JPH0560252B2 - - Google Patents

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JPH0560252B2
JPH0560252B2 JP59230355A JP23035584A JPH0560252B2 JP H0560252 B2 JPH0560252 B2 JP H0560252B2 JP 59230355 A JP59230355 A JP 59230355A JP 23035584 A JP23035584 A JP 23035584A JP H0560252 B2 JPH0560252 B2 JP H0560252B2
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JP
Japan
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alignment
manual
mask
wafer
manual processing
Prior art date
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JP59230355A
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Tadashi Konuki
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Canon Inc
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Canon Inc
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Publication of JPH0560252B2 publication Critical patent/JPH0560252B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、複数の手動(マニユアル)処理機能
を備えた半導体焼付装置に関する。
〔従来技術〕
従来の半導体焼付装置におけるマニユアルでの
処理機能としては次のようなものがある。マスク
上のアライメントマークとマスク支持台に取付け
られたアライメントマークとを目視で位置合わせ
するマニユアル処理機能(マスクマニユアルアラ
イメント)、ウエハアライメント光学系を投影レ
ンズの外側に配置し該光学系に取付けられたアラ
イメントマークとウエハ上のアライメトマークと
を目視で位置合わせするマニユアル処理機能(オ
フアクシスマニユアルアライメント)、マスク上
のアライメントマークとウエハ上のアライメント
マークとを目視で位置合わせするマニユアル処理
機能(TTLマニユアルアライメント)等である。
これらマニユアルによる位置合わせは、オペレー
タがアライメントマークを目視で観察しながらア
ライメント駆動系を操作する手段(ジヨイステイ
ツク、スイツチ、ダイヤルなど)を介して行うも
のである。また必要に応じて、目視観察光学系の
ピント合わせ(マニユアルフオーカス)、アライ
メントマーク像の拡大・縮小(マニユアルズー
ム)もマニユアルによつて行われる。
ところで従来の半導体焼付装置によれば各マニ
ユアル処理機能のための駆動系それぞれに対応し
て1個あるいは複数の操作手段(ジヨイステイツ
ク、スイツチ、ダイヤルなど)が設けられてお
り、駆動系毎に操作手段がまちまちで、かつ操作
方法も異なつていた。従つてこれら操作手段・操
作方法が不統一なので装置オペレーシヨンが煩雑
で装置のロス・タイムを生じ、ウエハ焼付けのス
ループツトの低下を招いていた。
〔発明の目的〕
本発明は上記の点に鑑み提案されたものであ
り、必要なマニユアル機能を適宜選択するととも
に、各マニユアル処理を共通の操作手段・操作方
法で行うことを可能とする半導体焼付装置の提供
を目的とする。
〔実施例〕
以下図面を参照して本発明の実施例を説明す
る。第1図は本発明の実施例に係るステツプ・ア
ンド・リピート方式による半導体焼付装置の概略
斜視図である。1はマスク、2はX方向・Y方
向・θ方向に移動可能なマスクステージ、3は焼
付用レンズ、4はウエハで、マスクパターンはレ
ンズ3にてウエハ上に投影される。5′はTTLア
ライメント及び観察用のアライメントスコープ5
の対物部で、アライメントスコープは不図示の位
置検知用光電変換素子5a、フオーカス用リレー
レンズ5b、拡大用ズームレンズ5cを含む。6
はX方向・Y方向・θ方向に移動可能なウエハ保
持用のウエハステージであり、7′はオフアクシ
ス・プリアライメント用スコープ7の対物レン
ズ、8はオフアクシスプリアライメント用の撮像
管、9は焼付用光学系を介してウエハ4を観察す
るための撮像管である。10はマスクを照明する
焼付用光源、11aと11bはウエハ供給用キヤ
リア、12a,12bはウエハ回収用キヤリアで
ある。13はプリアライメント用撮像管8及び
TTL観察用撮像管9にて撮像した映像を選択的
にモニタするモニタテレビ、14はジヨイステイ
ツク、スイツチ等を有し、マニユアル処理を選択
的に操作する操作パネル、15は半導体焼付装置
を制御するコンソールである。
第2図は本発明の実施例に係る操作パネル14
の平面図である。21は装置全体の電源投入スイ
ツチ、22は装置を初期状態に戻すリセツトスイ
ツチ、23はTTLアライメントで使用するレー
ザーの電源投入スイツチ、24はマスク1をマス
クステージ2にセツトするためのスイツチであ
る。25は22,23,24のスイツチを押下す
る時に併用し、装置のステツプ・アンド・リピー
ト動作中に22,23または24のスイツチが誤
つて押下されることのないよう保護するためのス
イツチである。26は装置シーケンスの開始スイ
ツチ、27は装置シーケンスの停止スイツチであ
る。28はマスクマニユアルアライメントを選択
するスイツチ、29はオフアクシスマニユアルア
ライメントを選択するスイツチ、29aはオフア
クシスマニユアルアライメントにおいてウエハ上
左側のアライメントマークを選択するスイツチ、
29bは同じくウエハ上右側のアライメントマー
クを選択するスイツチである。
30はアライメントスコープ5のマニユアル処
理を選択するスイツチ、30aはアライメントス
コープ5のマニユアル処理において、アライメン
トスコープのY方向駆動及びアライメントマーク
の拡大・縮小を選択するスイツチ(Zoom・Y駆
動選択スイツチ)、30bは同処理においてアラ
イメントスコープのX方向駆動を選択するスイツ
チ(X駆動選択スイツチ)、30cは同処理にお
いて、ピント合わせを選択するスイツチ(フオー
カス選択スイツチ)である。31はTTLマニユ
アルアライメントを選択するスイツチである。3
6,37はマニユアル駆動系を動作させる時に操
作するジヨイステイツクであり、このレバーを倒
している間、駆動系が動作し、離すと止まる。ま
たレバーの倒れ角が大きい程動作速度が速くなる
ようになつている。41から57まではマニユア
ル処理表示用LEDであり、28から31までの
マニユアル処理選択スイツチを押下した時これに
対応してジヨイステイツク36,37の処理機能
を操作方法をオペレータに知らせるため点灯する
ものである。61,62はリミツト表示用LED
であり、マニユアルアライメントの駆動系が動作
の限界点に達した時に点灯する。
第3図は本発明の実施例に係る半導体焼付装置
のマニユアル処理機能を説明するためにシーケン
スの流れを示したフローチヤートで、第4図はブ
ロツク図である。以下フローに沿つて詳細に説明
する。スイツチ21によるパワーオン後、まずシ
ーケンスの選択をコンソール15から入力する
(S1)。マニユアル処理の選択は次の3つの可能
である。
選択 マスクのアライメントをオートアライメ
ントで行うかマニユアルアライメントで行うか
の選択(S3)。
選択 オフアクシスプリアライメントをオート
アライメントで行うかマニユアルアライメント
で行うかの選択(S9)。
選択 TTLアライメントをオートアライメン
トで行うかマニユアルアライメントで行うかの
選択(S13)。
次にマスクステージ2にマスク1をセツトし
(S2),S1で選択されたシーケンス(選択)
にもとづきマスク上のアライメントマークとマス
ク支持台に取付けられたアライメントマークとの
位置合わせが、マニユアルアライメント(分岐S
31)であるか、オートアライメント(分岐S3
2)であるかの分岐をS3にて行う。オートヘア
ライメントの場合にはS4にて行う。このアライ
メント方式としては、例えばマスク上のアライメ
ントマークとマスク支持台のアライメントマーク
をレーザー光にて同時に光走査してこれらの反射
光を光電変換素子で受光し、上記2つのマークの
位置ズレを光電変換素子から得られる電気信号の
時間間隔として検知する。そしてこの位置ズレ量
をもとにマスクステージ2を移動させ、上記2つ
のマークの位置合わせを行う。マスクオートアラ
イメントのシーケンス終了後、S5にてオートア
ライメント中にエラーが発生したか否かを判別し
てエラーがない場合には分岐S52にてS7へ、
エラーがある場合には分岐S51にてS6のマス
クマニユアルアライメントへ進む。マスクオート
アライメントにおけるエラー発生の原因は、例え
ばマスク上のゴミ、キズ等によるアライメントマ
ークの誤検知、あるいはマークを走査するレーザ
ー光のパワー不足から十分な光反射信号が得られ
ないためのアライメント不能等が挙げられるが、
これらのエラーの発生する頻度は一般に極めて低
いものである。
S3の分岐S31あるいはS5の分岐S51に
てマスクマニユアルアライメントS6の処理に入
つた場合には、操作パネル14にてオペレータは
マニユアル処理を行う。マスクマニユアルアライ
メント選択スイツチ28を押下するとマスクマニ
ユアルアライメントが可能な状態となり、LED
の44,45,47,53,55,56,57が
点灯し、ジヨイステイツク36でマスクステージ
2のθ方向駆動、ジヨイステイツク37でマスク
ステージ2のX方向・Y方向駆動が可能となる。
オペレータはモニターテレビ13に写し出された
アライメントマークを目視で観察しながらジヨイ
ステイツク36,37を操作し、マークの位置合
わせを行う。この時、モニターテレビ13上のア
ライメントマークのピントを合わせたい場合、ア
ライメントスコープ選択スイツチ30を押下した
後フオーカス選択スイツチ30cを選択する(こ
の時LEDの41,43,49,50,52,5
5が点灯)。そして、ジヨイステイツク36でモ
ニターテレビ上左側に写し出されたアライメント
マークのピントを合わせ、およびジヨイステイツ
ク37で同右側のアライメントマークのピント合
わせを行う(マニユアルフオーカス)。またモニ
ターテレビ13上のアライメントマークを拡大・
縮小したい場合、アライメントスコープ選択スイ
ツチ30を押下した後、Zoom・Y選択スイツチ
30aを選択する(この時LEDの42,43,
48,49,50,51,54,55が点灯)。
そしてジヨイステイツク37で、モニターテレビ
上に写し出されたアライメントマークの拡大・縮
小を行う(マニユアルズーム)。
マスクオートアライメントS4あるいはマスク
マニユアルアライメントS6を行いマスクセツト
が完了すると、コンソール15あるいは操作パネ
ル14からのスタート待ちの状態S7となる。操
作パネル14のスタートスイツチ26が押下され
るかあるいはコンソール15からスタートコマン
ドがキー入力されると、供給キヤリア11a,1
1bからウエハステージ6へウエハの搬送が行な
われるS8。ウエハ4が置かれたウエハステージ
6はまずウエハ上に設けられたオフアクシスアラ
イメントマークがオフアクシスプリアライメント
用の対物レンズ7の視野内に入るように所定位置
へ移動する。ここであらかじめ選択されたシーケ
ンス(選択)に従いオフアクシスプリアライメ
ントがマニユアルアライメント(分岐S91)で
あるか、オートアライメント(分岐S92)であ
るかの分岐をS9にて行う。オートアライメント
を行う場合にはS10にてオフアクシスオートア
ライメントを実行する。ここでオフアクシスオー
トアライメントとは撮像管8によつてウエハ面上
のマークを撮像してそのビデオ信号を処理し、あ
らかじめ定められたアライメントマークの位置を
検知するものであり、オフアクシスプリアライメ
ントで得られたマークの座標位置の視野中心から
のズレ量が、オフアクシスアライメント位置から
TTLアライメント位置へステージが移動する場
合の移動距離の補正量となる。なおオフアクシス
オートアライメントS10において、例えばアフ
アクシスアライメントマークがテレビの視野外に
あるためオートアライメント不能の場合にはオー
トアライメントエラーとなり、S11にて判別さ
れる。このとき分岐S111にてS12のオフア
クシスマニユアルアライメントへ進む。エラーが
ない場合には分岐S112にてS13へ進む。
S9の分岐S91あるいはS11の分岐S11
1にてオフアクシスマニユアルアライメントS1
2の処理に入つた場合には、操作パネル14にて
オペレータはマニユアル処理を行う。まずオフア
クシスマニユアルアライメント選択スイツチ29
を押下した後左側アライメントマーク選択スイツ
チ29aを選択すると、ウエハ上左側のオフアク
シスアライメントマークが対物レンズ7の下にく
るようウエハステージ6が移動する。ウエハステ
ージ6が所定位置に移動した後LEDの51,5
3,55,56,57が点灯すると、ジヨイステ
イツク37でウエハステージ6のX方向、Y方向
のマニユアル駆動が可能となる。オペレータはモ
ニターテレビ13に写し出されたアライメントマ
ークを目視で観察しながらジヨイステイツク37
を操作し、マークの位置合わせを行う。同様にし
て右側アライメントマーク選択スイツチ29bを
選択すると(この時LEDの50,53,55,
56,57が点灯)ジヨイステイツク37でウエ
ハ上右側のアライメントマークのオフアクシスマ
ニユアルアライメントが可能となる。
オフアクシスオートアライメントS10あるい
はオフアクシスマニユアルアライメントS12を
行いプリアライメントが終了すると、ウエハステ
ージ6はプリアライメントのズレ量をもとに焼付
用レンズ3の下に移動し、ステツプ・アンド・リ
ピート動作に入る。ステツプ・アンド・リピート
動作はウエハステージステツプ送り、焼付用
レンズを介して行うウエハとマスクの位置合わ
せ、露光、をくり返し行なうもので、いわゆる
ダイ・バイ・ダイ・アライメント(各シヨツト
TTLアライメント)と呼ばれる方式である。ス
テツプ・アンド・リピート動作に入る時、S1で
選択されたシーケンス(選択)にもとずきウエ
ハとマスクの位置合わせ方法が、TTLマニユア
ルアライメント(分岐S131)であるか、
TTLオートアライメント(分岐S132)であ
るかの分岐をS13にて行う。TTLオートアラ
イメントの場合にはS14にてオートアライメン
トを行うが、この場合アライメント方式はTTL
方式であれば特に限定されない。例えばマスク上
のアライメントマークとウエハ上のアライメント
マークをレーザー光にて同時に光走査し、前述の
マスクオートアライメントS4のステツプと同様
な方法でマークの位置ズレ量を検知し、ウエハス
テージ6あるいはマスクステージ2を移動させウ
エハとマスクの位置合わせを行う方法がある。
TTLオートアライメントのシーケンスが終了
すると、S15にてオートアライメント中にエラ
ーが発生したか否かを判別し、エラーがない場合
は分岐S152にてS17の露光へ、エラーがあ
る場合には分岐S151にてS16のTTLマニ
ユアルアライメントへ進む。TTLオートアライ
メントにおけるエラー発生の原因として例えばウ
エハやマスク上のゴミ、キズ等によるアライメン
トマークの誤検知あるいはウエハプロセス等によ
りウエハから十分な光反射信号を得られないため
のアライメント不能等が挙げられる。
S13の分岐S131あるいはS15の分岐S
151にてTTLマニユアルアライメントS16
の処理に入つた場合には、操作パネル14にてオ
ペレータはマニユアル処理を行う。TTLマニユ
アルアライメント選択スイツチ31を押下すると
TTLマニユアルアライメントが可能な状態とな
り、LEDの44,45,47,53,55,5
6,57が点灯する。これに従いジヨイステイツ
ク36でウエハステージ6のθ方向駆動、ジヨイ
ステイツクの操作でウエハステージ6あるいはマ
スクステージ2のX方向、Y方向駆動が可能とな
る。ジヨイステイツク37でのウエハステージ駆
動とマスクステージ駆動の切り換えは、ジヨイス
テイツク37のレバー先端に付属しているスイツ
チで行う。先端のスイツチを押下した時マスクス
テージの駆動が可能になり、スイツチを離した時
ウエハステージの駆動が可能になる。オペレータ
はモニターテレビ13に写し出されたウエハとマ
スクのアライメントマークを目視で観察しながら
ジヨイステイツク36,37を操作し、マークの
位置合わせを行う。この時前述のマスクマニユア
ルアライメントS6の場合と同様に「マニユアル
フオーカス」、「マニユアルズーム」のマニユアル
処理を行うことが可能である。TTLオートアラ
イメントS14あるいはTTLマニユアルアライ
メントS16が完了すると、S17にて露光を行
う。露光終了後、S18にてそのウエハのすべて
のシヨツトが終了したか否かを判別し、またシヨ
ツトが残つている場合には(分岐182)ウエハ
ステージ6は次のシヨツト位置へステツプ移動し
S19再びS13へ戻り、TTLアライメント、
露光動作(S13〜S19のループ)をくり返
す。
ステツプ・アンド・リピート動作をくり返して
ウエハ全シヨツトの処理が終了した場合、S13
からS19のループをぬけ出して分岐S181経
由でウエハ回収動作S20に入り、露光済ウエハ
は収納キヤリア12a,12bに格納される。次
にウエハの焼付けが一キヤリア分全部終了したか
否かを判別しS21、未終了の場合には(分岐S
212)S8へ戻り、次のウエハも搬送して再び
S9からS20までの処理をくり返す。1キヤリ
ア分ウエハの処理が終了した場合(分岐S21
1)、S7へ戻りスタート待ちの状態となる。
なお、実施例ではマニユアル処理機能の全操作
を操作パネル14で行う場合について述べたが、
これに限定されることなく、操作パネル14と同
機能のマニユアル処理選択手段とマニユアル駆動
系に動作を指示する手段があれば、本発明を適用
することが可能である。
例えばコンソール15を使用する方法について
述べる。操作パネル14のマニユアル処理選択ス
イツチ(第2図28〜31)の代りにそれぞれの
スイツチに対応したコンソールコマンドを用意
し、コンソール15よりコマンドをキー入力して
マニユアル処理機能を選択する方法、操作パネル
14のマニユアル処理表示用LED(第2図41〜
57)の代りにコンソール15上にLED41〜
57と同程度の内容をグラフイツク表示し、マニ
ユアル処理機能と操作方法をオペレータに指示す
る方法である。またマニユアル駆動系の動作を指
示する手段として、ジヨイステイツク36,37
の代りにコンソール15に付属しているキーボー
ドを使用することが可能である。ジヨイステイツ
クの傾き方向(xプラス、xマイナス、yプラ
ス、yマイナスの4方向)と1対1に対応するよ
うあらかじめ定めておいた特定キー、例えば矢印
キーを押下し続けることによりジヨイステイツク
レバーを傾けたのと同じ働きをさせることができ
る。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば複数のマ
ニユアル処理を有する半導体装置において、各マ
ニユアル処理を共通の操作手段で操作できるよう
にマニアル処理の選択を設けているので、装置の
操作が効果的に行える。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例に係る半導体焼付装置
の概略斜視図、第2図は本発明の実施例に係る操
作パネルの平面図、第3図は本発明の実施例に係
る半導体焼付装置のマニユアル処理機能を説明す
るためのフローチヤート図、第4図はブロツク図
である。 28……マスクマニユアルアライメント選択ス
イツチ、29……オフアクシスマニユアルアライ
メント選択スイツチ、30……アライメントスコ
ープ選択スイツチ、31……TTLマニユアルア
ライメント選択スイツチ、36,37……ジヨイ
ステイツク、41〜57……マニユアル処理表示
用LED。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 マスクのパターンをウエハに焼付けるための
    焼付装置本体と、複数のマニユアル処理機能から
    一つを選択する選択手段と、前記選択手段により
    選択されたマニユアル処理機能を前記焼付装置本
    体に実行させるために操作される各マニユアル処
    理機能に共通な操作手段と、前記選択手段により
    前記マニユアル処理機能の中からマニユアルアラ
    イメント機能が選択された際には、前記操作手段
    の操作に応じて前記マスクと前記ウエハの少なく
    とも一方を移動させる駆動手段を有することを特
    徴とする半導体焼付装置。 2 前記駆動手段は、前記選択手段により前記マ
    ニユアル処理機能の中からマスクマニユアルアラ
    イメント機能が選択された際、前記操作手段の操
    作に応じて前記マスクを移動させることを特徴と
    する特許請求の範囲第1項記載の半導体焼付装
    置。 3 前記駆動手段は、前記選択手段により前記マ
    ニユアル処理機能の中からオフアクシスマニユア
    ルアライメント機能が選択された際、前記操作手
    段の操作に応じて前記ウエハを移動させることを
    特徴とする特許請求の範囲第1項記載の半導体焼
    付装置。
JP59230355A 1984-11-02 1984-11-02 半導体焼付装置 Granted JPS61110428A (ja)

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JPS61110428A JPS61110428A (ja) 1986-05-28
JPH0560252B2 true JPH0560252B2 (ja) 1993-09-01

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