JPS5918683A - フオトインタラプタ - Google Patents

フオトインタラプタ

Info

Publication number
JPS5918683A
JPS5918683A JP57127863A JP12786382A JPS5918683A JP S5918683 A JPS5918683 A JP S5918683A JP 57127863 A JP57127863 A JP 57127863A JP 12786382 A JP12786382 A JP 12786382A JP S5918683 A JPS5918683 A JP S5918683A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
lens
emitted
case
emitting element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57127863A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshiaki Tanaka
敏明 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP57127863A priority Critical patent/JPS5918683A/ja
Publication of JPS5918683A publication Critical patent/JPS5918683A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、防塵型にしたフォトインタラプタの改良に
関するものである。
〔発明の技術的背景〕
従来の一般的なフォトインクラブタは第1図に示すよう
に、発光素子1と受光素子2をケース3および4内に、
それぞれ互いに対向させて配置し、この発光素子1かも
放射した光5がケース3の[「10部6.更にケース4
の開口部7を経て受光素子2に入射するように光路を形
成する。この光路空間によって、例えば物体の検出を行
なうことができるようになっている。
才だ、これを防塵型にしたものとしては、第2図に示す
ように、開口部6および7の部分に、透光性を有する透
明な板8および9をそれぞれ嵌め込むようにしている。
〔背景技術の問題点〕
しかし乍ら、第1図で示しだフォトインタラゲタは、粉
塵の多い環境の下で使用した場合に、これら開口部6,
7からケース3,4内部に粉塵が浸入する。この粉塵は
発光素子1および受光素子2の表面に付着するため、フ
ォトインタラゲタの光伝達効率が著しく低下してしまう
欠点がある。
また、第2図のフォトインタラゲタでは、上述のような
粉塵の浸入を回避できるが、光路中に透明板8,9を設
置しであるために、これら透明板の表面と空気との境界
面において、屈折率の差に起因する反射が生じてしまう
(第3図参照)。更に第4図で示すように、透ツJ板8
゜9を通った光が発散してしまい、この通過光の総てが
受光素子2へ入射される訳ではない。従って、光伝達効
率が、透明板の無いフォトインクラッタに比べて約60
′i6低下してしまう欠点がある。
〔発明の目的〕
この発明の目的は、上述した従来の欠点を除去し、粉塵
の多い環境の下でも使用できると共に、伝達効率を十分
高めることのできるフォトインタラプタを提供すること
にある。
〔発明の概要〕
この発明に係るフォトインタラツタによれば、透明板の
光路中に光を収束するレンズ部分を形成したことを特徴
とするものである。
〔発明の実施例〕
明する。
第5図(4)は、その構成を示したもので、第1図と同
一な部分には同一番号を付す。先ず、射出成型等の方法
により、不透光性のケース3゜4をこれらを結合する部
材と共に一体成型する。
このケースJ、4の材料としては、カーボンを充填した
ポリカ°−&ネート或はノリルを用いるのが一般的であ
る。
次に、同じく射出成型によって透光性のレン、i:fi
lO,11を成型する。これらレンズ板10.11は、
第5図(4)から明らかなように、発光素子1の放射光
が入射する部分および受光素子2へ向けて出射する領域
のみに平凸レンズ12.13がそれぞれ形成されている
。これらレンズ板10.11は略同−の構造のもので、
例えば第5図(B)図にレンズ板1oを取シ出して示す
ように、ケース3の開口部6に対応して嵌め込まれる突
出段部14が形成されている。この状態を第5図C)に
示す。
このレンズ板10.11の材料としては、透明なイリカ
ーゼネート、アクリル等が好適である。しかし、採用す
る発光素子の発光波長によっては上述の例のように無色
透明にする必要はなし、例えば、GaAs赤外線発光ダ
イオードを採用する場合には、可視光線の大部分を吸収
するような黒色又は赤色の染料をレンズ板10゜11に
添加して外乱光に対するノイズ対策を講じることも可能
である。
次ニ、ケース3,4の開口部6.7に、レンズ板1o、
11を例えばエイキ7系の接着剤を用いてそれぞれ嵌入
してから接着する。ここで、接着剤を塗布する面は、レ
ンズ板10.11の突出段部14側のこの段部以外の面
である。接着剤を塗布後、このレンズ板1θ、1ノをケ
ース3.4の下方開放面から挿入し、開口部6゜7に突
出段部14をそれぞれ嵌入させて接着位置を規制してい
る。
最後に、通常のインタラゲタの製造方法と同様に、発光
素子1および受光素子2を前述の配置関係でケース3.
4の下方開放面から挿入し、接着等によシ固着する。
上述のフォトインタラプタでは、発光素子1に所定電圧
を印加すると、この素子1より所定の波長を有する光が
放射され、第6図に示すように発光素子側のレンズ板1
0のレンズ部12を介して入射し、突出段部14から出
射する。
この出射した光は、物体の検出を行なう光路空間を形成
した後、受光素子側のレンズ板11の突出段部から入射
し、レンズ部13から受光素子2へ向けて出射する。こ
の場合、レンズ板10.11の表面と周辺の空気との境
界面においで、屈折率の差異に起因して光の反射が生じ
てしまう。しかし乍ら、本例では2板の平凸シン9ズ部
12,13を採用しているため、このレンズ作用によっ
て各レンズ板を通過した光は収束されて光の伝達効率向
上に十分寄与することができる。この状態を第6図に示
す。
尚、この発明は、上述した実施例のみに限定されるもの
でd、ない。例えば第7図に示したように、レンズ部と
して凸レンズ16を形成することも可能である。これに
より、更に光の収束率が上昇し、光伝達率の向上に寄与
するようになる。まだ、発光素子および受光素子のレン
ズ形成、これら素子のペレット寸法、およびペレットの
配置、更に、レンズ板の配置およびレンズ形状等を全体
的に適正化することによって、更に高い伝達効率を実現
することも可能である。
〔発明の効果〕
以上説明したように、この発明によれば、発光素子から
の光をレンズ板によって収束して受光素子に無駄なく伝
達できるので、従来に比べて光の伝達効率が著しく向上
し、しかも防塵効果を有するフォトインクラゲタを提供
することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図〜第3図は、従来の7オトインタラゾタの構成を
示す縦断面図、第4図は第2図のフォトインタラゲタの
放射光の状態を表わす線図。 第5図(6)はこの発明のフォトインタラシタの一実施
例の構成を示す縦断面図、第5図(B) H第5図(〜
のレンズ板を表わす斜視図、第5図(C’)は第5図(
4)のA−A′線に沿った断面図、第6図は、第5図囚
の7オトインタラゾタの放射光の状態を表わす線図、第
7図はこの発明の変形例の構成を示す縦断面である。 1・・・発光素子、2・・・受光素子、3,4・・・ケ
ース、6.7・・・開口部、10,1ノ・・・レンズ板
、12.13.15・・・レンズ部、14・・・突出段
部。 出願人代理人  弁理士 鈴 江 武 彦第1図 第2図 第3図 第4図 第6図 011 第5図 (A) 節7図 404−

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 発光素子を包囲すると共に、この発光素子からの放射光
    を通過させる第1の開口部を形成した不透光性の第1の
    ケースと、受光素子を包囲する−と共に、前記M1の開
    口部からの放射光を受光し得るように対向して形成した
    第2の開口部を有する不透光性の第2のケースとを具え
    、前記第1および第2のケースを連結して光検出部を形
    成したフォトインタラゲタにおいて、前記第1および第
    2の開口部を光を収束するレンズ部を有する透光性部材
    で閉鎖したことを特徴とするフォトインタラプタ。
JP57127863A 1982-07-22 1982-07-22 フオトインタラプタ Pending JPS5918683A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57127863A JPS5918683A (ja) 1982-07-22 1982-07-22 フオトインタラプタ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57127863A JPS5918683A (ja) 1982-07-22 1982-07-22 フオトインタラプタ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5918683A true JPS5918683A (ja) 1984-01-31

Family

ID=14970515

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57127863A Pending JPS5918683A (ja) 1982-07-22 1982-07-22 フオトインタラプタ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5918683A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61125059U (ja) * 1985-01-25 1986-08-06
US4933729A (en) * 1985-11-21 1990-06-12 Nec Corporation Photointerrupter
JPH02297978A (ja) * 1988-12-06 1990-12-10 Nec Corp フォトインタラプタ
JPH0540214A (ja) * 1990-06-22 1993-02-19 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 電気光学式コネクタ
US6097084A (en) * 1996-10-22 2000-08-01 Rohm Co., Ltd. Photointerruptor

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4313210Y1 (ja) * 1965-05-29 1968-06-06

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4313210Y1 (ja) * 1965-05-29 1968-06-06

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61125059U (ja) * 1985-01-25 1986-08-06
US4933729A (en) * 1985-11-21 1990-06-12 Nec Corporation Photointerrupter
JPH02297978A (ja) * 1988-12-06 1990-12-10 Nec Corp フォトインタラプタ
JPH0540214A (ja) * 1990-06-22 1993-02-19 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 電気光学式コネクタ
US6097084A (en) * 1996-10-22 2000-08-01 Rohm Co., Ltd. Photointerruptor

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201439628A (zh) 光學模組及光收發模組
US6927388B2 (en) Optical encoder
JPS5918683A (ja) フオトインタラプタ
JP2000196111A (ja) 光半導体装置
JPS5938564B2 (ja) 結合器
JPS5861408A (ja) 透過形光結合装置
JPS5918684A (ja) フオトインタラプタ
JP2000357816A (ja) 光結合装置
TWI788941B (zh) 顯示裝置
JPS6234459Y2 (ja)
TW201942624A (zh) 利用不同折射率的材料所組成的鏡片結構
JPH0729651Y2 (ja) 反射型光結合装置
JPH0272681A (ja) 防塵形光センサ
JP2958223B2 (ja) 透過型光結合装置
EP1258761A3 (en) Optical assembly associating a lens with an active element
JPH0434985A (ja) 光結合装置
JP2513428B2 (ja) フォトカプラ
JPS6117760U (ja) 受発光器
JPH0132745Y2 (ja)
JP2559076Y2 (ja) 反射型ホトインタラプタ
TW202401813A (zh) 顯示裝置
JPH07153990A (ja) 透過型光結合装置
CN117374199A (zh) 显示装置
JPH0747879Y2 (ja) 光結合装置
JPH09312413A (ja) ホトインタラプタおよびその製法