JPH02151083A - 反射型ホトセンサー - Google Patents
反射型ホトセンサーInfo
- Publication number
- JPH02151083A JPH02151083A JP63305227A JP30522788A JPH02151083A JP H02151083 A JPH02151083 A JP H02151083A JP 63305227 A JP63305227 A JP 63305227A JP 30522788 A JP30522788 A JP 30522788A JP H02151083 A JPH02151083 A JP H02151083A
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- JP
- Japan
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- light
- emitting element
- light emitting
- photo detector
- pellet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＶＴＲ等のテープエンドセンサー、パターン認
識センサー等に利用される反射型ホトセンサーに関する
。
識センサー等に利用される反射型ホトセンサーに関する
。
従来の反射型ホトセンサーは発光素子と受光素子とを光
学的に分離するために絶縁物の同一基板に設けられた凹
部にそれぞれ別個に配置し、それらの素子を光透過性樹
脂で封止するかあるいは更にレンズ効果を持たせるため
にレンズ状のケースを取り付けたりまたは発光素子と受
光素子とを別個にモールド成形して更にそれらを二重に
モールド成形して構成していた。
学的に分離するために絶縁物の同一基板に設けられた凹
部にそれぞれ別個に配置し、それらの素子を光透過性樹
脂で封止するかあるいは更にレンズ効果を持たせるため
にレンズ状のケースを取り付けたりまたは発光素子と受
光素子とを別個にモールド成形して更にそれらを二重に
モールド成形して構成していた。
上述した従来の反射型ホトセンサーは第３図の断面図に
示すように発光素子ペレット１をリード２−２にダイボ
ンディングし、もう一つのり−ド２−１とボンディング
ワイヤー１２で接続し光透過性の樹脂３でモールド成形
してなる発光素子７、−力受光素子ペレット４をリード
５−２にダイボンディングし、もう一つのリード５−１
とボンディングワイヤー１３で接続し光透過性の樹脂６
でモールド成形してなる受光素子８とを所定の位置に配
置し、更に発光素子ベレット１及び受光素子ベレット４
の上面部具外の周囲を不透光性の樹脂９で囲んでモール
ド成形した構成を有していた。
示すように発光素子ペレット１をリード２−２にダイボ
ンディングし、もう一つのり−ド２−１とボンディング
ワイヤー１２で接続し光透過性の樹脂３でモールド成形
してなる発光素子７、−力受光素子ペレット４をリード
５−２にダイボンディングし、もう一つのリード５−１
とボンディングワイヤー１３で接続し光透過性の樹脂６
でモールド成形してなる受光素子８とを所定の位置に配
置し、更に発光素子ベレット１及び受光素子ベレット４
の上面部具外の周囲を不透光性の樹脂９で囲んでモール
ド成形した構成を有していた。
この従来例では３回のモールド成形が必要であるため部
品点数が多く、工数も多くかかりコスト高になり、量産
に不向きで且つ製品の構造上の理由から小型化が制限さ
れる等の欠点があった。
品点数が多く、工数も多くかかりコスト高になり、量産
に不向きで且つ製品の構造上の理由から小型化が制限さ
れる等の欠点があった。
本発明の反射型ホトセンサーは、発光素子と受光素子を
互いに並行に支持固定する光透過性樹脂からなる封止部
材を有し、前記封止部材は前記発光素子の発光面及び前
記受光素子の受光面にそれぞれ対応する第１の凸部及び
第２の凸部と、前記第１の凸部と前記第２の凸部の間に
あって前記発光面及び前記受光面より下方に達する分離
溝とを有している。
互いに並行に支持固定する光透過性樹脂からなる封止部
材を有し、前記封止部材は前記発光素子の発光面及び前
記受光素子の受光面にそれぞれ対応する第１の凸部及び
第２の凸部と、前記第１の凸部と前記第２の凸部の間に
あって前記発光面及び前記受光面より下方に達する分離
溝とを有している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）は本発明の第１の実施例の正面図、第１図
（ｂ）は第１図（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。
（ｂ）は第１図（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。
以下、その製造工程に沿ってこの実施例を説明する。鉄
、銅又はアルミニウム合金の材質からなるリードフレー
ムのリード１０２−２のペレット搭載部１０２−２ａに
面発光型のＧａＡｓ発光素子ベレット１０１をダイボン
ディングする。又−方のり−ド１０５−２のベレット搭
載部１０５−２ａにはＳｉ受光素子ベレット１０４をダ
イボンディングする。その後それぞれの素子と対応する
り−ド１０２−１ａ、１０５−１ａとをワイヤーボンデ
ィングする。こうして作られた基板（リードフレーム〉
をトランスファモールド法又はキャスティングモールド
法で、ナフトキノン系の染料又はモノアゾ系金属錯塩の
染料を０，５％〜２％配合したエポキシ樹脂で発光素子
と受光素子との間に発光素子ベレット１０１と受光素子
ベレット１０４の位置よりも深く切れ込んだ分離溝１１
１を有するように一体成形する。又発光素子ベレット１
０１と受光素子ペレット１０４との上面にはそれぞれ第
１の凸部１１０ａ２及び第２の凸部１−１０ ｂ １を
設ける。こうすると、近赤外に対して透明で可視光に対
して吸収性の樹脂封止ができる。
、銅又はアルミニウム合金の材質からなるリードフレー
ムのリード１０２−２のペレット搭載部１０２−２ａに
面発光型のＧａＡｓ発光素子ベレット１０１をダイボン
ディングする。又−方のり−ド１０５−２のベレット搭
載部１０５−２ａにはＳｉ受光素子ベレット１０４をダ
イボンディングする。その後それぞれの素子と対応する
り−ド１０２−１ａ、１０５−１ａとをワイヤーボンデ
ィングする。こうして作られた基板（リードフレーム〉
をトランスファモールド法又はキャスティングモールド
法で、ナフトキノン系の染料又はモノアゾ系金属錯塩の
染料を０，５％〜２％配合したエポキシ樹脂で発光素子
と受光素子との間に発光素子ベレット１０１と受光素子
ベレット１０４の位置よりも深く切れ込んだ分離溝１１
１を有するように一体成形する。又発光素子ベレット１
０１と受光素子ペレット１０４との上面にはそれぞれ第
１の凸部１１０ａ２及び第２の凸部１−１０ ｂ １を
設ける。こうすると、近赤外に対して透明で可視光に対
して吸収性の樹脂封止ができる。
第１の凸部１１０ａ、、第２の凸部１１０ｂ。
はいずれも、半径Ｒの半球部と円柱部とからなり、半球
部の先端と各素子ベレットの上面との距離は約２Ｒであ
りそれぞれレンズ作用を有している。
部の先端と各素子ベレットの上面との距離は約２Ｒであ
りそれぞれレンズ作用を有している。
分離溝１１１は、発光素子から直接受光素子へ至る光が
受光面に入射するのを妨げるために設けである０発光素
子ペレット力側面方向へ出る光の径路は分離溝のない場
合に比べると上方又は下方へずれるので受光素子ペレッ
トに当る可能性は殆んどない。
受光面に入射するのを妨げるために設けである０発光素
子ペレット力側面方向へ出る光の径路は分離溝のない場
合に比べると上方又は下方へずれるので受光素子ペレッ
トに当る可能性は殆んどない。
従ってＳ／Ｎ比の高い反射型ホトセンサーが得られる。
第２図（ａ）は本発明の第２の実施例の正面図、第２図
（ｂ）は第２図（ａ＞のＡ−Ａ’線断面図である。
（ｂ）は第２図（ａ＞のＡ−Ａ’線断面図である。
この実施例は、第１の凸部２１０ ａ ＋と第２の凸部
２１０ｂｌとの間に２つの分Ｍ溝２１１−１．２１１−
２があって間に壁２１０ｄを設けたものであり、発光素
子から直接受光素子に入射する光を逸す作用が強くなり
更にＳ／Ｎ比の高い反射型ホトセンサーを得ることがで
きる。
２１０ｂｌとの間に２つの分Ｍ溝２１１−１．２１１−
２があって間に壁２１０ｄを設けたものであり、発光素
子から直接受光素子に入射する光を逸す作用が強くなり
更にＳ／Ｎ比の高い反射型ホトセンサーを得ることがで
きる。
以上説明したように本発明は、発光素子を受光素子をそ
の間に分離溝を設けて樹脂封止することにより、発光素
子から直接受光素子へ至る光を逸らすことができ、高い
Ｓ／Ｎ比の反射型ホトセンサーを実現できる。
の間に分離溝を設けて樹脂封止することにより、発光素
子から直接受光素子へ至る光を逸らすことができ、高い
Ｓ／Ｎ比の反射型ホトセンサーを実現できる。
部品点数も最小限で済むほか、ダイボンディング、ワイ
ヤーボンディングからトランスファモールドあるいはキ
ャスティングモールドによる一体成形まで既存の技術で
簡単に自動化生産できるため反射型ホトセンサーの小形
化及び低コスト化が達成できる。
ヤーボンディングからトランスファモールドあるいはキ
ャスティングモールドによる一体成形まで既存の技術で
簡単に自動化生産できるため反射型ホトセンサーの小形
化及び低コスト化が達成できる。
第１図（ａ）は本発明の第１の実施例の正面図、第１図
（ｂ）は第１図（ａ）のＡ−Ａ’線断面図、第２図（ａ
）は本発明の第２の実施例の正面図、第２図（ｂ）は第
２図（ａ）のＡ−Ａ’線断面図、第３図は従来例の断面
図である。 １．１０１，２０１・・・発光素子ベレット、２−１．
１０２−１，２０２−１．２−２．１０２−１．２０２
−２・・・リード、３・・・光透過性の樹脂、４・・・
受光素子ベレット、５−１，１０５−１゜２０５−１．
５−２．１０５−２，２０５−２・・・リード、６・・
・光透過性の樹脂、７・・・発光素子、８・・・受光素
子、９・・・不透光性の樹脂、１１０ａ１２１０ａｌ・
・・封止部材の第１の凸部、１１０ａ２゜２１０ａ２・
・・発光素子封止部材、１１０ｂｔ 、２１０ｂ１・・
・封止部材の第２の凸部、１１０ｂ２．２１０ｂ２・・
・受光素子封止部材、１１０ｃ、２１０ ｃ−−−封止
部材の連結部、１１１，２１１−１゜２１１−２・・・
分離溝、１２，１１２，１３，１１３・・・ボンディン
グワイヤー １４，１１４．２１４・・・被検出部、１
５，１１５．２１５・・・光路。
（ｂ）は第１図（ａ）のＡ−Ａ’線断面図、第２図（ａ
）は本発明の第２の実施例の正面図、第２図（ｂ）は第
２図（ａ）のＡ−Ａ’線断面図、第３図は従来例の断面
図である。 １．１０１，２０１・・・発光素子ベレット、２−１．
１０２−１，２０２−１．２−２．１０２−１．２０２
−２・・・リード、３・・・光透過性の樹脂、４・・・
受光素子ベレット、５−１，１０５−１゜２０５−１．
５−２．１０５−２，２０５−２・・・リード、６・・
・光透過性の樹脂、７・・・発光素子、８・・・受光素
子、９・・・不透光性の樹脂、１１０ａ１２１０ａｌ・
・・封止部材の第１の凸部、１１０ａ２゜２１０ａ２・
・・発光素子封止部材、１１０ｂｔ 、２１０ｂ１・・
・封止部材の第２の凸部、１１０ｂ２．２１０ｂ２・・
・受光素子封止部材、１１０ｃ、２１０ ｃ−−−封止
部材の連結部、１１１，２１１−１゜２１１−２・・・
分離溝、１２，１１２，１３，１１３・・・ボンディン
グワイヤー １４，１１４．２１４・・・被検出部、１
５，１１５．２１５・・・光路。
Claims (1)
- 発光素子と受光素子を互いに並行に支持固定する光透過
性樹脂からなる封止部材を有し、前記、封止部材は前記
発光素子の発光面及び前記受光素子の受光面にそれぞれ
対応する第１の凸部及び第２の凸部と、前記第１の凸部
と前記第２の凸部の間にあつて前記発光面及び前記受光
面より下方に達する分離溝とを有していることを特徴と
する反射型ホトセンサー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63305227A JPH02151083A (ja) | 1988-12-01 | 1988-12-01 | 反射型ホトセンサー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63305227A JPH02151083A (ja) | 1988-12-01 | 1988-12-01 | 反射型ホトセンサー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02151083A true JPH02151083A (ja) | 1990-06-11 |
Family
ID=17942566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63305227A Pending JPH02151083A (ja) | 1988-12-01 | 1988-12-01 | 反射型ホトセンサー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02151083A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH058956U (ja) * | 1991-07-17 | 1993-02-05 | シヤープ株式会社 | 反射型ホトインタラプタ |
| US5291038A (en) * | 1990-12-19 | 1994-03-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Reflective type photointerrupter |
| US7139488B1 (en) | 1997-09-26 | 2006-11-21 | Fujitsu Limited | Optical communication unit |
| JP2007292756A (ja) * | 2006-04-21 | 2007-11-08 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte Ltd | 高性能反射性光学エンコーダ |
| JP2020129630A (ja) * | 2019-02-12 | 2020-08-27 | ローム株式会社 | 近接センサおよびこれを用いた電子機器 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62132377A (ja) * | 1985-12-04 | 1987-06-15 | Omron Tateisi Electronics Co | フオトマイクロセンサ |
-
1988
- 1988-12-01 JP JP63305227A patent/JPH02151083A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62132377A (ja) * | 1985-12-04 | 1987-06-15 | Omron Tateisi Electronics Co | フオトマイクロセンサ |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5291038A (en) * | 1990-12-19 | 1994-03-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Reflective type photointerrupter |
| JPH058956U (ja) * | 1991-07-17 | 1993-02-05 | シヤープ株式会社 | 反射型ホトインタラプタ |
| US7139488B1 (en) | 1997-09-26 | 2006-11-21 | Fujitsu Limited | Optical communication unit |
| JP2007292756A (ja) * | 2006-04-21 | 2007-11-08 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte Ltd | 高性能反射性光学エンコーダ |
| JP2020129630A (ja) * | 2019-02-12 | 2020-08-27 | ローム株式会社 | 近接センサおよびこれを用いた電子機器 |
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