JPH0525254Y2 - - Google Patents

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JPH0525254Y2
JPH0525254Y2 JP17161485U JP17161485U JPH0525254Y2 JP H0525254 Y2 JPH0525254 Y2 JP H0525254Y2 JP 17161485 U JP17161485 U JP 17161485U JP 17161485 U JP17161485 U JP 17161485U JP H0525254 Y2 JPH0525254 Y2 JP H0525254Y2
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Description

【考案の詳細な説明】 <産業上の利用分野> 本考案は反射型のホトインタラプタに関するも
のである。
<考案の概要> 発光チツプと受光チツプを併置させ、前記発光
チツプからの光が被検出物から反射するのを前記
受光チツプで検出する反射型ホトインタラプタに
おいて、前記受発光チツプの前面に、所定幅のス
リツトを形成した固定スリツト板を配設すること
により、前記受光チツプに入射する光量変化
(S/N比)を大きくできるものである。
<従来の技術> 従来の反射型ホトインタラプタは第6図に示す
ように、フレーム1に発光ダイオード等の発光チ
ツプ2及びホトトランジスタ等の受光チツプ3を
併置し、前記両チツプを樹脂4で覆うようにして
一体成型している。そして、発光チツプ2から放
射された光が白・黒等の反射率の異なる縞模様を
有する被検出物5に到達し、この被検出物5にお
いて反射率の大きい部分(白色部)5aで反射さ
れた光は受光チツプ3に多量に到達し、反射率の
小さい部分(黒色部)5bで反射された光は受光
チツプ3に少量到達し、これによつて受光チツプ
3の出力が増減するので、この光量変化により被
検出物5の移動を検出している。
<考案が解決しようとする問題点> しかし上記従来の構造では、第7図に示すよう
に発光チツプ2から放射された光は被検出物5に
おいて照射面積Aが拡がり、被検出物5の多数の
白・黒等の縞模様を同時に照射してしまうため、
S/N比が小さくなるという欠点があつた。
本考案は上記従来の問題点に鑑みなされたもの
で、その目的は、反射型のホトインタラプタにお
いて、発光チツプから放射された光の被検出物に
おける照射面積を制限し、被検出物からの反射光
量の変化を大きくできる(S/N比を向上でき
る)反射型ホトインタラプタを提供することであ
る。
<問題点を解決するための手段> 本考案は前記目的を達成するために、発光チツ
プと受光チツプを併置させ、前記発光チツプから
の光が反射率の異なる縞模様を有する被検出物か
ら反射するのを前記受光チツプで検出する反射型
フオトインタラプタにおいて、前記被検出物と前
記両チツプとの間に、前記被検出物に平行に且つ
近接して、前記被検出物の縞模様の反射率の大き
い部分に対応するスリツトを少なくとも一つ形成
した固定スリツト板を配設してなることを特徴と
する。
<作用> 本考案は上記構成により、発光チツプから放射
された光は固定スリツト板に形成されたスリツト
のみを通過し、被検出物にて反射され、その反射
光が再び前記固定スリツト板のスリツトのみを通
過して受光チツプに入射される。従つて、スリツ
トを被検出物の白・黒等の縞模様の反射率の大き
い部分(白黒の場合は、白の部分)にあわせて所
定幅を設定すれば、容易に被検出物において照射
面積を制限することができ、従来の反射型ホトイ
ンタラプタよりも受光チツプに入射する光量変化
を大きくすることができる。
<実施例> 以下、本考案に係るホトインタラプタの一実施
例につき詳細に説明を行なう。
第1図は本考案に係るホトインタラプタの一実
施例の縦断面図である。
フレーム1に発光チツプ2及び受光チツプ3を
併置し、モールド樹脂4で一体成型する。このと
き、モールド樹脂4により、受発光チツプ2,3
の周縁部前方に、固定スリツト板6を支えるため
の支持部4aが一体的に突出形成されている。固
定スリツト板6は、反射型ホトインタラプタの受
発光部と相対向させて支持部4aにより固定され
かつ、被検出物5の白・黒等の縞模様と同じピツ
チでスリツト6aが形成されている。また、本実
施例では、固定スリツト板6の裏面は光の反射を
防ぐため反射率≒0になつている。
なお、被検出物5は固定スリツト板6と平行か
つ近接して移動することになる。
従つて、発光チツプ2から放射された光は固定
スリツト板6のスリツト6aのみを通過し、被検
出物5にて反射され、その反射光が固定スリツト
板6のスリツト6aのみを通過し受光チツプ3へ
入射する。
照射時の様子を従来例と対比しながら以下に説
明する。
第4図aに従来の反射型ホトインタラプタの被
検出物照射時の様子を示す。被検出物5上の白・
黒等の縞模様の幅を各々3lとする。また被検出物
5において発光チツプ2から放射された光の照射
幅を5lとする。この時、被検出物5がホトインタ
ラプタに対し平行に移動して行くと、被検出物5
からの反射光量は第5図の実線aのように変化す
る。
これに対し本考案による反射型ホトインタラプ
タでは、第4図bに示されるように、被検出物5
の反射面に平行にかつ近接して固定スリツト板6
が配設されている。この固定スリツト板6のスリ
ツト6aの幅は、被検出物5の白・黒等の縞模様
のピツチと同じ3lである。被検出物5がホトイン
タラプタに対し平行に移動していくと、被検出物
5からの反射光量は第5図の破線bのように変化
する。
S/N比は反射光量Lの最大値LHと最小値LL
の比(=LH/LL)で表わされ、第5図から明らか なように本考案に係るホトインタラプタの方が従
来のものよりS/N比が大きくなつていることが
わかる。
なお、固定スリツト板6のスリツト幅は発光チ
ツプ2から放射された光が被検出物5へ入射し反
射する入射角・反射角に応じて被検出物5の白・
黒等の縞模様のピツチと同じではなく適当な幅と
してもよい。
第2図及び第3図に、さらに高出力も得るため
の他の実施例を示す。
第2図は、被検出物5の白・黒等の縞模様と同
間隔のスリツト6aを複数個形成した固定スリツ
ト板6を用いた実施例である。固定スリツト板6
に形成するスリツト6aは、第1図に示すように
少なくとも1つあればよいが、この第2図の実施
例のように複数個形成することにより、被検出物
5の有効反射面積を大きくできるため高出力の反
射型ホトインタラプタの実現が可能である。
なお、その他の構成は第1図において説明した
ものと同様である。
第3図は、本考案の固定スリツト板6を備えた
反射型ホトインタラプタにおいて、発光部、受光
部のモールド樹脂4の形状をレンズ4b形状にし
た実施例である。
同図に示すように、受発光部をレンズ4b形状
とすることにより、固定スリツト板6のスリツト
6aを通過する光量が単位面積当たり多くなるた
め、高出力の反射型ホトインタラプタの実現が可
能である。
このように、本実施例によれば、本実施例と同
様に固定スリツト板6にスリツト6aを1つのみ
形成した第1図の例に比較して、より高出力が得
られる。
<考案の効果> 以上述べてきたように本考案によれば、極めて
簡単な構成を附与するのみで反射型ホトインタラ
プタのS/N比を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第3図は本考案の夫々異なる実施例
の縦断面図、第4図a,bは夫々従来例及び本考
案実施例における被検出物照射時の様子を説明す
る図、第5図は第4図の反射光量の時間的変化を
示すタイムチヤート、第6図は従来例を示す縦断
面図、第7図は第6図における被検出物照射の様
子を示す図である。 1……フレーム、2……発光チツプ、3……受
光チツプ、4……樹脂、5……被検出物、6……
固定スリツト板、6a……スリツト。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 発光チツプと受光チツプを併置させ、前記発光
    チツプからの光が反射率の異なる縞模様を有する
    被検出物から反射するのを前記受光チツプで検出
    する反射型フオトインタラプタにおいて、 前記被検出物と前記両チツプとの間に、前記被
    検出物に平行に且つ近接して、前記被検出物の縞
    模様の反射率の大きい部分に対応するスリツトを
    少なくとも一つ形成した固定スリツト板を配設し
    てなることを特徴とする反射型ホトインタラプ
    タ。
JP17161485U 1985-11-06 1985-11-06 Expired - Lifetime JPH0525254Y2 (ja)

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JPS6278768U JPS6278768U (ja) 1987-05-20
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US7317183B2 (en) * 2006-04-21 2008-01-08 Avago Technologies Ecbu Ip Pte Ltd High performance reflectivity optical encoder with a protrusion between lenses

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JPS6278768U (ja) 1987-05-20

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