JP2869826B2 - 半導体製造方法 - Google Patents

半導体製造方法

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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、LSIやVLSI等の
半導体デバイスを製造する方法に関し、特に半導体デバ
イスの製造動作におけるロットの切換え動作を迅速に行
なうことができる半導体製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体製造装置は高機能化や高性能化に
伴って、この種の装置を動作させる際のパラメータが増
加してきた。このようなパラメータは例えばステップア
ンドリピート式の本装置においては数十個から時には数
百個にも及ぶ場合がある。
【0003】従来、これら数多くのパラメータはマスク
工程やロットを切換える時にファイルからメモリにロー
ドした後、処理している。また次ロット処理で使用する
レチクルもこの時に準備している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来例で
はマスク工程やロットを切換える際、次のような欠点が
あった。
【0005】(1)膨大な動作パラメータをファイルか
らメモリにロードするため次ロットで処理する動作パラ
メータをメモリ上に準備する時間がかかり過ぎる。
【0006】(2)次ロット処理で使用するレチクルを
露光動作するために必要な位置(レチクルステージ)に
搬入する時間がかかり過ぎる。
【0007】上記従来例では以上のような欠点により、
たとえロット内でのウエハ処理枚数を多くしロット内で
のスループットを向上したとしても、マスク工程やロッ
トを切換える時に時間がかかってしまっては総合的なス
ループット向上は図れないという問題があった。
【0008】本発明は、上記従来例における問題点に鑑
みてなされたもので、マスク工程やロットを切換え時の
時間短縮を図り、もって総合的なスループットの向上を
図ることを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の半導体製造方法は、第1ロットを露光処理
するのに必要な第1動作パラメータの要求に応じて複数
ロット分の動作パラメータを格納しているファイルから
前記第1動作パラメータを第1メモリにロードするステ
ップと、前記第1メモリにロードされた前記第1動作パ
ラメータ内のレチクル情報により前記第1ロットの露光
処理に使用されるレチクルを決定して第1ロット用レチ
クルを露光装置のレチクルステージへ搬入するステップ
と、前記第1メモリへの前記第1動作パラメータのロー
ド完了が報告されて前記第1ロットに対する露光処理の
開始が指令されると前記第1メモリ内の前記第1動作パ
ラメータを前記露光装置へ転送するステップと、前記露
光装置が前記第1ロットを露光処理中に前記露光装置が
第2ロットを露光処理するのに必要な第2動作パラメー
タの要求に応じて前記ファイルから前記第2動作パラメ
ータを第2メモリにロードするステップと、前記露光装
置が前記第1ロットを露光処理中に前記第2メモリにロ
ードされた前記第2動作パラメータ内のレチクル清報に
より前記第2ロットの露光処理に使用されるレチクルを
決定して第2ロット用レチクルをレチクル待機位置に準
備するステップとを有する。
【0010】本発明の1つの態様において、前記露光装
置のコンソールユニットは動作パラメータの要求をホス
トコンピュータまたは前記コンソールユニットの操作ボ
ードから受け、動作パラメータのロード完了報告を前記
ホストコンピュータに送るようになっている。
【0011】ここで、前記第1及び第2メモリは前記コ
ンソールユニット内に設定され、動作パラメータを前記
第1及び第2メモリのいずれにロードするかは前記コン
ソールユニットが判断するようにできる。
【0012】
【作用】本発明によれば、ロット処理を行なうために必
要な動作パラメータを準備するメモリを2つ設けること
により、次ロット処理に必要なパラメータを前ロットの
露光動作中に準備することができ、マスク工程やロット
の切換えを迅速に行なうことができる。これにより、半
導体製造装置のスループットを向上させることができ
る。
【0013】また、上記した他の態様によれば、次ロッ
ト処理で使用するレチクルについても前ロットの露光動
作中にレチクル待機位置まで準備することができ、マス
ク工程やロットの切換え時、レチクルのレチクルステー
ジへの搬入を迅速に行なうことが可能になり、さらにス
ループットを向上させることができる。
【0014】
【実施例】以下、図面に従って本発明の実施例を説明す
る。
【0015】図2は、本発明を適用したステップアンド
リピート方式の半導体焼付装置の外観を示す斜視図であ
る。同図において、焼付光源10からの光で照明される
レチクル1は、XY直角座標面内で移動可能で且つ垂直
軸θの周りに回動可能なレチクルステージ2に保持さ
れ、レチクルパターンを焼付レンズ3を介してウエハス
テージ6上のウエハ4に投影するようになされている。
この投影光学系にはTTLアライメントおよび観察用の
アライメントスコープ5が組合わされ、9はそのための
撮像管である。さらにまたこの投影光学系にはオフアク
シスのITVプリアライメント系も付設されており、7
はその対物レンズ、8はその撮像管である。11a,1
1bはウエハをステージ6へ送給するウエハ供給用キャ
リア、12a,12bはステージ6からウエハを引きと
るウエハ回収用キャリアであり、これらキャリアとステ
ージとの間のウエハの受渡しは、それぞれ定められたス
テージ位置(受渡し位置)でハンド装置16により行な
われる。13は前記撮像管7および8によって撮像した
映像を選択的にモニタ表示するCRT表示装置、14は
ジョイスティックやスイッチ類を有する操作パネル、1
5はシステムを制御するコンソールである。17はレチ
クル待機位置である。
【0016】図1は半導体製造装置の制御部ブロック図
である。同図において、18は装置全体の制御を司る本
体CPUでマイクロコンピュータの中央演算処理装置で
ある。19はコンソールユニットで、ロット処理に必要
な動作パラメータや露光指令を本体CPU18に与える
ものである。20はこの半導体製造装置に対してロット
処理に必要な動作パラメータを指示したり露光処理開始
指示を行なったりするホストコンピュータで、パソコン
またはミニコン等のコンピュータである。24は動作パ
ラメータやプログラムが格納されているファイルであ
る。25は装置に指令を与えるコンソールのモニタ受像
機、26は装置に指令を与えたりパラメータを入力する
キーボードである。27,28は動作パラメータをファ
イル24からロードされて記憶するメモリである。29
はホストコンピュータ20またはキーボード26からの
指令により処理を行なうプログラムをロードし実行する
ためのプログラムメモリである。動作パラメータをロー
ドされて記憶するメモリ27,28および前記プログラ
ムメモリはコンソールユニット19内に設けられてい
る。また、ファイル24、モニタ受像機25およびキー
ボード26はコンソールユニット19の一部を構成して
いる。
【0017】次に、図3を参照しながら図1と図2に示
す装置の動作を説明する。装置の動作はCPU18の制
御の下に行われる。
【0018】ステップ101でホストコンピュータ20
から第1ロット用の動作パラメータのロード要求を装置
のコンソールユニット19が受ける。ステップ102で
は指定された動作パラメータをファイル24から第1メ
モリ27へロードし、メモリ内のレチクル情報(レチク
ルテーブルパラメータおよびレチクルIDパラメータな
ど)により第1ロットで使用するレチクルを決定し、そ
のレチクルをレチクルステージ2へ搬入する。その後、
装置からホストコンピュータ20に対してロード完了報
告を行なう。次にステップ103で第1ロット露光開始
指令を行なうと、ステップ104におけるコンソールユ
ニット19では、第1メモリ27内の動作パラメータを
本体CPU18へ転送し、露光処理を開始する。露光処
理が開始すると、露光開始報告をホストコンピュータ2
0へ報告し、次ロットの要求を待つ。この状態でステッ
プ105ではホストコンピュータ20から第2ロット用
の動作パラメータのロード要求を装置のコンソールユニ
ット19へ送る。ステップ106では指定された動作パ
ラメータをファイル24から第2メモリ28へロード
し、メモリ内のレチクル情報(レチクルテーブルパラメ
ータおよびレチクルIDパラメータなど)により、第2
ロットで使用するレチクルを決定する。この場合は第1
ロットの露光動作中であるため、決定したレチクルはレ
チクルステージ2へは搬入せずレチクル待機位置17に
準備する。
【0019】ステップ107で第1ロットの露光処理が
終了すると、ホストコンピュータ20に対し露光終了報
告を行なう。これに対してステップ108では第2ロッ
トの露光開始指令を装置のコンソールユニット19へ通
知する。通知されたステップ109では第2メモリ28
内の動作パラメータを本体CPU18に転送しレチクル
待機位置17に準備されたレチクルをレチクルステージ
2へ搬入した後、第2ロットの露光処理を開始する。露
光処理が開始すると、露光開始報告をホストコンピュー
タ20へ報告し、次ロットの要求を待つ。この状態でス
テップ110ではホストコンピュータ20から第3ロッ
ト用の動作パラメータのロード要求を装置のコンソール
ユニット19へ送る。ステップ111では指定された動
作パラメータをファイル24から第1メモリ27へロー
ドし、メモリ内のレチクル情報(レチクルテーブルパラ
メータ、レチクルIDパラメータ)により、第3ロット
で使用するレチクルを決定する。この場合も第2ロット
の露光動作中であるため決定したレチクルはレチクルス
テージ2へ搬入せず、レチクル待機位置17に準備す
る。
【0020】以上のような、あるロットの露光動作中に
次ロット用の動作パラメータをロードするメモリとして
第1メモリ27と第2メモリ28とを切換えながら用
い、かつ使用するレチクルをレチクル待機位置17に準
備する処理を繰り返し行なう。
【0021】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
前のウエハロットに対する露光処理を露光装置が実行中
に次のウエハロットに対する露光処理に必要な動作パラ
メータ及びレチクルを準備することができるので、露光
装置のロットの切り替え時間を大幅に削減することがで
き、露光装置の生産性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施例に用いる半導体製造装置の
制御部ブロック図である。
【図2】 上記実施例に用いる装置の外観図である。
【図3】 上記実施例の動作を説明するためのフローチ
ャートである。
【符号の説明】
18:本体CPU、19:コンソールユニット、20:
ホストコンピュータ、24:ファイル、26:キーボー
ド、27,28:動作パラメータ記憶用のメモリ。

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1ロットを露光処理するのに必要な第
    1動作パラメータの要求に応じて複数ロット分の動作パ
    ラメータを格納しているファイルから前記第1動作パラ
    メータを第1メモリにロードするステップと、前記第1
    メモリにロードされた前記第1動作パラメータ内のレチ
    クル情報により前記第1ロットの露光処理に使用される
    レチクルを決定して第1ロット用レチクルを露光装置の
    レチクルステージへ搬入するステップと、前記第1メモ
    リへの前記第1動作パラメータのロード完了が報告され
    て前記第1ロットに対する露光処理の開始が指令される
    と前記第1メモリ内の前記第1動作パラメータを前記露
    光装置へ転送するステップと、前記露光装置が前記第1
    ロットを露光処理中に前記露光装置が第2ロットを露光
    処理するのに必要な第2動作パラメータの要求に応じて
    前記ファイルから前記第2動作パラメータを第2メモリ
    にロードするステップと、前記露光装置が前記第1ロッ
    トを露光処理中に前記第2メモリにロードされた前記第
    2動作パラメータ内のレチクル清報により前記第2ロッ
    トの露光処理に使用されるレチクルを決定して第2ロッ
    ト用レチクルをレチクル待機位置に準備するステップと
    を有することを特徴とする半導体製造方法。
  2. 【請求項2】 前記露光装置のコンソールユニットは動
    作パラメータの要求をホストコンピュータまたは前記コ
    ンソールユニットの操作ボードから受け、動作パラメー
    タのロード完了報告を前記ホストコンピュータに送るこ
    とを特徴とする請求項1の半導体製造方法。
  3. 【請求項3】 前記第1及び第2メモリは前記コンソー
    ルユニット内に設定され、動作パラメータを前記第1及
    び第2メモリのいずれにロードするかは前記コンソール
    ユニットが判断することを特徴とする請求項2の半導体
    製造方法。
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