JPH05507294A - キラルなホスフイン - Google Patents

Abstract

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Description

【発明の詳細な説明】 キラルなホスフィン 本発明は一般式 ［式中、Ｒは低級アルキル、低級アルコキシ又は保護されたヒドロキシ基であり 、ＲＩは５−員の複素芳香環であり、Ｒ１は低級アルキル又は低級アルコキシで あり、ｎは０，１又は２の数である］の新規なラセミ及び光学活性のリン化合物 に関する。

本発明はまた、式Ｉのリン化合物の製造ならびに例えばプロキラルなアリル系に おける非対称水素化及びエナンチオマー選択的水素置換（ｅｎａｎｔｉｏｓｅｌ ｅｃｔｉｖｅ　ｈｙｄｒｏｇｅｎ　ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔｓ）などの如きエ ナンチオマー選択的反応のためのその利用に関する。

本発明の範囲内において「低級アルキル」という用語は、炭素数が１−４の直鎖 状又は分枝鎖状アルキル、例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ −ブチル、イソブチル及びｔ　ｅ　ｒ　ｔ、ブチルを示す。

「低級アルコキシ」という用語は、その中のアルキル残基が前記の意味を有する 基を示す。ヒドロキシ基のための保護基として、本発明の範囲内において特に通 常のエーテル形成基、例えばベンジル、アリル、ベンジルオキシメチル、低級ア ルコキシメチル、２−メトキシエトキシメチルなどが考えられる。「５−員の複 素芳香環」という用語は、本発明の範囲内で次式 の置換基を示す。

式（ａ）ないしくｄ）の置換基において、Ａは酸素、硫黄又はＮＲ４を意味する 。置換基Ｈｓは水素、低級アルキル、特にメチル、又は低級アルコキシ、特にメ トキシを示し、Ｒ４は低級アルキル、好ましくはメチルを示す。

式Ｉのリン化合物はラセミ形のみでなく光学活性な形態でも存在することができ る。好ましい式１の化合物は、ｎが０の数であり、Ｒがメトキシ、メトキシメチ ル又はメチルである化合物である。さらにＲ１が２−又は３−フリルあるいは２ −チェニルである化合物も好ましい。特に好ましい式Ｉの化合物は次のとおりで ある。

（Ｒ５）−（８，６’−ジメトキシビフェニル−２，２′　−ジイル）ビス（ジ ー２−フリルホスフィン）、 （Ｒ）−又は（Ｓ）　−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２′−ジイル ）ビス（ジー２−フリルホスフィン）、（Ｒ５）−（６，６’−ジメトキシビフ ェニル−２，２′　−ジイル）ビス（ジー２−チェニルホスフィン）、（Ｒ）− 又はＣ８’ｌ　−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２′−ジイル）ビス （ジー２−チェニルホスフィン）、（Ｒ３）−（６，６’−ジメトキシビフェニ ル−２，２′　−ジイル）ビス（ジー３−フリルホスフィン）、 （Ｒ）−又は（Ｓ）　−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２′−ジイル ）ビス（ジー３−フリルホスフィン）、（Ｒ８）−（６，６’−ジメチルビフェ ニル−２，２′−ジイル）ビス（ジー２−フリルホスフィン）、 （Ｒ）−又は（Ｓ）−（６，６’−ツメチルビフェニル−２，２’　−ジイル） ビス（ジー２−フリルホスフィン）、（Ｒ８）−（６，６’−ジメチルビフェニ ル−２，２′−ジイル）ビス（ジー２−チェニルホスフィン）、 （Ｒ）−又は（Ｓ）　−（６，６’−ジメチルビフェニル−２，２’　−ジイル ）ビス（ジー２−チェニルホスフィン）、（ＲＳ）−［６，６’−ビス（メトキ シメトキシ）ビフェニル−２゜２′−ジイル］ビス（ジー２−フリルホスフィン ）、（Ｒ）−又は（Ｓ）−［６，６’−ビス（メトキシメトキシ）ビフェニル− ２，２′　−ジイル］ビス（ジー２−フリルホスフィン）、（ＲＳ）−［６，６ ’−ビス（メトキシメトキシ）ビフェニル−２゜２′−ジイル〕ビス（ジー２− チェニルホスフィン）、（Ｒ）−又は（Ｓ）−［６，６’−ビス（メトキシメト キシ）ビフェニル−２，２′　−ジイル］ビス（ジー２−チェニルホスフィン） 、（ＲＳ）−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２′　−ジイル）ビス［ ビス（５−メチルフラン−２−イル）ホスフィン、（Ｒ）又は（Ｓ）　−（６， ６’−ジメトキシビフェニル−２，２’　−ジイル）ビス［ビス（５−メチルフ ラン−２−イル）ホスフィン、（Ｒ３）　−（６，６’−ジメトキシビフェニル −２，２′　−ジイル）ビス［ジー（２−ベンゾ［ｂ］フラニル）ホスフィン］ 、（Ｒ）又は（Ｓ）−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２’　−ジイル ）ビス［ジー（２−ベンゾしｂ］フラニル）ボスフィン］、（ＲＳ）−（６，６ ’−ジメトキシビフェニル−２，２′　−ジイル）ビス（ジベンゾ［ｂ］チオフ ェン−２−イノのホスフィン、（Ｒ）又は（Ｓ）−（６，６’　−ジメトキシビ フェニル−２，２’　−ジイル）ビス（ジベンゾ［ｂ］チオフェン−２−イル） ボスフィン、（Ｒ３）−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２′　−ジイ ル）ビス［ビス（１−メチルビロール−２−イル）ホスフィン］、（Ｒ）又は（ Ｓ）−（６，６’　−ジメトキシビフェニル−２，２’　−ジイル）ビス［ビス （１−メチルビロール−２−イル）ボスフィン〕本発明の式Ｉの化合物は、例え ば一般式［式中、Ｒ，Ｒ２及びｎは上記と同義であり、Ｒ５は低級アルコキシ、 フェノキン、ペンジルオキシ、塩素又は臭素を示す］のラセミ又は光学活性の化 合物を式 ％式％ ［式中、Ｒ′は上記と同義であり、Ｘは塩素、臭素又はヨウ素を示す］ の化合物と反応させて式 ［式中、Ｒ５Ｒ１、Ｒ１及びｎは上記と同義であるコの化合物を得、所望に応じ ては０．０′−ジベンゾイル酒石酸又は０゜０′−ジ−ｐ−トルイル酒石酸を用 いて（Ｒ）型及び（Ｓ）型に分割した後、これを還元して式Ｉの化合物とするこ とにより製造することができる。

式ＩＩの化合物とＲ’ＭｇＸ又はＲ’Ｌｉとの反応は、それ自体既知の方法によ り行うことができる。これは、例えばグリニャル反応の通常の条件下で行うのが 好ましい。

式ＩＩＩのラセミ化合物又は（Ｒ）あるいは（Ｓ）型で存在する式■ＩＩの化合 物の還元は、それ自体既知の方法で行うことができる。これは、例えば煮沸キシ レンなどの芳香族炭化水素、あるいはアセトニトリルなどの中で、簡便にトリエ チルアミン又は好ましくはトリブチル−アミンなどの補助塩基の存在下で、例え ばトリクロロシランなどのシランを用いて行うことができる。必要ならばこの還 元は加圧下のオートクレーブ中でも行うことができる。

出発材料として用いる式ＩＩの化合物は、例えば式［式中、Ｒ，Ｒ”及びｎは上 記と同義であり、Ｒ５はまた塩素又は臭素以外の上記の意味を有する］ の化合物につきウルマン・カップリング（Ｕｌ　１ｍａｎｎ　ｃｏｕｐ　１ｉｎ ｇ）を行い、必要ならばそのようにして得られる（ＲＳ）型で存在する式 ［式中、Ｒ，Ｒ１、Ｒｓ及びｎは式ＩＶの場合と同義である］の化合物を０．０ ′　−ジベンゾイル酒石酸又はｏ、　ｏ’　−ジ−ｐ−トルイル酒石酸を用いて （Ｒ）型及び（Ｓ）型に分割し、必要ならばラセミ又は光学活性の式ＩＩの化合 物中のＲｓで示される低級アルコキシ基を塩素又は臭素で置換することにより製 造することができる。

（Ｒ３）型で存在する式ＩＩの化合物への式■ｖの化合物の変換は、ウルマン・ カップリングを用いて行う。これはそれ自体既知の反応であ反応は、例えば式Ｉ Ｖの化合物をＮ、　Ｎ−ジメチルホルムアミドなどの不活性有機溶媒中で、ヨウ 素で活性化した銅粉末と共に約１１０℃−約２００℃に加熱することにより行う ことができる。必要な場合には反応を溶媒の不在下で、すなわち溶融状態で行う こともできる。

出発材料として用いる一般式ＩＶの化合物は、Ｒが低級アルキル以外の場合例え ば一般式 ［式中、Ｒ２、Ｒ５及びｎは、式ＩＶの場合と同義であり、Ｒ６は、低級アルコ キシ又は保護ヒドロキシである］の化合物につきオルト−リチウム化／ヨウ素化 反応を行うことにより製造することができる。

式Ｖの化合物のオルト−リチウム化反応は、それ自体既知の方法により行うこと ができる。例えばこの反応は、テトラヒドロフラン中、０℃以下、好ましくは約 −５０℃ないし約−７８℃にて式Ｖの化合物をリチウムアミド、例えばリチウム ジイソプロピルアミン又はリチウム２．２゜６．６−チトラメチルビベリジンと 反応させることにより行うことができる。続くヨウ素化は、同様にテトラヒドロ フラン中で、及び同様に一５０℃以下の温度で簡便にヨウ素分子を用いて、ある いはＩＣＩ又はＩＢｒを用いて行うことができる。

式ＩＶにおいてＲが低級アルキルである出発材料は、例えば式［式中、Ｒ２、Ｒ ｓ及びｎは式ＩＶの場合と同義であり、Ｒ７は、低級アルキルである］ の化合物から出発して製造することができる。

これは簡便に、例えばＰｄ／Ｃなどの触媒の存在下で水素を用いたそれ自体既知 のニトロ基のアミノ基への還元、及びそれに続くそれ自体既知のジアゾ化／ヨウ 素化により行う。

出発材料として用いる式Ｖ及びｖ■の化合物は、既知の化合物であるか、又はそ れ自体既知の方法により容易に製造することができる既知の化合物の類似体であ る。例えば化合物Ｖは、Ｊ、Ｊ、Ｍｏｎａｇｌｅｅｔ　ａｌ、　、　Ｊ、　Ｏｒ ｇ、　Ｃｈｅｍ−３２，２４７７（１９６７）に従い、化合物ＶＩは、Ｋ、Ｓ、 Ｐｅｔｒａｋｉｓ　ｅｔ　ａｌ、、Ｊ。

Ａｍ、Ｓｏｃ、１９８７．１０９．２８３１に従い製造することができる。

別法として式ＩＩにおいてＲが低級アルキルであり、Ｒ５が塩素又は臭素以外で ある化合物は、式 ［式中、Ｒ２及びｎは上記と同義であり、Ｒ′は低級アルキルである］の化合物 から出発しても得ることができる。

これは、例えば式ｖｒｆの化合物を、例えばトリエチルアミンなどのｔ　ｅ　ｒ 　ｔ、アミン及びＰｄ　（Ｐ　（フェニル）３ン４などの触媒又はＰｄＣｌ！あ るいはＮｉＣｌ！などの触媒の存在下に式ｃ式中、Ｒ５は塩素又は臭素以外上記 の意味を有する］の化合物と反応させることにより簡単なそれ自体既知の方法で 行うことができる。

（ＲＳ）型で存在する式１１（Ｒ’が塩素又は臭素以外）又はＩＩＩの化合物の 、（−）−又は（＋）　−０，０’　−ジベンゾイル酒石酸（ＤＢＴ）あるいは （−）−又は（＋）　−０，０’　−ジー１）−トルイル酒石酸（ＤＴＴ）を用 いたラセミ分割は、ホスフィンオキシトのラセミ分割と類似の方法で行うことが できるが、実際これは、技術の現状に注目すると式１１の化合物に関して予想外 であった。これは簡便に不活性有機溶媒中で約０℃ないし約６０℃の温度にて行 う。ここで溶媒として特にクロロホルム、メチレンクロリド、酢酸エチル、酢酸 イソプロピル、アセトン、アルコール、例えばメタノール又はエタノールなど、 ならびにこれらの混合物を挙げることができる。

このようにして得られる式１１又はＩｌｌの化合物と（−）−又は（＋）−ＤＢ Ｔ又はＤＴＴの付加物を、続いてホスフィンオキシト付加物の場合と類似の方法 で無機塩基で処理し、それにより式ＩＩ又はＩＩＩの化合物の（Ｒ）又は（Ｓ） 型のそれぞれを遊離させることができる。

式ＩＩのラセミ又は光学活性の化合物においてＲ５が低級アルキルである場合、 これを塩素又は臭素で置換することができる。この置換反応はそれ自体既知の方 法で、例えば不活性有機溶媒中でチオニルクロリド、チオニルプロミド又は五塩 化リンと反応させることにより行うことができる。

ラセミ分割を除（前記のすべての反応は、例えばアルゴン又は窒素などの不活性 気体下で簡便に行うことができる。

本発明の式■のリン化合物は遷移金属、例えば第Ｖｌｌｌ族の金属、特にルテニ ウム、ロジウム及びイリジウムなどと錯体を形成し、それは非対称水素化及びプ ロキラルなアリル系におけるエナンチオマー選択的水素置換における触媒として 使用することができる。ルテニウム及びロジウム錯体は、前記の水素化の場合に 好ましく、ロジウム錯体は、異性化の場合に好ましい。これらの触媒、すなわち 第Ｖｌｌｌ族の化合物と式■のリン化合物の錯体は新規な化合物であり、同様に 本発明の目的である。

問題の錯体は、それ自体既知の方法で、例えば適した不活性有機溶媒又は水溶媒 中で式Ｉの化合物を、第Ｖｌｌｌ族の金属を与えることができる化合物と反応さ せることにより製造することができる。例えばロジウムを与える適した化合物と して、例えばエチレン、プロピレンなど及びビス−オレフィン、例えば（Ｚ、Ｚ ）−１，５−シクロオクタジエン、１．５−へキサジエン、ビシクロ−［２，２ ，１１へブタ−２，５−ジエン又は容易にロジウムと可溶性錯体を形成する他の ジエンとの有機口１）ｊ−’　ｍ１１１　ｍ’Ｐ　７ζヂ！ノＱ−Ｃｕ１（ＥＱ ｏＬ、ｌ；／ソμτ寸んＱ灯Ｋ　Ｌ／ｌ／　”＋１−口−（１）Ｈ４ｓ例えばジ −μｍクロロ−ビスＣη４−　（Ｚ、Ｚ’）　−１，５−シクロオクタジエン］ ジロジウム（Ｉ）、ジ−μｍクロロ−ビス［η４−ノルポルナジエンコジロジウ ム（Ｉ）、ビス［η’−（Ｚ、Ｚ）−１，５−シクロオクタジエン］ロジウムテ トラフルオロボレート又はビス［η４−（Ｚ、Ｚ）−シクロオクタジエン］ロジ ウムペルクロレートである。イリジウムを与える化合物として例えばジ−μｍタ ロロービス［η’−（Ｚ。

Ｚ）−１，５−シクロオクタジエンコシイリジウム（Ｉ）を挙げることができる 。

問題のルテニウム錯体は、式 ％式％ ［式中、Ｚはハロゲン又は基Ａ−Ｃｏｏを示し、Ａは低級アルキル、了り−ル、 ハロゲン化低級アルキル又はハロゲン化アリールを示し、Ｌは式Ｉのキラールジ ホスフィンリガンドを示すコにより表すことができる。

原則的にこれらの錯体は、それ自体既知の方法により製造することができる。ル テニウム錯体は、例えば式 ％式％ ［式中、Ｚｌはハロゲン又は基Ａｌ−ＣＯＯを示し、ＡＩは低級アルキル又はハ ロゲン化低級アルキルを示し、Ｌｌは中性リガンドを示し、ｍは１．２又は３の 数を示し、ｐは１又は２の数を示し、ｑはＯ又は１の数を示す］ の錯体を、式Ｉのキラールジホスフィンリガンドと反応させることにより、ある いは式 Ｒｕ　（ＣＦｓＣＯＯ）ｚＬ　Ｘ ［式中、Ｌは式■のキラールジホスフィンリガンドを示す］のルテニウム錯体を 、アニオンＺ［ここでＺは、上記と同義である］を与える塩と反応させることに より製造するのが簡便であり、好ましい。

本発明の範囲内において「中性リガンド」という用語は、容易に交換可能なリガ ンド、例えばノルボルナジェン、（Ｚ、Ｚ）−１，５−シクロオクタジエンなど を例とするジオレフィン、又はアセトニトリル、ベンゾニトリルなどを例とする ニトリルを意味する。ｍが２又は３の数を示す場合、リガンドは同−又は異なる ことができる。

式ＩＸのルテニウム錯体は既知の物質であるか、又は例えばＡｌｂｅ方法で容易 に得ることができる既知の物質の類似体である。

式ＩＸのルテニウム錯体と式Ｉのキラールジホスフィンリガンドとの反応は、そ れ自体既知の方法により行うことができる。この反応は、不活性有機溶媒中で簡 便に行うことができる。そのような溶媒の例として、例えばテトラヒドロフラン 又はジオキサンなどのエーテル、アセトンなどのケトン、メタノール、エタノー ルなどの低級アルコール、メチレンクロリド、クロロホルムなどのハロゲン化炭 化水素又はそのような溶媒の混合物を挙げることができる。さらに反応は、約０ ℃−約１００’Ｃ１好ましくは約１５℃ないし約６０℃の温度で行うことができ るが、酸素を厳重に排除しなければならない。

式Ｘのルテニウム錯体（式ＩＸの錯体から得られる）とアニオンＺを含む塩との 反応は、それ自体既知の方法により行うことができる。「Ｚを与える塩」という 用語は本発明の範囲内で、例えばアンモニウム塩、アルカリ金属塩又は他の適し た金属塩を意味する。そのような塩の溶解度を増すために、ある場合にはクラウ ンエーテルなどを加えることができる。

前記の通り、第ＶＩＩＩ族の金属特にルテニウムとの錯体の形態の本発明のリン 化合物は、中でも非対称水素化に用いることができる。これに関して挙げること ができる特に適した基質は、アリルアルコール、例えばゲラニオール、６．７− シヒドロゲラ二オール、６．７−シヒドロフアルネソール、６．　７．　１０． 　１１−テトラヒドロファルネソールなど、ならびにβ−ケトエステル、例えば メチル又はエチルアセトアセテートなどである。

そのような水素化を行う場合、最初にこれらの錯体を製造し、その後水素化する 基質の溶液に加えることができる。しかし別の場合それらを、例えば水素化する 基質の存在下でその場生成することもできる。

非対称水素化は、反応条件下で不活性な適した有機溶媒中で行うことができる。

そのような溶媒として特に、例えばメタノール、エタノールなどの低級アルコー ル、又はそのようなアルコールとメチレンクロリド、クロロホルムなどのハロゲ ン化炭化水素、又はテトラヒドロフラン又はジオキサンなどの環状エーテルとの 混合物を挙げることができる。

リガンドＬに対するルテニウムの比率は、簡便にリガンド１モル当たり約０．　 ５−約２モル、好ましくは約１モルのルテニウムである。水素化する基質に対す る式ＶＩＩＩの錯対中のルテニウムの比率は、簡便に約０゜０００５−約１モル ％、好ましくは約１００２−約０６１モル％である。

式ＶＩＩＩの錯体を用いた非対称水素化は、用いる基質に依存して片０℃から約 １００℃の温度で簡便に行うことができる。この水素化は、加圧下で、好ましく は約５−約２００バール、特に約３０＝約１００−ルの圧力下で簡便に行うこと もできる。

さらに前記の通り、上記の触媒はプロキラールアリル系におけるンチオマー選択 的水素置換に有用である。これらは特に、一般式［式中、Ｒ１は保護されたヒド ロキシメチル又は式の残基であり、ここで点線は追加の結合であることができ、 ｌ。

及びＲ１・は低級アルキル（炭素数１−７）を示す］の光学活性化合物の、一般 式 ［式中、Ｒ８、Ｒｅ及びＲ１’は上記と同義である］の化合物から出発した製造 に関連して興味深い。

それぞれ化合物ＸＩ及びその加水分解により得たアルデヒド、なにアルデヒドか ら誘導した酸及びアルコールは、例えばビタミンＥｌｌびに１の側鎖の合成中間 体として興味深い。

前記の水素置換を行う場合、式■のリン化合物をそのまま処理する化合物の溶液 中で、例えばロジウム又はイリジウムを与える化合物と接触させることができる 。別の場合式１のリン化合物を最初に適した溶媒中で例えばロジウム又はイリジ ウムを与える化合物を用いて対応する触媒錯体に変換し、その後これを処理する 化合物の溶液に加えることができる。後者の方法が好ましい。

式Ｉのリン化合物と例えばロジウム又はイリジウムを与える化合物の反応のみで なく、前記の水素置換反応も反応条件下で不活性な適した有機溶媒中で行うこと ができる。遺した溶媒として特にメタノール又はエタノールなどの低級アルコー ル、ベンゼン又はトルエンなどの芳香族炭化水素、テトラヒドロフラン又はジオ キサンなどの環状エーテル、酢酸エチルなどのエステル、あるいはこれらの混合 物などを挙げることができる。さらに錯体形成は、水性媒体中又はジクロロメタ ン中で行うこともできる。

例えばロジウム又はイリジウムと式Ｉのリガンドの比率は、簡便に式Ｉのリガン ド１モル当たり約０．０５−約５モル、好ましくは約０．　５−約２モルである 。

式■のリガンドとの錯体中の金属の量は、処理する化合物に基づいて簡便に約０ ．００５−約０．５モル％、好ましくは約０．０１−約０．２モル％である。

式！のリガンドとの金属錯体を用いた前記の水素置換反応は、不活性有機溶媒中 、大体室温から約１３０℃の温度で簡便に行うことができる。

この反応は高温で、すなわち例えば使用した溶媒に依存して反応混合物の還流温 度で、又は加圧下の密封容器内で行うのが好ましい。

式■の化合物の製造及び利用と類似して式［式中、Ｒ１は上記と同義である］ のビナフチル型の化合物も同様に製造し、利用することができる。ビナフチル環 は、通常の方法で置換することができる。

以下の実施例は本発明を例示するものであり、本発明の範囲を制限するものでは ない。これらの実施例において、選ばれた略号は以下の意味を有する。

ＴＬＣ：薄層クロマトグラフィー ＤＢＴ：Ｏ，○′−ジベベンイル酒石酸ＴＨＦ　：テトラヒドロフラン ＲＴ：　室温 すべての温度は℃で示す。

実施例１ ａ）　１０ｍ１のテトラヒト０７ラン中の０．　３０ｇ　（０，４２２ミリモル ）の（Ｒ）　−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２′　−ジイル）ビス （ホスホン酸ジフェニルエステル）の溶液を、１０ｍ１のテトラヒドロフラン中 で１゜５ｍ、Ｉの２−ヨードフラン（純度６７）及び０．３０ｇ　（１２，３ミ リモル）のマグネシウムリボンから調製したグリニャル溶液に、室温で１５分以 内に滴下した。添加の完了後、混合物を４０°に１時間保った。仕上げのために 混合物を５０ｍ１の飽和ＮＨ４Ｃｌ溶液及び５０ｍ１の酢酸エチルで処理し、層 を分離し、有機層を飽和ＮａＣ１溶液で洗浄し、ＭｇＳＯ４上で乾燥し、濾過し 、濃縮した。

残留物を最少量のＣｆｈＣ１□に溶解し、溶液を５０ｇのシリカゲルのカラム上 に置いた。酢酸エチル及びその後テトラヒドロフランを用いて溶離し、０．２０ ｇの固体を得、それを１０ｍ１のｔ　ｅ　ｒ　ｔ、ブチルメチルエーテルから再 結晶した。０．１６ｇの（Ｒ）　−（６，６’　−ジメトキシビフェニル−２， ２′−ジイル）ビス（ジー２−フリルホスフィンオキシト）を、融点が２７２＠ （熱分析）の黄色結晶として得た。

［α］！〜＝＋８９．６　（ｃ＝１．０．ＣＨＣｌｇ）。

ｂ）　コンデンサー、温度計、滴下ロート及び機械的撹拌機を備えた０、５１の ４つロフラスコに、窒素下で２．　９０ｇ　（５，０ミリモル）の（Ｒ）　−（ ６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２′−ジイル）ビス（ジー２−フリルホ スフィンオキシト）　、１０ｍ１　（４１，９ミリモル）のトリブチルアミン、 ６０ｍ１のキシレン異性体混合物及び４．０ミリ　（５，３７ｇ、３９．６ミリ モル）のトリクロロシランを装填した。

乳白色の混合物を４時間加熱還流し、それによりほとんど半透明の溶液を得た。

冷却後、十分撹拌しながら内部温度が７０°を越えないような方法で１００ｍ１ の脱酸素した３０％水酸化ナトリウム溶液を滴下し、混合物を７０℃でさらに１ 時間撹拌した。ＨｌＯ及びＣＨｔＣＩ　ｔの添加後、層を分離し、有機層を２ｘ ５０ｍｌの３０％水酸化ナトリウム溶液、Ｒ２０、飽和ＮＨ，ＣＩ溶液及び飽和 ＮａＣ１溶液で洗浄し、ＭｇＳ○、上で乾燥し、濾過し、蒸発させた。得られた 白色粉末（４，４０ｇ）をＣＨ２ＣＩｘに溶解し、溶液をエタノールで処理し、 回転蒸発器上でＣＨ，Ｃ１，を蒸発させた。沈澱した固体を濾過し、エタノール 及びペンタンで洗浄し、高真空中（約１０Ｐａ）１００℃にて１時間乾燥した。

２．５０ｇの（Ｒ）　−（６，６’　−ジメトキシビフェニル−２，２’　−ジ イル）ビス（ジー２−フリルホスフィン）を黄色結晶として得た。融点１７６° ；　［αＪ”ｏ＝　＋　６．９　（ｃ＝　１．　ＣＨＣ１３）。

以下の化合物を上又と類似の方法で製造した；（Ｓ）　−（６，６’−ジメトキ シビフェニル−２，２′−ジイル）ビス（ジー２−フリルホスフィンオキシト） 融点２７０°（熱分析）［ａｌ　”ｏ＝　８７．９　（ｃ＝１．ＣＨＣｌ５）（ Ｓ）−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２′−ジイル）ビス（ジー２− フリルホスフィン）融点１７５”（熱分析）［Ｃ１ｚｏＤ＝−７，６（ｃ＝１． ＣＨＣｌ、） 出発材料として用いた（Ｒ）　−（６，６’　−ジメトキシビフェニル−２，２ ′−ジイル）ビス（ホスホン酸ジフェニルエステル）及びそれぞれ対応する（Ｓ ）化合物を以下の要領で製造した：ａ）　コンデンサー、温度計、撹拌機及び不 活性ガス処理のためのへッドビースを備えた１１の４つロスルホン化フラスコに 、７６、　５ｇ（０，１２２モル）の（２−ヨード−３−メトキシフェニル）ホ スホン酸ジフェニルエステル（純度７５％）及び２５．０ｇ　（０，３９３モル ）の活性化銅粉末を窒素下で入れ、２００ｍ１のＮ、　Ｎ−ジメチルホルムアミ ドを流入させた。暗茶色懸濁液を１４０°（油浴温度）で１時間加熱し、その時 間の経過後、ＴＬＣ分析によると完全な変換が起こっていた。冷却した反応混合 物をメチレンクロリドと共に丸底フラスコに移し、回転蒸発器上で７０°にて蒸 発乾固した。残留物を２００ｍ１のメチレンクロリドで処理し、混合物を十分撹 拌して濾過し、濾過残留物を１００ｍ１のメチレンクロリドで洗浄した。濾液を １００ｍ１の飽和ＮＨ，ＣＩ溶液で３回洗浄し、最初の洗浄操作中にそれにより 形成した少量の固体を濾別し、続いてＭｇ５Ｏａ上で乾燥し、濾過し、濃縮した 。

８０”の高真空（約１０Ｐａ）中で２時間乾燥した後、５９−６ｇの粗（Ｒ８） 　−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２′−ジイル）ビス（ホスホン酸 ジフェニルエステル）を得た。

ｂａ）　ａ）に従って得た５９．６ｇの粗ジフェニルエステルを５０ｍ１のジク ロロメタン中に溶解した溶液を１１の丸底フラスコ中に入れ、１００ｍ１の酢酸 エチル中の３５．８ｇ　（０，１０モル）の（−）　−０゜０′−ジベンゾイル −Ｌ−酒石酸の溶液で処理した。その後溶液を６００ミリバールにて回転蒸発器 上で蒸発させてＣＨＩＣｌｚを蒸留し、白色固体を分離した。これを吸引濾過し 、２０ｍ１の酢酸エチル及び２０ｍ１のヘキサンで３回洗浄し、高真空（約１０ Ｐａ）中で乾燥した。２１゜８ｇの（Ｒ）−ジフェニルエステル／　（−）−Ｄ ＢＴ付加物を白色粉末として得た。［α］　”ｏ＝−９５，６（ｃ＝１．メタノ ール中）。

他方のエナンチオマーを得るために母液及び洗浄液を別に取り置いた。

ｂｂ）　磁気撹拌機を付けた１工の三角フラスコ中でｂａ）に従って得た材料を 、固体すべてが溶液となるまで（３０分）１００ｍｌのジクロロメタン、５０ｍ １の飽和ＮａＨＣＯｓ溶液及び５０ｍ１の脱イオン水で粉砕した。相を分離し、 有機相を１００ｍ１の半飽和Ｎ　ａ　ＨＣＯｘ溶液、５０ｍ１の脱イオン水及び ５０ｍ１の飽和ＮａＣ１溶液で２回洗浄し、Ｍｇ５Ｏ，上で乾燥し、濾過し、蒸 発させた。油性残留物を２０ｍ１のｔｅｒｔ、ブチルメチルエーテルで処理し、 それにより結晶化を起こした。６０″の高真空（約１０Ｐａ）中で１時間蒸発乾 固した後、１３．８ｇの（Ｒ）−（６，６’　−ジメトキシビフェニル−２，２ ’　−ジイル）ビス（ホスホン酸ジフェニルエステル）を白色結晶として得た。

融点１２５−１２５．５°：　［ａ］　”ｏ＝−１８，９（ｃ＝１．ＣＨＣｌ１ 中）。

Ｃａ）　ｂａ）からの母液及び洗浄液を１１の丸底フラスコ中で蒸発させた。残 留物を１００ｍ１のジクロロメタン中に取り上げ、溶液を５０ｍ１の飽和Ｎ　ａ 　ＨＣＯｓ溶液及び５０ｍ１の脱イオン水で３０分粉砕した。相を分離し、有機 相を１００ｍ１の半飽和ＮａＨＣＯ，溶液、５０ｍ１の脱イオン水及び５０ｍ１ の飽和ＮａＣ１溶液で洗浄し、Ｍｇ５Ｏ１上で乾燥し、濾過し、濃縮した。得ら れた茶色の油を５９ｍ１のジクロロメタン中に取り上げ、溶液を１００ｍ１の酢 酸エチル中の１８゜０ｇ　（０，０５０％／ｌ／）（’）（＋）　−０，０’　 −’）ペン／イに−Ｄ−ＭＥ酸で処理した。その後溶液を６００ミリバールにて 回転蒸発器上で濃縮し、それによりｃＨｚｃＩ！を蒸留し白色固体を分離した。

これを吸引濾過し、２０ｍ１の酢酸エチル及び２０ｍ１のへキサンで３回洗浄し 、高真空（約１０Ｐａ）で乾燥した。２２ｇの（Ｓ）ジフェニルエステル／（＋ ）−ＤＢＴ付加物を明黄色粉末として得た。［α］　”ｏ＝＋９６　（ｃ；１． メタノール中）。

ｃｂ）　ｃａ）に従って得た材料をｂｂ）に記載の要領で仕上げた。

１３．９ｇの（Ｓ）　−（６，６’　−ジメトキシビフェニル−２，２’　−ジ イル）ビス（ホスホン酸ジフェニルエステル）を白色結晶として得た。

融点１２４−１２５＠；　［α］：・ｏ＝　＋　１８．　７　（ｃ＝１、ＣＨＣ １１中）。

ｄ）　出発材料として用いた（２−ヨード−３−メトキシフェニル）ホスホン酸 ジフェニルエステルは、以下の要領で製造した：ｄａａ）　５０ｍ１の無水テト ラヒドロフラン中の１３．０ｇ　（０゜５３５モル）のマグネシウムくずの懸濁 液を、撹拌機、コンデンサー、温度計及び不活性ガス処理のためのへラドピース を備えた領　５１の４つロフラスコ中にアルゴン下で入れた。そこに２００ｍ１ の無水テトラヒドロフラン中の９３．５ｇ　（０，５０モル）の３−ブロモアニ ソールの溶液を、反応温度が３５１を越えないようにして９０分以内に滴下した 。添加後、混合物をさらに１５０ｍ１の無水テトラヒドロフランで希釈してグリ ニャル試薬の析出を防いだ。

ｄａｂ）　撹拌機、温度計、不活性ガス処理のためのへラドピース及びＣｏｔ／ アセトン冷却浴を備えた１、５１の４つロフラスコに、２５９．８ｇ　（０，９ ６７モル）のジフェニルクロロホスフェート及び２００ｍ１の無水テトラヒドロ フランを入れ、溶液を一７８″に冷却した。

そこにｂａａ）に従って調製したグリニャル試薬の溶液を、反応温度が一７０° を越えないようにして滴下した。添加の完了後、混合物を撹拌しながら終夜放置 して室温にした。微細な白色沈澱をいくらか含む反応混合物を、１０１の撹拌容 器中の２１の氷水、２１の飽和ＮａＨＣＯ。

溶液及び１１のジエチルエーテルの混合物中に注いだ。１０分間激しく撹拌した 後、水相を分離し、有機相を１１の飽和ＮａＨＣＯ，溶液、２００ｍ１の２５％ アンモニア、１００ｍ１の２５％アンモニアで連続して洗浄し、さらに５００ｍ １の飽和ＮａＣ１溶液で３回洗浄した。

Ｍ　ｇ　Ｓ　Ｏａ上で乾燥後、溶液を蒸発させ、残留物を１１のジエチルエーテ ル中に取り上げ、溶液を０°に終夜放置した。それにより分離した白色固体（１ ２ｇ）を濾過により取り出し、捨てた。濾液を蒸発させ、高真空（約１０Ｐａ） 中で乾燥し、得られた残留物（１６３ｇの黄色源）を３００ｍ１のヘキサン／ト ルエン１：１中に取り上げ、溶液を５００ｇのシリカゲル上で濾過した。最初に ３１のヘキサン及び８Ｉのヘキサン／酢酸エチル９：１を用い、その後２１のヘ キサン／酢酸エチル４：１及び２１のヘキサン／酢酸エチル７：３を用いて溶離 することにより、４０°にて高真空（約１０Ｐａ）中で１時間乾燥後、１１８ｇ の（３−メトキシフェニル）ホスホン酸ジフェニルエステルを微黄色油として得 た。

（Ｉｂ）　撹拌機、温度計、不活性ガス処理のためのへラドピース、圧力平衡さ せた滴下ロート及びＣＯ！／アセトン冷却浴を備えた１、５１の４つロフラスコ に３００ｍ１の無水テトラヒドロフランを入れた。そコニシリンジを用い７７０ ｍ１　（０，４１２モル）の２．　２．　６．　６−チトラメチルビベリジンを 加え、溶液を一７８°に冷却した。ヘキサン中の２１０ｍ１　（０，３３６モル ）の１．６Ｎブチルリチウム溶液を、スチールのカヌーラを経て滴下ロート中に 満たした。ブチルリチウム溶液を約１０分以内に反応容器に滴下し、それにより 温度が約−５０６に上昇し白色沈澱が形成した。Ｃｏ！／アセトン浴を氷／エタ ノール浴に置き換え、反応混合物を約−１５°でさらに３０分間撹拌し、再び一 ７８′″に冷却した。

２５０ｍ１の無水テトラヒドロフラン及び９５．２ｇ　（０，２８０モル）の（ ３−メトキシフェニル）ホスホン酸ジフェニルエステル（ｄａｂからの材料）を 、アルゴン下で別の１１の丸底フラスコ中に入れ、溶液を一７８’に冷却した。

この溶液をスチールのカヌーラを経て上記の反応容器に約１０分以内に流入させ 、それにより温度が約−６８°に上昇し、半透明のカラメル色の溶液が得られた 。これを−７８＠にてさらに３０分撹拌した。

１５０ｍ１の無水テトラヒドロフラン中の７１．０６ｇ　（０，２８０モル）の ヨウ素の溶液をアルゴン下で別の５ｃｈｌｅｎｋチユーブ中に調製し、溶液をス チールのカヌーラを経て反応装置の滴下ロート中に移した。ヨウ素溶液を迅速に 滴下することにより反応混合物を１５分以内で滴定し、それにより反応温度が一 ６５″に上昇した。約１７０ｍ１のヨウ素溶液中約１４５ｍ１を滴下した後、反 応混合物の赤色が残るようになったら滴下を中断し、混合物を００に加温した。

その後反応混合物を２００ｍ１の脱イオ水に溶解した１００ｇのナトリウムチオ サルフェート五水和物の溶液１５０ｍ１で処理し、激しく撹拌し、続いて１００ ｍ１の飽和ＮａＨＣＯｓ溶液で処理した。形成した沈澱を除去するために２相系 を濾過し、相を分離した。水相を２５０ｍ１の酢酸エチルで１回再抽出し、合わ せた有機相を２５０ｍ１の飽和ＮａＣ１溶液で洗浄し、Ｍｇ５ＯＪ上で乾燥し、 蒸発させた。残留物を５００ｍ１の酢酸エチル中に取り上げ、溶液を２５０ｍ１ の脱イオン水及び２５０ｍ１の飽和ＮａｃＩ溶液で３回洗浄し、Ｍｇ５Ｏ，上で 乾燥し、濾過し、濃縮した。

残留物（１１８ｇの黄色源）を１７０ｍ１のトルエン中に取り上げ、溶液を１１ ５ｍ１のヘキサンで処理し、それにより白色沈澱を分離した。　゛これを濾過に より除去し、濾液を４５０ｇのシリカゲルのカラムに適用した。最初に２１のヘ キサン／酢酸エチル９：１及び３１のヘキサン／酢酸エチル８：２を用いて副生 成物を溶離した。続いて２１のヘキサン／酢酸エチル７：３を用いて最終生成物 を含む留分を溶離した。６０″にて高真空（約１０Ｐａ）中で１時間蒸発乾固し た後、７６．５ｇのオレンジ色の油を得た。これはＩＨ−ＮＭＲ分析により、７ ５モル％の（２−ヨード−３−メトキシフェニル）ホスホン酸ジフェニルエステ ルを含以下の化合物を実施例１と類似の方法で製造した：（Ｒ）　−（６，６’ −ジメトキシビフェニル−２，２゛−ジイル）ビス（ジー２−チェニルホスフィ ンオキシト）融点３３７°（熱分析）。

［α］　”ｏ＝＋１４１．３　（ｃ＝１．ＣＨＣｌ５）。

（Ｒ）　−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２゛−ジイル）ビス（ジー ２−チェニルホスフィン）融点２３０°（熱分析）。［α〕２６Ｄ−＋１４７． ５　（Ｃ＝１．ＣＨＣｌり。

（Ｓ）　−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２′−ジイル）ビス（ジー ２−チェニルホスフィンオキシト）融点３３８°（熱分析）。

［α］　”ｏ”　１４０．７　（Ｃ＝１．ＣＨＣｌ５）。

（Ｓ）　−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２′−ジイル）ビス（ジー ２−チェニルホスフィン）融点２２８＠（熱分析）。〔α］２００＝−１５８， ５（ｃ＝１．ＣＨＣｌ５）。

実施例３ 以下の化合物を実施例１に類似の方法で製造した：（Ｒ３）−（６，６“−ジメ トキシビフェニル−２，２゛　−ジイル）ビス（ジー３−フリルホスフィンオキ シト）融点２２６−２２７’（ＲＳ）　−（６，６°−ジメトキシビフェニル− ２，２゛　−ジイル）ビス（ジー３−フリルホスフィン） （Ｒ）　−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２°−ジイル）ビス（ジー ３−フリルホスフィンオキシト）融点２３０−２３３’。

ｒａＥ　”ｏ＝＋９０．　３　（ｃ＝１．　ＣＨＣｌ５）　。

（Ｒ）　−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２゛−ジイル）ビス（ジー ３−フリルホスフィン）融点１２８−１２９’。［α］　”、、＝＋４１．３　 （ｃ＝１．ＣＨＣｌａ）。

（Ｓ）　−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２′−ジイル）ビス（ジー ３−フリルホスフィンオキシト）［Ｃ１，”ｏ＝−８７（ｃ＝１゜ＣＨＣｌ５） 。

（Ｓ）　−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２°−ジイル）ビス（ジー ３−フリルホスフィン）融点１３５°。［α］２・Ｄ＝　４１．　３（ｃ＝１． ＣＨＣｌ５）。

実施例４ １５ｍ１のキシレン中の０．６６７７ｇ　（１，１ミリモル）の（Ｒ５）−（６ ，６°−ジメチルビフェニル−２，２゛−ジイル）ビス（ジ−２−チェニルホス フィンオキシド）　、１．４９ｇ　（ＩＩミリモル）のＨ５ｉｃＩ３及び０．４ ４５ｇ　（４，４ミリモル）のトリエチルアミンを、コンデンサー、温度計、撹 拌機及び不活性ガス処理のためのへッドビースを備えた１１のスルホン化用フラ スコ中にアルゴン下で入れ、４時間加熱還流した。得られた透明な溶液を、５ｍ ｌの３０％ＮａＯＨ溶液で注意深く処理し、それにより反応温度が約５０’に上 昇した。有機相を分離し、５ｍｌの３０％ＮａＯＨ溶液及びｌＱｍｌのＨｚＯで 連続して洗浄し、Ｎ　ａ　２　Ｓ　ＯＪ上で乾燥した。蒸発させた後、白色粉末 が得られ、それをペンタンで洗浄し、約ＩＱＰａで乾燥した。０．４４ｇの（Ｒ ３）−（６，６’−ジメチルビフェニル−２，２°−ジイル）ビス（ジ−２−チ ェニルホスフィン）、融点１７７−１７８°が得られた。

出発材料として使用する（ＲＳ）　−（６，６’　−ジメチルビフェニル−２， ２’−ジイル）ビス（ジー２−チェニルホスフィンオキシト）は、以下の要領で 製造した： ａ）　２０ｇ　（４６，０７ミリモル）の（ＲＳ）　−２，２’　−ショート− ６，６′−ジメチルビフェニル、２３．７２ｇ　（１０１，３ミリモル）のジフ ェニルホスファイト、１２ｇ　（１１９ミリモル）のトリエチルアミン及び２． ６２．（２，２６ミリモル）のＰｄ　（ＰＰｈｓ）４を、５ｃｈｌｅｎｋチユー ブ中で撹拌しながら２０時間１０００に加熱した。

その後反応混合物を回転蒸発器上で濃縮し、残留物をＣＨＩＣｌ　！に溶解し、 ＮａＯＨ溶液で処理した。有機相を水で洗浄し、Ｎ　ａ　ｚ　Ｓ　Ｏａ上で乾燥 した。有機相の濃縮後に得られた残留物をメタノールから再結晶した。

２１．１ｇの（Ｒ８）　−（６，６”−ジメチルビフェニル−２，２°−ジイル ）ビス（ホスホン酸ジフェニルエステル）を淡ベージュ色の粉末として得た。

ｂ）　コンデンサー、温度計、撹拌機及び不活性ガス処理のためのへッドビース を備えた１１のスルホン化フラスコ中、アルゴン下で２．４８ｇ（０，１０２モ ル）のＭｇリボンを１０ｍ１のテトラヒドロフランで覆い、撹拌しながらゆっく りと２０ｍ１のテトラヒドロフラン中の１５．１３ｇ　（９２，８ミリモル）の ２−ブロモチオフェンの溶液で処理し、それにより反応温度を４０−５０°に保 った。グリニャル溶液を５０ｍＪのテトラヒドロフランで希釈し、滴下ロート中 に移し、６０ｍ１のテトラヒドロフラン中の１０ｇ　（１５，４６ミリモル）の （Ｒ５）−（６，６°−ジメチルビフェニル−２，２゛−ジイル）ビス（ホスホ ン酸ジフェニルエステル）の溶液に滴下した。６０′にて１６時間後、得られた 懸濁液を濾過し、濾液をＮＨ４Ｃｌ水溶液を用いて加水分解した。水相を分離し 、有機相を飽和水酸化ナトリウム溶液及び飽和ＮａＣ１溶液で連続して洗浄した 。ＮａｔＳＯｉ上で乾燥し、蒸発させた後、粗生成物をＣＨｚＣ１ｚ／ＥｔＯＨ （１／１）から再結晶した。５．　６３ｇの（ＲＳ）　−（６，６’−ジメチル ビフェニル−２，２′−ジイル）ビス（ジー２−チェニルホスフィンオキシト） をほとんど白色の結晶粉末として得た。

実施例５ 以下の化合物を実施例４と類似の方法で製造した：（Ｒ３）　−（６，６’−ジ メチルビフェニル−２，２゛−ジイル）ビス（ジー２−フリルホスフィンオキシ ト）蒐Ｈ−ＮＭＲ（２５０ＭＨｚ、ＣＤＣｌ５）　：　７．　６０　７、　２６ （ｍ。

６芳香族及び４複素芳香族Ｈ）　、　６．９５．６．９０．　６．４１．　６゜ ３０（４ｍ、いずれの場合も２複素芳香族Ｈ）、１．　８７　（ｓ、２芳香族Ｃ ＨＩ） （Ｒ３）　−（６，６’−ジメチルビフェニル−２，２°−ジイル）ビス（ジー ２−フリルホスフィン） ＩＲ（ＫＢｒ）：１５４６　（Ａｒ）、７８８　（１，２，３−三置換ベンゼン ） ’Ｈ−ＮＭＲ（２５０ＭＨｚ、ＣＤＣｌ５）：　７．７１−７．１０　（ｍ。

６芳香族及び４複素芳香族Ｈ）　；６．６７、６．　４１．　６．　３３．　６ ゜２７（４ｍ、いずれの場合も２複素芳香族Ｈ）　；　１．　５１　（ｓ、２芳 香族ＣＨ，） ＭＳ　：　３４５　（１００，Ｍ”　Ｐ　（Ｃ＜ＨｓＯ）ｚ）実施例６ 以下の化合物を実施例４ｂ）と類似の方法で製造した：（Ｒ）　−（６，６’− ジメチルビフェニル−２，２°−ジイル）ビス（ジー２−チェニルホスフィン） 融点１５２〜１５４°：　［α］　”ｏ”＋１６３　（ｃ＝１．ＣＨＣｌ５）。

（Ｓ）　−（６，６’−ジメチルビフェニル−２，２゛−ジイル）ビス（ジー２ −チェニルホスフィン）融点１５３−１５４’：　［α］　１０．−１６１、　 ６　（ｃ＝１．　ＣＨＣｌ　ｓ）。

それぞれ出発材料として用いた（Ｒ）−又は（Ｓ）　−（６，６’　−ジメチル ビフェニル−２，２゛−ジイル）ビス（ジー２−チェニルホスフィンオキシト） は、以下の要領で製造した：ａ）５゜４６ｇ（９，０ミリモル）の（Ｒ８）　− （６，６°−ジメチルビフェニル−２，２°−ジイル）ビス（ジー２−チェニル ホスフィンオキシト）［実施例４に従りて製造〕を、２５０ｍ１の丸底フラスコ 中で４０＠にて７５ｍ１のＣＨｚＣｈに溶解し、５５ｍ１の酢酸エチル中の３． 　２２ｇ　（９，０ミリモル）の＜−）−ｏ、　ｏ”　−ジベンゾイル−Ｌ−溢 石酸で処理した。Ｏｏで２時間撹拌した後、沈澱した固体を濾過し、各１０ｍ１ の酢酸エチルで２回洗浄し、約３０ｍ１のＣＨＩＣＩ□に溶解し、５０ｍ１のＩ ＮのＮａＯＨ溶液で処理した。有機相を水で２回洗浄し、続いてＮａｚｓｃＬ上 で乾燥した。溶液を濃縮し、残留物を約１０Ｐａで乾燥した後、１．１３ｇの（ Ｓ）−（６，６°−シメチルヒフェニルー２，２°−ジイル）ビス（ジー２−チ ェニルホスフィン）を白色結晶粉末として得た。［α］　”ｏ＝＋４２．６６　 （ｃ＝１．ＣＨＣＩｇ）。

ｂ）　ａ）から得た濾液をａ）に記載と類似の方法でＮａＯＨを用いて処理した 。３．　９ｇ　（６，４３ミリモル）の白色粉末を得、それを４０″にて２５ｍ 　１１７）ＣＨＩＣ１！に溶解し、１５ｍ１の酢酸エチル中の２、　３ｇ　（６ ，４３ミリモル）の（＋）　−〇、　Ｏ’　−ジベンゾイル−〇−酒石酸の溶液 と反応させた。得られた透明な溶液を０″に冷却し、ａ）に記載の要領で処理し た。１．８９ｇの（Ｒ）　−（６，６°−ジメチルビフェニル−２，２゛−ジイ ル）ビス（ジー２−チェニルホスフィン）を得た。［ａ］　”ｏ＝−４１，７５ （Ｃ＝１．０ＨＣＩＳ）。

実施例７ 以下の化合物を実施例４及び５と類似の方法で製造した：（Ｓ）−（６，６’− ジメチルビフェニル−２，２′−ジイル）ビス（ジー２−フリルホスフィンオキ シト）［α］：・ｏ＝＋６４．７　（Ｃ”１、ＣＨＣｌ５）。

（Ｓ＞　−（６，６’−ジメチルビフェニル−２，２′−ジイル）ビス（ジー２ −フリルホスフィン）融点１４５−１４６”：　［α］　＊＠、＝＋８８．６　 （ｃ−１，ＣＨＣＩｇ）。

（Ｒ）−（６，６°−ジメチルビフェニル−２，２゛−ジイル）ビス（ジー２− フリルホスフィンオキシト）［α］！・。−一６４．　９　（ｃ＝１、ＣＨＣｌ ５）。

（Ｒ）　−（６，６’−ジメチルビフェニル−２，２′−ジイル）ビス（ジー２ −フリルホスフィン）融点１４６−１４７”：　［α］！ＯＩＩ＋＝８８．８　 （ｃ＝１．ＣＨＣｌ３）。

実施例８ ａ）　１４ｍ１のＴＨＦ中の３．３５ｇ　（２５，０ミリモル）のベンゾチオフ ェンの溶液を、ヘキサン中の１４ｍ１の１．６Ｎブチルリチウム溶液（１９，６ ミリモル）に−７８＠にて数分内にカヌーラを経て流入させ、それにより温度が 一４５°に上昇した。得られた白色懸濁液を放置してＯｏに暖め、−１５”に冷 却し、この温度でさらに２０分間撹拌し、その後再度−７８６に冷却した。６． ０ｇ　（２３−２ミリモル）のマグネシウムジブロミドジエーテレート（ＭｇＢ ｒ＊・ＥｔｚＯ）を懸濁液に導入し、混合物を室温に暖めた。得られた溶液を２ ０ｍ１のＴＨＦで希釈し、−７８°にて０．９０ｇ　（２，００ミリモル）の（ Ｒ）−（６，６°−ジメトキシビフェニル−２，２゛−ジイル）ビス（ホスホン 酸ジクロリド）にカヌーラを経て流入させた。続いて混合物をＲＴに暖め、再度 ２０ｍ１のＴＨＦで希釈した。黄褐色の溶液を飽和ＮＨ４Ｃｌ溶液及び酢酸エチ ルで処理し、相を分離し、有機相を水及び飽和ＮａＣ１溶液で洗浄し、Ｍｇ５Ｏ Ａ上で乾燥し、濾過し、蒸発させた。残留物を最少量のＣＨ２Ｃｌ２に溶解し、 ５０ｇのシリカゲル（ヘキサン／酢酸エチル１：１及びＣＨＩＣＩ！／酢酸エチ ル２：８）上のクロマトグラフィーにかけ、それにより（Ｒ）−（６，６’　− ジメトキシビフェニル−２，２°−ジイル）ビス（ジベンゾ［ｂ］チオフェン− ２−イル）−ホスフィンオキシトをベージュ色の粉末として得た。ＣＨＩＣ１ｔ ／酢酸エチルからの再結晶により１．２０ｇ　（７２％）のベージュ色の粉末を 得た：融点３１３−３１５’：　［α］！−〇＝＋１３２．９　（ｃ＝１．ＣＨ Ｃｌ５）。

以下の化合物も前記と類似の方法で製造した：（Ｒ３）　−（６，６’−ジメト キシビフェニル−２，２°−ジイル）ビス（ジベンゾ［ｂｌチオフェン−２−イ ル）−ホスフィンオキシト、融点２９３−２９５＠（熱分解２９２．９つ、（Ｓ ）−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２゛−ジイル）ビス（ジベンゾ［ ｂ］チオフェン−２−イル）−ホスフィンオキシト、融点３１２−３１６°：　 ［ａ］　”ｏ＝−１３２，９（ｃ＝１．ＣＨＣＩｇ）。

ｂ）　上記ａ）に従って得たホスフィンオキシトを実施例１ｂ）に従つて還元し 、以下の化合物を得た： （Ｒ）　−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２゛−ジイル）ビス（ジベ ンゾ［ｂｌチオフェン−２−イル）−ホスフィン、融点２５２２５４”；　［ａ ］　”ｏ＝＋９４．９　（ｃ＝１．ＣＨＣｌ５）。

（Ｓ）　−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２゛−ジイル）ビス（ジベ ンゾ［ｂ］チオフェン−２−イル）−ホスフィン、融点２５２−２５３’；　ｃ ａ〕”・ｏ＝−９３，４（ｃ＝１．ＣＨＣｌ５）。

（Ｒ８）−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２°　−ジイル）ビス（ジ ベンゾ［ｂ］チオフェン−２−イル）−ホスフィンａ）で出発材料として用いた （Ｒ）　−（６，６’　−ジメトキシビフェニル−２，２°−ジイル）ビス（ホ スホン酸ジクロリド）は、以下の要領で製造した： ４゜８６ｇ　（１０，０ミリモル）の（Ｒ）　−（６，６’　−ジメトキシ　゛ ビフェニルー２．２′−ジイル）ビス（ホスホン酸ジエチルエステル）〔融点１ ２５−１２６°；　［ａ］　”ｏ＝＋３２．７　（ｃ＝１．ＣＨＣＩｓ）；実施 例１に従い対応するジフェニルエステルの製造に類似して製造］、１０ｍ１　（ １６，３３ｇ、１３７ミリモル）のチオニルクロリド及び１．０ｍｌの無水ジメ チルホルムアミドの溶液をアルゴン下で６時間煮沸還流した。その後過剰のチェ ニルクロリドを蒸留し、残留物を高真空（約１０Ｐａ）中１００’にて１時間乾 燥した。得られた粘性の油を３０ｍ１のＣＨＩＣＩ！中に取り上げた。少量の不 溶性物質の濾過後、濾液を４０ｍ１のエーテルで処理し、それにより白色粉末を 分離した。濾過、エーテルを用いた洗浄及び高真空（約１０Ｐａ）中での乾燥に より、３．１０ｇの（Ｒ）　−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２゛− ジイル）ビス（ホスホン酸ジクロリド）を融点１７２−１７８’：［α］　”ｏ ＝＋５１．３　（ｃ＝１．ＣＨＣｌ５）で得た。

以下の化合物を前記と類似の方法で製造した：（Ｓ）　−（６，６“−ジメトキ シビフェニル−２，２゛−ジイル）ビス（ホスホン酸ジクロリド）、融点１７２ −１７８＠：　［α］２″ロ＝−５０．２　（ｃ＝１．、ＣＨＣｌ５） （ＲＳ）−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２゛　−ジイル）ビス（ホ スホン酸ジクロリド）、融点１９５−１９８実施例９ 以下の化合物も実施例８と類似の方法で製造することができる：（Ｒ）　−（６ ，６°−ジメトキシビフェニル−２，２°−ジイル）ビス（ジベンゾ［ｂ］ｌフ ラン２−イル）−ホスフィンオキシト、融点２８８−２９２°；　［α］　”ｏ ＝＋８２．３　（ｃ＝１．ＣＨＣｌ、）。

（Ｒ）　−（６，６°−ジメトキシビフェニル−２，２゛−ジイル）ビス（ジベ ンゾ［ｂ］ｌフラン２−イル）−ホスフィン、融点２３９−２４１”；　［α］ 　”Ｄ＝＋３１．６　（ｃ＝１．　ＣＨＣｌ５）　６（Ｓ）　−（６，６’−ジ メトキシビフェニル−２，２゛−ジイル）ビス（ジベンゾ［ｂ］ｌフラン２−イ ル）−ホスフィンオキシト、融点２８７−２８９”；　［α］！・ｏ＝　８０． ８　（ｃ＝１．ＣＨＣＩｇ）。

（Ｓ）　−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２′−ジイル）ビス（ジベ ンゾ［ｂ］ｌフラン２−イル）−ホスフィン、融点２３９−２４０°；　［α］ 　２０Ｄ”−３０，６（ｃ＝１．ＣＨＣｌ５）。

（ＲＳ）−（６，６°−ジメトキシビフェニル−２，２°　−ジイル）ビス（ジ ベンゾ［ｂｌフラン−２−イル）−ホスフィンオキシト、（Ｒ３）　−（６，６ ’−ジメトキシビフェニル−２，２”　−ジイル）ビス（ジベンゾ［ｂ］ｌフラ ン２−イル）−ホスフィン、（Ｒ３）　−（６，６°−ジメトキシビフェニル− ２，２°−ジイル）ビス［ビス（５−メチルフラン−２−イル）−ホスフィンオ キシト、融点２０１−２０４’ （Ｒ３）　−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２°　−ジイル）ビス［ ビス（５−メチルフラン−２−イル）−ホスフィン］、融点１５９−１６０゜ （Ｒ）　−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２′−ジイル）ビス［ビス （５−メチルフラン−２−イル）−ホスフィンオキシト］、融点２３１−２３４ ’＋　ｃα］　”ｏ＝−８７，８（ｃ＝１．　ＣＨＣｌ５）。

（Ｒ）　−（６，６”−ジメトキシビフェニル−２，２“−ジイル）ビス［ビス （５−メチルフラン−２−イル）−ホスフィン］、融点１４６−１５０８：　［ α］　”ｏ＝＋２０．６　（ｃ＝Ｌ　ＣＨＣｉｓ）。

（Ｓ）　−（６，６”−ジメトキシビフェニル−２，２゛−ジイル）ビス［ビス （５−メチルフラン−２−イル）−ホスフィンオキシト］、融点２２９−２３３ ”：　［α］　”ｏ”−７２，４（ｃ＝１．　ＣＨＣＬ）。

（Ｓ）　−（６，６°−ジメトキシビフェニル−２，２゛−ジイル）ビス［ビス （５−メチルフラン−２−イル）−ホスフィン］、融点１４６−１５０°、［α ］　”ｏ＝　２０．１　（ｃ＝１．ＣＨＣｌ５）。

（Ｒ８）　−（６，６°−ジメトキシビフェニル−２，２°　−ジイル）ビス［ ビス（１−メチルビロール−２−イル）−ホスフィンオキシト、融点２９７−２ ９９” （Ｒ８）　−（６，６°−ジメトキシビフェニル−２，２゛　−ジイル）ビス〔 ビス（１−メチルビロール−２−イル）−−−ホスフインコ、融点１６２−１６ ６’ （Ｒ）−（６，６°−ジフトキンビフェニル−２，２゛−ジイル）ビス［ビス（ １−メチルビロール−２−イル）−ホスフィンオキシト］、融点２９ｇ−３０２ °：［αコ２・ｏ＝＋　１２．　４　（ｃ＝１．ＣＨＣＩ　ｓ）。

（Ｒ）　−（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２゛−ジイル）ビス［ビス （ｌ−メチルビロール−２−イル）−ホスフィン〕、（Ｓ）　−（６，６’−ジ メトキシビフェニル−２，２゛−ジイル）ビス［ビス（１−メチルビロール−２ −イル）−ホスフィンオキシト］、Ｃ５”）　−（６，６’−ジメトキシビフェ ニル−２，２°−ジイル）ビス［ビス（１−メチルビロール−２−イル）−ホス フインコ。

実施例１０ ａ）　グローブボックス（酸素含有量＜ｉｐｐｍ）中の５Ｑｍｌメスフラスコ中 で、９．７ｍｇ　（０，０２ミリモル）のジクロロ−ビス−（１，５−シクロオ クタジエン）−ジロジウム及び２２．　７ｍｇ　（０゜０４ミリモル）の（Ｓ） 　−（６，６’−ジメチルビフェニル−２，２゛−ジイル）ビス（ジー２−チェ ニルホスフィン）を室温で撹拌しながら５０ｍ１のトルエン中に溶解した。オレ ンジ−赤色の透明な触媒溶液が１０分以内で形成された。

ｂ）　グローブボックス（０ヱ含有量＜ｌｐｐｍ）中で５００ｍ１のオートクレ ーブに１６．ｌ１ｇ　（７８，８５ミリモル）の（Ｅ）−３−（４−ｔｅｒｔ、 ブチルフェニル）−２−メチル−２−プロペン−１−オール、１４５ｍ１のトル エン及び５ｍｌの触媒溶液（ａ）に従う）を装填した。この混合物を、１００′ ″、６０バールＨ１の一定圧力で強力に撹拌しながら水素化した。２２時間後の 変換率は〉９９％であった。オートクレーブから淡黄色水素化溶液を濯ぎ出し、 回転蒸発器上で６０゜／１７ミリバールにて蒸発させた。残留物を１４０°１０ ．０１ミリノく一ルで蒸留した。１６．０ｇ　（９９，０％）の（Ｒ）　、−３ −（４−ｔ　ｅｒｔ、ブチルフェニル）−２−メチルプロパン−１−オールをエ ナンチオマー純度９１，３％ｅ、ｅ、の無色の油として得た。

（Ｒ）　−（６，６’−ジメチルビフェニル−２，２゛−ジイル）ビス（ジー２ −チェニルホスフィン）から調製した触媒を用い、前記と類似の方法で水素化を 行った。この場合エナンチオマー純度は９０．２％ｅ。

ａ）　グローブボックス（０！含有量＜ｉｐｐｍ）中の１００ｍ１のメスフラス コ中で、１１．２ｍｇ　（０，０１３ミリモル）のテトラ−μｍトリフルオロア セテート−ビス（１，５−シクロオクタジエン）ジルテニウム（Ｉ　Ｉ）及び１ ３．２ｍｇ　（０，０２６ミリモル）の（Ｓ）−（６，６’−ジメチルビフェニ ル−２，２°−ジイル）ビス（ジー２−フリルホスフィン）を室温で撹拌しなが ら１００ｍ１のメタノールに溶解した。

ｂ）　グローブボックス（Ｏｘ含有量＜ｉｐｐｍ）中の５００ｍ１のオートクレ ーブに２４．０ｇ　（１５５，６ミリモル）の（Ｅ）　−３，７−シメチルオク ター２，６−ノニン−１−オール、２２ｍ１のメタノール及び１００ｍ１の触媒 溶液を装填した。この混合物を、２０１．６０バールＨ，の一定圧力で強力に撹 拌しながら水素化した。４８時間後の変換率は１００％であった。淡黄色水素化 溶液をオートクレーブから濯ぎ出し、６０°／１７ミリバールにて回転蒸発器上 で蒸発させた。残留物を６５’１０．０１ミリバールにて蒸留した。２３．８ｇ の（Ｒ）−３，７−シメチルー６−オクテンー１−オールをエナンチオマー純度 ９８．４％ｅ、ｅ、の無色の油として得た。

実施例１２ （Ｓ）　−（６，６°−ジメチルビフェニル−２，２′−ジイル）ビス（ジー２ −チェニルホスフィン）から調製した触媒溶液を用い、実施例９と類似の方法で （Ｅ）−３，７−シメチルオクター２．６−ノニン−１−オールを水素化した。

この場合、エナンチオマー純度は９８．８％ｅ、ｅ、であった。

要　約　書 式 ［式中、Ｒは低級アルキル、低級アルコキシ又は保護されたヒドロキシ基であり 、Ｒ１は５−員の複素芳香環であり、Ｒ１は低級アルキル又は低級アルコキシで あり、ｎは０．１又は２の数である］の新規なラセミ及び光学活性のリン化合物 を記載する。

式■の化合物は、第ＶＩＩＩ族の金属との錯体の形態で非対称水素化及びプロキ ラルなアリル系におけるエナンチオマー選択的水素置換のための触媒として役立 つ。

国際調査報告

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼Ｉ ［気中、Ｒは低級アルキル、低級アルコキシ又は保護されたヒドロキシ基であり 、Ｒ１は５−員の複素芳香環でむり、Ｒ２は低級アルキル又は低級アルコキシで あり、ｎは０、１又は２の数である］のラセミ及び光学活性のリン化合物。 ２．（Ｒ）又は（Ｓ）型である請求の範囲第１項に記載のリン化合物。 ３．ｎが０の数である、請求の範囲第１又は２項に記載のリン化合物。 ４．Ｒ１が２−フリル、３−フリル、２−チエニル、５−メチルフラン−２−イ ル、２−ベンゾ［ｂ］フラニル、ジベンゾ［ｂ］チオフェン−２−イル又は１− メチルピロール−２−イルである請求の範囲第１−３項のいずれかひとつに記載 のリン化合物。 ６．（ＲＳ）−、（Ｒ）−又は（Ｓ）−ジメトキシビフェニル−２，２′−ジイ ル）ビス（ジ−２−フリルホスフィン）。 ７．（ＲＳ）−、（Ｒ）−又は（Ｓ）−ジメトキシビフェニル−２，２′−ジイ ル）ビス（ジ−２−チェニルホスフィン）。 ８．（ＲＳ）−、（Ｒ）−又は（Ｓ）−ジメチルビフェニル−２，２−ジイル） ビス（ジ−２−フリルホスフィン）。 ９．（ＲＳ）−、（Ｒ）−又は（Ｓ）−ジメチルビフェニル−２，２−ジイル） ビス（ジ−２−チェニルホスフィン）。 １０．一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ＩＩ［式中、Ｒは低級アルキル、低級アルコ キシ又は保護されたヒドロキシ基であり、Ｒ２は低級アルキル又は低級アルコキ シであり、ｎは０、１又は２の数であり、 Ｒ５は低級アルコキシ、フェノキシ、ベンジルオキシ、塩素又は臭素を示す］ のラセミ又は光学活性の化合物を式 Ｒ１ＭｇＸ又はＲ１Ｌｉ ［式中、Ｒ１は５−員の複素芳香環であり、Ｘは塩素、臭素又はヨウ素を示す］ の化合物と反応させて式 ▲数式、化学式、表等があります▼ＩＩＩ〔式中、Ｒ、Ｒ１、Ｒ２及びｎは上記 と同義である］の化合物を得、所望によりＯ，Ｏ′−ジベンゾイル酒石酸又はＯ ，Ｏ′−ジ−ｐ−トルイル酒石酸を用いて（Ｒ）型及び（Ｓ）型に分割した後、 これを還元し、式Ｉの化合物とすることからなる、一般式▲数式、化学式、表等 があります▼Ｉ のうセミ及び光学活性のリン化合物の製造法。