JPH0327043B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0327043B2
JPH0327043B2 JP10065884A JP10065884A JPH0327043B2 JP H0327043 B2 JPH0327043 B2 JP H0327043B2 JP 10065884 A JP10065884 A JP 10065884A JP 10065884 A JP10065884 A JP 10065884A JP H0327043 B2 JPH0327043 B2 JP H0327043B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
magnification
key pattern
image
key
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP10065884A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS60244803A (ja
Inventor
Masanori Uga
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP59100658A priority Critical patent/JPS60244803A/ja
Priority to US06/732,219 priority patent/US4757550A/en
Priority to KR1019850003480A priority patent/KR930003809B1/ko
Publication of JPS60244803A publication Critical patent/JPS60244803A/ja
Publication of JPH0327043B2 publication Critical patent/JPH0327043B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
    • B23Q15/00—Automatic control or regulation of feed movement, cutting velocity or position of tool or work
    • B23Q15/20—Automatic control or regulation of feed movement, cutting velocity or position of tool or work before or after the tool acts upon the workpiece
    • B23Q15/22—Control or regulation of position of tool or workpiece
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/70—Determining position or orientation of objects or cameras
    • G06T7/73—Determining position or orientation of objects or cameras using feature-based methods
    • G06T7/74—Determining position or orientation of objects or cameras using feature-based methods involving reference images or patches
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V10/00—Arrangements for image or video recognition or understanding
    • G06V10/40—Extraction of image or video features
    • G06V10/44—Local feature extraction by analysis of parts of the pattern, e.g. by detecting edges, contours, loops, corners, strokes or intersections; Connectivity analysis, e.g. of connected components
    • G06V10/443—Local feature extraction by analysis of parts of the pattern, e.g. by detecting edges, contours, loops, corners, strokes or intersections; Connectivity analysis, e.g. of connected components by matching or filtering
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/20—Special algorithmic details
    • G06T2207/20016—Hierarchical, coarse-to-fine, multiscale or multiresolution image processing; Pyramid transform
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
    • G06T2207/30108—Industrial image inspection
    • G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer

Description

【発明の詳細な説明】 ＜技術分野＞ 本発明は、殊に表面には格子状に配列された複
数個の直線状領域に存在し且つかかる直線状領域
によつて区画された複数個の矩形領域の各々には
回路パターンが施されている半導体ウエーハを、
所要位置に位置付ける自動精密位置合せシステム
に関する。
＜従来技術＞ 周知の如く、半導体デバイス製造工程において
は、略円板状の半導体ウエーハの表面が格子状に
配列された所定幅の直線状領域（かかる直線状領
域は一般にストリートと称されている）によつて
複数個の矩形領域に区画され、かかる矩形領域の
各々には回路パターンが施される。しかる後に、
上記直線状領域において半導体ウエーハが切断さ
れ、かくして回路パターンが施されている複数個
の矩形領域が個々に分離される（個々に分離され
た矩形領域は一般にチツプと称されている）。半
導体ウエーハの切断は充分精密に上記直線状領域
において遂行することが重要であり、上記直線状
領域自体の幅は、極めて狭く、一般に、数十μｍ
程度である。それ故に、ダイヤモンドブレードの
如き切断手段によつて半導体ウエーハを切断する
際には、切断手段に関して著しく精密に半導体ウ
エーハを位置合せすることが必要である。
而して、上記切断等のために半導体ウエーハを
所要位置に充分精密に位置付けるための、種々の
形態の自動精密位置合せシステムが、既に提案さ
れ実用に供されている。かような自動精密位置合
せシステムは、一般に、保持手段に保持された半
導体ウエーハの表面に存在する上記直線状領域の
相対的位置を充分精密に検出し、かかる検出に基
いて保持手段を移動せしめて半導体ウエーハを所
要位置に位置合せしている。かような自動精密位
置合せシステムにおける上記直線状領域の相対的
位置の検出は、一般に、パターンマツチング方式
を利用している。即ち、半導体ウエーハが所定位
置にある時のその表面上の特徴的な特定領域のパ
ターン即ちキーパターン、及びかかるキーパター
ンの位置を予め記憶して置き、位置合せすべき半
導体ウエーハの表面上で上記キーパターンと同一
のパターンを検出し、かくして直線状領域の相対
的位置を検出する。
然るに、パターンマツチング方式を利用する従
来の自動精密位置合せシステムには、次の通りに
問題乃至欠点が存在する。即ち、半導体ウエーハ
を精密に位置合せするためには、上記直線状領域
の相対的位置を充分精密に検出することが必要で
あり、そのためには半導体ウエーハの表面の画像
を例えば20乃至30倍程度の比較的高倍率で拡大
し、かかる拡大画像においてキーパターンと同一
のパターンを検出するパターンマツチング作用を
遂行することが必要である。而して、キーパター
ンと同一のパターンを検出するために探索しなけ
ればならない面積は、半導体ウエーハの表面の画
像の拡大率に応じて増倍され、従つて比較的高倍
率で拡大された画像に対してパターンマツチング
作用を遂行すると相当長時間を要し、かくして上
記切断等の半導体ウエーハ処理工程における高速
化を阻害する。パターンマツチング作用の遂行に
要する時間を低減せしめるために画像の拡大率を
低下せしめると、上記直線状領域に相対的位置の
検出精度が低下する。更にまた、従来の自動精密
位置合せにおいては、比較的高倍率に拡大された
画像においてパターンマツチング作用を遂行して
も、半導体ウエーハの角度位置（相互に直行する
直線状領域が基準座標系におけるｘ軸及びｙ軸に
対する半導体表面上の相互に直行する直線状領域
の角度位置）に幾分かの誤差が生成されることが
ある。
＜発明の技術的課題＞ 本発明は上記事実に鑑みてなされたものであ
り、その主たる技術的課題は、充分な高速で且つ
半導体ウエーハの角度位置に幾分かの誤差を生成
せしめることなく充分精密に半導体ウエーハを所
要位置に位置付けることができる、改良された自
動精密位置合せシステムを提供することである。
＜発明の解決手段＞ 上記技術的課題を達成するための本発明の解決
手段の骨子は、低倍率画像におけるパターンマツ
チングに基づく一次位置付けとこれに続く高倍率
画像におけるパターンマツチングに基づく二次位
置付けとを遂行し、そしてまた高倍率画像におけ
るパターンマツチングに基づく二次位置付けにお
いては半導体ウエーハの第１の所定位置に関する
位置付けに加えてこの第１の所定位置に対して90
度回転せしめた第２の所定位置に対する位置付け
を遂行することである。
即ち、本発明によれば、表面には格子状に配列
された複数個の直線状領域が存在し、該直線状領
域によつて区画された複数個の矩形領域の各々に
は回路パターンが施されている半導体ウエーハを
所要位置に位置付ける自動精密位置合せシステム
にして； 該半導体ウエーハを保持するための保持手段
と、 該保持手段を移動せしめるための移動手段と、 該保持手段に保持された該半導体ウエーハの該
表面の少なくとも一部の画像を撮像してｘ−ｙマ
トリツクス配列画素の濃度を示すアナログ信号を
出力するための撮像手段と、 該保持手段に保持された該半導体ウエーハの該
表面の少なくとも一部の画像を、比較的低倍率と
比較的高倍率との２つの倍率で該撮像手段に投射
することができる光学手段と、 該撮像手段が出力する該アナログ信号に対応し
た信号を記憶するための画像フレームメモリと、 該半導体ウエーハが第１の所定位置にある時に
該比較的低倍率で該撮像手段に投射される画像に
おける少なくとも１個の特定領域に対応した低倍
率キーパターン及び該低倍率キーパターンの位置
を示す信号、該半導体ウエーハが該第１の所定位
置にある時に該比較的高倍率で該撮像手段に投射
される画像における少なくとも１個の特定領域に
対応した第１の高倍率キーパターン及び該第１の
高倍率キーパターンの位置を示す信号、並びに該
半導体ウエーハが該第１の所定位置に関して90度
回転せしめられた第２の所定位置にある時に該比
較的高倍率で該撮像手段に投射される画像におけ
る少なくとも１個の特定領域に対応した第２の高
倍率キーパターン及び該第２の高倍率キーパター
ンの位置を示す信号を記憶するためのキーパター
ンメモリと、 該画像フレームメモリに記憶されている信号と
該キーパターンメモリに記憶されている信号とに
基いて、該比較的低倍率で該撮像手段に投射され
ている画像中で該低倍率キーパターンと同一のパ
ターンを検出する低倍率パターンマツチング作
用、該比較的高倍率で該撮像手段に投射されてい
る画像中で該第１の高倍率キーパターンと同一の
パターンを検出する高倍率パターンマツチング作
用、及び該比較的高倍率で該撮像手段に投射され
ている画像中で該第２の高倍率キーパターンと同
一のパターンを検出する高倍率パターンマツチン
グ作用を遂行するためのパターンマツチング手段
と、 該パターンマツチング手段による該低倍率パタ
ーンマツチング作用に基いて該移動手段を作動せ
しめ、かくして該保持手段に保持された該半導体
ウエーハの一次位置付けを遂行し、しかる後に、
該第１の高倍率キーパターンに関する該高倍率パ
ターンマツチング手段による該高倍率パターンマ
ツチング作用に基いて該移動手段を作動せしめ、
次いで該保持手段を90度回転せしめた後に該第２
の高倍率キーパターンに関する該高倍率パターン
マツチング手段による該高倍率パターンマツチン
グ作用に基いて該移動手段を作動せしめ、かくし
て該保持手段に保持された該半導体ウエーハの二
次位置付けを遂行する移動制御手段と、 を具備することを特徴とする自動精密位置合せシ
ステムが提供される。
＜発明の作用＞ 本発明の自動精密位置合せにおいては、高倍率
画像におけるパターンマツチングに基づく二次位
置合せ即ち精密位置合せに先立つて低倍率画像に
おけるパターンマツチングに基づく一次位置合せ
即ち粗位置合せが遂行され、これに起因して二次
位置合せに要する時間が大幅に短縮され、位置合
せに要する全時間が大幅に短縮される。また、二
次位置合せにおいて第１の所定位置に対する位置
合わせに加えてこの第１の所定位置に対して90度
回転せしめられた第２の所定位置に対する位置合
せが遂行され、これによつて精密位置合せが適切
に遂行されたか否かの確認がなされると共に半導
体ウエーハの角度位置における幾分かの誤差の発
生が確実に回避される。
＜発明の好適具体例＞ 以下、添付図面を参照して、本発明に従つて構
成された自動精密位置合せシステムの一具体例に
ついて詳細に説明する。
第１図は、本発明に従つて構成された自動精密
位置合せシステムの一具体例が装備された半導体
ウエーハ切断装置の一部を図式的に示している。
切断すべき半導体ウエーハ２は、それ自体は公知
の形態でよい適宜の供給手段（図示していない）
によつて供給されて保持手段４上に載置される。
この際には、例えばウエーハ２に存在するオリエ
ンテーシヨンフラツト６を利用することによつ
て、充分精密ではないが所要誤差範囲内で保持手
段４上に載置される。この点について更に詳述す
ると、第２図に図示する如く、ウエーハ２の表面
には、格子状に配列された複数個の直線状領域８
が存在する。一般にストリートと称されるかかる
直線状領域８は、所定幅ｗを有し且つ所定間隔ｄ
を置いて配列されている。特定方向に延びる直線
状領域８ａの幅と上記特定方向に垂直な方向に延
びる直線状領域８ｂの幅とは、必ずしも実質上同
一である必要はなく相互に異なつていることも少
なくないが、一般に、数十μｍ程度である。ま
た、上記特定方向に延びる直線状領域８ａ間の間
隔と上記特定方向に垂直な方向に延びる直線状領
域８ｂ間の間隔も、必ずしも同一である必要はな
く相互に異なつていることも少なくない。従つ
て、通常のウエーハ２においては、直線状領域８
（８ａ及び８ｂ）によつて複数個の矩形の領域１
０が区画されている。そして、かかる矩形領域１
０に所要の回路パターンが施されている。かよう
なウエーハ２は、上記オリエンテーシヨンフラツ
ト６を利用することによつて、上記直線状領域８
ａ又８ｂのいずれか一方、図示の場合は直線状領
域８ａが所定基準方向即ちｘ方向（第１図）に対
して例えば±1.5度乃至3.0度程度以下である傾斜
角度範囲内になるように、上記保持手段４上に載
置される。
第１図を参照して説明を続けると、それ自体は
公知の形態でよい保持手段４は、その表面上に載
置されたウエーハ２を真空吸着等によつて充分確
実に保持する。この保持手段４は、適宜の支持機
構（図示していない）によつて、ｘ方向、ｙ方向
及びθ方向に移動自在に装着されている。保持手
段４には、これを充分精密に所要通りに移動せし
める移動手段１２が駆動連結されている。図示の
具体例においては、移動手段１２は、ｘ方向移動
源１４、ｙ方向移動源１６及びθ方向移動源１８
から構成されている。パルスモータから構成され
ているのが好都合であるｘ方向移動源１４は、作
動せしめられると保持手段４をｘ方向に、例えば
1μｍ程度の精密で所要距離移動せしめる。パル
スモータから構成されているのが好都合であるｙ
方向移動源１６は、作動せしめられると保持手段
４をｙ方向、即ち上記ｘ方向に垂直な方向に、例
えば1μｍ程度の精度で所要距離移動せしめる。
同様にパルスモータから構成されているのが好都
合であるθ方向移動源１８は、作動せしめられる
と保持手段４を例えば0.0015度程度の精度でθ方
向に所要角度移動、即ち保持手段４の中心軸線２
０を中心として回転せしめる。
図示の半導体ウエーハ切断装置には、固定ダイ
ヤモンド砥粒から形成されているのが好ましい回
転ブレード２２が設けられている。ウエーハ切断
手段を構成するこの回転ブレード２２は、上記ｙ
方向に実質上平行な中心軸線２４を中心として回
転自在に且つ上記ｘ方向に移動自在に装着されて
おり、ACモータの如く適宜の駆動源（図示して
いない）によつて所要速度で回転駆動されると共
に、DCモータの如き適宜の駆動源（図示してい
ない）によつて所要速度でｘ方向に往復動せしめ
られる。
図示の半導体ウエーハ切断装置においては、保
持手段４が第１図に実線で示す位置乃至その近傍
である供給及び排出域に存在している間に、上記
供給手段（図示していない）によつて保持手段４
上にウエーハ２が載置される。次いで、後に詳述
する如くして、保持手段４の位置を微細に調整す
ることによつて、保持手段４上に保持されたウエ
ーハ２が回転ブレード２２に関して所定位置に充
分精密に位置合せされる。しかる後に、保持手段
４がｙ方向に所定距離前進せしめられて、第１図
に２点鎖線で図示する如く、保持手段４及びその
上面に保持されたウエーハ２が回転ブレード２２
に隣接する切断開始域に位置付けられる。次い
で、回転ブレード２２を回転せしめると共にｘ方
向に移動せしめてウエーハ２が回転駆動されてい
る回転ブレード２２の作用を受けるようにする切
断移動と、ウエーハ２の表面に存在する直線状領
域８の間隔ｄ＋ｗ（第２図）だけ保持手段４をｙ
方向に移動する所謂インデツクス移動とを交互に
遂行し、かくしてウエーハ２をその表面に存在す
る直線状領域８ｂ（又は８ａ）に沿つて切断する。
次に、保持手段４をその中心軸線２０を中心とし
てθ方向に90度移動せしめ、次いで上記切断移動
と上記インデツクス移動を交互に遂行し、かくし
てウエーハ２をその表面に存在する直線状領域８
ａ（又は８ｂ）に沿つて切断する。しかる後に、
保持手段４がｙ方向に所定距離後進せしめられ
て、保持手段４が上記供給及び排出域に戻され
る。次いで、保持手段４から切断されたウエーハ
２が、それ自体は公知の形態でよい適宜の排出手
段（図示していない）によつて保持手段４から排
出され、そして上記供給手段（図示していない）
によつて保持手段４上に次のウエーハ２が載置さ
れる。回転ブレード２２によるウエーハ２の切断
は、当業者には周知の如く、ウエーハ２の厚さ全
体に渡つてではなくて極く僅かだけ非切断厚さを
残留せしめて遂行し、かくして上記矩形領域１０
（第２図）が完全には分離されないようになすこ
とができる（この場合には、後に若干の力を加え
て切断残留部を破断せしめることによつて上記矩
形領域１０が完全に分離され、かくしてチツプが
生成される）。或いは、ウエーハ２の裏面に予め
粘着テープを貼着しておいて、ウエーハ２を厚さ
全体に渡つて切断しても上記矩形領域１０が個々
に分離されないようにせしめてもよい（この場合
には、後に粘着テープを剥がすことによつて上記
矩形領域１０が完全に分離され、かくしてチツプ
が生成される）。
第１図と共に第３図を参照して説明すると、上
記供給及び排出域に存在する時の保持手段４及び
その表面に保持されたウエーハ２に関連せしめ
て、全体を番号２６で示す光学手段が配設されて
いる。図示の光学手段２６は、顕微鏡２８、光路
分岐手段３０、第１の光学径路３２及び第２の光
学径路３４を含んでいる。例えば３乃至５倍程度
でよい比較的低倍率の顕微鏡２８は、ｘ方向に例
えば40乃至55mm程度でよい適宜の間隔を置いて位
置する２個の入光開口３６ａ及び３６ｂを有する
双眼顕微鏡から構成されている。従つて、保持手
段４上に保持されたウエーハ２の表面の、ｘ方向
に所定間隔を置いた２個の部分の画像が、上記入
光開口３６ａ及び３６ｂを通して顕微鏡２８に入
光され、そしてスプリツト画像として顕微鏡２８
から出光される。顕微鏡２８から出光される光
は、ハーフミラー等の適宜の手段から構成するこ
とができる光路分岐手段３０によつて、２つの光
に分岐され、そしてその一方の光は第１の光学経
路３２を通して、その他方の光は第２の光学経路
３４を通して、撮像手段３８（この撮像手段３８
については後に更に言及する）に投射される。第
１の光学経路３２は、顕微鏡２８から出光される
画像を、更に拡大することなくそのまま撮像手段
３８に投射して、従つて第１の光学経路３２を通
して撮像手段３８に投射されるところのウエーハ
２の表面の画像は、３乃至５倍程度でよい比較的
低倍率の拡大画像である。所望ならば、第１の光
学経路３２を通して撮像手段３８に投射されると
ころのウエーハ２の表面の画像を等倍乃至若干の
縮少画像にすることもできる。従つて、本明細書
において使用する語句「比較的低倍率」は、低倍
率の拡大のみならず等倍乃至若干の縮少も含む。
一方、第２の光学径路３４は、例えば５乃至10倍
程度でよい拡大率を有する拡大レンズ系を含んで
おり、顕微鏡２８から出光される画像を更に拡大
して撮像手段３８に投射し、従つて第２の光学径
路３４を通して撮像手段３８に投射されるところ
のウエーハ２の表面の画像は、20乃至30倍程度で
よい比較的高倍率の拡大画像である。
図示の具体例における上記撮像手段３８は、上
記第１の光学径路３２に光学的に接続された第１
の撮像手段４０と、上記第２の光学径路３４に光
学的に接続された第２の撮像手段４２とを含んで
いる。第１及び第２の撮像手段４０及び４２の
各々は、投射される画像に応じて、ｘ−ｙマトリ
ツクス配列画像の濃度を示すアナログ信号を出力
することができるものであれば任意の形態のもの
でよいが、固体カメラ、特にｘ−ｙマトリツクス
配列された複数個の撮像素子、例えばCCD、
CPD又はMOS、を有する固体カメラ、から構成
されているのが好ましい。図示の具体例において
は、第１及び第２の撮像手段４０及び４２の各々
は、256×256個のマトリツクス配列されたCCD
を有する固体カメラから構成されている。256×
256個のCCDのうちの左半部に位置する128×256
個のCCDには、顕微鏡２８の左側入光開口３６
ａに入光された画像が入力され、右半部に位置す
る残りの128×256個のCCDには、顕微鏡２８の
右側入光開口３６ｂに入光された画像が入力され
る。256×256個のCCDの各々は、それに入力さ
れた画像の濃度（gray level）に応じた電圧を有
するアナログ信号を出力する。256×256個の
CCDを有する固体カメラには、撮像した画像の
実際の濃度に応じて出力アナログ信号の利得を自
動的に調整するそれ自体は公知の自動ゲイン調整
手段（図示していない）が付設乃至内蔵されてい
るのが好都合である。
第３図を参照して説明を続けると、上記第１及
び第２の撮像手段４０及び４２は、倍率変換手段
４４を介してＡ／Ｄ（アナログ・デジタル）変換
手段４６に接続され、そしてＡ／Ｄ変換手段４６
は、画像フレームメモリ４８に接続されている。
倍率変換手段４４は、複数個のRAMを内蔵した
マイクロプロセツサでよい中央処理ユニツト
（CPU）５０によつて制御され、上記第１及び第
２の撮像手段４０及び４２のいずれか一方を選択
的に、上記Ａ／Ｄ変換手段４６に電気的に接続す
る。Ａ／Ｄ変換手段４６は、入力されたアナログ
信号を、例えば８ビツト（従つて28＝256段階）
でよい多値デジタル信号に変換する。そして、か
かる多値デジタル信号は、画像フレームメモリ４
８に送給されてそこに一時的に記憶される。図示
の具体例における画像フレームメモリ４８は、少
なくとも256×256×８ビツトの記憶容量を有し、
従つて、上記第１及び第２の撮像手段４０及び４
２の各々を構成する固体カメラにおける256×256
個のCCDに入力された256×256個の画素の濃度
に夫々対応する256×256個の８ビツト多値デジタ
ル信号を記憶することができるRAMから構成さ
れている。かくして、保持手段４上に保持された
ウエーハ２の表面の比較的低倍率の画像と比較的
高倍率の画像とに夫々対応した多値デジタル信号
が選択的に画像フレームメモリ４８に記憶され
る。所望ならば、比較的低倍率と比較的高倍率と
に変換可能な顕微鏡から光学手段２６を構成し
（この場合は、撮像手段３８は１個のみでよく、
倍率変換手段４４は省略することができる）、光
学手段２６を構成する顕微鏡の倍率を選択的に変
換することにより、保持手段４上に保持されたウ
エーハ２の表面の比較的低倍率の画像と比較的高
倍率の画像とに夫々対応した多値デジタル信号が
選択的に画像フレームメモリ４８に記憶されるよ
うになすこともできる。
図示の具体例においては、陰極線管（CRT）
から構成されているのが好都合である表示手段５
２も設けられている。この表示手段５２は、切換
手段（図示していない）の手動操作に応じて、上
記Ａ／Ｄ変換手段４６が出力する多値デジタル信
号、上記中央処理ユニツト５０に内蔵されている
RAMに記憶されている信号、或いは後述するキ
ーパターンメモリに記憶されている信号等に対応
する画像を選択的に可視表示する。図示の表示手
段５２においては、その左半部には上記顕微鏡２
８左側入光開口３６ａから入光し第１又は第２の
撮像手段４０又は４２に投射される画像に関連し
た画像が、その右半部には上記顕微鏡２８の右側
入光開口３６ｂから入光し第１又は第２の撮像手
段４０又は４２に投射される画像に関連した画像
が、夫々、例えば総倍率として260倍程度に拡大
して表示される。
上記中央処理ユニツト５０には、更に、キーパ
ターンメモリ５４及びパターンマツチング手段５
６が接続されている。
RAM等から構成することができるキーパター
ンメモリ５４には、保持手段４上に保持されたウ
エーハ２が所定位置にある時の、比較的低倍率で
上記第１の撮像手段４０に投射されるところのウ
エーハ２の表面の画像における少なくとも１個の
特定領域のパターン即ち低倍率キーパターン及び
かかる低倍率キーパターンの位置を示す信号、並
びに比較的高倍率で上記第２の撮像手段４２に投
射されるところのウエーハ２の表面の画像におけ
る少なくとも１個の特定領域のパターン即ち高倍
率キーパターン及びかかる高倍率キーパターンの
位置を示す信号が記憶される。キーパターンメモ
リ５４への記憶されるべき信号の入力方式の一例
について説明すると、次の通りである。最初に、
保持手段４上にサンプルウエーハ２を載置し、次
いでｘ方向駆動源１４、ｙ方向駆動源１６及びθ
方向駆動源１８を手動によつて適宜に作動せしめ
て保持手段４を移動せしめ、保持手段４上のサン
プルウエーハ２を上記光学手段２６に関して所要
位置に手動位置付けする。かかる手動位置付けの
際には、上記倍率変換手段４４を制御して第２の
撮像手段４２をＡ／Ｄ変換手段４６に接続し、そ
してＡ／Ｄ変換手段４６が出力する多値デジタル
信号が上記表示手段５２に可視表示される状態、
従つてサンプルウエーハ２の表面の比較的高倍率
の拡大画像が上記表示手段５２に可視表示される
状態にせしめ、上記表示手段５２に表示されてい
る画像を観測し、かくして、例えば、第４図に図
式的に示す如く、サンプルウエーハ２の表面にお
ける直線状領域８ａの中心線が、上記表示手段５
２の表示画面における横方向中心線、即ちｘ−ｘ
線に実質上合致するようにサンプルウエーハ２を
位置付ける。
次いで、上記表示手段５２の表示画面における
左半部と右半部との各々において、夫々、カーソ
ル５８を特定領域６０Ｌ及び６０Ｒに手動位置付
けする。
カーソル５８、従つてカーソル５８によつて指
定される特定領域６０Ｌ及び６０Ｒは、例えば、
32×32個の画素に対応（従つて第２の撮像手段４
２における32×32個のCCDに対応）した寸法を
有する正方形でよい。カーソル５８によつて指定
される特定領域６０Ｌ及び６０Ｒは、顕著な特徴
を有する領域、例えば直線状領域８ａと直線状領
域８ｂとの交差部における領域であるのが好まし
い。特定領域６０Ｌと特定領域６０Ｒは、相互に
異なつたパターンを有するものでもよいし、同一
のパターンを有するものでもよい。しかる後に、
上記画像フレームメモリ４８に記憶されている多
値デジタル信号のうちの、上記特定領域６０Ｌ及
び６０Ｒ内に存在する32×32＝1024個の画素に対
応する信号を、キーパターンメモリ５４へ送給し
て記憶する。同時に、表示手段５２の表示画面に
おける上記特定領域６０Ｌ及び６０Ｒの位置（即
ちｘ座標及びｙ座標）を示す信号も、キーパター
ンメモリ５４へ送給して記憶する。
かくして、キーパターンメモリ５４には、上記
特定領域６０Ｌ、及び、６０Ｒのパターン即ち高
倍率キーパターンを示す多値デジタル信号が記憶
されると共に、高倍率キーパターンの位置を示す
ｘ座標及びｙ座標信号が記憶される。
好適具体例においては、上述した通りの高倍率
キーパターン記憶操作の後に、高倍率副キーパタ
ーン記憶操作が遂行される。この高倍率副キーパ
タン記憶操作においては、上記表示手段５２の表
示画面における左半部と右半部との各々におい
て、夫々、カーソル５８を上記特定領域６０Ｌ及
び６０Ｒとは別個の適宜の領域、即ち副特定領域
６２Ｌ及び６２Ｒに手動位置付けする。しかる後
に、上記高倍率キーパターン記憶操作の場合と同
様にして、副特定領域６２Ｌ及び６２Ｒのパター
ン即ち高倍率副キーパターンを示す多値デジタル
信号をキーパターンメモリ５４に記憶する。そし
てまた、高倍率副キーパターンの位置を示すｘ座
標及びｙ座標信号（かかる信号は、上記高倍率キ
ーパターンの位置、即ち特定領域６０Ｌ及び６０
Ｒに対する相対位置を示す信号でもよい）をキー
パターンメモリ５４に記憶する。
次に、上記倍率変換手段４４を制御して第１の
撮像手段４０をＡ／Ｄ変換手段４６に接続し、か
くして、第５図に図式的に示す如く、サンプルウ
エーハ２の表面の比較的低倍率の画像が上記表示
手段５２に可視表示される状態にせしめる。そし
て、上記表示手段５２の表示画面における左半部
と右半部との各々において、夫々、カーソル５８
を特定領域６４Ｌ及び６４Ｒに手動位置付けす
る。かかる特定領域６４Ｌ及び６４Ｒは、上記特
定領域６０Ｌ及び６０Ｒ（第４図）と中心を同一
にする（従つて、上記特定領域６０Ｌ及び６０Ｒ
の縮小画像）ものでもよいし、中心を異にするも
のでもよい。しかる後に、上記画像フレームメモ
リ４８に記憶されている多値デジタル信号のうち
の、上記特定領域６４Ｌ及び６４Ｒ内に存在する
32×32＝1024個の画素（かかる画像は第１の撮像
手段４０における32×32＝1024個のCCDに対応
する）に対応する信号を、キーパターンメモリ５
４に送給して記憶する。同時に表示手段５２の表
示画面における上記特定領域６４Ｌ及び６４Ｒの
位置（即ちｘ座標及びｙ座標）を示す信号も、キ
ーパターンメモリ５４へ送給して記憶する。かく
して、キーパターンメモリ５４には、上記特定領
域６４Ｌ及び６４Ｒのパターン即ち低倍率キーパ
ターンを示す多値デジタル信号が記憶されると共
に、低倍率キーパターンの位置を示すｘ座標及び
ｙ座標信号が記憶される。
好適具体例においては、上述した通りの低倍率
キーパターン記憶操作の後に、低倍率副キーパタ
ーン記憶操作が遂行される。この低倍率副キーパ
ターン記憶操作においては、上記表示手段５２の
表示画面における左半部と右半部との各々におい
て、夫々、カーソル５８を上記特定領域６４Ｌ及
び６４Ｒとは別個の適宜の領域即ち副特定領域６
６Ｌ及び６６Ｒに手動位置付けする。しかる後
に、上記低倍率キーパターン記憶操作の場合と同
様にして、副特定領域６６Ｌ及び６６Ｒのパター
ン即ち低倍率副キーパターンを示す多値デジタル
信号をキーパターンメモリ５４に記憶する。そし
てまた、低倍率副キーパターンの位置を示すｘ座
標及びｙ座標信号（かかる信号は、上記低倍率キ
ーパターンの位置、即ち特定領域６４Ｌ及び６４
Ｒに対する相対位置を示す信号でもよい）をキー
パターンメモリ５４に記憶する。
更に、上述した高倍率キーパターン、高倍率副
キーパターン、低倍率キーパターン及び低倍率副
キーパターン記憶操作の後に、次の通りの高倍率
キーパターン及び高倍率副キーパターン記憶操作
を遂行する。即ち、θ方向駆動源１８を手動によ
つて作動せしめて保持手段４及びその上に保持さ
れているサンプルウエーハ２を90度回転せしめる
と共に、上記倍率変換手段４４を制御して第２の
撮像手段４２をＡ／Ｄ変換手段４６に接続する。
そして、上記表示手段５２に表示されている画
像、即ちサンプルウエーハ２の表面の比較的高倍
率の拡大画像を観測しながら、ｘ方向移動源１４
及びｙ方向移動源１６を手動によつて必要に応じ
て適宜に作動せしめ、かくして、第６図に図式的
に示す如く、サンプルウエーハ２の表面における
直線状領域８ｂの中心線が上記表示手段５２の表
示画面における横方向中心線即ちｘ−ｘ線に合致
するようにサンプルウエーハ２を位置付ける。そ
して、上述した高倍率キーパターン記憶操作と同
様のキーパターン記憶操作を遂行する。即ち、上
記表示手段５２の表示画面における左半部と右半
部との各々において、夫々、カーソル５８を特定
領域６８Ｌ及び６８Ｒに手動位置付けし、次いで
特定領域６８Ｌ及び６８Ｒのパターン即ち高倍率
キーパターンを示す多値デジタル信号をキーパタ
ーンメモリ５４に記憶し、そしてまた、高倍率キ
ーパターンの位置を示すｘ座標及びｙ座標信号を
キーパターンメモリ５４に記憶する。加えて、サ
ンプルウエーハ２を90度回転せしめた後にサンプ
ルウエーハを第６図に示す状態に位置付けるため
に遂行したｘ方向及びｙ方向移動量を示す信号を
回転変位信号として、中央処理ユニツト５０に内
蔵されているRAMに（或いはキーパターンメモ
リ５４に）記憶する。
好適具体例においては、更に、上記高倍率キー
パターン記憶操作の後に、上述した高倍率副キー
パターン記憶操作と同様の高倍率副キーパターン
記憶操作を遂行する。即ち、上記表示手段５２の
表示画面における左半部と右半部との各々におい
て、夫々、カーソル５８を上記特定領域６８Ｌ及
び６８Ｒとは別個の適宜の領域、即ち副特定領域
７０Ｌ及び７０Ｒに手動位置付けし、次いで副特
定領域７０Ｌ及び７０Ｒのパターン即ち高倍率副
キーパターンを示す多値デジタル信号をキーパタ
ーンメモリ５４に記憶し、そしてまた、高倍率副
キーパターンの位置を示すｘ座標及びｙ座標信号
をキーパターンメモリ５４に記憶する。
更に、所望ならば、上記倍率変換手段４４を制
御して第１の撮像手段４０をＡ／Ｄ変換手段４６
に接続し、かくしてサンプルウエーハ２の表面の
比較的低倍率の画像が上記表示手段５２に可視表
示される状態にせしめ、サンプルウエーハ２を90
度回転せしめた後の状態においても、上記低倍率
キーパターン及び低倍率副キーパターン記憶操作
と同様の操作を遂行することもできる。
上記パターンマツチング手段５６は、保持手段
４上に保持されている自動的に所要位置に位置付
けるべきウエーハ２の表面における、第１の撮像
手段４０に投射される比較的低倍率の画像中で上
記低倍率キーパターン又は低倍率副キーパターン
と同一のパターンを検出し（低倍率パターンマツ
チング作用）、そしてまた第２の撮像手段４２に
投射される比較的高倍率の画像中で上記高倍率キ
ーパターン又は高倍率副キーパターンと同一のパ
ターンを検出し（高倍率パターンマツチング作
用）、かくして上記直線状領域８ａ又は８ｂの相
対的位置を検出する。パターンマツチング手段５
６の作用の一例について説明すると、次の通りで
ある。光学手段２６における顕微鏡２８の左側入
光開口３６ａから入光され第１の光学径路３２を
通して第１の撮像手段４０に投射される比較的低
倍率の画像、従つて上記表示手段５２の表示画面
における左半部に表示される比較的低倍率の画像
中で、上記特定領域６４Ｌのパターン即ち低倍率
キーパターンと同一のパターンを検出する場合を
例として、第７図に示すフローチヤートを参照し
て説明すると、最初にステツプｎ−１において、
カーソル５８が所定位置、例えば表示手段５２の
表示画面中の左上角部、に位置付けられ、かくし
てキーパターンと照合すべき照合領域が規定され
る。次いで、ステツプｎ−２に進行し、上記照合
領域と低倍率キーパターンとのマツチング度Ｐが
算出される。かかるマツチング度の算出Ｐは、キ
ーパターンメモリ５４に記憶されているところ
の、低倍率キーパターンを示す多値デジタル信
号、即ち上記特定領域６４Ｌ中の32×32個の画素
の濃度を示す32×32個の多値デジタル信号と、上
記照合領域における32×32個の画素の濃度を示す
ところの、第１の撮像手段４０からＡ／Ｄ変換手
段４６を介して画像フレームメモリ４８に入力さ
れた多値デジタル信号中の32×32個の多値デジタ
ル信号とに基いて算出することができる。マツチ
ング度Ｐ自体は、例えば、下記式Ａ Ｐ＝ 〓i=j ｜〔ｆ（ｉ、ｊ）−〕 −〔ｇ（ｉ、ｊ）−〕｜ ………Ａ ここで、ｆは照合領域中の32×32個の画素の
各々の濃度に対応した値であり、はｆの平均値
であり、ｇは低倍率キーパターン中の32×32個の
画素の各々の濃度に対応した値であり、はｇの
平均値であり、（ｉ、ｊ）は各画素の行及び列を
示し、従つて（ｉ＝１乃至32、ｊ＝１乃至32）で
ある、 に基いて算出することができる。この場合、Ｐの
数値が小さい程（即ち零に近い程）マツチング度
合が高い。上記式Ａに基くマツチング度Ｐの算出
においては、照合領域中の画素の各々の濃度の偏
差値（即ち、実際の濃度値から平均濃度値を引い
た値）と低倍率キーパターン中の画素の各々の濃
度の偏差値との差異が加算され、それ故に、照合
領域に対する照度の変動等に起因する所謂濃度ゲ
インの変動が排除され、充分に信頼し得るマツチ
ング度Ｐが求められる。
演算処理の簡略化のために、上記式Ａにおける 〔ｆ（ｉ、ｊ）−〕、及び〔ｇ（ｉ、ｊ）−〕 の各々に２値化処理を加えた下記式 Ｐ＝ 〓i=j ｜Ｕ〔ｆ（ｉ、ｊ）−〕 −Ｕ〔ｇ（ｉ、ｊ）−〕｜ ………Ｂ ここで、Ｕは２値化演算を意味し、ｘ＞０の場
合Ｕ（ｘ）＝１、ｘ≦０の場合Ｕ（ｘ）＝０である、 に基いてマツチング度Ｐを求めることもできる。
この場合も、Ｐの数値が小さい程（即ち零に近い
程）マツチング度合が高い。
求められるマツチング度Ｐの信頼性を一層高め
るためには、所謂正規化相関に基いて、即ち、下
記式 ここで、ｆ、、ｇ、及び（ｉ、ｊ）は、上
記式Ａの場合と同一である、 に基いてマツチング度Ｐを求めることもできる。
この場合は、Ｐの数値が大きい程（即ち１に近い
程）マツチング度合が高い。
而して、上記式Ａ、Ｂ又はＣに基いてマツチン
グ度Ｐを算出する際、照合領域における全ての画
素（32×32＝1024）について相関処理を遂行する
ことに代えて、演算速度を高速化するために、照
合領域における画素中の複数個の特定画素、例え
ば各行各列１個づつ選定された32個の特定画素の
みについて相関処理を遂行することもできる。特
に、上記式Ｃに基いてマツチング度Ｐを算出する
場合には、照合領域における画素中の複数個の特
定画素のみについて相関処理を遂行しても、ほと
んどの半導体ウエーハに対して充分に良好な結果
を得ることができることが確認されている。
上記マツチング度Ｐの算出に続いて、ステツプ
ｎ−３において、算出されたマツチング度Ｐが所
定閾値以下（又は以上）か否かが判断される。所
定閾値は、操作者が適宜に（例えば試行錯誤法に
よつて）設定して、キーパターンメモリ５４又は
中央処理ユニツト５０中のRAMに記憶せしめる
ことができる。算出されたマツチング度Ｐが所定
閾値以下（又は以上）でない場合、即ちマツチン
グ度合が比較的低い場合には、ステツプｎ−４に
進み、顕微鏡２８の左側入光開口３６ａから第１
の光学径路３２を通して第１の撮像手段４０に投
射される比較的低倍率の画像、従つて表示手段５
２の表示画面における左半部に表示される比較的
低倍率の画像の全領域に渡つてカーソル５８が移
動されたか否かが判断される。そして、全領域に
渡るカーソル５８の移動が完了していない場合に
は、ステツプｎ−５に進み、カーソル５８がｘ方
向及び／又はｙ方向に１画素分移動されて次の照
合領域に移され、しかる後に上述したステツプｎ
−２におけるマツチング度Ｐの算出、及びステツ
プｎ−３における算出されたマツチング度Ｐが所
定閾値以下（又は以上）か否かを判断が遂行され
る。算出されたマツチング度Ｐが所定閾値以下
（又は以上）の場合、即ちマツチング度合が比較
的高い場合には、ステツプｎ−３からステツプｎ
−６に進み、照合領域の位置とマツチング度Ｐが
パターンマツチング手段５６に内蔵されている
RAM又は中央処理ユニツト５０に内蔵されてい
るRAMに記憶せしめられてリストアツプされ
る。次いで、上記ステツプｎ−４に進む。かよう
にして、顕微鏡２８の左側入光開口３６ａから第
１の光学径路３２を通して第１の撮像手段４０に
投射される比較的低倍率の画像、従つて表示手段
５２の表示画面における左半部の表示される比較
的低倍率の画像の全領域に渡つて、マツチング度
Ｐの算出及び算出されたマツチング度Ｐが所定閾
値以下（又は以上）か否かの判断が完了すると、
上記ステツプｎ−４からステツプｎ−７に進み、
上記ステツプｎ−６においてリストアツプされた
マツチング度Ｐのうちの最小（又は最大）のもの
が選択され、かかる最小（又は最大）マツチング
度Pmin（又はPmax）を有する照合領域が低倍率
キーパターン即ち上記特定領域６４Ｌと同一であ
ると判定される。他の場合のパターン検出も、第
７図に示すフローチヤートを参照して説明した上
記手順と同様の手順でよい。
本発明に従つて構成された自動精密位置合せシ
ステムにおいては、更に、上記移動手段１２、更
に詳しくはｘ方向移動源１４、ｙ方向移動源１６
及びθ方向移動源１８の作動を制御して、保持手
段４上に保持されたウエーハ２を所要位置に位置
付けるための移動制御手段７２が設けられてい
る。かかる移動制御手段７２は、比較的低倍率の
画像に対する上記パターンマツチング手段５６の
低倍率パターンマツチング作用に基いて移動手段
１２を作動せしめ、かくしてウエーハ２の一次位
置付けを遂行し、しかる後に比較的高倍率の画像
に対する上記パターンマツチング手段５６の高倍
率パターンマツチング作用に基いて移動手段１２
を作動せしめ、かくしてウエーハ２の二次位置付
けを遂行する。
第８図は、移動制御手段７２による位置合せフ
ローチヤートの一例を示している。第８図を参照
して説明すると、ステツプｍ−１においては、上
記倍率変換手段４４が第１の撮像手段４０をＡ／
Ｄ変換手段４６に接続し、従つてウエーハ２の表
面の比較的低倍率の画像が表示手段５２に可視表
示される状態に設定される。次いで、ステツプｍ
−２において、第１の撮像手段４０に投射される
２個の比較的低倍率の画像、即ち顕微鏡２８の左
側入光開口３６ａから第１の光学径路３２を通し
て第１の撮像手段４０に投射される比較的低倍率
の画像と顕微鏡２８の右側入光開口３６ｂから第
１の光学径路３２を通して第１の撮像手段４０に
投射される比較的低倍率の画像とのいずれか一
方、例えば前者において、パターンマツチング手
段５６が低倍率キーパターン、即ち上記特定領域
６４Ｌ（第５図）と同一のパターンを検出するか
否かが判断される。図示の具体例においては、ウ
エーハ２におけるオリエンテーシヨンフラツト６
を利用したウエーハ２の保持手段４上への所要誤
差範囲内の載置操作（及び必要に応じてこれに引
続いて遂行される移動手段１２の作動による保持
手段４の補正移動）によつて、正常状態において
は上記比較的低倍率の２個の画像の上記一方には
必ず上記特定領域６４Ｌ（第５図）並びに副特定
領域６６Ｌ（第５図）が存在し、従つてパターン
マツチング手段５６は、低倍率キーパターンと同
一のパターンを検出する。次いで、ステツプｍ−
３に進行し、上記ステツプｍ−２で検出した低倍
率キーパターンと同一のパターンに対して所定関
係位置において低倍率副キーパターン、即ち上記
副特定領域６６Ｌと同一のパターンを、パターン
マツチング手段５６が検出するか否かが判断され
る。正常状態においては低倍率副キーパターンと
同一のパターンが検出され、次いでステツプｍ−
４に進行する。このステツプｍ−４においては、
上記ステツプｍ−２で検出した低倍率キーパター
ンと同一のパターンの中心が表示手段５２の表示
画面における左半部の中心になるように、移動手
段１２のｘ方向移動源１４及びｙ方向移動源１６
が作動されて保持手段４及びこれに保持されたウ
エーハ２が移動される。かくして、第２の撮像手
段４２に投射される２個の比較的高倍率の画像の
うちの一方、即ち顕微鏡２８の左側入光開口３６
ａから第２の光学径路３４を通して第２の撮像手
段４２に投射される比較的高倍率の画像中に上記
特定領域６０Ｌ（第４図）、換言すれば高倍率キー
パターンと同一のパターンが確実に存在するよう
にせしめられる。かくして一次位置付けが終了し
二次位置付けに移行する。即ち、ステツプｍ−５
に進行し、上記倍率変換手段４４が第２の撮像手
段４２をＡ／Ｄ変換手段４６に接続し、従つてウ
エーハ２の表面の比較的高倍率の画像が表示手段
５２に可視表示される状態に設定される。次い
で、ステツプｍ−６において、第２の撮像手段４
２に投射される２個の比較的高倍率の画像のうち
の上記一方、即ち顕微鏡２８の左側入光開口３６
ａから第２の光学径路３４を通して第２の撮像手
段４２に投射される比較的高倍率の画像において
パターンマツチング手段５６が高倍率キーパター
ン、即ち上記特定領域６０Ｌ（第４図）のパター
ンと同一のパターンを検出するか否かが判断され
る。この高倍率パターンマツチング作用において
は、上記ステツプｍ−４が既に遂行されている故
に、パターンマツチング手段５６は充分迅速に高
倍率キーパターンと同一のパターンを検出するこ
とができる。次いで、ステツプｍ−７に進行し、
上記ステツプｍ−６で検出した高倍率キーパター
ンと同一のパターンの中心が表示手段５２の表示
画面の左半部の中心になるように、移動手段１２
のｘ方向移動源１４及びｙ方向移動源１６が作動
されて保持手段４及びこれに保持されたウエーハ
２が移動される。しかる後に、ステツプｍ−８に
進行し、上記ステツプｍ−６で検出した高倍率キ
ーパターンと同一のパターンに対して所定関係位
置において高倍率副キーパターン、即ち上記副特
定領域６２Ｌ（第４図）と同一のパターンを、パ
ターンマツチング手段５６が検出するか否かが判
断される。パターンマツチング手段５６が高倍率
副キーパターンと同一のパターンを検出しない場
合には、上記ステツプｍ−６に戻る。パターンマ
ツチング手段５６が高倍率副キーパターンと同一
のパターンを検出する場合には、ステツプｍ−９
に進行する。このステツプｍ−９においては、第
２の撮像手段４２に投射される２個の比較的高倍
率の画像のうちの他方、即ち顕微鏡２８の右側入
光開口３６ｂから第２の光学径路３４を通して第
２の撮像手段４２に投射される比較的高倍率の画
像において、パターンマツチング手段５６が高倍
率キーパターン、即ち上記特定領域６０Ｒ（第４
図）のパターンと同一パターンを検出するか否か
が判断される。そして、パターンマツチング手段
５６が高倍率キーパターンと同一のパターンを検
出すると、ステツプｍ−10に進行し、このステツ
プｍ−10においては、上記ステツプｍ−９で検出
した高倍率キーパターンと同一のパターンの中心
が表示手段５２の表示画面の右半部の中心になる
ように、移動手段１２のｘ方向駆動源１４及びｙ
方向駆動源１６が作動されて保持手段４及びこれ
に保持されたウエーハ２が移動される。しかる後
に、ステツプｍ−11に進行し、上記ステツプｍ−
９で検出した高倍率キーパターンと同一のパター
ンに対して所定関係位置において高倍率副キーパ
ターン、即ち上記副特定領域６２Ｒ（第４図）と
同一のパターンを、パターンマツチング手段５６
が検出するか否かが判断される。パターンマツチ
ング手段５６が高倍率副キーパターンと同一のパ
ターンを検出しない場合には、上記ステツプｍ−
９に戻る。パターンマツチング手段５６が高倍率
副キーパターンと同一のパターンを検出する場合
には、ステツプｍ−12に進行する。このステツプ
ｍ−12においては、第２の撮像手段４２に投射さ
れる２個の比較的高倍率の画像の双方においてパ
ターンマツチング手段５６が高倍率キーパター
ン、即ち上記特定領域６０Ｌ及び６０Ｒ（第４図）
と同一のパターンを検出し、そして両画像におけ
る高倍率キーパターンと同一のパターンのｘ軸方
向の位置に基いて表示手段５２の表示画面におけ
る横方向中心線即ちｘ−ｘ線に対する直線状領域
８ａの傾斜角度を算出し、これに応じて移動手段
１２のθ方向駆動源１８を作動せしめて上記傾斜
を補正する（θ方向粗整合）。しかる後に、ステ
ツプｍ−13に進行し、第２の撮像手段４２に投射
される２個の比較的高倍率の画像の双方において
パターンマツチング手段５６が高倍率キーパター
ン、即ち上記特定領域６０Ｌ及び６０Ｒ（第４図）
と同一のパターンを検出するか否かが確認され
る。次いで、ステツプｍ−14に進行し、両画像に
おける高倍率キーパターンと同一のパターンのｙ
軸方向の位置に基いて表示手段５２の表示画面に
おける横方向中心線即ちｘ−ｘ線に対する直線状
領域８ａの傾斜角度を算出し、これに応じて移動
手段１２のθ方向駆動源１８を、作動せしめて上
記傾斜を補正する（θ方向精密整合）。しかる後
に、ステツプｍ−15に進行し、上記ステツプｍ−
13と同様の確認、即ち第２の撮像手段４２に投射
される２個の比較的高倍率の画像の双方において
パターンマツチング手段５６が高倍率キーパター
ンと同一のパターンを検出するか否かが確認され
る。次いで、ステツプｍ−16に進行し、高倍率キ
ーパターンと同一のパターンのｙ軸方向位置に基
いて表示手段５２の表示画面における横方向中心
線即ちｘ−ｘ線に対する直線状領域８ａのｙ軸方
向のずれを算出し、これに応じて移動手段１２の
ｙ方向駆動源１６を作動せしめて上記ずれを補
正、即ち直線状領域８ａの中心を表示手段５２の
表示画面における横方向中心線即ちｘ−ｘ線に合
致せしめる（ｙ方向整合）。しかる後に、ステツ
プｍ−17に進行し、第２の撮像手段４２に投射さ
れる２個の比較的高倍率の画像の双方においてパ
ターンマツチング手段５６が高倍率キーパターン
と同一のパターンを検出するか否かが確認され
る。次いで、ステツプｍ−18に進行し、移動手段
１２のｙ方向駆動源１６を作動せしめて保持手段
４及びこれに保持されたウエーハ２をインデツク
ス量ｄ＋Ｗ（第２図）だけ移動せしめる（インデ
ツクス量ｄ＋Ｗは中央処理ユニツト５０に内蔵さ
れているRAMに予め記憶せしめておくことがで
きる）。次いでステツプｍ−19に進行し、第２の
撮像手段４２に投射される２個の比較的高倍率の
画像の双方（又は一方）においてパターンマツチ
ング手段５６が検出するところの高倍率キーパタ
ーンと同一のパターンのｙ軸方向位置に基いて、
表示手段５２の表示画面における横方向中心線即
ちｘ−ｘ線に対する直線状領域８ａのｙ軸方向の
位置ずれが許容値以内であるか否かが確認され
る。しかる後に、ステツプｍ−20に進行し、上記
ステツプｍ−19において検出されたずれが補正、
即ち移動手段１２のｙ方向駆動源１６が作動さ
れ、直線状領域８ａの中心が表示手段５２の表示
画面における横方向中心線即ちｘ−ｘ線に合致せ
しめられる（ｙ方向整合）。次いで、ステツプｍ
−21に進行し、保持手段４及びこれに保持された
ウエーハ２の90度回転が既に遂行されたか否かが
判断される。上記90度回転が末だ遂行されていな
い場合には、ステツプｍ−22に進行し、移動手段
１２のθ方向駆動源１８を作動せしめて、保持手
段４及びこれに保持されたウエーハ２を90度回転
せしめる。次いで、ステツプｍ−23に進行し、移
動手段１２のｘ方向駆動源１４及びｙ方向駆動源
１６を作動せしめ、中央処理ユニツト５０に内蔵
されているRAMに（或いはキーパターンメモリ
５４に）記憶されている上記回転変位信号、即ち
キーパターン記憶操作の際のサンプルウエーハ２
を90度回転せしめた後のｘ方向及びｙ方向移動量
に対応する移動量だけ、保持手段４及びこれに保
持されたウエーハ２をｘ方向及びｙ方向に移動せ
しめる。かくして、第６図に図示する上記特定領
域６８Ｌ及び６８Ｒ即ち高倍率キーパターン（並
びに副特定領域７０Ｌ及び７０Ｒ即ち高倍率副キ
ーパターン）と同一のパターンが第２の撮像手段
４２に投射される２個の比較的高倍率の画像中に
存在することが確保される。しかる後に、上記ス
テツプｍ−６に戻る。上記ステツプｍ−22及びｍ
−23を介して上記ステツプｍ−６に戻つた後にお
いては、上記ステツプｍ−６、ｍ−８、ｍ−９、
ｍ−11、ｍ−12、ｍ−13、ｍ−14、ｍ−15、ｍ−
16、ｍ−17、ｍ−19及びｍ−20においては、第２
の撮像手段４２に投射される２個の比較的高倍率
の画像のいずれか一方或いは双方において、パタ
ーンマツチング手段５６が上記特定領域６０Ｌ及
び／又は６０Ｒ或いは上記副特定領域６２Ｌ及
び／又は６２Ｒ（第４図）ではなくて上記特定領
域６８Ｌ及び／又は６８Ｒ或いは上記副特定領域
７０Ｌ及び／又は７０Ｒ（第６図）と同一のパタ
ーンを検出するか否かが判断される。また、上記
ステツプｍ−12、ｍ−14、ｍ−16及びｍ−20にお
いては、直線状領域８ａではなくて直線状領域８
ｂの、表示手段５２の表示画面における横方向中
心線即ちｘ−ｘ線に対する傾斜或いはｙ軸方向ず
れが補正される。
以上の通りにして一次位置付け及び二次位置付
けが遂行され、かくして充分迅速に且つ充分精密
にウエーハ２が所要位置に位置付けられる。
而して、上述した具体例においては、光学手段
２６における顕微鏡２８として、ｘ方向に適宜の
間隔を置いて位置する２個の入光開口３６ａ及び
３６ｂを有する双眼顕微鏡を使用し、従つて第１
及び第２の撮像手段４０及び４２には夫々２個の
比較的低倍率の画像及び比較的高倍率の画像が投
射される。しかしながら、所望ならば、光学手段
２６における顕微鏡として、単一の入光開口を有
する単眼顕微鏡を使用し、従つて第１及び第２の
撮像手段４０及び４２には、夫々、１個の比較的
低倍率の画像及び比較的高倍率の画像が投射され
るようになすこともできる。この場合には、例え
ば、上記ステツプｍ−９においては、移動手段１
２のｘ方向駆動源１４を作動せしめて保持手段４
及びこれに保持されたウエーハ２をｘ軸方向に所
定量移動せしめた後に、第２の撮像手段４２に投
射される画像においてパターンマツチング手段５
６が高倍率キーパターンと同一のパターンを検出
するか否かを判断すればよい。また、例えば、上
記ステツプｍ−12及びｍ−14においては、移動手
段１２のｘ方向駆動源１４を作動せしめて保持手
段４及びこれに保持されたウエーハ２をｘ軸方向
に所定量移動せしめる前と後における、第２の撮
像手段４２に投射される画像での高倍率キーパタ
ーンと同一のパターンのｙ軸方向位置に基いて、
θ方向粗整合及びθ方向精密整合を遂行すること
ができる。
以上、本発明に従つて構成された自動精密位置
合せシステムの好適具体例について添付図面を参
照して詳細に説明したが、本発明はかかる具体例
に限定されるものではなく、本発明の範囲を逸脱
することなく種々の変形乃至修正が可能であるこ
とは多言を要しない。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明に従つて構成された自動精密
位置合せシステムの一具体例が装備された半導体
ウエーハ切断装置の一部を図式的に示す簡略斜面
図。第２図は、典型的なウエーハの表面の一部を
示す部分平面図。第３図は、本発明に従つて構成
された自動精密位置合せシステムの一具体例を示
すブロツク線図。第４図、第５図及び第６図は、
サンプルウエーハの比較的高倍率の画像及び比較
的低倍率の画像における特定領域及び副特定領域
の指定位置を表示手段の表示画面上で例示する簡
略図。第７図は、パターンマツチング手段による
パターンマツチング手順の一例を示すフローチヤ
ート。第８図は、位置合せ手順の一例を示すフロ
ーチヤート。 ２……半導体ウエーハ、４……保持手段、８
（８ａ及び８ｂ）……直線状領域、１２……移動
手段、２６……光学手段、２８……顕微鏡、３０
……光路分岐手段、３２……第１の光学径路、３
４……第２の光学径路、３８……撮像手段、４０
……第１の撮像手段、４２……第２の撮像手段、
４４……倍率変換手段、４６……Ａ／Ｄ変換手
段、４８……画像フレームメモリ、５０……中央
処理ユニツト、５２……表示手段、５４……キー
パターンメモリ、５６……パターンマツチング手
段、７２……移動制御手段。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 表面には格子状に配列された複数個の直線状
    領域が存在し、該直線状領域によつて区画された
    複数個の矩形領域の各々には回路パターンが施さ
    れている半導体ウエーハを所要位置に位置付ける
    自動精密位置合せシステムにして； 該半導体ウエーハを保持するための保持手段
    と、 該保持手段を移動せしめるための移動手段と、 該保持手段に保持された該半導体ウエーハの該
    表面の少なくとも一部の画像を撮像してｘ−ｙマ
    トリツクス配列画素の濃度を示すアナログ信号を
    出力するための撮像手段と、 該保持手段に保持された該半導体ウエーハの該
    表面の少なくとも一部の画像を、比較的低倍率と
    比較的高倍率との２つの倍率で該撮像手段に投射
    することができる光学手段と、 該撮像手段が出力する該アナログ信号に対応し
    た信号を記憶するための画像フレームメモリと、 該半導体ウエーハが第１の所定位置にある時に
    該比較的低倍率で該撮像手段に投射される画像に
    おける少なくとも１個の特定領域に対応した低倍
    率キーパターン及び該低倍率キーパターンの位置
    を示す信号、該半導体ウエーハが該第１の所定位
    置にある時に該比較的高倍率で該撮像手段に投射
    される画像における少なくとも１個の特定領域に
    対応した第１の高倍率キーパターン及び該第１の
    高倍率キーパターンの位置を示す信号、並びに該
    半導体ウエーハが該第１の所定位置に関して90度
    回転せしめられた第２の所定位置にある時に該比
    較的高倍率で該撮像手段に投射される画像におけ
    る少なくとも１個の特定領域に対応した第２の高
    倍率キーパターン及び該第２の高倍率キーパター
    ンの位置を示す信号を記憶するためのキーパター
    ンメモリと、 該画像フレームメモリに記憶されている信号と
    該キーパターンメモリに記憶されている信号とに
    基いて、該比較的低倍率で該撮像手段に投射され
    ている画像中で該低倍率キーパターンと同一のパ
    ターンを検出する低倍率パターンマツチング作
    用、該比較的高倍率で該撮像手段に投射されてい
    る画像中で該第１の高倍率キーパターンと同一の
    パターンを検出する高倍率パターンマツチング作
    用、及び該比較的高倍率で該撮像手段に投射され
    ている画像中で該第２の高倍率キーパターンと同
    一のパターンを検出する高倍率パターンマツチン
    グ作用を遂行するためのパターンマツチング手段
    と、 該パターンマツチング手段による該低倍率パタ
    ーンマツチング作用に基いて該移動手段を作動せ
    しめ、かくして該保持手段に保持された該半導体
    ウエーハの一次位置付けを遂行し、しかる後に、
    該第１の高倍率キーパターンに関する該高倍率パ
    ターンマツチング手段による該高倍率パターンマ
    ツチング作用に基いて該移動手段を作動せしめ、
    次いで該保持手段を90度回転せしめた後に該第２
    の高倍率キーパターンに関する該高倍率パターン
    マツチング手段による該高倍率パターンマツチン
    グ作用に基いて該移動手段を作動せしめ、かくし
    て該保持手段に保持された該半導体ウエーハの二
    次位置付けを遂行する移動制御手段と、 を具備することを特徴とする自動精密位置合せシ
    ステム。 ２ 該光学手段は、比較的低倍率の第１の光学径
    路と、比較的高倍率の第２の光学径路とを有し、 該撮像手段は、該第１の光学径路に光学的に接
    続された第１の撮像手段と、該第２の光学径路に
    光学的に接続された第２の撮像手段とを有し、 該第１の撮像手段及び該第２の撮像手段を選択
    的に該画像フレームメモリに電気的に接続する倍
    率変換手段を具備する、特許請求の範囲第１項記
    載の自動精密位置合せシステム。 ３ 該撮像手段が生成する該アナログ信号を多値
    デジタル信号に変換するためのＡ／Ｄ変換手段を
    具備し、 該画像フレームメモリは、該Ａ／Ｄ変換手段が
    生成する多値デジタル信号を記憶する、特許請求
    の範囲第１項又は第２項記載の自動精密位置合せ
    システム。 ４ 該キーパターンメモリに記憶される該低倍率
    キーパターン並びに該第１及び第２の高倍率キー
    パターンを示す信号は、該低倍率キーパターン並
    びに該第１及び第２の高倍率キーパターン中の複
    数個の画素の濃度に対応した多値デジタル信号で
    ある、特許請求の範囲第３項記載の自動精密位置
    合せシステム。 ５ 該パターンマツチング手段は、該低倍率キー
    パターンに関する該低倍率パターンマツチング作
    用並びに該第１及び第２の高倍率キーパターンに
    関する該高倍率パターンマツチング作用におい
    て、マツチング度Ｐを、下記式 Ｐ＝ 〓i=j 〔ｆ（ｉ、ｊ）−〕 −〔ｇ（ｉ、ｊ）−〕 ここで、ｆは該保持手段に保持された該半導体
    ウエーハの該表面の照合領域中の複数個の画素の
    各々の濃度に対応した値であり、はｆの平均値
    であり、ｇはキーパターン中の複数個の画素の濃
    度に対応した値であり、はｇの平均値である、 に基いて算出する、特許請求の範囲第４項記載の
    自動精密位置合せシステム。 ６ 該パターンマツチング手段は、該低倍率キー
    パターンに関する該低倍率パターンマツチング作
    用並びに該第１及び第２の高倍率キーパターンに
    関する該高倍率パターンマツチング作用におい
    て、マツチング度Ｐを、下記式 Ｐ＝ 〓i=j Ｕ（ｆ（ｉ、ｊ）−〕 −Ｕ〔ｇ（ｉ、ｊ）−〕 ここで、ｆは該保持手段に保持された該半導体
    ウエーハの該表面の照合領域中の複数個の画素の
    各々の濃度に対応した値であり、はｆの平均値
    であり、ｇはキーパターン中の複数個の画素の濃
    度に対応した値であり、はｇの平均値であり、
    Ｕは２値化演算を意味する、 に基いて算出する、特許請求の範囲第４項記載の
    自動精密位置合せシステム。 ７ 該パターンマツチング手段は、該低倍率キー
    パターンに関する該低倍率パターンマツチング作
    用並びに該第１及び第２の高倍率キーパターンに
    関する該高倍率パターンマツチング作用おいて、
    マツチング度Ｐを、下記式 ここで、ｆは該保持手段に保持された該半導体
    ウエーハの該表面の照合領域中の複数個の画素の
    各々の濃度に対応した値であり、はｆの平均値
    であり、ｇはキーパターン中の複数個の画素の濃
    度に対応した値であり、はｇの平均値である、 に基いて算出する、特許請求の範囲第４項記載の
    自動精密位置合せシステム。 ８ 該撮像手段はｘ−ｙマトリツクス配列された
    複数個の撮像素子を有する固体カメラから構成さ
    れている、特許請求の範囲第１項乃至第７項のい
    ずれかに記載の自動精密位置合せシステム。
JP59100658A 1984-05-21 1984-05-21 自動精密位置合せシステム Granted JPS60244803A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59100658A JPS60244803A (ja) 1984-05-21 1984-05-21 自動精密位置合せシステム
US06/732,219 US4757550A (en) 1984-05-21 1985-05-09 Automatic accurate alignment system
KR1019850003480A KR930003809B1 (ko) 1984-05-21 1985-05-21 자동정밀 배열장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59100658A JPS60244803A (ja) 1984-05-21 1984-05-21 自動精密位置合せシステム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS60244803A JPS60244803A (ja) 1985-12-04
JPH0327043B2 true JPH0327043B2 (ja) 1991-04-12

Family

ID=14279904

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59100658A Granted JPS60244803A (ja) 1984-05-21 1984-05-21 自動精密位置合せシステム

Country Status (3)

Country Link
US (1) US4757550A (ja)
JP (1) JPS60244803A (ja)
KR (1) KR930003809B1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4697843B2 (ja) * 2003-12-03 2011-06-08 株式会社ディスコ アライメント装置及び加工装置

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4937618A (en) * 1984-10-18 1990-06-26 Canon Kabushiki Kaisha Alignment and exposure apparatus and method for manufacture of integrated circuits
US4864630A (en) * 1986-07-30 1989-09-05 Drexler Technology Corporation Method and apparatus for reading data pages on a data surface
JP2675307B2 (ja) * 1987-08-28 1997-11-12 株式会社日立製作所 プリアライナー装置
US4929893A (en) * 1987-10-06 1990-05-29 Canon Kabushiki Kaisha Wafer prober
US4866629A (en) * 1987-11-13 1989-09-12 Industrial Technology Research Institute Machine vision process and apparatus for reading a plurality of separated figures
DE69030869T2 (de) * 1989-12-29 1997-10-16 Canon Kk Bildverarbeitungsverfahren zur Bewertung von Objekten und Vorrichtung zur Qualitätsprüfung zur Durchführung des Verfahrens
US5243665A (en) * 1990-03-07 1993-09-07 Fmc Corporation Component surface distortion evaluation apparatus and method
US5220614A (en) * 1991-02-22 1993-06-15 Professional Coin Grading Service, Inc. Automated coin grading system
JP3029694B2 (ja) * 1991-04-19 2000-04-04 株式会社東芝 半導体ウエハ処理装置
DE4218063C2 (de) * 1991-05-31 1995-07-20 Sumitomo Heavy Industries Bildabtastsystem für aufgedruckte Registermarken
US5495535A (en) * 1992-01-31 1996-02-27 Orbotech Ltd Method of inspecting articles
US5305099A (en) * 1992-12-02 1994-04-19 Joseph A. Morcos Web alignment monitoring system
US5500906A (en) * 1994-01-14 1996-03-19 Cognex Corporation Locating curvilinear objects using feathered fiducials
US5943089A (en) * 1996-08-23 1999-08-24 Speedline Technologies, Inc. Method and apparatus for viewing an object and for viewing a device that acts upon the object
JP3384335B2 (ja) * 1998-09-02 2003-03-10 松下電器産業株式会社 自動組立装置および自動組立方法
US6348943B1 (en) * 1998-10-30 2002-02-19 Industrial Technology Research Institute Digital non-contact blade position detection apparatus
US6847729B1 (en) 1999-04-21 2005-01-25 Fairfield Imaging Limited Microscopy
JP4542223B2 (ja) * 2000-04-14 2010-09-08 株式会社ディスコ 切削装置
US6583879B1 (en) 2002-01-11 2003-06-24 X-Rite, Incorporated Benchtop spectrophotometer with improved targeting
US6996264B2 (en) * 2002-10-18 2006-02-07 Leco Corporation Indentation hardness test system
US7054477B2 (en) * 2002-11-13 2006-05-30 Uni-Tek System, Inc. Automatic accurate alignment method for a semiconductor wafer cutting apparatus
US20040092048A1 (en) * 2002-11-13 2004-05-13 Chiu-Tien Hsu Angle control system including a display device configured with two imaging windows that simultaneously display the same image captured by a single camera
DE10253250B4 (de) * 2002-11-15 2004-09-30 Uni-Tek System Inc. Automatisches Präzisionsausrichtungsverfahren für eine Halbleiterwaferschneidevorrichtung
GB2398196B (en) * 2003-02-05 2005-06-01 Fairfield Imaging Ltd Microscope system and method
US7656172B2 (en) 2005-01-31 2010-02-02 Cascade Microtech, Inc. System for testing semiconductors
US7535247B2 (en) 2005-01-31 2009-05-19 Cascade Microtech, Inc. Interface for testing semiconductors
JP2008529304A (ja) * 2005-01-31 2008-07-31 カスケード マイクロテック インコーポレイテッド 半導体試験用の顕微鏡システム
US7538868B2 (en) * 2005-12-19 2009-05-26 Kla-Tencor Technologies Corporation Pattern recognition matching for bright field imaging of low contrast semiconductor devices
US20070278421A1 (en) * 2006-04-24 2007-12-06 Gleason K R Sample preparation technique
JP2009300230A (ja) * 2008-06-12 2009-12-24 Olympus Corp 位置合わせを行う装置、方法、およびプログラム、ならびに基準モデルを作成する装置、方法、およびプログラム
JP5324232B2 (ja) * 2009-01-08 2013-10-23 日東電工株式会社 半導体ウエハのアライメント装置
JP5602548B2 (ja) * 2010-09-01 2014-10-08 株式会社ディスコ 加工位置検出方法
CN103831665B (zh) * 2012-11-23 2016-07-06 江西昌河航空工业有限公司 一种五轴机床旋转轴定位精度检测和校正方法
JP2014203917A (ja) 2013-04-03 2014-10-27 株式会社ディスコ 板状物
JP2014211417A (ja) * 2013-04-22 2014-11-13 株式会社ニューフレアテクノロジー パターン検査装置及びパターン検査方法
JP6979312B2 (ja) * 2017-09-08 2021-12-08 株式会社ディスコ アライメントパターンの設定方法
JP7022624B2 (ja) * 2018-03-13 2022-02-18 株式会社ディスコ 位置付け方法
JP7191473B2 (ja) 2019-01-29 2022-12-19 株式会社ディスコ キーパターンの検出方法、及び装置
JP2023116910A (ja) 2022-02-10 2023-08-23 株式会社ディスコ アライメント方法
CN114973991A (zh) * 2022-04-11 2022-08-30 武汉精立电子技术有限公司 一种用于立方体三色合光棱镜与微显示屏贴合的相机对位机构、方法和系统
KR102541500B1 (ko) * 2022-11-14 2023-06-13 (주)오로스테크놀로지 상관관계 기반 오버레이 키 센터링 시스템 및 그 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5214112A (en) * 1975-07-24 1977-02-02 Nissan Motor Co Ltd Torch iginition system internal combustion engine
JPS5974525A (ja) * 1982-10-21 1984-04-27 Toshiba Corp 自動細胞診断装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3450480A (en) * 1965-04-08 1969-06-17 Optomechanisms Inc Comparison viewer
US3895854A (en) * 1973-10-18 1975-07-22 Coulter Electronics Chromatic method and apparatus for conducting microscopic examinations at a plurality of magnifications
US4019173A (en) * 1974-07-08 1977-04-19 Agency Of Industrial Science & Technology System for recognition of shape patterns
JPS52140278A (en) * 1976-05-19 1977-11-22 Hitachi Ltd Position detector
US4244029A (en) * 1977-12-12 1981-01-06 Goodyear Aerospace Corporation Digital video correlator
JPS54157478A (en) * 1978-06-01 1979-12-12 Canon Inc Alignment method
US4310850A (en) * 1980-07-21 1982-01-12 Bethlehem Steel Corporation Solid-state video camera having a video signal processor
FR2498767A1 (fr) * 1981-01-23 1982-07-30 Cameca Micro-analyseur a sonde electronique comportant un systeme d'observation a double grandissement
US4672557A (en) * 1983-03-26 1987-06-09 Disco Abrasive Systems, Ltd. Automatic accurate alignment system
DE3334691C2 (de) * 1983-09-24 1985-11-28 C. Reichert Optische Werke Ag, Wien Mikroskop
US4625330A (en) * 1983-12-19 1986-11-25 Ncr Corporation Video enhancement system
US4618938A (en) * 1984-02-22 1986-10-21 Kla Instruments Corporation Method and apparatus for automatic wafer inspection

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5214112A (en) * 1975-07-24 1977-02-02 Nissan Motor Co Ltd Torch iginition system internal combustion engine
JPS5974525A (ja) * 1982-10-21 1984-04-27 Toshiba Corp 自動細胞診断装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4697843B2 (ja) * 2003-12-03 2011-06-08 株式会社ディスコ アライメント装置及び加工装置

Also Published As

Publication number Publication date
US4757550A (en) 1988-07-12
JPS60244803A (ja) 1985-12-04
KR930003809B1 (ko) 1993-05-13
KR850008053A (ko) 1985-12-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0327043B2 (ja)
JPH0619670B2 (ja) 自動精密位置合せシステム
US6852974B2 (en) Electron beam device and method for stereoscopic measurements
JP2001133417A (ja) 物体上の欠陥を再検査する装置及び方法
KR20000016638A (ko) 작업물 검사 및 취급 방법
CN110783245B (zh) 对准方法
US6303930B1 (en) Coordinating optical type observing apparatus and laser marking method
US6763140B1 (en) Method and apparatus for focusing a micro-imaging system onto a tilted or uneven sample to acquire images of the sample
JP2002270126A (ja) 電子線装置、電子線装置用データ処理装置、電子線装置のステレオデータ作成方法
US6216055B1 (en) Partial semiconductor wafer processing
JPH112510A (ja) 切削溝深さの検出方法
JPH02290040A (ja) アライメントシステム
JP2562936B2 (ja) キーパターン自動設定手段を備えた自動精密位置合せシステム
JPH06232254A (ja) 半導体ウェーハの切断ライン位置検出方法及び装置
US5264919A (en) Apparatus for positioning a semiconductor wafer
JP5544894B2 (ja) ウエハ検査装置及びウエハ検査方法
CN114536156B (zh) 鞋帮打磨轨迹生成方法
KR900002508B1 (ko) 자동 정렬 시스템
JPS61204716A (ja) キーパターン自動設定手段を備えた自動精密位置合せ装置
JPH0580149B2 (ja)
KR20200012724A (ko) 얼라인먼트 방법
JP7074742B2 (ja) ワイヤ電極の垂直出し装置および方法
JPS61110428A (ja) 半導体焼付装置
JPS6235638A (ja) ウエハ自動位置合わせ装置
JPH09287926A (ja) 断面形状計測装置

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term