JPH0555337A - Ｍｏｓトランジスタ - Google Patents
ＭｏｓトランジスタInfo
- Publication number
- JPH0555337A JPH0555337A JP21499891A JP21499891A JPH0555337A JP H0555337 A JPH0555337 A JP H0555337A JP 21499891 A JP21499891 A JP 21499891A JP 21499891 A JP21499891 A JP 21499891A JP H0555337 A JPH0555337 A JP H0555337A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate
- mos transistor
- source
- test needle
- drain
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエハプロセスの異常を早期に発見できるよ
うにしたＭＯＳトランジスタを得る。 【構成】 ゲート１１およびこのゲート１１とゲート１
１用のテスト針用パッド１３を接続する配線をポリシリ
コンで形成し、ソース１４，ドレイン１５と、このソー
ス１４およびドレイン１５用のテスト針用パッド１７を
接続する配線１６をｎ+ 領域で形成したことで、ポリシ
リコン工程完了時点で電気特性をチェックできるので、
異常を早期に発見できることを特徴としている。
うにしたＭＯＳトランジスタを得る。 【構成】 ゲート１１およびこのゲート１１とゲート１
１用のテスト針用パッド１３を接続する配線をポリシリ
コンで形成し、ソース１４，ドレイン１５と、このソー
ス１４およびドレイン１５用のテスト針用パッド１７を
接続する配線１６をｎ+ 領域で形成したことで、ポリシ
リコン工程完了時点で電気特性をチェックできるので、
異常を早期に発見できることを特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウエハの基本的電気特
性を評価するＴＥＧ（テストエレメントグループ）内の
ＭＯＳトランジスタに関するものである。
性を評価するＴＥＧ（テストエレメントグループ）内の
ＭＯＳトランジスタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来のＴＥＧ内のＭＯＳトランジ
スタの構造を示す図である。この図で、１はゲート、
２，３はソース，ドレイン、４はアルミ配線、５は同じ
くアルミ配線からなるテスト針用パッド、６はコンタク
トホール、７はテスト針である。また、Ｌはゲート長、
Ｗはゲート幅である。ＭＯＳトランジスタのテスト針用
パッド５はアルミ配線により形成され、アルミ配線４に
よりコンタクトホール６を介してゲート１，ソース，ド
レイン２，３にそれぞれ配線されている。
スタの構造を示す図である。この図で、１はゲート、
２，３はソース，ドレイン、４はアルミ配線、５は同じ
くアルミ配線からなるテスト針用パッド、６はコンタク
トホール、７はテスト針である。また、Ｌはゲート長、
Ｗはゲート幅である。ＭＯＳトランジスタのテスト針用
パッド５はアルミ配線により形成され、アルミ配線４に
よりコンタクトホール６を介してゲート１，ソース，ド
レイン２，３にそれぞれ配線されている。
【０００３】次に、動作について説明する。ＭＯＳトラ
ンジスタのポリシリコンのゲート１に加わる電圧によ
り、ソース，ドレイン２，３の電流がオン，オフされ、
その変化特性を電気的に評価することにより、性能がチ
ェックされる。信号の印加はテスト針用パッド５に当て
られたテスト針７によって行われる。
ンジスタのポリシリコンのゲート１に加わる電圧によ
り、ソース，ドレイン２，３の電流がオン，オフされ、
その変化特性を電気的に評価することにより、性能がチ
ェックされる。信号の印加はテスト針用パッド５に当て
られたテスト針７によって行われる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来のＭ
ＯＳトランジスタでは、テスト針用パッド５が低融点の
アルミ配線４でできているため、ウエハプロセスの最後
の工程が完了するまで電気特性の評価ができなかった。
ＯＳトランジスタでは、テスト針用パッド５が低融点の
アルミ配線４でできているため、ウエハプロセスの最後
の工程が完了するまで電気特性の評価ができなかった。
【０００５】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、ウエハプロセスの最終工程が完
了する以前の途中工程でＭＯＳトランジスタの電気特性
をチェックし、異常を早期に発見できるようにしたＭＯ
Ｓトランジスタを得ることを目的としている。
ためになされたもので、ウエハプロセスの最終工程が完
了する以前の途中工程でＭＯＳトランジスタの電気特性
をチェックし、異常を早期に発見できるようにしたＭＯ
Ｓトランジスタを得ることを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係るＭＯＳトラ
ンジスタは、ゲートと、このゲート用のテスト針用パッ
ドと、両者を接続する配線とをポリシリコンで形成し、
ソースおよびドレインと、このソースおよびドレイン用
のテスト針用パッドと、両者を接続する配線とをｎ+ 領
域で形成したものである。
ンジスタは、ゲートと、このゲート用のテスト針用パッ
ドと、両者を接続する配線とをポリシリコンで形成し、
ソースおよびドレインと、このソースおよびドレイン用
のテスト針用パッドと、両者を接続する配線とをｎ+ 領
域で形成したものである。
【０００７】
【作用】本発明においては、ソース，ドレイン，このソ
ース，ドレインの配線およびソース，ドレイン用のテス
ト針用パッドはｎ+ 領域で形成され、ゲート，ゲートの
配線およびゲート用のテスト針用パッドは高温処理に耐
えられるポリシリコンで形成されているので、ウエハプ
ロセスのポリシリコン工程完了時点でテストを行うこと
ができる。
ース，ドレインの配線およびソース，ドレイン用のテス
ト針用パッドはｎ+ 領域で形成され、ゲート，ゲートの
配線およびゲート用のテスト針用パッドは高温処理に耐
えられるポリシリコンで形成されているので、ウエハプ
ロセスのポリシリコン工程完了時点でテストを行うこと
ができる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１について説明
する。この図において、１１はポリシリコンからなるゲ
ート、１２は同じくポリシリコンからなる配線、１３は
同じくポリシリコンからなるテスト針用パッド、１４，
１５はｎ+ 領域からなるソース，ドレイン、１６は同じ
くｎ+ 領域からなる配線、１７は同じくｎ+ 領域からな
るテスト針用パッドである。なお、図１と図２のゲート
長Ｌ，ゲート幅Ｗは電気特性が同じになるように同じ長
さにしてある。上記のように、ｎ+ 領域の拡大，延長お
よびポリシリコンの拡大によってアルミ配線の代用をし
ており、プロセスのポリシリコン工程完了時点でテスト
針７をあてて電気的にチェックされ、異常を早期（一般
的には最終工程の１〜２週間前）に発見することができ
る。
する。この図において、１１はポリシリコンからなるゲ
ート、１２は同じくポリシリコンからなる配線、１３は
同じくポリシリコンからなるテスト針用パッド、１４，
１５はｎ+ 領域からなるソース，ドレイン、１６は同じ
くｎ+ 領域からなる配線、１７は同じくｎ+ 領域からな
るテスト針用パッドである。なお、図１と図２のゲート
長Ｌ，ゲート幅Ｗは電気特性が同じになるように同じ長
さにしてある。上記のように、ｎ+ 領域の拡大，延長お
よびポリシリコンの拡大によってアルミ配線の代用をし
ており、プロセスのポリシリコン工程完了時点でテスト
針７をあてて電気的にチェックされ、異常を早期（一般
的には最終工程の１〜２週間前）に発見することができ
る。
【０００９】すなわち、ｎ+ 領域で形成されるテスト針
用パッド１７にテスト針７をあて、ソース，ドレイン１
４，１５に電気信号を印加する。一方、ポリシリコンで
形成されたテスト針用パッド１３にもテスト針７をあ
て、ゲート信号を印加する。このゲート１１に印加する
信号と、ゲート１１，ソース１４に印加する信号と、そ
れに流れる電流の関係からＭＯＳトランジスタの電気特
性がチェックされる。
用パッド１７にテスト針７をあて、ソース，ドレイン１
４，１５に電気信号を印加する。一方、ポリシリコンで
形成されたテスト針用パッド１３にもテスト針７をあ
て、ゲート信号を印加する。このゲート１１に印加する
信号と、ゲート１１，ソース１４に印加する信号と、そ
れに流れる電流の関係からＭＯＳトランジスタの電気特
性がチェックされる。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明はゲート
と、このゲート用のテスト針用パッドと、両者を接続す
る配線とをポリシリコンで形成し、ソースおよびドレイ
ンと、このソースおよびドレイン用のテスト針用パッド
と、両者を接続する配線とをｎ+領域で形成したので、
ウエハプロセスの早い時点でＭＯＳトランジスタの電気
特性が測れるので、異常の早期発見が可能となる。
と、このゲート用のテスト針用パッドと、両者を接続す
る配線とをポリシリコンで形成し、ソースおよびドレイ
ンと、このソースおよびドレイン用のテスト針用パッド
と、両者を接続する配線とをｎ+領域で形成したので、
ウエハプロセスの早い時点でＭＯＳトランジスタの電気
特性が測れるので、異常の早期発見が可能となる。
【図１】本発明の一実施例によるＭＯＳトランジスタの
構造を示す平面図である。
構造を示す平面図である。
【図２】従来のＭＯＳトランジスタの構造を示す平面図
である。
である。
７ テスト針 １１ ポリシリコンからなるゲート １２ ポリシリコンからなる配線 １３ ポリシリコンからなるテスト針用パッド １４ ｎ+ 領域からなるソース １５ ｎ+ 領域からなるドレイン １６ ｎ+ 領域からなる配線 １７ ｎ+ 領域からなるテスト針用パッド
Claims (1)
- 【請求項１】 ウエハの電気特性をチェックするテスト
エレメントグループ内のＭＯＳトランジスタにおいて、
ゲートと、このゲート用のテスト針用パッドと、両者を
接続する配線とをポリシリコンで形成し、ソースおよび
ドレインと、このソースおよびドレイン用のテスト針用
パッドと、両者を接続する配線とをｎ+ 領域で形成した
ことを特徴とするＭＯＳトランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21499891A JPH0555337A (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | Ｍｏｓトランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21499891A JPH0555337A (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | Ｍｏｓトランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0555337A true JPH0555337A (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=16665012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21499891A Pending JPH0555337A (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | Ｍｏｓトランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0555337A (ja) |
-
1991
- 1991-08-27 JP JP21499891A patent/JPH0555337A/ja active Pending
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