JP2559076Y2 - 反射型ホトインタラプタ - Google Patents

反射型ホトインタラプタ

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JP2559076Y2
JP2559076Y2 JP1991055157U JP5515791U JP2559076Y2 JP 2559076 Y2 JP2559076 Y2 JP 2559076Y2 JP 1991055157 U JP1991055157 U JP 1991055157U JP 5515791 U JP5515791 U JP 5515791U JP 2559076 Y2 JP2559076 Y2 JP 2559076Y2
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JP
Japan
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light
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groove
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reflection type
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JP1991055157U
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JPH058956U (ja
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光章 中野
光夫 小鉢
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Sharp Corp
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Sharp Corp
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本考案は被検出物の有無を無接点
で検出する反射型ホトインタラプタに関する。
【0002】
【従来の技術】従来の技術について、図6乃至図8を参
照して説明する。
【0003】図6(a)及び(b)はそれぞれ、従来例
による反射型ホトインタラプタの受発光素子の1次成形
状態を示す平面図及び断面図、図7(a)及び(b)は
それぞれ、図6(a)及び(b)に示す1次成形体を遮
光性樹脂によって2次成形した状態を示す平面図及び断
面図、図8は従来の反射型ホトインタラプタの拡大断面
図である。
【0004】従来の反射型ホトインタラプタは、図6
(a)及び(b)に示すように、リードフレーム11に
搭載された発光チップ12、受光チップ13を各々独立
した透光性樹脂14、15で1次成形し、この1次成形
体を図7(a)及び(b)に示すように、遮光性樹脂1
6にて2次成形して得ていた。
【0005】以上のようにして得られた反射型ホトイン
タラプタは、図8に示すように発光チップ12からの出
射光Sの内、受光チップ13の方向へ向かう光S′が遮
光性樹脂16からなる遮光壁17によって遮られ、受光
チップ13への光のリークが防止される。
【0006】
【考案が解決しようとする課題】ところが、上記構造の
反射型ホトインタラプタにおいては、1次成形、2次成
形の2回の成形を行う必要があり工数が多く、しかもこ
の2回の成形に使用する1次成形の透光性樹脂、2次成
形の遮光性樹脂の2種類の材料を要し、この管理に手間
を要しコスト高になるという問題があった。
【0007】本考案は上記問題点に鑑み、工数が少なく
樹脂材料も1種類を使用するだけのコストメリットのあ
る反射型ホトインタラプタを提供することを目的とす
る。
【0008】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本考案による反射型ホトインタラプタは、リードフレ
ーム上に並置された発光チップ及び受光チップと、前記
両チップを一体的にモールドする透光樹脂体と、前記透
光樹脂体の下面に前記両チップ間の光路を遮断するため
溝とを備え、該溝は発光チップから受光チップの方向
へ向かう光を上方へ反射するよう形成してなることを特
徴とする。
【0009】
【作用】本考案による反射型ホトインタラプタは、リー
ドフレーム上に並置された発光チップ及び受光チップ
と、前記両チップを一体的にモールドする透光樹脂体と
を備え、前記透光樹脂体の下面に前記両チップ間の光路
を遮断するための溝を形成してなるので、発光チップか
ら出射した光の内、受光チップの方向に向かう光は溝の
壁面で反射され受光チップには達しない。
【0010】従って、透光樹脂体による1次モールドの
みで形成でき、製造工程の簡略化されたコストメリット
のある反射型ホトインタラプタを実現できる。
【0011】
【実施例】本考案の一実施例について、図1乃至図4を
参照して説明する。
【0012】図1は本実施例による反射型ホトインタラ
プタの斜視図、図2及び図3はそれぞれ、本実施例によ
る反射型ホトインタラプタの断面図及び平面図である。
【0013】本実施例による反射型ホトインタラプタは
図1乃至図3に示すように、リードフレーム11に並置
された発光チップ12、受光チップ13を透光性樹脂体
1で一体的に成形している。
【0014】ここで、透光樹脂体1の下面にV字状の切
り欠き溝2を形成している。このV溝2のカット角θ
は、カット面Pで反射した発光素子12からの光が上面
に向かうよう例えば45°に形成する。
【0015】次に、このV溝2によって形成される光路
について説明する。
【0016】図4は本実施例による反射型ホトインタラ
プタの光路を説明するための断面図、図5は切り欠き溝
を設けない場合の断面図である。
【0017】本実施例による反射型ホトインタラプタに
おいては、図4に示すように、発光チップ12から出射
した光Sの内、受光チップ13の方向へ向かう光S′は
V溝2のカット面Pで反射して上方へ向かう。従って光
S′は受光チップ13へ達してリークすることなく、し
かも反射後上方へ向かうので光を有効に使用できる。こ
れに対し、上述のようなV溝2を形成しない場合は、図
5に示すように発光チップ12からの光S′が直接受光
チップ13に入射してしまうので、反射型ホトインタラ
プタとしての機能をなさない。
【0018】以上説明したように本実施例によれば、透
光性樹脂による1次成形のみで、光のリークの無い反射
型ホトインタラプタを実現できる。
【0019】従って従来のように1次成形、2次成形の
2回の成形を行う場合に比べて工数を低減でき、また成
形材料の管理も1次成形用材料の1種類のみで済むの
で、従来に比べて手間がかからずコストを低減できる。
【0020】なお、図1乃至図4に示す実施例において
は、透光樹脂体1の下面にV字状の溝2を形成している
が、発光素子12から受光素子13へ向かう光を上方へ
反射する形状であれば、必ずしもV字状の溝に限らず例
えばカマボコ状の溝であってもよい。
【0021】
【考案の効果】以上説明したように、本考案による反射
型ホトインタラプタは、透光性樹脂からなる1次成形の
みで実現でき、2次成形は不要なので製造工程数を低減
できる。
【0022】また、成形材料の管理も1次成形材料の1
種類のみで良いので手間がかからずコストダウンを図れ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の一実施例による反射型ホトインタラプ
タの斜視図である。
【図2】本考案の一実施例による反射型ホトインタラプ
タの断面図である。
【図3】本考案の一実施例による反射型ホトインタラプ
タの平面図である。
【図4】本考案の一実施例による反射型ホトインタラプ
タの光路を説明するための断面図である。
【図5】本考案の溝を設けない場合の光路を説明するた
めの断面図である。
【図6】(a)及び(b)はそれぞれ、従来例による反
射型ホトインタラプタの1次成形時の平面図及び断面図
である。
【図7】(a)及び(b)はそれぞれ、従来例による反
射型ホトインタラプタの2次成形時の平面図及び断面図
である。
【図8】従来例による反射型ホトインタラプタの光路を
説明するための断面図である。

Claims (1)

    (57)【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 リードフレーム上に並置された発光チッ
    プ及び受光チップと、前記両チップを一体的にモールド
    する透光樹脂体と、前記透光樹脂体の下面に前記両チッ
    プ間の光路を遮断するための溝とを備え、 該溝は発光チップから受光チップの方向へ向かう光を上
    方へ反射するよう形成して なることを特徴とする反射型
    ホトインタラプタ。
JP1991055157U 1991-07-17 1991-07-17 反射型ホトインタラプタ Expired - Lifetime JP2559076Y2 (ja)

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JP1991055157U JP2559076Y2 (ja) 1991-07-17 1991-07-17 反射型ホトインタラプタ

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JPH058956U JPH058956U (ja) 1993-02-05
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS636757U (ja) * 1986-06-30 1988-01-18
JPH02151083A (ja) * 1988-12-01 1990-06-11 Nec Corp 反射型ホトセンサー

Also Published As

Publication number Publication date
JPH058956U (ja) 1993-02-05

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