JPH058956U - 反射型ホトインタラプタ - Google Patents

反射型ホトインタラプタ

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JPH058956U
JPH058956U JP055157U JP5515791U JPH058956U JP H058956 U JPH058956 U JP H058956U JP 055157 U JP055157 U JP 055157U JP 5515791 U JP5515791 U JP 5515791U JP H058956 U JPH058956 U JP H058956U
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chips
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光章 中野
光夫 小鉢
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Abstract

(57)【要約】 【目的】 反射型ホトインタラプタの構造において、従
来、１次成形及び２次成形の２回の成形が必要であった
ものを、２次成形が不要な構造とすることによって、コ
ストダウンを図る。 【構成】 リードフレーム１１上に並置された発光チッ
プ１２及び受光チップ１３と、この両チップを一体的に
モールドする透光樹脂体２とを備え、透光樹脂体２の下
面に両チップの光路を遮断するための例えばＶ字状の溝
３を形成してなることを特徴とする。

Description

【考案の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本考案は被検出物の有無を無接点で検出する反射型ホトインタラプタに関する 。
【０００２】
【従来の技術】
従来の技術について、図６乃至図８を参照して説明する。
【０００３】 図６（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、従来例による反射型ホトインタラプタの受 発光素子の１次成形状態を示す平面図及び断面図、図７（ａ）及び（ｂ）はそれ ぞれ、図６（ａ）及び（ｂ）に示す１次成形体を遮光性樹脂によって２次成形し た状態を示す平面図及び断面図、図８は従来の反射型ホトインタラプタの拡大断 面図である。
【０００４】 従来の反射型ホトインタラプタは、図６（ａ）及び（ｂ）に示すように、リー ドフレーム１１に搭載された発光チップ１２、受光チップ１３を各々独立した透 光性樹脂１４、１５で１次成形し、この１次成形体を図７（ａ）及び（ｂ）に示 すように、遮光性樹脂１６にて２次成形して得ていた。
【０００５】 以上のようにして得られた反射型ホトインタラプタは、図８に示すように発光 チップ１２からの出射光Ｓの内、受光チップ１３の方向へ向かう光Ｓ′が遮光性 樹脂１６からなる遮光壁１７によって遮られ、受光チップ１３への光のリークが 防止される。
【０００６】
【考案が解決しようとする課題】
ところが、上記構造の反射型ホトインタラプタにおいては、１次成形、２次成 形の２回の成形を行う必要があり工数が多く、しかもこの２回の成形に使用する １次成形の透光性樹脂、２次成形の遮光性樹脂の２種類の材料を要し、この管理 に手間を要しコスト高になるという問題があった。
【０００７】 本考案は上記問題点に鑑み、工数が少なく樹脂材料も１種類を使用するだけの コストメリットのある反射型ホトインタラプタを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために本考案による反射型ホトインタラプタは、リードフ レーム上に並置された発光チップ及び受光チップと、前記両チップを一体的にモ ールドする透光樹脂体とを備え、前記透光樹脂体の下面に前記両チップ間の光路 を遮断するための溝を形成してなることを特徴とする。
【０００９】
【作用】
本考案による反射型ホトインタラプタは、リードフレーム上に並置された発光 チップ及び受光チップと、前記両チップを一体的にモールドする透光樹脂体とを 備え、前記透光樹脂体の下面に前記両チップ間の光路を遮断するための溝を形成 してなるので、発光チップから出射した光の内、受光チップの方向に向かう光は 溝の壁面で反射され受光チップには達しない。
【００１０】 従って、透光樹脂体による１次モールドのみで形成でき、製造工程の簡略化さ れたコストメリットのある反射型ホトインタラプタを実現できる。
【００１１】
【実施例】
本考案の一実施例について、図１乃至図４を参照して説明する。
【００１２】 図１は本実施例による反射型ホトインタラプタの斜視図、図２及び図３はそれ ぞれ、本実施例による反射型ホトインタラプタの断面図及び平面図である。
【００１３】 本実施例による反射型ホトインタラプタは図１乃至図３に示すように、リード フレーム１１に並置された発光チップ１２、受光チップ１３を透光性樹脂体１で 一体的に成形している。
【００１４】 ここで、透光樹脂体１の下面にＶ字状の切り欠き溝２を形成している。このＶ 溝２のカット角θは、カット面Ｐで反射した発光素子１２からの光が上面に向か うよう例えば４５°に形成する。
【００１５】 次に、このＶ溝２によって形成される光路について説明する。
【００１６】 図４は本実施例による反射型ホトインタラプタの光路を説明するための断面図 、図５は切り欠き溝を設けない場合の断面図である。
【００１７】 本実施例による反射型ホトインタラプタにおいては、図４に示すように、発光 チップ１２から出射した光Ｓの内、受光チップ１３の方向へ向かう光Ｓ′はＶ溝 ２のカット面Ｐで反射して上方へ向かう。従って光Ｓ′は受光チップ１３へ達し てリークすることなく、しかも反射後上方へ向かうので光を有効に使用できる。 これに対し、上述のようなＶ溝２を形成しない場合は、図５に示すように発光 チップ１２からの光Ｓ′が直接受光チップ１３に入射してしまうので、反射型ホ トインタラプタとしての機能をなさない。
【００１８】 以上説明したように本実施例によれば、透光性樹脂による１次成形のみで、光 のリークの無い反射型ホトインタラプタを実現できる。
【００１９】 従って従来のように１次成形、２次成形の２回の成形を行う場合に比べて工数 を低減でき、また成形材料の管理も１次成形用材料の１種類のみで済むので、従 来に比べて手間がかからずコストを低減できる。
【００２０】 なお、図１乃至図４に示す実施例においては、透光樹脂体１の下面にＶ字状の 溝２を形成しているが、発光素子１２から受光素子１３へ向かう光を上方へ反射 する形状であれば、必ずしもＶ字状の溝に限らず例えばカマボコ状の溝であって もよい。
【００２１】
【考案の効果】
以上説明したように、本考案による反射型ホトインタラプタは、透光性樹脂か らなる１次成形のみで実現でき、２次成形は不要なので製造工程数を低減できる 。
【００２２】 また、成形材料の管理も１次成形材料の１種類のみで良いので手間がかからず コストダウンを図れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本考案の一実施例による反射型ホトインタラプ
タの斜視図である。
【図２】本考案の一実施例による反射型ホトインタラプ
タの断面図である。
【図３】本考案の一実施例による反射型ホトインタラプ
タの平面図である。
【図４】本考案の一実施例による反射型ホトインタラプ
タの光路を説明するための断面図である。
【図５】本考案の溝を設けない場合の光路を説明するた
めの断面図である。
【図６】（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、従来例による反
射型ホトインタラプタの１次成形時の平面図及び断面図
である。
【図７】（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、従来例による反
射型ホトインタラプタの２次成形時の平面図及び断面図
である。
【図８】従来例による反射型ホトインタラプタの光路を
説明するための断面図である。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 【請求項１】 リードフレーム上に並置された発光チッ
    プ及び受光チップと、前記両チップを一体的にモールド
    する透光樹脂体とを備え、 前記透光樹脂体の下面に前記両チップ間の光路を遮断す
    るための溝を形成してなることを特徴とする反射型ホト
    インタラプタ。
JP1991055157U 1991-07-17 1991-07-17 反射型ホトインタラプタ Expired - Lifetime JP2559076Y2 (ja)

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Publication Number Publication Date
JPH058956U true JPH058956U (ja) 1993-02-05
JP2559076Y2 JP2559076Y2 (ja) 1998-01-14

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ID=12990914

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS636757U (ja) * 1986-06-30 1988-01-18
JPH02151083A (ja) * 1988-12-01 1990-06-11 Nec Corp 反射型ホトセンサー

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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