | |
| JPH0382085A (ja) | 半導体受光素子及びその製造方法 | |
| JPH05251729A (ja) | 光電変換デバイスおよびそれを用いた光論理演算デバイス | |
| JP2672643B2 (ja) | 太陽センサ | |
| KR100475134B1 (ko) | 고체촬상소자 |