JPH05507503A - キラルなホスフイン - Google Patents

キラルなホスフイン

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JPH05507503A JP92505915A JP50591592A JPH05507503A JP H05507503 A JPH05507503 A JP H05507503A JP 92505915 A JP92505915 A JP 92505915A JP 50591592 A JP50591592 A JP 50591592A JP H05507503 A JPH05507503 A JP H05507503A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 キラルなホスフィン 本発明は、一般式 式中、 Rは低級アルキル、低級アルコキシまたは保護されたヒドロキシであり、 R+は低級アルコキシ、フェノキシ、ベンジルオキシ、塩素または臭素であり、 R2は低級アルキルまたは低級アルコキシであり、そしてnは0.1または2で ある、 の新規なラセミ体の及び光学的に活性なリン化合物に関する。
本発明は、また、式Iのリン化合物の製造に関する。
用語「低級アルキル」は、本発明の範囲において、1〜4個の炭素原子を有する 直鎖状もしくは分枝鎖状のアルキル基、例えば、メチル、エチル、プロピル、イ ソプロピル、n−ブチル、イソブチルおよびt−ブチルを意味する。用語「低級 アルコキシ」は、アルキル残基が上の意味を有する基を意味する。用語「フェノ キシ」および「ベンジルオキシ」は、本発明の範囲において、フェニル残基が置 換されていないばかりでなく、かつまたメタ−またはバラ−位置において置換さ れているか、あるいは多置換されていてもよい置換基を意味する。低級アルキル 基、好ましくはメチル基は、ことにここで置換基として考えられる。ヒドロキシ 基の保護基として、本発明の範囲において、ことに通常のエーテル形成基、例え ば、ベンジル、アリル、ベンジルオキシカルボニル、低級アルコキシメチル、2 −メトキシエトキシメチルなどが考えられる。
式■のリン化合物は、ラセミ体の形態でばかりでなく、かつまた光学的に活性な 形態で存在することができる。Rが低級アルキルである式■の組成物のうちで、 光学的に活性な化合物は好ましい。
そのうえ、式Iの好ましい化合物は、nがOであり、R1がフェノキシ、エトキ シまたは塩素であり、そしてRがメトキシ、メトキシメチルまたはメチル、こと にメトキシである化合物である。
弐Iのことに好ましい化合物は、次の通りである:(RS)−(6,6’−ジメ トキシビフェニル−2,2” −ジイル)ビス(ホスホン酸ジフェニルエステル )、(R)−または(S) −(6,6’−ジメトキシビフェニル−2,2゛− ジイル)ビス(ホスホン酸ジフェニルエステル)、(R3) −(6,6’−ジ メトキシビフェニル−2,2°−ジイル)ビス(ホスホン酸ジエチルエステル) 、 (R)−または(S) −(6,6’−ジメトキシビフェニル−2,2゛−ジイ ル)ビス(ホスホン酸ジエチルエステル)、(R5)−[6,6’−ビス(ジメ トキシメトキシ)ビフェニル−2゜2゛ −ジイル〕ビス(ホスホン酸ジフェニ ルエステル)、(R)−または(S)−[6,6°−ビス(ジメトキシメトキシ )ビフェニル−2,2′ −ジイル]ビス(ホスホン酸ジフェニルエステル)、 (R3) −(6,6°−ジメチルビフェニル−2,2′−ジイル)ビス(ホス ホン酸ジフェニルエステル)、(R)−または(S) −(6,6’−ジメチル ビフェニル−2,2゛−ジイル)ビス(ホスホン酸ジフェニルエステル)、(R S) −(6,6’−ジメチルビフェニル−2,2゛−ジイル)ビス(ホスホン 酸ジエチルエステル)、 (R)−または(S) −(6,6°−ジメチルビフェニル−2,2゜〜ジイル )ビス(ホスホン酸ジエチルエステル)、(R3)−(6,6°−ジメトキシビ フェニル−2,2′ −ジイル)ビス(ホスホン酸ジクロライド)、 (R)−または(S) −(6,6’−ジメトキシビフェニル−2,2′−ジイ ル)ビス(ホスホン酸ジクロライド)。
本発明による式Iの化合物は、例えば、式式中、 R,R”およびnは上記の意味を有し、そしてR3は低級アルコキシ、フェノキ シまたはベンジルオキシである、の化合物をウルマンカップリング(Ull■a nn coupling)に付し、必要に応じて、こうして得られる(R3)型 で存在する式式中、 R,R”、R3およびnは上記の意味を有する、の化合物を、ジベンゾイル酒石 酸またはジ−p−トルイル酒石酸を使用して、(R)型および(S)型に分割し そして、必要に応じて、式IIIのラセミ体のまたは光学的に活性なリン化合物 の中のR3により表される低級アルコキシ基を塩素または臭素で置換するするこ とによって、調製することができる。
式(I I)の化合物を(R3)型で存在する式IIIの化合物に転化すること は、本発明に従いウルマンカップリlグにより実施する。これはそれ自体知られ ておりかつこれに通常のウルマンのカップリングにより実施することができる反 応である。こうして、この反応は式IIの化合物を不活性有機溶媒、例えば、N 、 N−ジメチルホルムアミド中で、例えば、ヨウ素で活性化した銅粉末ととも に約り10℃〜約200℃の温度に加熱することによって実施することができる 。必要に応じて、反応は、また、溶媒の不存在下に、すなわち、溶融物中で実施 することができる。
出発物質として使用する一般式■lの化合物は新規でありそして、また、本発明 の目的である。Rが低級アルキルと異なるとき、それらは、例えば、一般式 式中、 R2、R3およびnは上記の意味を有し、そしてR4は低級アルコキシまたは保 護されたヒドロキシである、の化合物をオルト−リチウム化/ヨウ素化反応にか けることによって製造することができる。
式Ivの化合物のオルト−リチウム化はそれ自体知られている方法で実施するこ とができる。例えば、この反応はは式IVの化合物をリチウムアミド、例えば、 リチウムジイソプロピルアミドまたはリチウム2゜2、 6. 6−チトラメチ ルビベリジンと、テトラヒドロフラン中で0℃以下、好ましくは約−50℃〜約 −78℃の温度において、反応させることによって実施することができる。引き 続くヨウ素化は便利には分子状ヨウ素、ICIまたはIBrを使用して、同様に テトラヒドロフラン中で同様に一50℃以下の温度において実施することができ る。
Rが低級アルキルである式IIの出発物質は、例えば、式式中、 R2、R3およびnは上記の意味を有し、そしてR4は低級アルキルである、 の化合物から出発して製造することができる。
これは、便利には、ニトロ基のアミノ基への一般に知られている還元により、例 えば、触媒、例えば、Pd/Cの存在下に水素により還元し、引き続いてそれ自 体知られている方法によりジアゾ化/ヨウ素化することによって実施する。
出発物質として使用する式IVおよび■の化合物は、既知の化合物であるか、あ るいはそれ自体知られている方法により容易に調製することができる既知の化合 物に類似する:化合物IV、例えば、J、J、モナグル(Monagle)et  al、、ジャーナル・オブ・オーガニック・ケミストリー(J、Org、Ch em、) 、32,2477 (1967)に従う、および化合物V、例えば、 K、S、ペトラキス(Petrkis)et al、、ジャーナル・オブ・アメ リカン・ケミカル・ソサイアティ−(J、Am、Chem、Soc、) 、19 87.109.2831に従う。
(RS)型で存在するIIIの化合物の(−)−または(+) −0゜0゛ − ジベンゾイル酒石酸(D B T)または(−)−または(+) −0゜0゛− ジ−p−トルイル酒石酸(DTT)によるラセミ体の分割は、ホスフィンオキシ トのラセミ体の分割に類似する方法で実施することができるが、これは実際には 技術水準に関すると予期せざることであった。
これは便利には不活性有機溶媒中で約り℃〜約60℃の温度において実施される 。溶媒として、ここでことにクロロホルム、塩化メチレン、酢酸エチル、酢酸イ ソプロピル、アセトン、アルコール、例えば、メタノールまたはエタノールなど 、ならびにそれらの混合物を述べることのできる。
式IIIの化合物と(−)−または(+)−DBTまたはDTTとのこうして得 られた付加物は、引き続いて、無機塩基でホスフィンオキシトの付加物に類似す る方法で処理することができ、これによりそれぞれの(R)または(S)型が遊 離する。
R3が式IIIのラセミ体のまたは光学的に活性なリン化合物において低級アル コキシであるとき、これは塩素または臭素で置換することができる。この置換は それ自体知られている方法で、例えば、塩化チオニル、臭化チオニルまたは五酸 化リンとの反応により不活性有機溶媒中で実施することができる。
あるいは、Rが低級アルキルである式IIIの化合物は、式式中、 R2およびnは上記の意味を有し、そしてR゛は低級アルキルである、 から出発して得ることができる。
これは簡単なかつそれ自体知られている方法において、例えば、式V■の化合物 を式 式中、 R3は上記の意味を有する、 の化合物と、第三アミン、例えば、トリエチルアミンおよび触媒、例えば、Pd  (P−(フェニル)3)4の存在下にまたは触媒、例えば、Pdel、または NiC1□の存在下に反応させることによって実施することができる。
式lの化合物、ことに光学的に活性な形態は、既知であるばかりでなく、かつま た新規なジホスフィン配位子の調製における価値ある中間体である。さらに、こ れらは遷移金属、ことにVIII族の金属、例えば、ルテニウム、ロジウムまた はイリジウム、これらは、なかでも、非対称水素化において触媒として働く、と の錯塩の価値ある構築ブリックである。
式■の化合物は述べたジホスフィン配位子の中に容易に転化することができる。
この場合において、R1が低級アルコキシである式Iの化合物を使用するとき、 低級アルコキシは好ましくはまず塩素または臭素で置換することを考慮しなくて はならない。
この転化は、便利には、式 %式% 式中、 Xは塩素、臭素またはヨウ素である、 のアリール−またはヘテロアリール−グリニヤール化合物またはリチウム化合物 との反応により実施し、ここで式中中、 RSR”およびnは上記の意味を有し、そしてR5は、例えば、フェニル、置換 フェニルまたはα−フリルである、の化合物が得られ、引き続いてこれを還元し て、式中中、 R,R”、nおよびR5は上記の意味を有する、のジホスフィン配位子にする。
ことに置換基R5の意味に依存して、式VIIIの化合物は既知であるか、ある いは新規なジホスフィン配位子である。
式■の化合物とR’MgXまたはR’L iとの反応はそれ自体知られている方 法で実施することができる。好ましくは、これは、例えば、グリニヤール反応の 条件下に実施する。好ましくは、R1がフェノキンである式■の化合物を式R5 MgXの化合物と反応させ、モしてR1が塩素または臭素である化合物を式R’ −LiまたはR’MgXの化合物と反応させる。
式V[iのラセミ体化合物または(R)または(S)型で存在する化合物の還元 は、それ自体知られている方法で実施することができる。これは、例えば、シラ ン、例えば、トリクロロシランで芳香族炭化水素、例えば、沸騰するキシレンま たはアセトニトリルなどの中で、便利には補助塩基、例えば、トリエチルアミン または好ましくはトリブチルアミンの存在下に実施することができる。必要に応 じて、この還元は圧力下にオートクレーブ中で実施することができる。
Rが低級アルキルである式IIIの化合物に関して、一般に、式VIIまたはV IIIの引き続く化合物の段階においてラセミ体の分割を実施することが好まし い。しかしながら、またこの場合において、ラセミ体の分割はそれ自体知られて いる方法、例えば、S、オーツカ(Otsuka)et a+、 、ジャーナル ・オブ・アメリカン・ケミカル・ソサイアティ−(J、Am、Chem、Soc 、) 、1971.93.4301に記載されている方法に従い実施することが できる。
すべての前述の反応−ラセミ体の分割を除外するーは、便利には、不活性ガス、 例えば、アルゴンまたは窒素の雰囲気下に実施する。
式■の化合物の製造および使用に類似して、次の式中中、 R1は上記の意味を有する、 のビナフチル型の化合物は、同様に製造しそして使用することができる。
ビナフチル環は通常の方法で置換することができる。
次の実施例によって、本発明をさらに説明する。これらの実施例は本発明を限定 するものではない。これらの実施例において、選択した略号は次の意味を有する 。
TLC:薄層クロマトグラフィー DBT:O,o’ −ジベンゾイル酒石酸すべての温度はセ氏である。
実施例1 a)76.5g (0,122モル)の(2−ヨード−3−メトキシフェニル) ホスホン酸ジフェニルエステル(75%の純度)および25.0g (0,39 3モル)の活性化銅粉末を、アルゴン雰囲気下に、凝縮器、温度計および不活性 ガスの処理のためのへッドビースを装備した1リツトルの4首スルホン化フラス コの中に入れ、そして200m1のN、 N−ジメチルホルムアミドを流入させ た。暗褐色懸濁液を140℃(油浴温度)に1時間加熱した後、TLC分析に従 うと完全な転化が起こった。
冷却した反応混合物を丸底フラスコの中に塩化メチレンで移し、そして70℃で 回転蒸発器により蒸発乾固した。残留物を200m1の塩化メチレンで処理し、 この混合物をよく撹拌し、濾過し、そして濾過残留物を100m、Iの塩化メチ レンで洗浄した。濾液を100m1の飽和NH4Cl溶液で3回洗浄し、これに より少量の形成した固体を最初の洗浄操作で濾過し、引き続いて硫酸マグネシウ ムで乾燥し、濾過し、そして濃縮した。高真空(約10Pa)下に80℃で2時 間乾燥した後、59゜6gの粗製の(R3) −(6,6’−ジメトキシビフェ ニル−2,2′−ジイル)ビス(ホスホン酸ジフェニルエステル)が得られた。
ba)50mlのジクロロメタン中のa)に従い得られた59. 6gの粗製の ジフェニルエステルの溶液を1リツトルの丸底フラスコの中に入れ、そして10 0m1の酢酸エチル中の35.8g (0,10モル)の(−) −0,0’  −ジベンゾイル−L−酒石酸で処理した。次いでこの溶液を回転蒸発器で600 ミリバールにおいて蒸発させ、これによりCH2Cl2を蒸留除去し、そして白 色固体が分離した。これを吸引濾過し、20m1の酢酸エチルおよび20m1の へキサンで3回洗浄し、そして高真空(約10Pa)下に乾燥した。21.8g の(R)−ジフェニルエステル/ (−)−DBT付加物が白色粉末として得ら れた。[α]o”−−95,6(c=1、エタノール中)。
母液および洗浄溶液を1つの側に配置して、他方の対車体を得た。
bb)機械的撹拌機を有する1リツトルのエルシンマイヤーフラスコ中で、ba )に従い得られた物質を100m1のジクロロメタン、50m1の飽和N a  HCO、溶液および50m1の蒸留水で、固体のすべてが溶解するまで(30分 )、粉砕した。相を分離し、そして有機相をIQQmlの半飽和NaHC○3溶 液で2回、50m1の蒸留水および50m1の飽和NaCI溶液で洗浄し、硫酸 マグネシウムで乾燥し、濾過し、そして蒸発させた。油状残留物を20m1のt −ブチルメチルエステルで処理し、これにより結晶化が開始した。蒸発および高 真空(約10Pa)下に60℃で1時間乾燥後、13.8gの(R) −(6, 6゜−ジメチルビフェニルー2,2°−ジイル)ビス(ホスホン酸ジフェニルエ ステル)が白色結晶として得られた。融点125−125.5℃。
[α] D”−18,9(c=1、CHCl、中)。
ca)lリットルの丸底フラスコ中でba)からの母液および洗浄溶液を蒸発さ せた。残留物を100m1のジクロロメタンの中に取り、そしてこの溶液を50 m1の飽和NaHC○3溶液および50m1の脱イオン水と共に30分間粉砕し た。相を分離し、そして有機相をlQQmlの半飽和NaHCO,溶液、50m 1の脱イオン水および50m1の飽和NaCi溶液で洗浄し、Mg5O,上で乾 燥し、濾過し、そして濃縮した。得られた褐色油状物を50m1のジクロロメタ ン中に取り、そしてこの溶液を100m1の酢酸エチル中の18.0g (0, 050モル)のo、 o’ −ジベンゾイル−D−酒石酸の溶液で処理した。次 いでこの溶液を回転蒸発器で600ミリバールにおいて濃縮し、これによりCH ,CI2を留去し、そして白色固体が分離した。これを吸引濾過し、20m1の 酢酸エチルおよび20m1のヘキサンで3回洗浄し、そして高真空(約10Pa )下に乾燥した。22gの(S)−ジフェニルエステル/ (+)−DBT付加 物が淡黄色粉末として得られた。[α] D26”+96 (c=1、エタノー ル中)。
cb)ca)に従い得られた物質をbb)に記載するように処理した。
13.9gの(S) −(6,6’ −ジメトキシビフェニル−2,2’ −ジ イル)ビス(ホスホン酸ジフェニルエステル)が白色結晶として得られた。融点 1.24−125℃: [α] D”=+18.7 (c=1、CHCh中)。
d)出発物質として使用した(2−ヨード−3−メトキシフェニル)ホスホン酸 ジフェニルエステルは次のようにして製造した:daa)50mlの乾燥テトラ ヒドロフラン中の13. 0g (0,535モル)のマグネシウム削り片の懸 濁液を、アルゴン雰囲気下に5撹拌機、凝縮器、温度計および不活性ガス処理の ためのへッドビースを装備した0、5リツトルの4つ首フラスコの中に入れた。
次いで200m1の乾燥テトラヒドロフラン中の93.5g (0,50モル) の3−ブロモアニソールの溶液を90分以内に、反応温度が35℃を越えないよ うな方法で、滴々添加した。添加後、この混合物を追加の150m1の乾燥テト ラヒドロフランで希釈して、グリニヤール試薬の沈澱を防止した。
dab)259.8g (0,967モル)のジフェニルクロロホスフェートお よび200m1の乾燥テトラヒドロフランを、撹拌機、凝縮器、温度計および不 活性ガス処理のためのへッドビースおよびCO2/アセトンの冷却浴を装備した 領 5リツトルの4つ首フラスコの中に入れ、そしてこの溶液を一78℃に冷却 した。ここでこれにbaa)に従い調製したグリニヤール試薬の溶液を、反応温 度が一70℃を越えないような方法で、滴々添加した。添加の完結後、この混合 物を撹拌しながら室温に一夜加温させた。反応混合物は、多少の微細な白色沈澱 を含有し、10リツトルの撹拌容器内で2リツトルの氷水、2リツトルの飽和N aHCO3溶液および1リツトルのジエチルエーテルの混合物の中に注いだ。1 0分間激しく撹拌した後、水性相を分離し、そして有機相を順次に1リツトルの 飽和N a HCO3溶液、200m1の25%のアンモニアで洗浄しそして5 00m1の飽和NaCI溶液で3回洗浄した。硫酸マグネシウムで乾燥した後、 この溶液を蒸発させ、残留物を1リツトルのジエチルエーテル中に取り、そして この溶液を0℃に一夜放置した。
これにより分離した白色固体(12g)を濾過により除去し、そして廃棄した。
濾液を蒸発させ、高真空(約10Pa)下に乾燥し、得られた残留物(163g の黄色性)を300m1のへキサン/トルエン1:1中に取り、そしてこの溶液 を500gのシリカゲルで濾過した。まず3リツトルのへキサンおよび8リツト ルのヘキサン/酢酸エチル9:1で溶離し、その後2リットルのヘキサン/酢酸 エチル4:14:1および2リツトルのヘキサン/酢酸エチル7:3で洗浄する ことによって、高真空(約10Pa)下に40℃で乾燥後、118gのわずかに 黄色がかった油として(3−メトキシフェニル)ホスホン酸ジフェニルエステル が得られた。
db)撹拌機、温度計、不活性ガス処理のためのへッドビース、圧力バランスを もつ滴下漏斗およびCot/アセトン冷却浴を装備した、1゜5リツトルの4つ 首フラスコの中に、300m1の乾燥テトラヒドロフランを入れた。70m1  (0,412モル)の2.2. 6. 6−チトラメチルピベリジンを注射器を 使用してそれに添加し、そしてこの溶液を一78℃に冷却した。210m1 ( 0,336モル)のヘキサン中の1゜6Nのブチルリチウム溶液を鋼のカニユー レを経て滴下漏斗の中に充填した。ブチルリチウム溶液を反応器の中に約10分 以内に滴下して入れ、これにより温度は約−50℃に上昇し、そして白色沈澱が 形成した。C0、/アセトン冷却浴を氷/エタノール浴と置換し、そして反応混 合物を約−15℃にさらに30分間撹拌し、次いで再び一78℃に加熱した。
250m1の乾燥テトラヒドロフランおよび95. 2g (0,280モル) の(3−メトキシフェニル)ホスホン酸ジフェニルエステル(dabからの物質 )をアルゴン雰囲気下に別の1リツトルの丸底フラスコの中に入れ、そしてこの 溶液を一78℃に冷却する。ここでこの溶液を鋼のカニユーレを経て上の反応混 合物の中に約10分以内に入れ、これにより温度は約−68℃に上昇し、そして 半透明のカラメル色の溶液が生じた。これは−78℃でさらに30分間撹拌した 。
150m1の乾燥テトラヒドロフラン中の71.06g (0,280モル)の 溶液を別の250m1のシュシンク(Schlenk)管の中でtIl製し、そ してこの溶液を鋼のカニユーレを経て反応装置の滴下漏斗の中に移した。ここで 反応混合物を15分以内にヨウ素溶液の急速滴々添加により滴定し、これにより 反応温度は一65℃に上昇した。約170m1のヨウ素溶液のうちの約145m 1を添加した後、反応混合物の赤の着色が止まるとき、添加を中断し、そして反 応混合物を放置して0℃に加温した。次いで、反応混合物を200m1の脱イオ ン水中の100gのチオ硫酸ナトリウム5H,Oの溶液を150m1で処理し、 激しく撹拌し、引き続いて100m1の飽和N a HCOs溶液で処理した。
2相系を濾過して形成した沈澱を除去し、そして相を分離した。水性相を250 m1の酢酸エチルで再抽出し、そして−緒にした有機相を250m1の飽和Na Cl溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し、そして蒸発させた。残留物を5 00m1の酢酸エチル中に取り、そしてこの溶液を250m1の脱イオン水で3 回そして250m1の飽和NaC1溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し、 濾過し、そして濃縮した。
残留物を500m1の酢酸エチル中に取り、そしてこの溶液を250m1の脱イ オン水で3回そして250m1の飽和NaC1溶液で洗浄し、硫酸マグネシウム で乾燥し、濾過しそして濃縮した。残留物(118gの黄色相)を170m1の トルエン中に取り、そしてこの溶液を115m1のへキサンで処理し、これによ り白色沈澱が分離した。これを濾過により除去し、そして濾液を450gのシリ カゲルのカラムに適用した。
副生物をまず2リツトルのヘキサン/酢酸エチル9:1および3リツトルのヘキ サン/酢酸エチル8:2で溶離した。引き続いて、最終生成物を含有する分画は 2リツトルのヘキサン/酢酸エチル7:3で溶離した。
蒸発および高真空(約10Pa)下に60℃で乾燥後、76.5gのオレンジ色 相が得られた。これはIH−NMR分析に従い75モルにの(2−ヨード−3− メトキシフェニル)ホスホン酸ジフェニルエステルから実施例1に類似する方法 で次の化合物を調製した:(R8) −L (6,6°−ジメトキシビフェニル −2,2゛ −ジイル)ビス(ホスホン酸ジエチルエステル)、融点145−1 46℃。
(S)〜(6,6’−ジメトキシビフェニル−2,2゛−ジイル)ビス(ホスホ ン酸ジエチルエステル)、融点125−126℃:[α] o”=−33,3( c=L CHC1,中)。
(R) −(6,6’−ジメトキシビフェニル−2,2゛−ジイル)ビス(ホス ホン酸ジエチルエステノの、融点I25−126℃:[α] o”=+32.7  (c=1、CHCl3中)。
(2−ヨード−3−メトキシフェニル)ホスホン酸ジエチルエステル、融点99 −101℃。
(R8) −r、6. 6“−ビス(ジメトキシメトキン)ビフェニル−2゜2 ゛ −ジイル]ビス(ホスホン酸ジエチルエステル)。
(R) −[6,6’−ビス(ジメトキシメトキシ)ビフェニル−2゜2°−ジ イル]ビス(ホスホン酸ジエチルエステル)、融点119−120°C: [α ]。”=−22(c=l、CHCl 3中)。
(S)−[6,6’−ビス(ジメトキシメトキシ)ビフェニル−2゜2゛ −ジ イル1ビス(ホスホン酸ジエチルエステル)、融点118−119℃; [α]  o2o=+20. 6 (c=1、CHCl3中)。
[2−ヨード−3−(メトキシメトキシ)フェニル]ホスホン酸ジエチルエステ ル。
実施例3 2.43g(5,0モル)の(R3) −(6,6’ −ジメトキシビフェニル −2,2°−ジイル)ビス(ホスホン酸ジエチルエステル)(実施例2に従い調 製した) 、3.63m1 (5,93g、50ミリモル)の塩化チオニルおよ び0.38m1の乾燥N、 N−ジメチルホルムアミドの溶液をアルゴン雰囲気 下に3時間還流沸騰させた。過剰の塩化チオニルを引き続いて蒸留し、そして残 留物を高真空(約10Pa)下に100℃に1時間乾燥した。得られた粘性油を CH2Cl2の中に取った。少量の不溶性物質を濾過した後、白色粉末を分離し た。濾過し、エーテルで洗浄し、そして高真空(約10Pa)下に乾燥すると、 1.60gの(R3) −(6,6°−ジメトキシビフェニル−2,2′−ジイ ル)ビス(ホスホン酸ジクロライド)が得られた、融点195−198℃。
上に類似する方法で次の化合物を調製した:(R) −(6,6’−ジメトキシ ビフェニル−2,2゛−ジイル)ビス(ホスホン酸ジクロライド)、融点172 −178℃: 〔α] D20.。
+51.3 (c=1、CHCl5中)。
(S) −(6,6’−ジメトキシビフェニル−2,2′−ジイル)ビス(ホス ホン酸ジクロライド)、融点172−178℃: [α]。2°=−50,2( c=1、CHCIj中)。
実施例4 実施例1aに類似する方法で次の化合物を調製した:(R5) −(6,6’− ジメチルビフェニル−2,2゛−ジイル)ビス(ホスホン酸ジエチルエステル) 、黄色相として。
’H−NMR;250 MHz/CDCl5)ニア、83 (dd、J=7゜5 .14.5. 2芳香族のH);7.45−7.30(m、4芳香族のH):4 .0 3.6 (m、2P (OCHzCHl)z); 1.99(s、2CH s):1.14 (t、J=7.2P (OCH2CCH2Cl2MS (19 8,037): 454 (71,Mつ、317 (100,M″″F (0)  (OE t) z)。
出発物質として使用した(2−ヨード−3−メチルフェニル)ホスホン酸ジエチ ルエステルは次のようにして調製した:a)15.52g (55ミリモル)の トリフルオロメタンスルホン酸無水物を、50m1のピリジン中の7.66g  (50ミリモル)の3−メチル−2−二トロフェノールの溶液に一5℃において 30分以内に滴々添加した。反応混合物を一り℃〜室温において一夜撹拌し、エ ーテルで希釈し、そして氷水中に注いだ。有機相は分離し、IN塩酸、飽和Na HcOsおよび飽和NaC1溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過し 、そして蒸発した。残留物はヘキサン/エーテル1:1で濾過し、その後12g のトリフルオロメタンスルホン酸(2−ニトロ−3−メチルフェニルエステル) が無色の結晶として得られた、融点24−26℃。
b)1.43g (5,0ミリモル)のトリフルオロメタンスルホン酸(2−ニ トロ−3−メチルフェニルエステル) 、 0. 76g (5,5ミリモル) のジエチルホスファイト、0. 76g (7,5ミリモル)のトリエチルアミ ン、0.20g (0,173ミリモル)のテトラキス(トリフェニル−ホスフ ィン)パラジウムおよび5mlのトルエンの混合物を90℃に40時間加熱した 。暗い黄色の溶液をエーテルおよびH20処理し、相を分離し、そして有機相を H!0.2N塩酸、飽和NaHCO3溶液および飽和NaC1溶液で洗浄し、硫 酸ナトリウムで乾燥し、濾過し、そして蒸発させた。シリカゲルのクロマトグラ フィー(ヘキサン/酢酸エチル25〜40%)は、0.906gの2−二トロー 3−メチルフェニルホスフィン酸ジエチルエステルが黄色液状として得られた。
C)50mlのエタノール中の3.62g (13,25ミリモル)の2−二ト ロー3−メチルフェニルホスフィン酸ジエチルエステルを、200mgの5%P d/Cの存在下に1気圧のR2下に水素化した。5時間後、この混合物を酢酸エ チルで希釈し、少量のStowで濾過し、そして蒸発し、次いで3.31gの( 2−アミノ−3−メチルフェニル)ホスホン酸ジエチルエステルが赤味がかうた 油として得られた。
d)5mlの[20中の914mg (13,25ミリモル)のNaNO2の溶 液を、12m1の50%H2S OA中の3. 31g (13,25ミリモル )の(2−アミノ−3−メチルフェニル)ホスホン酸ジエチルエステルの溶液に 、0℃において20分以内に滴々添加した。さらに10分間撹拌した後、反応混 合物を10m1のエーテルでカバーし、そして12.5mlのH,O中の3.3 0g (19,88ミリモ/l/) (7)K 1の溶液を0〜5℃において滴 々添加した。添加の完結後、この混合物を10m1のエーテルで処理し、モして 2相系を0℃〜室温においてさらに2時間撹拌した。仕上げのために、この混合 物を少量のN a 2 S z Osで、そしてエーテルおよびHtOで処理し 、相を分離し、そして有機相を2N塩酸、H,O,飽和NaHCO,溶液および 飽和HCI溶液で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過し、そして蒸発させた 。シリカゲルのクロマトグラフィー(ヘキサン/酢酸エチル1:1)にかけ、次 いで20m1のヘキサン/2mlのエーテルから一15℃において結晶化すると 、3.47gの(2−ヨード−3−メチルフェニル)ホスホン酸ジエチルエステ ルが白色結晶として得られた、融点56−58℃。
実施例5 4.40g (10,1ミリモル)の(RS) −2,2° −ショート−6, 6′−ジメチルビフェニル、75mg (0,42ミリモル)のPdel、およ び4.07g (24,5ミリモル)のトリエチルホスファイトの混合物を16 0℃(浴温度)に撹拌しながら加熱した。形成した臭化エチルを蒸留ブリッジで 弱いN、流の助けにより蒸留除去した。各場合において1時間の期間後、反応混 合物をさらに各回3つの部分の4゜07 (24,5ミリモル)のトリエチルホ スファイトで処理した。5時間後、過剰のトリエチルホスファイトを高真空(約 10Pa)下に80〜100℃で蒸留した。残留する褐色相をシリカゲルのクロ マトグラフィー(ヘキサン/酢酸エチル1:1、次いで酢酸エチル/EtOHO %→10%)にかけ、これにより1.80gの(R3) −(6,6’ −ジメ チルビフェニル−2,2′−ジイル)ビス(ホスホン酸ジエチルエステル)が得 られた。分析試料をバルブチューブで約220℃(0,2ミリバール)において 蒸留した。
IR(410409/120;film):1245 (P=O):1056. 1026 (P−0) 、784 (1,2,3−3置換ベンゼン)。
’HNMR(303747;250 MH2/CDC13)ニア、83 (dd 、J=7.5. 14.5. 2芳香族のH) ;7.45−7.30 (m、 4芳香族のH) ; 4.03 3.6 (m、2P (OCHzCHs)z)  ; 1.99 (S、2CHs): 1.14 (t、J=7.2P (OC HzCHs)z)。
MS(2494,30) コ454 (70,M つ 、3I7 (100,M ”[P (0)(OEt)2] )。
実施例6 20g (46,07ミリモル)の(R9)−2,2’ −ショート−6゜6゛ −ジメチルビフェニル、23.72g (101,3ミリモル)のジフェニルホ スファイト、12g (119ミリモル)のトリエチルアミンおよび2.62g  (2,26ミリモル)のPd(P−(フェニル)3)4をシュレンク管中で撹 拌しながら100℃に20時間加熱した。その後、反応混合物を回転蒸発器で濃 縮し、残留物をCHzC1z中に溶解し、そしてNaOH溶液で処理した。有機 相を水で洗浄し、そして硫酸ナトリウムで乾燥した。有機相の濃縮に得られた残 留物をメタノールから再結晶化した。21.1gの(R5) −(6,6” − ジメチルビフェニル−2,2゛−ジイル)ビス(ホスホン酸ジフェニルエステル )が淡ベージュ色の粉末得られた。
IR(KBr)+1592.1490.1277.1214.1185.115 7.926.764.733.687゜’HNMR; (250MHz、CDC l5):8.12−6.74 (m。
26芳香族のH) 、198 (s、2芳香族のCF(3)。
MS : 646 (0,3,M’): 553 (100,M”−OC,Hs ): 413(M“−P (0) (Oa Hs ) z。
実施例7 a)678mg (10ミリモル)の(R) −(6,6’ −ジメトキシビフ ェニル−2,2゛−ジイル)ビ、b(ホスホン酸ジフェニルエステル)(実施例 1に従い調製した)を、10m1のテトラヒドロフラン中の1゜57g(10ミ リモル)のブロモベンゼンおよび243mg (10ミリモル)のマグネシウム 削り片から調製したフェニルマグネシウムプロミドの中に室温において導入した 。反応混合物を室温において30分間撹拌し、引き続いて還流下に2時間沸騰さ せた。仕上げのために、この混合物を50m1の飽和NH4Cl溶液および50 m1の酢酸エチルで処理し、相を分離し、そして有機相を飽和NaCl溶液で洗 浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過し、そして濃縮した。残留物を少量のC H2C1t中に溶解し、そしてこの溶液を50gのカラムに適用した。酢酸エチ ルで溶離し、次いでテトラヒドロフランで溶離すると、白色粉末が得られ、これ をCH2CI 2/ t−ブチルメチルエーテルから結晶化した。
510mgの(R)−(6,6’ −ジメトキシビフェニ/Lz−2,2’ − ジイル)ビス(ジフェニルホスフィンオキシト)。融点337℃(熱分析);  [a] o”=+128.4 (c=1、CHCl3中)。
b)凝縮器、温度計、滴下漏斗および機械的撹拌機を装備した0、5リツトルの 4つ首フラスコに、アルゴン雰囲気下に、4. 50g (6゜12ミリモル) の(R) −(6,6°−ジメトキシビフェニル−2,2′−ジイル)ビス(ジ フェニルホスフィンオキシト) 、10m1 (41゜9ミリモル)のトリブチ ルアミン、60m1のキシレン異性体混合物および4.0ml (5,37g、 39.6ミリモル)のトリクロロキシレンを供給した。ミルク状白色混合物を還 流下に4時間加熱し、これによりほとんど半透明の溶液が生じた。冷却後、10 0m1の脱酸素した30%の水酸化ナトリウム溶液を撹拌しながら内部温度が7 0℃を越えないような方法で添加し、そしてこの混合物を70℃でさらに1時間 撹拌した。H,OおよびCH2Cl□の添加後、相を分離し、そして有機相を2 X50mlの30%の水酸化ナトリウム溶液、R20および飽和NH。
C1溶液およびNaC1溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過し、そ して蒸発させた。得られた白色粉末(4,40g)をCH,C12中に溶解し、 この溶液をエタノールで処理し、そしてCH,C1,を回転蒸発器で蒸発させた 。沈澱した固体を濾過し、エタノールおよびペンタンで洗浄し、そして高真空( 約10Pa)下に100℃で1時間乾燥した。3.90gの(R) −(6,6 ’ −ジメトキシビフェニル−2゜2゛−ジイル)ビス(ジフェニルホスフィン )が白色結晶として得られた:融点214−215℃:[α] o”=+42. 4(c=1、CHCl。
中)。
類似する方法で次の化合物を調製した:(S) −(6,6°−ジフトキンビフ ェニル−2,2゛−ジイル)ビス(ジフェニルホスフィンオキシト)、融点33 6.5℃(熱分析):[αコ o”=−130,4(c=1、 CHCl5中)  。
(S) −(6,6°−ジメトキシビフェニル−2,2゛−ジイル)ビス(ジフ ェニルホスフィンオキシト)、融点214−215℃:[α] o”=−41, 、7(c=1、CHCl3中)。
(RS) −(6,6’−ジメトキシビフェニル−2,2°−ジイル)ビス(ジ ー1)−トリルホスフィンオキシト)、融点300℃(熱分析)。
(RS) −(6,6’−ジメトキシビフェニル−2,2゛ −ジイル)ビス( ジー1)−)リルホスフィンオキシド)、融点247−249℃。
(R) −(6,6°−ジメトキシビフェニル−2,2゛−ジイル)ビス(ジ− p−トリルホスフィンオキシト)、融点318℃; [α] o20=+103 .5 (c=1、CHCl3中)。
(S) −(6,6’−ジメトキシビフェニル−2,2′−ジイル)ビス(ジ− p−トリルホスフィンオキシト)、融点321℃: [α]。2G=−105( c=1、CHCl5中)。
(R) −(6,6°−ジメトキシビフェニル−2,2゛−ジイル)ビス(ジ− p−トリルホスフィンオキシト)、融点209−210℃:[αコ o”= + 33. 2 (c=1、 CHCis中)。
(S) −(6,6’−ジメトキシビフェニル−2,2′−ジイル)ビス(ジー p−)リルホスフィンオキシド)、融点208−209°C:[α] o20= −32,5(c=1、CHCl3中)。
(RS) −(6,6’−ジメトキシビフェニル−2,2′ −ジイル)ビス[ ビス(p−メトキシフェニル)ホスフィンオキシト〕、融点282−283℃。
(R3) −(6,6”−ジメトキシビフェニル−2,2′ −ジイル)ビス[ ビス(p−メトキンフェニル)ホスフインコ。
(R) −(6,6’−ジメトキシビフェニル−2,2°−ジイル)ビス〔ビス (p−メトキシフェニル)ホスフィンオキジトコ、融点213−214℃、[α ] t+”=+92. 5 (c=1、CHCl3中)。
(S)−(6,6’−ジメトキシビフェニル−2,2゛−ジイル)ビス[ビス( p−メトキンフェニル)ホスフィンオキシト]、融点207−208℃; [α ] 、2°=−93,6(c=1、CHCl3中)。
(R) −(6,6’−ジメトキシビフェニル−2,2゛−ジイル)ビス[ビス (p−メトキシフェニル)ホスフィン]、融点225−226℃; Cαコ o ”=+ 7. 5 (c = 1、 CHCJs中ン 。
(S) −(6,6°−ジメトキシビフェニル−2,2゛−ジイル)ビス[ビス (p−メトキシフェニル)ホスフィン]、融点225−226’C+[α] o ”= 7.3 (c=1、CHCl5中)。
(R)−(6,6°−ジメトキシビフェニル−2,2°−ジイル)ビス(ジー4 −ビフェニルホスフィンオキシト)。
(S) −(6,6’−ジメトキシビフェニル−2,2′−ジイル)ビス(ジー 4−ビフェニルホスフィンオキシト)。
(R)−(6,6’−ジメトキシビフェニル−2,2゛−ジイル)ビス(ジー4 −ビフェニルホスフィン)、[α] o20=+39 (c=1、C)fc13 中)。
(S)−(6,6’−ジフトキンビフェニル−2,2゛−ジイル)ビス(ジー4 −ビフェニルホスフィン)、[α] 02°=−39,4(c=1、CHCl、 中)。
a)10mlのテトラヒドロフラン中の1.57g (10,0ミリモル)のブ ロモベンゼンおよび0.243g (10,0ミリモル)のから調製したフェニ ルマグネシウムプロミドの溶液を、−78℃において、100m1のテトラヒド ロフラン中の448mg (1,0ミリモル)の(R) −(6,6’−ジメト キシビフェニル−2,2°−ジイル)ビス(ホスホン酸ジクロライド)の溶液に 滴々添加した。添加の完結後、冷却浴を除去し、そして反応混合物を室温に加温 した。仕上げのために、混合物を飽和NH4Cl溶液で処理し、有機相を分離し 、飽和NaC1溶液で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過し、そして蒸発さ せた。
残留物をCH2Cl□中に取り、この溶液を酢酸エチルで処理し、そしてCH, CI2を回転蒸発器で蒸発させた。濾過および乾燥すると、0.50gの(R)  −(6,6’−ジメトキシビフェニル−2,2゛ −ジイル)ビス(ジフェニ ルホスフィンオキシト)が白色粉末として得られた:[α] o”==+127 .7 (c=1、CHCl3中)。
要釣書 式 式中、 Rは低級アルキル、低級アルコキシまたは保護されたヒドロキシであり、 R1は低級アルコキシ、フェノキン、ベンジルオキシ、塩素また【よ臭素であり 、 R2は低級アルキルまたは低級アルコキシであり、そしてnは0,1または2で ある、 の新規なラセミ体の及び光学的に活性なリン化合物を記載する。これらの化合物 は、既知であるばかりでなく、かつまた新規なジホスフィン配位子の製造におけ る価値ある中間体である。
国際調査報告

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼I 式中、 Rは低級アルキル、低級アルコキシまたは保護されたヒドロキシであり、 R1は低級アルコキシ、フェノキシ、ベンジルオキシ、塩素または臭素であり、 R2は低級アルキルまたは低級アルコキシであり、そしてnは0、1または2で ある、 のラセミ体の及び光学的に活性なリン化合物。 2、nは0である請求の範囲第1項記載のラセミ体の及び光学的に活性なリン化 合物。 3、R1がフェノキシ、エトキシまたは塩素であり、そしてRがメトキシ、メト キシメチルまたはメチルである請求の範囲第1または2項記載のラセミ体の及び 光学的に活性なリン化合物。 4、(RS)−、(R)−または(S)−(6,6′−ジメトキシビフェニル− 2,2′−ジイル)ビス(ホスホン酸ジフェニルエステル)。 5、(RS)−、(R)−または(S)−(6,6−ジメトキシビフェニル−2 ,2′−ジイル)ビス(ホスホン酸ジエチルエステル)。 6、(RS)−、(R)−または(S)−(6,6′−ジメチルビフェニル−2 ,2′−ジイル)ビス(ホスホン酸ジフェニルエステル)。 7、(RS)−、(R)−または(S)−(6,6′−ジメチルビフェニル−2 ,2′−ジイル)ビス(ホスホン酸ジエチルエステル)。 8、(RS)−、(R)−または(S)−(6,6′−ジメトキシビフェニル− 2,2′−ジイル)ビス(ホスホン酸ジクロライド)。 9、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼I 式中、 Rは低級アルキル、低級アルコキシまたは保護されたヒドロキシであり、 R1は低級アルコキシ、フェノキシ、ベンジルオキシ、塩素または臭素であり、 R2は低級アルキルまたは低級アルコキシであり、そしてnは0、1または2で ある、 のラセミ体のまたは光学的に活性なリン化合物の製造する方法であって、式 ▲数式、化学式、表等があります▼II式中、 R、R2およびnは上記の意味を有し、そしてR3は低級アルコキシ、フェノキ シまたはベンジルオキシである、の化合物をウルマンカップリングに付し、必要 に応じて、こうして得られる式 ▲数式、化学式、表等があります▼III式中、 R、R2、R3およびnは上記の意味を有する、の、(RS)型で存在する化合 物を、ジベンゾイル酒石酸またはジ−p−トルイル酒石酸を使用して、(R)型 および(S)型に分割しそして、必要に応じて、式IIIのラセミ体のまたは光 学的に活性なリン化合物中のR3により表される低級アルコキシ基を塩素または 臭素で置換することを特徴とする方法。
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