JPH02228069A - 受光素子アレイ - Google Patents
受光素子アレイInfo
- Publication number
- JPH02228069A JPH02228069A JP1049686A JP4968689A JPH02228069A JP H02228069 A JPH02228069 A JP H02228069A JP 1049686 A JP1049686 A JP 1049686A JP 4968689 A JP4968689 A JP 4968689A JP H02228069 A JPH02228069 A JP H02228069A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- array
- receiving element
- photodetector
- light receiving
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 25
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229920003217 poly(methylsilsesquioxane) Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、半導体レーザの光強度モニタ用等として用い
られる受光素子アレイに関する。
られる受光素子アレイに関する。
(従来の技術)
第3図はこの種受光素子アレイの使用状態を示す構成図
である。
である。
図において符号lのそれぞれは半導体レーザ、2は受光
素子アレイであり、受光素子アレイ2は受光素子3のそ
れぞれが半導体レーザlそれぞれの後端面tbに相対す
るように配置されている。
素子アレイであり、受光素子アレイ2は受光素子3のそ
れぞれが半導体レーザlそれぞれの後端面tbに相対す
るように配置されている。
そして、例えば光ピツクアップにおいては、上記それぞ
れの半導体レーザ1の前端面1a側から再生用信号光、
トラッキング制御用信号光、フォーカス制御用信号光の
それぞれが出射されるとともに、後端面tb側からそれ
ぞれのモニタ光が出射され、モニタ光がそれぞれの受光
素子3で受光されてその光強度か検出されることにより
、それぞれの信号光の強度が調整されるようになってい
る。
れの半導体レーザ1の前端面1a側から再生用信号光、
トラッキング制御用信号光、フォーカス制御用信号光の
それぞれが出射されるとともに、後端面tb側からそれ
ぞれのモニタ光が出射され、モニタ光がそれぞれの受光
素子3で受光されてその光強度か検出されることにより
、それぞれの信号光の強度が調整されるようになってい
る。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、このような構成によれば、最近の機器の
小型化等に起因して、第4図に示すように、それぞれの
半導体レーザIが近接して配置され、それに対応して受
光素子アレイ2における各受光素子3が近接して配置さ
れるようになると、モニタ光は拡散光であるので受光素
子3に相対しない隣接する半導体レーザ1からの光が入
ってくるという、いわゆるクロストーク現象が発生し、
その結果、光強度の検出が精度良く行えなくなる問題点
があった。
小型化等に起因して、第4図に示すように、それぞれの
半導体レーザIが近接して配置され、それに対応して受
光素子アレイ2における各受光素子3が近接して配置さ
れるようになると、モニタ光は拡散光であるので受光素
子3に相対しない隣接する半導体レーザ1からの光が入
ってくるという、いわゆるクロストーク現象が発生し、
その結果、光強度の検出が精度良く行えなくなる問題点
があった。
上記クロストーク現象を回避する方法としては、例えば
受光素子の面積を小さくして隣接する半導体レーザから
の光を受光しないようにすることも考えられるが、受光
素子の面積を小さくすると受光量が減少して光強度の検
出ができなくなるので、面積縮小には限界があった。
受光素子の面積を小さくして隣接する半導体レーザから
の光を受光しないようにすることも考えられるが、受光
素子の面積を小さくすると受光量が減少して光強度の検
出ができなくなるので、面積縮小には限界があった。
また、第4図において受光素子アレイ2を一点鎖線位置
まで半導体レーザlに近接配置して、受光素子3に相対
する半導体レーザ1のみからモニタ光が及ぶようにする
ことも考えられるが、その場合には受光素子アレイ2面
での反射光の半導体レーザlへの影響が大きくなる問題
が生じる。
まで半導体レーザlに近接配置して、受光素子3に相対
する半導体レーザ1のみからモニタ光が及ぶようにする
ことも考えられるが、その場合には受光素子アレイ2面
での反射光の半導体レーザlへの影響が大きくなる問題
が生じる。
さらに、半導体レーザとその半導体レーザに対応する受
光素子間に導波路を設けて、半導体レーザからの光を対
応する受光素子のみに入射させて上記クロストーク現象
を回避することも考えられるが、それぞれの半導体レー
ザと受光素子間に正確に導波路を位置決めして配置する
のは非常に手間がかかる問題点があった。
光素子間に導波路を設けて、半導体レーザからの光を対
応する受光素子のみに入射させて上記クロストーク現象
を回避することも考えられるが、それぞれの半導体レー
ザと受光素子間に正確に導波路を位置決めして配置する
のは非常に手間がかかる問題点があった。
本発明は上記の問題点に鑑みてなしたもので、受光素子
が互いに近接配置される場合においても、受光素子間に
クロストーク現象が発生しない受光素子アレイを提供す
ることを目的とする。
が互いに近接配置される場合においても、受光素子間に
クロストーク現象が発生しない受光素子アレイを提供す
ることを目的とする。
(課題を解決するための手段)
本発明は、このような目的を達成するために、アレイ本
体面に複数の受光素子が配置されて構成される受光素子
アレイにおいて、前記アレイ本体面に、前記受光素子の
それぞれに相対し前記受光素子のそれぞれに集光を行う
集光レンズのそれぞれが一体に設けられたレンズアレイ
が取り付けられてなる構成とした。
体面に複数の受光素子が配置されて構成される受光素子
アレイにおいて、前記アレイ本体面に、前記受光素子の
それぞれに相対し前記受光素子のそれぞれに集光を行う
集光レンズのそれぞれが一体に設けられたレンズアレイ
が取り付けられてなる構成とした。
(作用)
本発明の構成によれば、半導体レーザからの拡散光が相
対する受光素子アレイに入射される場合には、その半導
体レーザからの拡散光をその間に位置する集光レンズが
受光素子に集光するとともに、隣接する半導体レーザか
らの拡散光が集光レンズに及ぶ場合には、光軸が偏位さ
れてその受光素子にその光が及ぶことが防止され、これ
により受光素子におけるクロストークは回避される。
対する受光素子アレイに入射される場合には、その半導
体レーザからの拡散光をその間に位置する集光レンズが
受光素子に集光するとともに、隣接する半導体レーザか
らの拡散光が集光レンズに及ぶ場合には、光軸が偏位さ
れてその受光素子にその光が及ぶことが防止され、これ
により受光素子におけるクロストークは回避される。
(実施例)
以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する
。第1図は受光素子アレイを示す斜視図、第2図は断面
図である。
。第1図は受光素子アレイを示す斜視図、第2図は断面
図である。
図において符号10は受光素子アレイであり、受光素子
アレイlOは、アレイ本体11面に受光素子12のそれ
ぞれが配置されて形成される従来における受光素子アレ
イloaに、レンズアレイ13が取り付けられて形成さ
れている。受光素子アレイIOaにおいて、各受光素子
I2は近接配置されている。
アレイlOは、アレイ本体11面に受光素子12のそれ
ぞれが配置されて形成される従来における受光素子アレ
イloaに、レンズアレイ13が取り付けられて形成さ
れている。受光素子アレイIOaにおいて、各受光素子
I2は近接配置されている。
レンズアレイ13はガラスやアクリル樹脂の成形品°よ
りなり、基板部14とその基板部14の一方面側に一体
に突出して、上記の受光素子アレイ10aにおける受光
素子12の配置ピッチと同ピツチにおいて形成された複
数の集光レンズとしての凸レンズ部15とからなってい
る。そして、レンズアレイ13は基板部14の凸レンズ
部15が設けられた面と逆側面で、それぞれの凸レンズ
部15がそれぞれの受光素子12に相対する位置におい
て受光素子アレイ本体面に、例えば光学接着剤を介して
一体に固着されている。レンズアレイ13の基板部14
の厚み寸法Wは、凸レンズ部15の焦点距離とほぼ一致
するように設計されている。
りなり、基板部14とその基板部14の一方面側に一体
に突出して、上記の受光素子アレイ10aにおける受光
素子12の配置ピッチと同ピツチにおいて形成された複
数の集光レンズとしての凸レンズ部15とからなってい
る。そして、レンズアレイ13は基板部14の凸レンズ
部15が設けられた面と逆側面で、それぞれの凸レンズ
部15がそれぞれの受光素子12に相対する位置におい
て受光素子アレイ本体面に、例えば光学接着剤を介して
一体に固着されている。レンズアレイ13の基板部14
の厚み寸法Wは、凸レンズ部15の焦点距離とほぼ一致
するように設計されている。
次に上記実施例の動作を説明する。
20のそれぞれは半導体レーザであり、それら半導体レ
ーザ20の後端面にそれぞれの凸レンズ部15および受
光素子12が相対するように、すなわち半導体レーザ2
0から入射されるモニタ光の光軸と凸レンズ部15およ
び受光素子!2の中心とが一致するように受光素子アレ
イlOが配置されている。
ーザ20の後端面にそれぞれの凸レンズ部15および受
光素子12が相対するように、すなわち半導体レーザ2
0から入射されるモニタ光の光軸と凸レンズ部15およ
び受光素子!2の中心とが一致するように受光素子アレ
イlOが配置されている。
そして半導体レーザ20から出射されたモニタ光は、相
対する凸レンズ部!5で集光されてその集光スポットS
Iが対応する受光素子12に形成される。この際モニタ
光は拡散光であるのでその一部が相対しない隣接する凸
レンズ部15にも入射されるが、その光は凸レンズ部1
5へ斜め方向に入射するので偏位されて受光素子12が
存在しない面に集光スポットS、を形成し、このように
して受光素子12には相対する半導体レーザ20のみか
らのモニタ光が入射され、クロストーク現象が回避され
る。
対する凸レンズ部!5で集光されてその集光スポットS
Iが対応する受光素子12に形成される。この際モニタ
光は拡散光であるのでその一部が相対しない隣接する凸
レンズ部15にも入射されるが、その光は凸レンズ部1
5へ斜め方向に入射するので偏位されて受光素子12が
存在しない面に集光スポットS、を形成し、このように
して受光素子12には相対する半導体レーザ20のみか
らのモニタ光が入射され、クロストーク現象が回避され
る。
レンズアレイ13は基板部14にフレネルレンズよりな
る凸レンズ部15を設ける構成としてもよく、さら、拡
散型平板レンズにより構成してもよい。
る凸レンズ部15を設ける構成としてもよく、さら、拡
散型平板レンズにより構成してもよい。
また、上記の実施例においては凸レンズ部および受光素
子がそれぞれ3個設けられる構成のものを示したが、使
用形態に対応してさらに多数個の凸レンズ部および受光
素子が設けられてもよく、またその配置も平面的に配置
される構成とされてもよい。
子がそれぞれ3個設けられる構成のものを示したが、使
用形態に対応してさらに多数個の凸レンズ部および受光
素子が設けられてもよく、またその配置も平面的に配置
される構成とされてもよい。
(発明の効果)
したがって本発明によれば、隣接する半導体レーザから
の拡散光が集光レンズに及ぶ場合にも、光軸が偏位され
てその集光レンズに相対する受光素子にその光が及ぶこ
とが防止され、これにより受光素子におけるクロストー
クは回避されるようになり、モニタ光の検出が精度良く
行えるようになった。
の拡散光が集光レンズに及ぶ場合にも、光軸が偏位され
てその集光レンズに相対する受光素子にその光が及ぶこ
とが防止され、これにより受光素子におけるクロストー
クは回避されるようになり、モニタ光の検出が精度良く
行えるようになった。
第1図、第2図は本発明の実施例に関し、第1図は受光
素子アレイの斜視図、第2図は同断面図である。 第3図、第4図は従来例の断面図である。 1010a・・・受光素子アレイ、 11・・・アレイ本体 12・・・受光素子、 !3・・レンズアレイ、 15・・・凸レンズ部(集光レンズ)。
素子アレイの斜視図、第2図は同断面図である。 第3図、第4図は従来例の断面図である。 1010a・・・受光素子アレイ、 11・・・アレイ本体 12・・・受光素子、 !3・・レンズアレイ、 15・・・凸レンズ部(集光レンズ)。
Claims (1)
- (1)アレイ本体面に複数の受光素子が配置されて構成
される受光素子アレイにおいて、 前記アレイ本体面に、前記受光素子のそれぞれに相対し
前記受光素子のそれぞれに集光を行う集光レンズのそれ
ぞれが一体に設けられたレンズアレイが取り付けられて
なる受光素子アレイ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1049686A JPH02228069A (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | 受光素子アレイ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1049686A JPH02228069A (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | 受光素子アレイ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02228069A true JPH02228069A (ja) | 1990-09-11 |
Family
ID=12838067
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1049686A Pending JPH02228069A (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | 受光素子アレイ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02228069A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002373976A (ja) * | 2001-06-13 | 2002-12-26 | Nikon Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2019512701A (ja) * | 2016-03-16 | 2019-05-16 | マルバーン パナリティカル リミテッド | 粒子特性評価 |
US10845287B2 (en) | 2015-09-23 | 2020-11-24 | Malvern Panalytical Limited | Particle characterisation |
US11002655B2 (en) | 2015-09-23 | 2021-05-11 | Malvern Panalytical Limited | Cuvette carrier |
US11199486B2 (en) | 2017-03-23 | 2021-12-14 | Malvern Panalytical Limited | Particle characterisation |
-
1989
- 1989-02-28 JP JP1049686A patent/JPH02228069A/ja active Pending
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002373976A (ja) * | 2001-06-13 | 2002-12-26 | Nikon Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
US10845287B2 (en) | 2015-09-23 | 2020-11-24 | Malvern Panalytical Limited | Particle characterisation |
US11002655B2 (en) | 2015-09-23 | 2021-05-11 | Malvern Panalytical Limited | Cuvette carrier |
US11435275B2 (en) | 2015-09-23 | 2022-09-06 | Malvern Panalytical Limited | Particle characterisation |
JP2019512701A (ja) * | 2016-03-16 | 2019-05-16 | マルバーン パナリティカル リミテッド | 粒子特性評価 |
US11187638B2 (en) | 2016-03-16 | 2021-11-30 | Malvern Panalytical Limited | Particle characterisation |
JP2022174213A (ja) * | 2016-03-16 | 2022-11-22 | マルバーン パナリティカル リミテッド | 粒子特性評価 |
US11747257B2 (en) | 2016-03-16 | 2023-09-05 | Malvern Panalytical Limited | Particle characterization |
US11199486B2 (en) | 2017-03-23 | 2021-12-14 | Malvern Panalytical Limited | Particle characterisation |
US11906412B2 (en) | 2017-03-23 | 2024-02-20 | Malvern Panalytical Limited | Particle characterisation |
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