JPH0469392A - ホスフィン化合物の製法及びその中間体並びにそれらの製法 - Google Patents
ホスフィン化合物の製法及びその中間体並びにそれらの製法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は構造式(1)で表されるホスフィン化合物の製
法及びその中間体並びにそれらの製法に関し、更に詳し
くは構造式(X) Ph−P−CI□ (X) (式中、Phはフェニル基を示す、) で表されるジクロロフェニルホスフィンに一般式(■) (式中、Phは前記に同じ、) で表されるジアステレオマー混合物とし、該混合物(■
)を分離せず若しくは分離して構造式(Vl)で表され
るジアステレオマー混合物若しくは分離物とするか、又
は構造式(X)で表されるジクロロフェニルホスフィン
を塩基の存在下に(=)−メントールを反応させ、次い
でボラン−テトラヒドロフラン錯体を反応させ、更に還
元剤で還元反応を行い、構造式(IX)(式中、Xはハ
ロゲン原子を示す、) で表されるグリニアール試薬を反応させ、次いで塩基の
存在下に(−)−メントールを反応させ、更にポラン−
テトラヒドロフラン錯体(BH3(式中、Phは前記に
同し、) で表されるジアステレオマー混合物とし、該混合物を分
離し、又は分離せずして一般式(■)(式中、Yはハロ
ゲン原子を示す。) で表されるハライド類を触媒の存在下に反応させ、構造
式(Vl)で表されるジアステレオマー混合物又は分離
物とし、該分離物(Vl)を構造式(V) CHs−Li (V)で表され
るリチウム化合物と反応させ、構造式(式中、Rは低級
アルキル基を示す、)で表されるアルキルリチウム頻々
反応させ、構造式 ([) (式中、Phは前記に同じ。) で表されるエナンチオマーにあるいずれかの化合物とし
、該化合物(II)を塩基と反応させることを特徴とす
る構造式(1) (式中、Phは前記に同し、) で表されるエナンチオマーにあるいずれかの化合物を製
造し、該化合物を塩化銅の存在下に一般式(III) R−Li (m ) (式中、Phは前記に同じ。) で表されるエナンチオマーにあるいずれかのホスフィン
化合物の製法及びその中間体並びにそれらの製法に関す
るものである。
法及びその中間体並びにそれらの製法に関し、更に詳し
くは構造式(X) Ph−P−CI□ (X) (式中、Phはフェニル基を示す、) で表されるジクロロフェニルホスフィンに一般式(■) (式中、Phは前記に同じ、) で表されるジアステレオマー混合物とし、該混合物(■
)を分離せず若しくは分離して構造式(Vl)で表され
るジアステレオマー混合物若しくは分離物とするか、又
は構造式(X)で表されるジクロロフェニルホスフィン
を塩基の存在下に(=)−メントールを反応させ、次い
でボラン−テトラヒドロフラン錯体を反応させ、更に還
元剤で還元反応を行い、構造式(IX)(式中、Xはハ
ロゲン原子を示す、) で表されるグリニアール試薬を反応させ、次いで塩基の
存在下に(−)−メントールを反応させ、更にポラン−
テトラヒドロフラン錯体(BH3(式中、Phは前記に
同し、) で表されるジアステレオマー混合物とし、該混合物を分
離し、又は分離せずして一般式(■)(式中、Yはハロ
ゲン原子を示す。) で表されるハライド類を触媒の存在下に反応させ、構造
式(Vl)で表されるジアステレオマー混合物又は分離
物とし、該分離物(Vl)を構造式(V) CHs−Li (V)で表され
るリチウム化合物と反応させ、構造式(式中、Rは低級
アルキル基を示す、)で表されるアルキルリチウム頻々
反応させ、構造式 ([) (式中、Phは前記に同じ。) で表されるエナンチオマーにあるいずれかの化合物とし
、該化合物(II)を塩基と反応させることを特徴とす
る構造式(1) (式中、Phは前記に同し、) で表されるエナンチオマーにあるいずれかの化合物を製
造し、該化合物を塩化銅の存在下に一般式(III) R−Li (m ) (式中、Phは前記に同じ。) で表されるエナンチオマーにあるいずれかのホスフィン
化合物の製法及びその中間体並びにそれらの製法に関す
るものである。
本発明の製法により製造される構造式(I)で表される
ホスフィン化合物は不斉触媒の配位子として種々の不斉
合成に使用することができるものである。
ホスフィン化合物は不斉触媒の配位子として種々の不斉
合成に使用することができるものである。
不斉触媒として光学活性ホスフィン配位子の有用性がH
orner、 Kagan、 Knowles等により
報告されて以来、多数の光学活性ホスフィン配位子が合
成され、不斉触媒能が検討されてきた。
orner、 Kagan、 Knowles等により
報告されて以来、多数の光学活性ホスフィン配位子が合
成され、不斉触媒能が検討されてきた。
これまでに公表された配位子は500以上にのぼり、こ
れらの中には極めて高い選択性を示すものも少なくない
。
れらの中には極めて高い選択性を示すものも少なくない
。
しかし、選択性が高いだけでなく、非常に高い触媒活性
(基t/触媒>10000)を示し、且つオレフィンの
水素化のみならず、カルボニル化合物の還元、ヒドロシ
リル化、異性化、炭素−炭素結合生成反応等に幅広く通
用できる配位子はごくわずかである。
(基t/触媒>10000)を示し、且つオレフィンの
水素化のみならず、カルボニル化合物の還元、ヒドロシ
リル化、異性化、炭素−炭素結合生成反応等に幅広く通
用できる配位子はごくわずかである。
極めて高い不斉収率を与える配位子としては、リン原子
自身に不斉中心を有する光学活性ビスホスフィン、例え
ば(S、5)−1,4−ビス(0−アニシルフェニルホ
スフィノ)フタン(D I PAMP)が挙げられるが
、従来法によるこの種の配位子の合成は著しく困難であ
り、簡便な合成法の開発が強く望まれている。
自身に不斉中心を有する光学活性ビスホスフィン、例え
ば(S、5)−1,4−ビス(0−アニシルフェニルホ
スフィノ)フタン(D I PAMP)が挙げられるが
、従来法によるこの種の配位子の合成は著しく困難であ
り、簡便な合成法の開発が強く望まれている。
本発明者等は上記D I PAMPの新規製造法を見出
すべく、鋭意研究を重ね、ホスフィン・ボランの特異な
反応性を利用することにより、リン原子上に不斉中心を
有するホスフィン配位子を光学純度100%で合成でき
るものと考え、光学的に純粋なホスフィン・ボランの製
法を開発し、本発明を完成させたものである。
すべく、鋭意研究を重ね、ホスフィン・ボランの特異な
反応性を利用することにより、リン原子上に不斉中心を
有するホスフィン配位子を光学純度100%で合成でき
るものと考え、光学的に純粋なホスフィン・ボランの製
法を開発し、本発明を完成させたものである。
本発明の製造方法を図式的に示すと例えば下記の通り示
すことができる。
すことができる。
Ph−P−C1゜
(IV)
(IX)
(1’L’−1)
(■
(■
(Vl−2)
(式中、Pbはフェニル基を示し、Rは低級アルキル基
を示し、Menは(−)−メントールを示し、X及びY
は同−又は異なっても良いハロゲン原子を示す、) 即ち、■構造式(X)で表されるジクロロフェニルホス
フィンに不活性溶媒の存在下に一般式(■)で表される
グリニアール試薬を反応させ、次いで塩基の存在下に(
−)−メントールを反応させ、更にポラン−テトラヒド
ロフラン錯体(BHy−”rHpf#体)を反応させ、
構造式(Vl)で表されるジアステレオマー混合物とし
、該混合物(Vl)を分離し、構造式(Vl−1)又は
(Vl−2)で表されるジアステレオマー分H物とする
か、■構造式(X)で表されるジクロロフェニルホスフ
ィンと(−)−メントールを不活性溶媒及び塩基の存在
下に反応させ、次いでBHニーT)IF錯体を反応させ
、更に還元剤により還元反応することにより、構造式(
IX)で表されるジアステレオマー混合物とし、該混合
物(IX)を−散大(■)で表されるハライド類と反応
させ、構造式(■)で表されるジアステレオマー混合物
とし、該混合物を分離することにより構造式(Vl−1
)又は(VI−2)で表される分離物とするか、■構造
式(X)で表されるジクロロフェニルホスフィンと(−
)−メントールを不活性溶媒及び塩基の存在下に反応さ
せ、次いでBL−THFif体を反応させ、更に還元剤
により還元反応することにより、構造式(IX)で表さ
れるジアステレオマー混合物とし、該混合物(IX)を
分離し、構造式(IX−1)及び(■〜2)で表される
分離物とし、該化合物(IX−1)(IX−2)を−散
大(■)で表されるハライド類と不活性溶媒及び塩基の
存在下に反応させ構造式(Vl−1)又は(Vl−2)
で表されるジアステレオマー分離物を製造する。
を示し、Menは(−)−メントールを示し、X及びY
は同−又は異なっても良いハロゲン原子を示す、) 即ち、■構造式(X)で表されるジクロロフェニルホス
フィンに不活性溶媒の存在下に一般式(■)で表される
グリニアール試薬を反応させ、次いで塩基の存在下に(
−)−メントールを反応させ、更にポラン−テトラヒド
ロフラン錯体(BHy−”rHpf#体)を反応させ、
構造式(Vl)で表されるジアステレオマー混合物とし
、該混合物(Vl)を分離し、構造式(Vl−1)又は
(Vl−2)で表されるジアステレオマー分H物とする
か、■構造式(X)で表されるジクロロフェニルホスフ
ィンと(−)−メントールを不活性溶媒及び塩基の存在
下に反応させ、次いでBHニーT)IF錯体を反応させ
、更に還元剤により還元反応することにより、構造式(
IX)で表されるジアステレオマー混合物とし、該混合
物(IX)を−散大(■)で表されるハライド類と反応
させ、構造式(■)で表されるジアステレオマー混合物
とし、該混合物を分離することにより構造式(Vl−1
)又は(VI−2)で表される分離物とするか、■構造
式(X)で表されるジクロロフェニルホスフィンと(−
)−メントールを不活性溶媒及び塩基の存在下に反応さ
せ、次いでBL−THFif体を反応させ、更に還元剤
により還元反応することにより、構造式(IX)で表さ
れるジアステレオマー混合物とし、該混合物(IX)を
分離し、構造式(IX−1)及び(■〜2)で表される
分離物とし、該化合物(IX−1)(IX−2)を−散
大(■)で表されるハライド類と不活性溶媒及び塩基の
存在下に反応させ構造式(Vl−1)又は(Vl−2)
で表されるジアステレオマー分離物を製造する。
上記方法により製造される構造式(Vl−1)又は(V
[−2)で表されるジアステレマー分離物のいずれかを
構造式(V)で表されるリチウム化合物と反応させるこ
とにより構造式(IV−1)又は(rV−2)で表され
るいずれかのエナンチオマー分離物を製造することがで
きる。
[−2)で表されるジアステレマー分離物のいずれかを
構造式(V)で表されるリチウム化合物と反応させるこ
とにより構造式(IV−1)又は(rV−2)で表され
るいずれかのエナンチオマー分離物を製造することがで
きる。
又構造式(X)より上記方法により各工程で得られるジ
アステレオマー混合物を単離せずして、構造式(TV)
で表されるエナンチオマー混合物を製造し、この段階で
エナンチオマーを分離して構造式(IV−1)又は(I
V−2)で表されるエナンチオマー分離物を製造するこ
ともできる。
アステレオマー混合物を単離せずして、構造式(TV)
で表されるエナンチオマー混合物を製造し、この段階で
エナンチオマーを分離して構造式(IV−1)又は(I
V−2)で表されるエナンチオマー分離物を製造するこ
ともできる。
次いで、エナンチオマー分離物(IV−1)又は(IV
−2)を塩化銅の存在下に構造式(I[[)で表される
リチウム化合物と反応させ、構造式(II)で表される
構造式(rV−1)又は(■2)に由来するいずれかの
エナンチオマー分離物とし、該分離物と塩基を反応させ
ることにより構造式(1)で表されるいずれかのエナン
チオマーであるホスフィン化合物を製造することができ
る。
−2)を塩化銅の存在下に構造式(I[[)で表される
リチウム化合物と反応させ、構造式(II)で表される
構造式(rV−1)又は(■2)に由来するいずれかの
エナンチオマー分離物とし、該分離物と塩基を反応させ
ることにより構造式(1)で表されるいずれかのエナン
チオマーであるホスフィン化合物を製造することができ
る。
A、 (X) → (〜り )
本反応で使用できる不活性溶媒としては、本反応の進行
を阻害しないものであれば良く、例えばジエチルエーテ
ル、テトラヒドロフラン等の鎖状又は環状エーテル類を
使用することができる。
を阻害しないものであれば良く、例えばジエチルエーテ
ル、テトラヒドロフラン等の鎖状又は環状エーテル類を
使用することができる。
本反応で使用するグリニアール試薬の調製は通常用いら
れる方法で調製して使用することができる。
れる方法で調製して使用することができる。
グリニアール試薬の使用量は構造式(X)で表されるジ
クロロフェニルホスフィンに対して等モル乃至2倍モル
の範囲から選択すれば良く、好ましくは等モル乃至1.
3倍モルの範囲である。
クロロフェニルホスフィンに対して等モル乃至2倍モル
の範囲から選択すれば良く、好ましくは等モル乃至1.
3倍モルの範囲である。
グリニアール試薬の滴下温度ははo′c以下の温度であ
り、好ましくは−50’C乃至一80″Cの範囲である
。
り、好ましくは−50’C乃至一80″Cの範囲である
。
本反応はアルゴン雰囲気下で行うのが好ましい
滴下終了後、光学活性アルコールの−っである(−)−
メント一ルを塩基の存在下に添加すれば良い。
メント一ルを塩基の存在下に添加すれば良い。
光学’18 性アルコールは(−)−メントールにとく
に限定されるものではない。
に限定されるものではない。
(−)−メント一ルの使用量は構造式(X)で表される
ジクロロフェニルホスフィンに対して等モル乃至1.5
倍モルの範囲がら選択すれば良く、好ましくは1.0乃
至1.3倍モルの範囲である。
ジクロロフェニルホスフィンに対して等モル乃至1.5
倍モルの範囲がら選択すれば良く、好ましくは1.0乃
至1.3倍モルの範囲である。
本反応で使用できる塩基としては有機塩基又は無機塩基
を使用することができ、好ましくはトリエチルアミン、
ピリジン等の有機塩基の使用が良い。
を使用することができ、好ましくはトリエチルアミン、
ピリジン等の有機塩基の使用が良い。
本反応は一80°C乃至室温の範囲で行えば良く、好ま
しくは反応系に(−)−メントール及び塩基を添加する
際は一50°C乃至−80°Cの範囲であり、添加後は
徐々に室温までの範囲で反応を行えば良い。
しくは反応系に(−)−メントール及び塩基を添加する
際は一50°C乃至−80°Cの範囲であり、添加後は
徐々に室温までの範囲で反応を行えば良い。
反応時間は反応量、反応温度等により一定しないが数分
乃至48時間の範囲で行えば良い。
乃至48時間の範囲で行えば良い。
反応終了後、反応系から生成する塩を除き、BH3−T
)IF錯体を加え反応することにより目的物を製造する
ことができる。
)IF錯体を加え反応することにより目的物を製造する
ことができる。
8113−THF錯体は市販されているものを使用すれ
ば良く、その量は一般式(X)で表されるジクロロフェ
ニルホスフィンに対して等モル以上反応系内に存在すれ
ばよい。
ば良く、その量は一般式(X)で表されるジクロロフェ
ニルホスフィンに対して等モル以上反応系内に存在すれ
ばよい。
反応温度は0℃乃至室温の範囲から選択してで行えば良
い。
い。
反応時間は反応量、反応温度等により一定しないが数分
乃至48時間の範囲で行えば良い。
乃至48時間の範囲で行えば良い。
反応終了後、常法により目的物を含む反応液からジアス
テレオマーとして単離し、例えば再結晶法、カラムクロ
マトグラフィー法、液体クロマトグラフィー法、薄層ク
ロマトグラフィー法等によりノアステレオマ−を分離す
ることができる。
テレオマーとして単離し、例えば再結晶法、カラムクロ
マトグラフィー法、液体クロマトグラフィー法、薄層ク
ロマトグラフィー法等によりノアステレオマ−を分離す
ることができる。
旦、 (×)→(IX)→(IX−1)、 (IX−
2)本反応で使用できる不活性溶媒としてはAで例示の
不活性溶媒を使用することができる。
2)本反応で使用できる不活性溶媒としてはAで例示の
不活性溶媒を使用することができる。
光学活性アルコールの−っであるである(=)−メント
ールを塩基の存在下に添加すれば良いが、光学活性アル
コールとしてはこれに限定されるものではない。
ールを塩基の存在下に添加すれば良いが、光学活性アル
コールとしてはこれに限定されるものではない。
(−)−メントールの使用量は構造式(X)で表される
ジクロロフェニルホスフィンに対して等モル乃至1.5
倍モルの範囲から選択すれば良く、好ましくば等モル乃
至若干過剰モルの範囲である。
ジクロロフェニルホスフィンに対して等モル乃至1.5
倍モルの範囲から選択すれば良く、好ましくば等モル乃
至若干過剰モルの範囲である。
本反応で使用できる塩基としては有機塩基又は無機塩基
を使用することができ、好ましくはトリエチルアミン、
ピリジン等の有機塩基の使用が良い。
を使用することができ、好ましくはトリエチルアミン、
ピリジン等の有機塩基の使用が良い。
本反応は0°C乃至室温の範囲で行えば良く、好ましく
は室温付近の温度で行うのが良い。
は室温付近の温度で行うのが良い。
反応時間は反応量、反応温度等により一定しないが数分
乃至48時間の範囲で行えば良い。
乃至48時間の範囲で行えば良い。
次いで、反応系から生成する塩を除き、BHaTHF錯
体及び還元剤を加えて反応を行えば良い。
体及び還元剤を加えて反応を行えば良い。
BHz−丁HF錯体及び還元剤の添加はO′C付近の温
度下で行うのが良く、添加後、徐々に室温付近までの温
度で反応を行えば良い。
度下で行うのが良く、添加後、徐々に室温付近までの温
度で反応を行えば良い。
B)IニーT)IF錯体は市販されているものを使用す
れば良く、その量は構造式(X)で表されるジクロロフ
ェニルホスフィンに対して等モル以上反応系内に存在す
ればよい。
れば良く、その量は構造式(X)で表されるジクロロフ
ェニルホスフィンに対して等モル以上反応系内に存在す
ればよい。
還元剤としては、例えばリチウムアルミニウムハイドラ
イド(LiAIH,)等の還元剤を使用すれば良い、そ
の添加量は構造式(X)で表されるジクロロフェニルホ
スフィンに対して等モル乃至1.5倍モルの範囲で添加
すれば良い。
イド(LiAIH,)等の還元剤を使用すれば良い、そ
の添加量は構造式(X)で表されるジクロロフェニルホ
スフィンに対して等モル乃至1.5倍モルの範囲で添加
すれば良い。
本反応はアルゴン雰囲気下で行うのが好ましい。
反応終了後、常法により目的物を単離し、必要に応して
、例えばソリ力ゲル薄層クロマトグラフィー等により分
離し、各ジアステレオ−を単離することができる。
、例えばソリ力ゲル薄層クロマトグラフィー等により分
離し、各ジアステレオ−を単離することができる。
Ω、(IX−1)、(EX−2)=+(VI−1)、(
■本反応で使用できる不活性溶媒としては、例えばジエ
チルエーテル、テトラヒドロフラン等の鎖状又は環状エ
ーテル類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭
化水素類を使用することができる。
■本反応で使用できる不活性溶媒としては、例えばジエ
チルエーテル、テトラヒドロフラン等の鎖状又は環状エ
ーテル類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭
化水素類を使用することができる。
本反応で使用する触媒としてはパラジウム−ホスフィン
化合物を使用することができ、例えばテトラキス(トリ
フェニルホスフィン)パラジウムを使用することができ
、その添加量は構造式(IX)で表される化合物に対し
て0.0001乃至0.5モルの範囲から選択すれば良
く、好ましくは0.01乃至0.1モルの範囲である。
化合物を使用することができ、例えばテトラキス(トリ
フェニルホスフィン)パラジウムを使用することができ
、その添加量は構造式(IX)で表される化合物に対し
て0.0001乃至0.5モルの範囲から選択すれば良
く、好ましくは0.01乃至0.1モルの範囲である。
反応温度は室温乃至使用する不活性溶媒の沸点域から適
宜選択すれば良い。
宜選択すれば良い。
本反応は等モル反応であるので、各反応量を等モル使用
すれば良いが、いずれかを過剰に使用することもできる
。
すれば良いが、いずれかを過剰に使用することもできる
。
旦、 (IX)=O(Vl)
本反応はCと同様にすることにより目的物を製造するこ
とができる。
とができる。
旦、(〜’l−1)、(〜1−2)→(TV−1)、
(TV=2) 本反応で使用できる不活性溶媒としては、例えばCで例
示の不活性溶媒を使用することができる。
(TV=2) 本反応で使用できる不活性溶媒としては、例えばCで例
示の不活性溶媒を使用することができる。
本反応は等モル反応であるので、構造式(■1)又は(
V[−2)で表される化合物に対して構造式(V)で表
されるアルキルリチウム類を等モル使用すれば良いが、
いずれかの反応試削を過剰に使用することも出来る。
V[−2)で表される化合物に対して構造式(V)で表
されるアルキルリチウム類を等モル使用すれば良いが、
いずれかの反応試削を過剰に使用することも出来る。
反応温度はO′C乃至室温の範囲から選択して使用すれ
ば艮い。
ば艮い。
反応時間は反応量、反応温度等により一定しないが、数
分乃至48時間の範囲から選択すれば良い。
分乃至48時間の範囲から選択すれば良い。
反応終了後、目的物を含む反応液から常法により単離し
、例えばシリカゲル薄層クロマトグラフィー法等で分離
することにより目的物を得ることができる。
、例えばシリカゲル薄層クロマトグラフィー法等で分離
することにより目的物を得ることができる。
■、構造式(■−1)、(IV−2)−構造式(II)
、(n−2) 本反応で使用できる不活性溶媒としては、本反応の進行
を阻害しないものであれば良く、例えばCの反応で例示
の不活性溶媒を使用することができる。
、(n−2) 本反応で使用できる不活性溶媒としては、本反応の進行
を阻害しないものであれば良く、例えばCの反応で例示
の不活性溶媒を使用することができる。
本反応で使用する一般式(I[[)で表されるアルキル
リチウム類としては1例えばてn−ブチルリチウム、5
ec−ブチルリチウム、t−ブチルリチウム等のアルキ
ルリチウム類を使用することができる。
リチウム類としては1例えばてn−ブチルリチウム、5
ec−ブチルリチウム、t−ブチルリチウム等のアルキ
ルリチウム類を使用することができる。
本反応で同時に使用する塩化銅は無水塩化第二銅を使用
するのが好ましく、又その使用量は特に限定されるもの
ではないが、好ましくは構造式(IV−J )又は(I
V−2)で表される化合物に対しては等モル乃至1.5
倍モルの範囲である。
するのが好ましく、又その使用量は特に限定されるもの
ではないが、好ましくは構造式(IV−J )又は(I
V−2)で表される化合物に対しては等モル乃至1.5
倍モルの範囲である。
反応温度はO′C乃至室温の範囲から選択すれば良く、
好ましくは一50°C乃至−80°Cの範囲である。
好ましくは一50°C乃至−80°Cの範囲である。
反応時間は反応量、反応温度等により一定しないが数分
乃至48時間の範囲で行えば良い。
乃至48時間の範囲で行えば良い。
反応終了後、目的物を含む反応液から常法により単離し
、原料である構造式(IV)のいずれかのエナンチオマ
ーに対応する目的物を製造することができる。
、原料である構造式(IV)のいずれかのエナンチオマ
ーに対応する目的物を製造することができる。
Ω、(II−1)、(II−2))→(1−1)。
本反応で使用できる不活性溶媒としては、例えばCで例
示の不活性溶媒の他、本反応で使用する塩基を溶媒とし
て使用することもできる。
示の不活性溶媒の他、本反応で使用する塩基を溶媒とし
て使用することもできる。
本反応で使用できる塩基としては脱ボラン化を行う塩基
であれば良く、例えばエチルアミン、ジエチルアミン、
トリエチルアミン、モルホリン、N−メチルモリホリン
等の有機塩基を使用することができる。
であれば良く、例えばエチルアミン、ジエチルアミン、
トリエチルアミン、モルホリン、N−メチルモリホリン
等の有機塩基を使用することができる。
塩基の使用量は構造式(If−1)又は(■2)で表さ
れる化合物に対して2倍モル乃至過剰量使用すれば良い
が、好ましくは過剰量使用し、不活性溶媒としても使用
するのが良い。
れる化合物に対して2倍モル乃至過剰量使用すれば良い
が、好ましくは過剰量使用し、不活性溶媒としても使用
するのが良い。
反応終了後、目的物を含む反応液より常法により単離し
、必要に応して、例えばカラムクロマトグラフィー等で
精製し、目的物を製造することができる。
、必要に応して、例えばカラムクロマトグラフィー等で
精製し、目的物を製造することができる。
以下に本発明の代表的な実施例を示すが、本発明はこれ
らに限定されるものではない。
らに限定されるものではない。
実施例1゜
PH−P−C1□
2) (−)−メントール、
ピリジン、BH3−THF錯体
(Vl−1) (Vl−2)ジクロ
ロフェニルホスフィン1.1m(8゜1ミリモル)をテ
トラヒドロフラン40m1に?8解し、このン容液に0
−アニシルマグネシウムフ′ロミド40te(0,25
モル/Ifテトラヒドロフラン溶液)をアルゴン雰囲気
下に一78°Cで倣しく攪拌しながら50分かけて滴下
した。
ロフェニルホスフィン1.1m(8゜1ミリモル)をテ
トラヒドロフラン40m1に?8解し、このン容液に0
−アニシルマグネシウムフ′ロミド40te(0,25
モル/Ifテトラヒドロフラン溶液)をアルゴン雰囲気
下に一78°Cで倣しく攪拌しながら50分かけて滴下
した。
滴下終了後、(=)−メントール(1,56g(10ミ
リモル)とピリジン0.8m (10ミリモル)を−7
8°Cの温度下に加え、冷浴を除き反応混合物を室温下
に1晩攪拌し、反応を行った。
リモル)とピリジン0.8m (10ミリモル)を−7
8°Cの温度下に加え、冷浴を除き反応混合物を室温下
に1晩攪拌し、反応を行った。
反応後、反応混合物を素早く濾過し、ピリジニウム塩を
除き、更に濾液を0°Cに冷却した。
除き、更に濾液を0°Cに冷却した。
次いで、 BH,−THF錯体30d(1,0モル/1
1テトラヒドロフラン溶液)を加え室温下に1時間反応
を行った後、IN塩酸100m1を加えた。
1テトラヒドロフラン溶液)を加え室温下に1時間反応
を行った後、IN塩酸100m1を加えた。
反応終了後、目的物を含む反応液からエーテルで抽出し
、抽出液を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグ名ソウムで乾
燥後、溶媒を減圧下に留去し、得られた残渣をソリ力ゲ
ルクロマトグラフィ−(ベンゼン:n−ヘキサン=1
: 1)で精製した。
、抽出液を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグ名ソウムで乾
燥後、溶媒を減圧下に留去し、得られた残渣をソリ力ゲ
ルクロマトグラフィ−(ベンゼン:n−ヘキサン=1
: 1)で精製した。
目的物は粘稠物として得られるが、ヘキサン中からそれ
ぞれのジアステレオマーの混合物として白色粉末結晶2
.83gを得た。
ぞれのジアステレオマーの混合物として白色粉末結晶2
.83gを得た。
(収率 90%)
ジアステレオマーの分離は分取用シリカゲル薄層クロマ
トグラフィー(トルエン:シクロヘキサン=l:4)で
分離した。
トグラフィー(トルエン:シクロヘキサン=l:4)で
分離した。
物性(Vl−1):油状物
(α) ” −75,6°(c O,9,C,H,)I
R(neat) 2950.2390.1590.14
80.1280c11’H−NMR(500MHz、C
DCl5)δ値(ppm)0.49(d、3H,J=6
.87Hz)、 0.80−1.64(m、16B)。
R(neat) 2950.2390.1590.14
80.1280c11’H−NMR(500MHz、C
DCl5)δ値(ppm)0.49(d、3H,J=6
.87Hz)、 0.80−1.64(m、16B)。
1.92−1.96(m、lH)、 2.09(d、I
H,J=11.8Hz)。
H,J=11.8Hz)。
3.53(s、3H)、 4.23−4.25(m、I
H)、 6.80−7.96(m 90) 100χ de N’l−2) : mp、 85.0−87.5
’C〔α) ” −49,0° (c 1.0.
C,H,)IR(KBr)2940,2390.1
480.1280.1015765印 H−NMR(500MHz CDC1z) δ
イ直 (ppm)0.55(d 3LJ=6.87)
1z)、0.79−1.64(+m、16)1)1.8
7−1.91(ffi、IH)、2.06(d、18.
J=13.2Hz)3.53(’s、3H)、4.26
−4.29(m、IH)、6.82−7.93(硼、9
H) 93χ de 実施例2゜ j ↓ (Vl−2)83■(0,2ミリモル)を乾燥ベンゼン
34!に?8解し、咳溶液にメチルリチウムのエーテル
?容液0.5ml1(1,3モル/1ffiエーテル溶
液)を室温下に加えた。3時間同温度下に攪拌反応を行
い、IN−塩酸を加え反応を停止した。反応後、有機層
を分液し、更に水層をエーテルで4回抽出した。抽出液
を硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去し、
得られた残渣を分取用シリカゲル薄層クロマトグラフィ
ー(ベンゼン二〇−ヘキサン)で分取し、目的物である
(IV−2)で表されるO−アユシルメチルフェニルホ
スフィン−ボラン50■を得た(収率:95%)。
H)、 6.80−7.96(m 90) 100χ de N’l−2) : mp、 85.0−87.5
’C〔α) ” −49,0° (c 1.0.
C,H,)IR(KBr)2940,2390.1
480.1280.1015765印 H−NMR(500MHz CDC1z) δ
イ直 (ppm)0.55(d 3LJ=6.87)
1z)、0.79−1.64(+m、16)1)1.8
7−1.91(ffi、IH)、2.06(d、18.
J=13.2Hz)3.53(’s、3H)、4.26
−4.29(m、IH)、6.82−7.93(硼、9
H) 93χ de 実施例2゜ j ↓ (Vl−2)83■(0,2ミリモル)を乾燥ベンゼン
34!に?8解し、咳溶液にメチルリチウムのエーテル
?容液0.5ml1(1,3モル/1ffiエーテル溶
液)を室温下に加えた。3時間同温度下に攪拌反応を行
い、IN−塩酸を加え反応を停止した。反応後、有機層
を分液し、更に水層をエーテルで4回抽出した。抽出液
を硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去し、
得られた残渣を分取用シリカゲル薄層クロマトグラフィ
ー(ベンゼン二〇−ヘキサン)で分取し、目的物である
(IV−2)で表されるO−アユシルメチルフェニルホ
スフィン−ボラン50■を得た(収率:95%)。
同様にして、(Vl−1)から他方のエナンチオマーを
得た。
得た。
物性(TV−1):
[α) ” −27,0° (c 1.5. M
eOH)100: de (IV−2) (α’J t5+25.2° (c 1.6. MeO
H)93χ de 実施例3゜ 1)(−)−メント ル し1Al)Ia。
eOH)100: de (IV−2) (α’J t5+25.2° (c 1.6. MeO
H)93χ de 実施例3゜ 1)(−)−メント ル し1Al)Ia。
(IX)
ノアステレオマ−分離
(IX−1)
(IX−2)
ジクロロフェニルホスフィン25m1(0,185モル
)を乾燥ベンゼン100iに溶解し、この溶液に乾燥ベ
ンゼン100dに溶解した()−メントール28.8g
(0,185モル)とピリジン15#Ii!(0,1
85モル)とをアルゴン雰囲気下に室温で2時間滴下し
た。滴下後12時間反応後、反応液を素早く濾過してピ
リジニウム塩を除き、濾液にリチウムアルミニウムハイ
ドライド8.42g (0,222モル)及びB)I、
−THF錯体225d(1,0モル/1rテトラヒドロ
フラン溶液)をOoCで加え、室温で3分間反応を行っ
た後、反応液を製塩r1M40111、氷約200g及
び水100Idの混合物中に注ぎ、有機層を分取し、更
に水層をエーテルで4回抽出した。有機層とエーテル層
を合わせ飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥
後、溶媒を減圧下に留去し、得られた残渣をシリカゲル
クロマトグラフィー(ベンゼン:n−ヘキサン=1 :
1)で精製することによりジアステレオマー混合物(
VI)を白色結晶として206g得た。(収率40%)
、更に得られた結晶をヘキサンから3回再結晶すること
により純粋なジアステレオマー5.7gを得た。
)を乾燥ベンゼン100iに溶解し、この溶液に乾燥ベ
ンゼン100dに溶解した()−メントール28.8g
(0,185モル)とピリジン15#Ii!(0,1
85モル)とをアルゴン雰囲気下に室温で2時間滴下し
た。滴下後12時間反応後、反応液を素早く濾過してピ
リジニウム塩を除き、濾液にリチウムアルミニウムハイ
ドライド8.42g (0,222モル)及びB)I、
−THF錯体225d(1,0モル/1rテトラヒドロ
フラン溶液)をOoCで加え、室温で3分間反応を行っ
た後、反応液を製塩r1M40111、氷約200g及
び水100Idの混合物中に注ぎ、有機層を分取し、更
に水層をエーテルで4回抽出した。有機層とエーテル層
を合わせ飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥
後、溶媒を減圧下に留去し、得られた残渣をシリカゲル
クロマトグラフィー(ベンゼン:n−ヘキサン=1 :
1)で精製することによりジアステレオマー混合物(
VI)を白色結晶として206g得た。(収率40%)
、更に得られた結晶をヘキサンから3回再結晶すること
により純粋なジアステレオマー5.7gを得た。
、;アステレオマーの分離は分取用ノリカゲル薄層クロ
マトグラフィー(トルエン:シクロヘキサン)で分離し
た。
マトグラフィー(トルエン:シクロヘキサン)で分離し
た。
物性(IX−11無色結晶、 mp、 94−96°C
Ca〕” −117,6°(C1,0,CICH2C
H,C1)。
Ca〕” −117,6°(C1,0,CICH2C
H,C1)。
IR(KBr、cm ’)2900.2375.14
45.1135.1060970゜ H−NMR(500MHz、CDC1,) δ イI
IE (pplffi)0.63(d、3H,J=7
.15Hz)、 0.888(d、3H,6,60Hz
)0.893(d、3)1.J=6.88Hzl)、
2.01−2.08(m、2M)3.85−3.94(
m 18) 7.48−7.81(m 5H)。
45.1135.1060970゜ H−NMR(500MHz、CDC1,) δ イI
IE (pplffi)0.63(d、3H,J=7
.15Hz)、 0.888(d、3H,6,60Hz
)0.893(d、3)1.J=6.88Hzl)、
2.01−2.08(m、2M)3.85−3.94(
m 18) 7.48−7.81(m 5H)。
”P−NMR(121−Hz)(CDC1+:(PhO
)tPo ext)、δ値109.5(q、J(PB)
=58.96)1z)。
)tPo ext)、δ値109.5(q、J(PB)
=58.96)1z)。
B−NMR(96MH2)(CDCII:(C)l:t
o)Bext)、δイ直58.90(d、J(PB)=
58.96Hz)。
o)Bext)、δイ直58.90(d、J(PB)=
58.96Hz)。
MS(70eV) m/e 264 (M −B)+3
)。
)。
00ee
(IX−2):無色結晶 剛、p、 81−83°CC
(r ]” −62,8” (c 1.0.
CICIIzCLCl)。
(r ]” −62,8” (c 1.0.
CICIIzCLCl)。
IR(KBr、Cm ’)2900.2390.143
5,1130.1060970゜ ’H−NMR(500MH2,CDC13)δ値(pp
m)0.70(d、3B、J=6.87Hz)、0.8
5(d、3fl、6.87)1z)0.91(d、3H
,J=6.32Hz)、1.92−2.08(a、2H
)3.97−4.04(w、LH)、7.49−7.8
2(曽、51()。
5,1130.1060970゜ ’H−NMR(500MH2,CDC13)δ値(pp
m)0.70(d、3B、J=6.87Hz)、0.8
5(d、3fl、6.87)1z)0.91(d、3H
,J=6.32Hz)、1.92−2.08(a、2H
)3.97−4.04(w、LH)、7.49−7.8
2(曽、51()。
”P−NMR(121MHz)(CDCIs:(PhO
)zPo ext)、δ値111.1(q、J(PB)
=58.96Hz)。
)zPo ext)、δ値111.1(q、J(PB)
=58.96Hz)。
目B−NMR(96MH2)(CDC13:(C)13
0)B ext)、 δ値−59,90(d、J(P
B)=58.96Hz)。
0)B ext)、 δ値−59,90(d、J(P
B)=58.96Hz)。
00ee
実施例4゜
ミリモル)をテトラキス(トリフェニルホスフィン)パ
ラジウム(0)115■(0,1ミリモル)及び、炭酸
ナトリウム553w+g(4ミリモルを加え、該混合液
をアルゴン雰囲気下に70−80°Cで1日攪拌下反応
を行った後、IN塩酸を加え反応を停止した。
ラジウム(0)115■(0,1ミリモル)及び、炭酸
ナトリウム553w+g(4ミリモルを加え、該混合液
をアルゴン雰囲気下に70−80°Cで1日攪拌下反応
を行った後、IN塩酸を加え反応を停止した。
反応後、有機層を分取し、更に水層からエーテルで3度
抽出し、有IaN及びエーテル層を合わせチオ硫酸ナト
リウム水溶液、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウム
で乾燥後、溶媒を減圧下に留去し、得られた残渣をシリ
カゲル1層クロマトグラフィーで分取した。
抽出し、有IaN及びエーテル層を合わせチオ硫酸ナト
リウム水溶液、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウム
で乾燥後、溶媒を減圧下に留去し、得られた残渣をシリ
カゲル1層クロマトグラフィーで分取した。
収1234■。
物性(rV−1)−油状物
実施例5゜
(Vl−11
トルエン2d中に(■−1)2713■(lミリモル)
、o−ヨ ドアニソール468■(2 (IV−2) 光学活性ホスフィン−ボラン488■(2ミリモル、8
9%ee)をアルゴン雰囲気下で乾燥テトラヒドロフラ
ンに溶解し、−78°Cに冷却した。二亥?容液に5e
c−フ′チルリチウム2゜2d(1,0モル/lNテト
ラヒドロフラン?容液)を加え2時間攪拌下に反応を行
った。更に激しく攪拌下に無水塩化!1i404■(3
ミリモル)を加え、反応温度を1.5時間かけて徐々に
室温まで上げ、その後1時間室温で反応を行い、希塩酸
を加え反応を停止した。
、o−ヨ ドアニソール468■(2 (IV−2) 光学活性ホスフィン−ボラン488■(2ミリモル、8
9%ee)をアルゴン雰囲気下で乾燥テトラヒドロフラ
ンに溶解し、−78°Cに冷却した。二亥?容液に5e
c−フ′チルリチウム2゜2d(1,0モル/lNテト
ラヒドロフラン?容液)を加え2時間攪拌下に反応を行
った。更に激しく攪拌下に無水塩化!1i404■(3
ミリモル)を加え、反応温度を1.5時間かけて徐々に
室温まで上げ、その後1時間室温で反応を行い、希塩酸
を加え反応を停止した。
反応後、目的物を含む反応液よりクロロボルムで抽出し
、抽出液を硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下に留去し
、残渣を分取用シリカゲル薄層クロマトグラフィー(酢
酸エチル:ヘキサン:ジクロロメタン=14:1)で精
製し目的物を得た。
、抽出液を硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下に留去し
、残渣を分取用シリカゲル薄層クロマトグラフィー(酢
酸エチル:ヘキサン:ジクロロメタン=14:1)で精
製し目的物を得た。
物性 m、p、 162.5−163.0”C(α)
−70,2°(c 1.3. CHCh)実施例6゜ 実施例6で得られたビスー十スフィンーボラン100■
(0,21ミリモル)を脱気したジエチルアミンに溶解
し、該溶液をアルゴン雰囲気下に10時間50°Cに保
った0反応終了後、過剰のジエチルアミンを減圧下に留
去し、残渣をアルゴン雰囲気下に脱気ヘンゼンで塩基性
アルミナの短いカラムに通して、実質的に純粋な目的物
81■(収率:84%)を得た。更にアルゴン雰囲気下
に熱メタノールより再結晶し、純粋な目的物を得た。
−70,2°(c 1.3. CHCh)実施例6゜ 実施例6で得られたビスー十スフィンーボラン100■
(0,21ミリモル)を脱気したジエチルアミンに溶解
し、該溶液をアルゴン雰囲気下に10時間50°Cに保
った0反応終了後、過剰のジエチルアミンを減圧下に留
去し、残渣をアルゴン雰囲気下に脱気ヘンゼンで塩基性
アルミナの短いカラムに通して、実質的に純粋な目的物
81■(収率:84%)を得た。更にアルゴン雰囲気下
に熱メタノールより再結晶し、純粋な目的物を得た。
物性 m、p、 102−103°C
Claims (10)
- (1)、構造式(X) Ph−P−Cl_2(X) (式中、Phはフェニル基を示す。) で表されるジクロロフェニルホスフィンに一般式(VII
) ▲数式、化学式、表等があります▼(VII) (式中、Xはハロゲン原子を示す。) で表されるグリニアール試薬を反応させ、次いで塩基の
存在下に(−)−メントールを反応させ、更にボラン−
テトラヒドロフラン錯体を反応させ、構造式(VI) ▲数式、化学式、表等があります▼(VI) (式中、Phは前記に同じ。) で表されるジアステレオマー混合物とし、該混合物(V
I)を分離し、若しくは分離せずして構造式(VI)で表
されるジアステレオマー混合物若しくは分離物を製造す
るか、又は構造式(X)で表されるジクロロフェニルホ
スンを塩基の存在下に(−)−メントールを反応させ、
次いでボラン−テトラヒドロフラン錯体を反応させ、更
に還元剤で還元反応を行い構造式(IX) ▲数式、化学式、表等があります▼(IX) (式中、Phは前記に同じ。) で表されるジアステレオマー混合物とし、該混合物(I
X)を分離し、又は分離せずして一般式(VIII) ▲数式、化学式、表等があります▼(VIII) (式中、Yはハロゲン原子を示す。) で表されるハライド類と触媒の存在下に反応させ構造式
(VI)で表されるジアステレオマー混合物又は分離物と
し、該混合物又は分離化合物(VI)を構造式(V) CH_3−Li(V) で表されるリチウム化合物と反応させ、構造式(IV) ▲数式、化学式、表等があります▼(IV) (式中、Phは前記に同じ。) で表されるアナンチオマーにあるいずれかの化合物(I
V)とし、該化合物を塩化銅の存在下に一般式(III) R−Li(III) (式中、Rは低級アルキル基を示す。) で表されるアルキルリチウム類と反応させ、構造式(I
I) ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (式中、Phは前記に同じ。) で表されるエナンチオマーにあるいずれかの化合物とし
、該化合物(II)を塩基と反応さことを特徴とする構造
式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、Phは前記に同じ。) で表されるエナンチオマーにあるいずれかのホスフィン
化合物の製法。 - (2)、構造式(VI) ▲数式、化学式、表等があります▼(VI) (式中、Phは前記に同じ。) で表されるジアステレオマー混合物又はその分離物。
- (3)、構造式(X) Ph−P−Cl_2(X) (式中、Phはフェニル基を示す。) で表されるジクロロフェニルホスフィンに一般式(VII
) ▲数式、化学式、表等があります▼(VII) (式中、Xはハロゲン原子を示す。) で表されるグリニアール試薬を反応させ、次いで塩基の
存在下に(−)−メントールを反応させ、更にボラン−
テトラヒドロフラン錯体を反応させ、ジアステレオマー
混合物とし該ジアステレオマー混合物を分離し若しくは
分離しないことを特徴とする構造式(VI) ▲数式、化学式、表等があります▼(VI) (式中、Phは前記に同じ。) で表されるジアステレオマー混合物及びその分離物の製
法。 - (4)、構造式(IX) ▲数式、化学式、表等があります▼(IX) で表されるジアステレオマー混合物又は分離物。
- (5)、構造式(X) Ph−P−Cl_2(X) (式中、Phはフェニル基を示す。) で表されるジクロロフェニルホスフィンを 塩基の存在下に(−)−メントールと反応させ、次いで
ボラン−テトラヒドロフラン錯体を反応させ、更に還元
剤で還元反応を行いジアステレオマー混合物とし、該混
合物を分離し若しくは分離しないことを特徴とする構造
式(IX) ▲数式、化学式、表等があります▼(IX) で表されるジアスレオマー混合物又は分離物の製法。 - (6)、構造式(IX) ▲数式、化学式、表等があります▼(IX) で表されるジアステレオマー混合物又は分離物と一般式
(VIII) ▲数式、化学式、表等があります▼(VIII) (式中、Yはハロゲン原子を示す。) で表されるハライド類と触媒の存在下に反応させジアス
テレオマー混合物又は分離物とし、混合物の場合、分離
し若しくは分離しないことを特徴とする構造式(VI) ▲数式、化学式、表等があります▼(VI) (式中、Phは前記に同じ。) で表されるジアステレオマー混合物又は分離物の製法。 - (7)、構造式(VI) ▲数式、化学式、表等があります▼(VI) (式中、Phは前記に同じ。) で表されるジアステレオマー分離物と構造式(V) CH_3−Li(V) で表されるリチウム化合物と反応させることを特徴とす
る構造式(IV) ▲数式、化学式、表等があります▼(IV) (式中、Phは前記に同じ。) で表されるいずれかのエナンチオマー分離物の製法。 - (8)、構造式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (式中、Phは前記に同じ。) で表されるエナンチオマーにあるいずれかの化合物。
- (9)、構造式(IV) ▲数式、化学式、表等があります▼(IV) (式中、Phは前記に同じ。) で表されるエナンチオマー分離物を塩化銅の存在下に一
般式(III) R−Li(III) (式中、Rは低級アルキル基を示す。) で表されるアルキルリチウム化合物と反応させることを
特徴とする構造式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (式中、Phは前記に同じ。) で表されるエナンチオマーにあるいずれかの化合物の製
法。 - (10)、構造式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (式中、Phは前記に同じ。) で表されるエナンチオマーにあるいずれかの化合物を塩
基と反応させることを特徴とする構造式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、Phは前記に同じ。) で表されるエナンチオマーにあるいずれかのホスフィン
化合物の製法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2178799A JP2935131B2 (ja) | 1990-07-06 | 1990-07-06 | ホスフィン化合物の製法及びその中間体並びにそれらの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2178799A JP2935131B2 (ja) | 1990-07-06 | 1990-07-06 | ホスフィン化合物の製法及びその中間体並びにそれらの製法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP03605699A Division JP3376518B2 (ja) | 1999-02-15 | 1999-02-15 | ホスフィン化合物の製法及びその中間体並びにその製法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0469392A true JPH0469392A (ja) | 1992-03-04 |
JP2935131B2 JP2935131B2 (ja) | 1999-08-16 |
Family
ID=16054851
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2178799A Expired - Lifetime JP2935131B2 (ja) | 1990-07-06 | 1990-07-06 | ホスフィン化合物の製法及びその中間体並びにそれらの製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2935131B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010208993A (ja) * | 2009-03-10 | 2010-09-24 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 2,2’−ビス(ジアルキルホスフィノ)ビフェニル化合物及びその製造方法並びに該化合物を配位子とする金属錯体 |
CN113816880A (zh) * | 2020-06-19 | 2021-12-21 | 万华化学集团股份有限公司 | 一种高效合成n-甲基牛磺酸及n-甲基牛磺酸钠的方法 |
-
1990
- 1990-07-06 JP JP2178799A patent/JP2935131B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010208993A (ja) * | 2009-03-10 | 2010-09-24 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 2,2’−ビス(ジアルキルホスフィノ)ビフェニル化合物及びその製造方法並びに該化合物を配位子とする金属錯体 |
CN113816880A (zh) * | 2020-06-19 | 2021-12-21 | 万华化学集团股份有限公司 | 一种高效合成n-甲基牛磺酸及n-甲基牛磺酸钠的方法 |
CN113816880B (zh) * | 2020-06-19 | 2023-08-11 | 万华化学集团股份有限公司 | 一种高效合成n-甲基牛磺酸及n-甲基牛磺酸钠的方法 |
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---|---|
JP2935131B2 (ja) | 1999-08-16 |
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