JP2939510B2 - 新規な非対称軸不斉アミノホスフィン誘導体 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、各種有機合成反応、特
に不斉水素化反応などの触媒の配位子として有用な新規
な軸不斉アミノホスフィン誘導体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】現在不斉合成用触媒の配位子として多数
の光学活性なビスホスフィン及びアミノホスフィン配位
子が開発されている。本発明者らは、先にビスホスフィ
ンの各々のホスフィノ基の電子的、立体的環境を変え、
別々の機能を持たせることにより触媒活性の高効率化を
達成できることを発見した（特開昭６３−５０９４号、
特開昭６４−１９０８５号）。しかし、軸不斉を有する
アミノホスフィン誘導体は新規である。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題及び課題を解決するため
の手段】従来のアミノホスフィン誘導体は、そのパラジ
ウムあるいはニッケル錯体を触媒とする不斉ヒドロシリ
ル化もしくは不斉クロスカップリング反応（Ｃｈｅｍ．
Ｌｅｔｔ．，９９９（１９９０）、ＴＬ Ａｓｓｙｍｍ
ｅｔｒｙ １，１５１（１９９０））等に特徴を示すも
のの不斉収率が不十分である。

【０００４】このため窒素及びリン上の電子的、立体的
環境の異なった軸不斉アミノホスフィン誘導体［Ｉ］を
着想し、研究の結果、本発明化合物が実用的で有用な不
斉合成用触媒の配位子であることを見出し、本発明を完
成したものである。

【０００５】

【化１８】

【０００６】［式中、Ｒ¹ はフッ素で置換されていても
良い低級アルキル基、置換されていても良いベンジル
基、２個のＲ¹ が相伴って炭素原子４もしくは５個から
なる環状基を、Ｒ² はフェニル基（該フェニル基は、低
級アルキル基、低級アルコキシ基、トリフルオロメチル
基又はハロゲン原子から選ばれる１〜５個で置換されて
いても良い）又はシクロヘキシル基を、Ｒ³ ，Ｒ⁴ ，Ｒ
⁷ ，Ｒ⁸ は同一又は相異なって、水素原子、低級アルキ
ル基、低級アルコキシ基、トリフルオロメチル基を、Ｒ
⁵ 及びＲ⁶ は同一又は相異なって、低級アルキル基、低
級アルコキシ基、トリフルオロメチル基を表すか、又は
Ｒ⁴ とＲ⁵ 、Ｒ⁶ とＲ⁷ が相伴って芳香環を表す］本発
明によれば、前記一般式［Ｉ］で表される軸不斉アミノ
ホスフィン誘導体は、以下に述べる経路により製造する
ことが出来る。

【０００７】（１）一般式［Ｉ］で表される化合物は、
一般式［VI］で表される化合物を光学分割後、ホスフィ
ニル基を還元することにより製造することができる。

【０００８】

【化１９】

【０００９】［式中、Ｒ¹ はフッ素で置換されていても
良い低級アルキル基、置換されていても良いベンジル
基、２個のＲ¹ が相伴って炭素原子４もしくは５個から
なる環状基を、Ｒ² はフェニル基（該フェニル基は、低
級アルキル基、低級アルコキシ基、トリフルオロメチル
基又はハロゲン原子から選ばれる１〜５個で置換されて
いても良い）又はシクロヘキシル基を、Ｒ³ ，Ｒ⁴ ，Ｒ
⁷ ，Ｒ⁸ は同一又は相異なって、水素原子、低級アルキ
ル基、低級アルコキシ基、トリフルオロメチル基を、Ｒ
⁵ 及びＲ⁶ は同一又は相異なって、低級アルキル基、低
級アルコキシ基、トリフルオロメチル基を表すか、又は
Ｒ⁴ とＲ⁵ 、Ｒ⁶ とＲ⁷ が相伴って芳香環を表す］ここ
で、光学分割は例えば（１Ｓ）−（＋）−１０−カンフ
ァースルホン酸、（−）−Ｏ，Ｏ’−ジベンゾイル酒石
酸等の酸とのジアステレオマー塩の形成による分割も可
能であるが、光学活性カラム、例えばキラルパックＯＴ
（＋）（ダイセル社製）を用いた分取が有効である。

【００１０】ホスフィニル基の還元は、還元剤として、
例えば水素化リチウムアルミニウム、トリクロロシラン
等の還元剤の使用が可能であるが、トリクロロシランを
用いて、例えばトルエン、クロロベンゼン又はベンゼン
等の溶媒中でのシラン還元が有効である。

【００１１】（２）一般式［Ｉ］で表される化合物を製
造する際の光学分割は、一般式［Ｘ］で表される化合物
のアミノ基を利用したジアステレオマー塩もしくはジア
ステレオマーであるアミド基の形成によっても行うこと
ができる。

【００１２】

【化２０】

【００１３】［式中、Ｒ³ ，Ｒ⁴ ，Ｒ⁷ ，Ｒ⁸ は同一又
は相異なって、水素原子、低級アルキル基、低級アルコ
キシ基、トリフルオロメチル基を、Ｒ⁵ 及びＲ⁶ は同一
又は相異なって、低級アルキル基、低級アルコキシ基、
トリフルオロメチル基を表すか、又はＲ⁴ とＲ⁵ 、Ｒ⁶
とＲ⁷ が相伴って芳香環を表し、Ｘはハロゲン原子を表
す］光学分割は、特にジアステレオマーであるアミド基
を形成して行うことが好ましい。一般式［Ｘ］の化合物
と、例えばベンゼン、塩化メチレン等の有機溶媒中、ア
ミン塩基、例えばトリエチルアミン、ピリジン等の塩基
の存在下に、（Ｌ）−Ｎ−トシルプロリルクロライドと
を反応させることにより、一般式［XI］で表されるジア
ステレオマーアミドが製造できる。この際、アミン塩基
を溶媒として用いることもできる。

【００１４】

【化２１】

【００１５】［式中、Ｒ³ ，Ｒ⁴ ，Ｒ⁷ ，Ｒ⁸ は同一又
は相異なって、水素原子、低級アルキル基、低級アルコ
キシ基、トリフルオロメチル基を、Ｒ⁵ 及びＲ⁶ は同一
又は相異なって、低級アルキル基、低級アルコキシ基、
トリフルオロメチル基を表すか、又はＲ⁴ とＲ⁵ 、Ｒ⁶
とＲ⁷ が相伴って芳香環を表し、Ｘはハロゲン原子を表
す］得られたジアステレオマーアミドをシリカゲルカラ
ムクロマトもしくは高速液体クロマト等により分離した
後、アルカリ水溶液、例えば水酸化ナトリウム、水酸化
カリウム水溶液中で加水分解し、光学活性な一般式
［Ｘ］で表される化合物を製造できる。この際、少量の
エタノールの添加も好ましい。

【００１６】光学活性な一般式［Ｘ］で表される化合物
を更に誘導することにより、一般式［Ｉ］で表される化
合物に導くことができる。

【００１７】（３）一般式［IX］で表される化合物は、
一般式[VII] で表される化合物に一般式[VIII]で表され
る化合物を作用させることにより製造することができ
る。

【００１８】

【化２２】

【００１９】［式中、Ｒ¹ はフッ素で置換されていても
良い低級アルキル基、置換されていても良いベンジル
基、２個のＲ¹ が相伴って炭素原子４もしくは５個から
なる環状基を、Ｒ² はフェニル基（該フェニル基は、低
級アルキル基、低級アルコキシ基、トリフルオロメチル
基又はハロゲン原子から選ばれる１〜５個で置換されて
いても良い）又はシクロヘキシル基を、ｎは０又は１の
数字を示す）を、Ｒ³ ，Ｒ⁴ ，Ｒ⁷ ，Ｒ⁸ は同一又は相
異なって、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ
基、トリフルオロメチル基を、Ｒ⁵ 及びＲ⁶ は同一又は
相異なって、低級アルキル基、低級アルコキシ基、トリ
フルオロメチル基を表すか、又はＲ⁴ とＲ⁵、Ｒ⁶ とＲ⁷
が相伴って芳香環を表し、ｎは０又は１の数字を表
す］

【００２０】

【化２３】

【００２１】［式中、Ｒ¹ はフッ素で置換されていても
良い低級アルキル基、置換されていても良いベンジル
基、２個のＲ¹ が相伴って炭素原子４もしくは５個から
なる環状基を、Ｒ³ ，Ｒ⁴ ，Ｒ⁷ ，Ｒ⁸ は同一又は相異
なって、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ
基、トリフルオロメチル基を、Ｒ⁵ 及びＲ⁶ は同一又は
相異なって、低級アルキル基、低級アルコキシ基、トリ
フルオロメチル基を表すか、又はＲ⁴ とＲ⁵ 、Ｒ⁶ とＲ
⁷ が相伴って芳香環を表し、Ｘはハロゲン原子を表す］

【００２２】

【化２４】

【００２３】［式中、Ｒ² はフェニル基（該フェニル基
は、低級アルキル基、低級アルコキシ基、トリフルオロ
メチル基又はハロゲン原子から選ばれる１〜５個で置換
されていても良い）又はシクロヘキシル基を、ｎは０又
は１の数字を示す）を、Ｘ¹ はハロゲン原子を表す］反
応は、有機溶媒、例えばエーテル又はテトラヒドロフラ
ン等中で、一般式[VII] で表される化合物を有機リチウ
ム試薬によりリチオ化するか、金属マグネシウムにより
グリニャール試薬を調製した後に一般式［VIII］で表さ
れる化合物を作用させることができるが、ｎ−ブチルリ
チウム、ｔ−ブチルリチウム等の有機リチウム試薬を用
い、反応温度は−５０〜−７０℃で行うことが好まし
い。

【００２４】（４）一般式[VII] で、Ｒ¹ がフッ素で置
換されていても良い低級アルキル基、置換されても良い
ベンジル基である化合物は、一般式［Ｘ］で表される化
合物に塩基の存在下、一般式[XII] で表される化合物を
作用させることにより製造することができる。

【００２５】

【化２５】

【００２６】［式中、Ｒ³ ，Ｒ⁴ ，Ｒ⁷ ，Ｒ⁸ は同一又
は相異なって、水素原子、低級アルキル基、低級アルコ
キシ基、トリフルオロメチル基を、Ｒ⁵ 及びＲ⁶ は同一
又は相異なって、低級アルキル基、低級アルコキシ基、
トリフルオロメチル基を表すか、又はＲ⁴ とＲ⁵ 、Ｒ⁶
とＲ⁷ が相伴って芳香環を表し、Ｘはハロゲン原子を表
す］

【００２７】

【化２６】

【００２８】［式中、Ｒａ¹ はフッ素で置換されていて
も良い低級アルキル基、置換されていても良いベンジル
基を、Ｘ² はハロゲン原子を表す］ここでフッ素で置換
されていても良い低級アルキル基とは、メチル、エチ
ル、プロピル、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプ
ロピル、２，２，３，３，４，４，４−ヘプタフルオロ
ブチル等を示す。

【００２９】反応は、例えばジメチルホルムアミド、ア
セトン、水−エタノール等の溶媒中、例えば炭酸カリウ
ム、炭酸ナトリウム、水素化ナトリウム等の塩基の存在
下に、室温から溶媒の還流温度の範囲で行うことが好ま
しい。

【００３０】Ｒａ¹ がメチル基の場合は、一般式［Ｘ］
で表される化合物にギ酸及びホルマリンを加え、還流す
ることによっても製造することができる。

【００３１】（５）一般式[VII] で表される化合物は、
一般式［XIII］で表される化合物に塩基の存在下、必要
ならば臭化第一銅もしくは塩化第一銅等の銅触媒の存在
下に一般式[XIV] で表される化合物を作用させることに
よっても製造することができる。

【００３２】

【化２７】

【００３３】［式中、Ｒ³ ，Ｒ⁴ ，Ｒ⁷ ，Ｒ⁸ は同一又
は相異なって、水素原子、低級アルキル基、低級アルコ
キシ基、トリフルオロメチル基を、Ｒ⁵ 及びＲ⁶ は同一
又は相異なって、低級アルキル基、低級アルコキシ基、
トリフルオロメチル基を表すか、又はＲ⁴ とＲ⁵ 、Ｒ⁶
とＲ⁷ が相伴って芳香環を表し、Ｘ及びＸ³ は同一又は
相異なって、ハロゲン原子を表す］

【００３４】

【化２８】

【００３５】［式中、Ｒ¹ はフッ素で置換されていても
良い低級アルキル基、置換されていても良いベンジル基
を、２個のＲ¹ が相伴って炭素原子４もしくは５個から
なる環状基を表す］反応は、例えばジメチルホルムアミ
ド、ジメチルスルホキシド等の溶媒の存在下又は非存在
下に、例えば炭酸カリウム、炭酸ナトリウム等の塩基を
加え、加温下で行うことが好ましい。この際、臭化第一
銅もしくは塩化第一銅等の銅触媒の添加も好ましい。ま
た、一般式[XIV] で表される化合物を過剰に加え、塩基
を代用することも可能である。

【００３６】一般式［Ｘ］及び一般式［XIII］で示され
る化合物は以下の化２９にしたがって合成することがで
きる。

【００３７】

【化２９】

【００３８】化２９中の反応は以下に記載した方法によ
り、容易に行われる。

【００３９】ａ）ハロゲン化：ハロゲン化反応は、有機
溶媒、例えば酢酸、塩化メチレン等中、反応温度として
は１０〜５０℃で行うことが好ましい。また、ハロゲン
化剤としては通常のハロゲン化剤が使用できるが、特に
臭素が好ましい。

【００４０】ｂ）ザンドマイヤー反応：ザンドマイヤー
反応は有機溶媒、例えば酢酸、硝酸又は臭化水素水等
中、亜硝酸ナトリウムによりジアゾニウム塩とした後、
ハロゲン化剤としてヨウ化カリウム又は臭化第一銅を作
用させることが好ましい。反応温度は０〜３０℃で行う
ことが好適である。

【００４１】ｃ）ニトロ基の還元：ニトロ基の還元の場
合、通常の還元剤が使用できるが、他の置換基にハロゲ
ン原子が含まれる場合は、鉄−塩酸の系が好ましく、そ
の他の置換基の場合は、パラジウム−炭素を触媒とした
接触還元が好ましい。接触還元の場合、溶媒はアルコー
ルが好適である。

【００４２】ｄ）クルチウス転移：低級アルコキシカル
ボニル基をアミノ基へ変換する方法は、クルチウス転移
を利用する方法が好ましく、低級アルコキシカルボニル
基を加水分解後、得られたカルボン酸体を塩化チオニル
等で酸塩化物とするか、クロル炭酸アルキルと作用さ
せ、酸無水物とした後、アジ化ナトリウムと作用させ、
アシルアジド体とし、ベンゼン、トルエン等の有機溶媒
中で還流することによりイソシアナート体とし、更にア
ルカリで加水分解することによりアミノ体とすることが
できる。

【００４３】化２９に記載された化合物のうち、一般式
［XV］で表される化合物は、一般式[XVI] で表される化
合物と一般式［XVII］で表される化合物を、金属触媒の
存在下に作用させることにより製造することができる。

【００４４】

【化３０】

【００４５】［式中、Ｒ³ ，Ｒ⁴ は同一又は相異なっ
て、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ト
リフルオロメチル基を、Ｒ⁵ は低級アルキル基、低級ア
ルコキシ基、トリフルオロメチル基を表すか、又はＲ⁴
とＲ⁵ が相伴って芳香環を表し、Ｙ¹ は水素原子、ニト
ロ基、低級アルコキシカルボニル基を、Ｘ⁴ はハロゲン
原子又はホウ酸基を表す］

【００４６】

【化３１】

【００４７】［式中、Ｒ⁷ ，Ｒ⁸ は同一又は相異なっ
て、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ト
リフルオロメチル基を、Ｒ⁶ は低級アルキル基、低級ア
ルコキシ基、トリフルオロメチル基を表すか、又はＲ⁶
とＲ⁷ が相伴って芳香環を表し、Ｙ² は水素原子、ニト
ロ基、低級アルコキシカルボニル基を、Ｘ⁵ はハロゲン
原子又はホウ酸基を表すが、Ｘ⁴ とＸ⁵ は同時にホウ酸
基ではない］一般式[XVI] で表される化合物と一般式
［XVII］で表される化合物の反応においてＸ⁴ 及びＸ⁵
がともにハロゲン原子の場合は、金属触媒として、例え
ば銅粉を用い、スルホラン、キノリン等の有機溶媒中、
１７０〜２５０℃の反応温度で行うことが好ましい。こ
こで、Ｙ¹及びＹ²がニトロ基又は低級アルコキシカルボ
ニル基の場合は、Ｘ⁴ 及びＸ⁵ が臭素原子であることが
好ましく、Ｙ¹ 及び／又はＹ² が水素原子の場合は、ヨ
ウ素原子であることが好ましい。

【００４８】一般式[XVI] で表される化合物と一般式
［XVII］で表される化合物の反応においてＸ⁴ 又はＸ⁵
がホウ酸基の場合は、パラジウム触媒、特にテトラキス
トリフェニルホスフィンパラジウム０価の錯体を用い、
ベンゼン、トルエン、塩化メチレン等の有機溶媒中、溶
媒の還流温度で行うことが好ましい。

【００４９】また、原料である一般式[XVI] 及び一般式
［XVII］で表される化合物は、公知文献（例えばテトラ
ヘドロン、３７，７４７（１９８１）等）に従って合成
できるか、又は更にニトロ化もしくは有機リチウム試薬
等を作用させた後に、トリアルキルボラートと作用する
ことにより必要な原料を製造できる。

【００５０】

【実施例】次に本発明を具体例によって説明するが、こ
れらの例によって本発明が限定されるものではない。

【００５１】実施例１３，３’−ジメトキシ−２ ，２’，４，４’−テトラ メ
チル−６−ニトロ−１， １’−ビフェニルの合成 ３−ヨード−２，６−ジメチルアニソール（３．０
ｇ）、３−ブロモ−２，６−ジメチル−４−ニトロアニ
ソール（３．０ｇ）、銅粉（２．２ｇ）、スルホラン
（４０ｍｌ）の混合液を１７０℃にて３時間撹拌後、冷
却し、ベンゼンを加え、不溶物を濾去した。濾液を水洗
後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮した。残
渣をシリカゲルクロマトにより分離精製（ｎ−ヘキサ
ン：塩化メチレン＝９：１）し、淡黄色プリズム晶の目
的物（０．７８ｇ）を得た（収率２１．６％）。融点７
２〜７３℃ Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ₃ ）：１．８３（３Ｈ，
ｓ），１．８７（３Ｈ，ｓ），２．２７（３Ｈ，ｓ），
２．３３（３Ｈ，ｓ），３．６７（３Ｈ，ｓ），３．７
０（３Ｈ，ｓ），６．４７（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．０Ｈ
ｚ），６．９０（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ），７．４
８（２Ｈ，ｓ）。

【００５２】実施例２６’−ブロモ−３，３’− ジメトキシ−２，２’，４ ，
４’−テトラメチル−６−ニトロ−１，１’−ビフェニ
ルの合成 実施例１の化合物（１．３ｇ）を酢酸（２０ｍｌ）に溶
解し、冷却下に臭素（０．３２ｍｌ）を加え、室温で一
夜撹拌した。反応液に氷水を加えてベンゼンで抽出し、
有機層を１０％水酸化ナトリウム水溶液で洗浄、ついで
水洗して無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮し
た。残渣をシリカゲルクロマトにより分離精製（ｎ−ヘ
キサン：塩化メチレン＝５：１）し、淡黄色板状晶の目
的物（１．３６ｇ）を得た（収率８３．６％）。融点１
０８〜１１０℃ Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ₃ ）：１．８７（６Ｈ，
ｓ），２．２７（３Ｈ，ｓ），２．３７（３Ｈ，ｓ），
３．６７（３Ｈ，ｓ），３．７７（３Ｈ，ｓ），７．２
７（１Ｈ，ｓ），７．７３（１Ｈ，ｓ）。

【００５３】実施例３６−アミノ−６’−ブロモ −３，３’−ジメトキシ−
２，２’，４，４’−テト ラメチル−１，１’−ビフ ェ
ニルの合成 実施例２の化合物（１．３６ｇ）、鉄粉（０．６ｇ）、
メタノール（２０ｍｌ）、濃塩酸（５．４ｍｌ）の混合
液を１５時間加熱還流した。反応液に氷水を加え、１０
％水酸化ナトリウム水溶液にてアルカリ性とし、析出物
を濾取した。析出物を塩化メチレンで抽出し、抽出液を
水洗後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮し
た。得られた残渣をシリカゲルクロマトにより分離精製
（ｎ−ヘキサン：塩化メチレン＝１：１）し、淡黄色プ
リズム晶の目的物（０．９１ｇ）を得た（収率７２．４
％）。 ＭＳ（ｍ／ｓ）：３６３，３６５（Ｍ⁺ ）。

【００５４】実施例４６’−ブロモ−３，３’− ジメトキシ−２，２’，４ ，
４’−テトラメチル−６ −ジメチルアミノ−１，１ ’−
ビフェニルの合成 実施例３の化合物（１．４ｇ）、ヨウ化メチル（０．５
ｇ）、炭酸ナトリウム（０．６ｇ）、水（１３ｍｌ）及
びエタノール（２２ｍｌ）の混合液を５時間加熱還流し
た。反応液を減圧濃縮し、残渣を塩化メチレンで抽出し
た。有機層を水洗後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、
減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルクロマトによ
り分離精製（ｎ−ヘキサン：塩化メチレン＝１：１）
し、白色板状晶の目的物（１．１ｇ）を得た（収率７
３．０％）。 融点 １００〜１０２℃ 元素分析（％）：Ｃ₂₀Ｈ₂₆ＢｒＮＯ₂ として Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ₃ ）：１．８３（３Ｈ，
ｓ），１．９０（３Ｈ，ｓ），２．２８（６Ｈ，ｓ），
２．４３（６Ｈ，ｓ），３．６７（６Ｈ，ｓ），６．６
７（１Ｈ，ｓ），７．２３（１Ｈ，ｓ）。

【００５５】実施例５３，３’−ジメトキシ−２ ，２’，４，４’−テトラ メ
チル−６−ジメチルアミ ノ−６’−ジフェニルホス フィ
ニル−１，１’−ビフ ェニルの合成 乾燥テトラヒドロフラン（２０ｍｌ）に実施例４の化合
物（０．５１ｇ）を完全に溶解し、−７０℃に冷却し
た。ｔ−ブチルリチウム（１．４８ｍｏｌ／Ｌ ヘキサ
ン溶液：１．９３ｍｌ）を加え、同温度で１時間撹拌し
た後、反応液に乾燥テトラヒドロフラン（５ｍｌ）に溶
かしたクロロジフェニルホスフィンオキシド（０．３４
ｇ）を−６０℃以下で滴下し、同温度で１時間撹拌後、
徐々に室温に戻し、一夜放置した。テトラヒドロフラン
を減圧留去し、残渣に塩化メチレンと水を加えて抽出し
た。有機層を１０％水酸化ナトリウム水溶液、水で順次
洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧
留去後、残渣をシリカゲルクロマトにより分離精製（ｎ
−ヘキサン：塩化メチレン＝１：１０）、更にヘキサン
−ベンゼンから再結晶し、白色板状晶の目的物（０．４
４ｇ）を得た（収率６５．９％）。 融点 １３２〜１３４℃ 元素分析（％）：Ｃ₃₂Ｈ₃₆ＮＯ₃ Ｐとして Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ₃ ）：１．５３（３Ｈ，
ｓ），１．８７（３Ｈ，ｓ），２．１３（９Ｈ，ｓ），
２．２７（３Ｈ，ｓ），３．５０〜３．７３（３Ｈ，
ｓ），７．２３〜７．７６（１２Ｈ，ｍ）。

【００５６】実施例６３，３’−ジメトキシ−２ ，２’，４，４’−テトラ メ
チル−６−ジメチルアミ ノ−６’−ジフェニルホス フィ
ニル−１，１’−ビフ ェニルの光学分割 実施例５で得られた化合物（５００ｍｇ）を光学活性カ
ラム（キラルパックＯＴ（＋）（ダイセル製））を用
い、展開溶媒ｎ−ヘキサン−イソプロピルアルコール
（２０：１）で光学分割した。前出のフラクションを集
め、濃縮し、白色結晶（５０ｍｇ）を得た。 ［α］_D ²³ ：＋２５．３°（ｃ，０．２９，ＣＨＣｌ₃ ）。

【００５７】実施例７（＋）−３，３’−ジメト キシ−２，２’，４，４’ −
テトラメチル−６−ジメ チルアミノ−６’−ジフェ ニル
ホスフィノ−１，１’ −ビフェニルの合成 耐圧管中で、実施例６の化合物（５０ｍｇ）を乾燥、脱
気したクロロベンゼン（５ｍｌ）に溶解し、トリエチル
アミン（０．３８ｍｌ）、アルゴン気流、氷冷下におい
てトリクロロシラン（０．２４ｍｌ）を順に加え、アル
ゴン置換した後に封管して１４０℃で５時間撹拌した。
反応液に氷冷下、脱気した２０％水酸化ナトリウム水溶
液を白色懸濁物が溶解するまで加え、アルゴン置換した
後、７０℃で３０分間撹拌した。続いて室温まで冷却
し、クロロベンゼン（５ｍｌ）を追加し、有機層を分取
し、水、飽和食塩水で順次洗浄した後、無水硫酸マグネ
シウムで乾燥した。有機層を減圧濃縮し、残渣をシリカ
ゲルクロマトにより分離精製（トルエン）し、白色プリ
ズム晶の目的物（３４ｍｇ）を得た（収率７０．２
％）。 ［α］_D ²³ ：＋４４．４°（ｃ，０．１７４，ＣＨＣｌ₃ ） Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ₃ ）：１．５５（３Ｈ，
ｓ），１．９９（３Ｈ，ｓ），２．２２（３Ｈ，ｓ），
２．２７（６Ｈ，ｓ），２．３２（３Ｈ，ｓ），３．５
９（３Ｈ，ｓ），３．７３（３Ｈ，ｍ），６．７５（１
Ｈ，ｓ），６．９３（１Ｈ，ｓ），６．９４〜７．４０
（１０Ｈ，ｍ）。

【００５８】実施例８３’−メトキシ−２’，４ ’−ジメチル−２−ニトロ −
４，６−ビス（トリフル オロメチル）−１，１’− ビフ
ェニルの合成 ３−ヨード−２，６−ジメチルアニソールと１−ブロモ
−２−ニトロ−４，６−ビス（トリフルオロメチル）ベ
ンゼンより実施例１と同様にして微黄色プリズム晶の目
的物を得た（収率８０％）。 融点 ８０〜８１℃ 元素分析（％）：Ｃ₁₇Ｈ₁₃Ｆ₆ ＮＯ₃ として Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ₃ ）：１．９７（３Ｈ，
ｓ），２．３４（３Ｈ，ｓ），３．７３（３Ｈ，ｓ），
６．７５（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．９Ｈｚ），７．０６（１
Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．９Ｈｚ），８．２１（１Ｈ，ｓ），
８．２２（１Ｈ，ｓ）。

【００５９】実施例９６’−ブロモ−３’−メト キシ−２’，４’−ジメチ ル
−２−ニトロ−４，６− ビス（トリフルオロメチル ）−
１，１’−ビフェニル の合成 実施例８の化合物を実施例２と同様に処理することによ
り目的物を得た。 Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ₃ ）：１．８３（３Ｈ，
ｓ），２．２５（３Ｈ，ｓ），３．６３（３Ｈ，ｓ），
７．１７（１Ｈ，ｓ），８．０１（１Ｈ，ｓ），８．０
２（１Ｈ，ｓ）。

【００６０】実施例１０２−アミノ−６’−ブロモ −３’−メトキシ−２’，
４’−ジメチル−４，６− ビス（トリフルオロメチル ）
−１，１’−ビフェニル の合成 実施例９の化合物を実施例３と同様に処理することによ
り白色プリズム晶の目的物を得た。 融点 ８５〜８６℃ Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ₃ ）：１．９０（３Ｈ，
ｓ），２．２７（３Ｈ，ｓ），３．３３（５Ｈ，ｓ），
７．０１（１Ｈ，ｓ），７．２７（２Ｈ，ｓ）。

【００６１】実施例１１６’−ブロモ−３’−メト キシ−２’，４’−ジメチ ル
−２−ジメチルアミノ− ４，６−ビス（トリフルオ ロメ
チル）−１，１’−ビ フェニルの合成 実施例１０の化合物（０．８ｇ）を３７％ホルマリン
（１ｍｌ）及びギ酸（２０ｍｌ）の溶液に加え、５時間
加熱還流した。減圧濃縮し、得られた残渣に１０％水酸
化ナトリウム水溶液を加え、クロロホルムで抽出した。
有機層を水洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧
濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトにより分離精製（ｎ
−ヘキサン：塩化メチレン＝４：１）し、白色プリズム
晶の目的物（０．８２ｇ）を得た（収率９６．４％）。 融点 ６５〜６７℃ 元素分析（％）：Ｃ₁₉Ｈ₁₈ＢｒＦ₆ ＮＯとして Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ₃ ）：１．５３（３Ｈ，
ｓ），２．２３（３Ｈ，ｓ），２．５０（６Ｈ，ｓ），
３．６３（３Ｈ，ｓ），７．１７（１Ｈ，ｓ），７．３
０（１Ｈ，ｓ），７．４７（１Ｈ，ｓ）。

【００６２】実施例１２３’−メトキシ−２’，４ ’−ジメチル−２−ジメチ ル
アミノ−６’−ジフェニ ルホスフィニル−４，６− ビス
（トリフルオロメチル ）−１，１’−ビフェニル の合成 実施例１１の化合物を実施例５と同様に処理することに
より白色板状晶の目的物を得た（収率７０．１％）。 融点 １２２〜１２４℃ 元素分析（％）：Ｃ₃₁Ｈ₂₈Ｆ₆ ＮＯ₂ Ｐとして Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ₃ ）：１．９７（３Ｈ，
ｓ），２．０４（６Ｈ，ｓ），２．２８（３Ｈ，ｓ），
３．７６（３Ｈ，ｓ），７．２６〜７．６０（１３Ｈ，
ｍ）。

【００６３】実施例１３３’−メトキシ−２’，４ ’−ジメチル−２−ジメチ ル
アミノ−６’−ジフェニ ルホスフィニル−４，６− ビス
（トリフルオロメチル ）−１，１’−ビフェニル の光学
分割 実施例１２により得られた化合物を実施例６と同様に、
光学活性体分取用カラム（キラルパックＯＴ（＋）（ダ
イセル製））で、展開溶媒ｎ−ヘキサン−イソプロピル
アルコール（２０：１）で光学分割した。前出のフラク
ションを集め、濃縮し、白色結晶を得た。 ［α］_D ²³ ：＋３０．９°（ｃ，０．２９，ＣＨＣｌ₃ ） ＨＰＬＣ分析で１００％ｅｅであった。

【００６４】実施例１４（＋）−３’−メトキシ− ２’，４’−ジメチル−２ −
ジメチルアミノ−６’− ジフェニルホスフィニル− ４，
６−ビス（トリフルオ ロメチル）−１，１’−ビ フェニ
ルの合成 実施例１３の化合物を実施例７と同様に処理することに
より白色プリズム晶の目的物を得た（収率８９．９
％）。 融点 １６４〜１６６℃ ［α］_D ²³ ：＋５８．３°（ｃ，０．１２，ＣＨＣｌ₃ ） Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ₃ ）：１．５０（３Ｈ，
ｓ），２．００（６Ｈ，ｓ），２．２０（３Ｈ，ｓ），
３．７０（３Ｈ，ｓ），６．７０〜７．４０（１３Ｈ，
ｍ）。

【００６５】実施例１５２−アミノ−３’−メトキ シ−２’，４’−ジメチル −
４，６−ビス（トリフル オロメチル）−１，１’− ビフ
ェニルの合成 実施例８の化合物（４．３ｇ）を５％パラジウム炭素
（１．０ｇ）、エタノール（５０ｍｌ）の溶液中に加
え、水素雰囲気下、室温、常圧にて１５時間撹拌した。
不溶物を濾去し、得られた濾液を減圧濃縮した。残渣を
シリカゲルクロマトにより分離精製（ｎ−ヘキサン：塩
化メチレン＝１：２）し、目的物（２．５ｇ）を得た。 Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ₃ ）：１．９０（３Ｈ，
ｓ），２．２７（３Ｈ，ｓ），３．６３（３Ｈ，ｓ），
６．５７（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ），６．９０（１
Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ），６．９３（１Ｈ，ｓ），
７．２０（１Ｈ，ｓ）。

【００６６】実施例１６２−ブロモ−３’−メトキ シ−２’，４’−ジメチル −
４，６−ビス（トリフル オロメチル）−１，１’− ビフ
ェニルの合成 実施例１５の化合物（１．５ｇ）を酢酸（５ｍｌ）に溶
解、この溶液を濃硫酸（２．６ｍｌ）に亜硝酸ナトリウ
ム（０．３４ｇ）を溶解した溶液に加えた。室温で１時
間撹拌した後、反応液を、臭化第１銅（０．８ｇ）、４
７％臭化水素酸水溶液（３ｍｌ）の混合液に加えた。室
温で２４時間撹拌後、水を加え、ベンゼン抽出した。抽
出液を１０％水酸化ナトリウム水溶液で洗浄、ついで水
洗後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮した。
得られた残渣をシリカゲルクロマトにより分離精製（ｎ
−ヘキサン：塩化メチレン＝４：１）し、目的物（１．
６ｇ）を得た。 Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ₃ ）：１．９０（３Ｈ，
ｓ），２．３７（３Ｈ，ｓ），３．７０（３Ｈ，ｓ），
６．５７（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ），７．０１（１
Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ），７．８７（１Ｈ，ｓ），
８．０１（１Ｈ，ｓ）。

【００６７】実施例１７２−ブロモ−３’−メトキ シ−２’，４’−ジメチル −
６’−ニトロ−４，６− ビス（トリフルオロメチル ）−
１，１’−ビフェニル の合成 実施例１６の化合物（５．９ｇ）を８０％濃硝酸（４０
ｍｌ）、塩化メチレン（４０ｍｌ）に加え、室温で１３
時間撹拌した。塩化メチレンで抽出、有機層を順次、
水、１０％水酸化ナトリウム水溶液、水で洗浄し、無水
硫酸ナトリウムで乾燥した。残渣をシリカゲルクロマト
により分離精製（ｎ−ヘキサン：塩化メチレン＝９：
１）℃で精製し、淡黄色油状物として目的物（５．４
ｇ）を得た。 ＧＣＭＳ（ｍ／ｚ）：４７１、４７３（Ｍ⁺ ） Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ₃ ）：１．８３（３Ｈ，
ｓ），２．６０（３Ｈ，ｓ），３．７０（３Ｈ，ｓ），
７．８３（１Ｈ，ｓ），７．８７（１Ｈ，ｓ），８．０
３（１Ｈ，ｓ）。

【００６８】実施例１８６’−アミノ−２−ブロモ −３’−メトキシ−２’，
４’−ジメチル−４，６− ビス（トリフルオロメチル ）
−１，１’−ビフェニル の合成 実施例１７の化合物（１．４ｇ）にエタノール（１５ｍ
ｌ）、濃塩酸（６ｍｌ）、鉄（０．５ｇ）を加え、２０
時間還流後、減圧濃縮した。残渣に１０％水酸化ナトリ
ウム水溶液を加え、アルカリ性とし、塩化メチレンを加
え、不溶物を濾去した。濾液を塩化メチレンで抽出し、
無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧濃縮した。残渣を
シリカゲルクロマトにより分離精製（ｎ−ヘキサン：塩
化メチレン＝９：１）℃で精製し、目的物（０．７３
ｇ）を得た。ＧＣＭＳ（ｍ／ｚ）：４４１、４４３（Ｍ
⁺ ）。

【００６９】実施例１９２−ブロモ−３’−メトキ シ−２’，４’−ジメチル −
６’−（Ｌ）−Ｎ−トシ ルプロリルアミノ−４，６ −ビ
ス（トリフルオロメチ ル）−１，１’−ビフェニ ルの合
成 （Ｌ）−Ｎ−トシルプロリン（０．９ｇ）と塩化チオニ
ル（５ｍｌ）より調製した（Ｌ）−Ｎ−トシルプロリル
クロライドをベンゼン（１０ｍｌ）に溶解、これを実施
例１８の化合物（１ｇ）のピリジン（１０ｍｌ）溶液に
滴下した。室温で２時間撹拌後、ベンゼンで抽出し、有
機層を順次、水、希塩酸、水で洗浄、無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥後、減圧濃縮した。残渣を高速液体クロマト
（ＹＭＣＰａｃｋｅｄ Ｃｏｌｕｍｎ Ｄ−ＳＩＬ−７
Ｓ−７ １２０Ａ ＳＩＬ、ｎ−ヘキサン：イソプロ
ピルアルコール（２０：１））で分離した。前出のフラ
クションを集め、白色プリズム晶として目的物（０．１
５ｇ）を得た。 融点 １９３〜１９５℃ ［α］_D ²³ ：＋９９．８°（ｃ，０．３５，ＣＨＣｌ₃ ） Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ₃ ）：１．３３〜３．３０
（７Ｈ，ｍ），１．８３（３Ｈ，ｓ），２．３０（６
Ｈ，ｓ），２．３３（３Ｈ，ｓ），３．６７（３Ｈ，
ｓ），７．１７（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ），７．５
０（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ），７．９０（１Ｈ，
ｓ），７．９７（１Ｈ，ｓ），８．１３（１Ｈ，ｓ）。

【００７０】実施例２０（＋）−２−ブロモ−３’ −メトキシ−２’，４’− ジ
メチル−６’−ジメチル アミノ−４，６−ビス（ト リフ
ルオロメチル）−１， １’−ビフェニルの合成 実施例１９の化合物（０．１５ｇ）を１０％水酸化ナト
リウム水溶液及び少量のエタノールの混合液中に加え、
８時間、８０℃にて加熱還流した。反応液を冷却後、塩
化メチレンで抽出し、有機層を水洗後、無水硫酸マグネ
シウムで乾燥、減圧濃縮した。残渣をシリカゲルクロマ
トにより分離精製（ｎ−ヘキサン：塩化メチレン＝４：
１）℃で精製し、（＋）−６’−アミノ−２−ブロモ−
３’−メトキシ−２’，４’−ジメチル−４，６−ビス
（トリフルオロメチル）−１，１’−ビフェニル（７０
ｍｇ）を得た。これを水（３ｍｌ），エタノール（５．
８ｍｌ）、炭酸ナトリウム（０．１２ｇ），ヨウ化メチ
ル（０．１０ｇ）の混合物中に加え、７時間還流した。
反応液を減圧濃縮し、塩化メチレンで抽出した。有機層
を水洗後、無水硫酸マグネシウムで乾燥、減圧濃縮し
た。残渣をシリカゲルクロマトにより分離精製（ｎ−ヘ
キサン：塩化メチレン＝４：１）し、目的物（３７ｍ
ｇ）を得た。 ［α］_D ²³ ：＋５１．４９°（ｃ，０．１７，ＣＨＣｌ₃ ） Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ₃ ）：１．８０（３Ｈ，
ｓ），２．２７（３Ｈ，ｓ），２．３７（６Ｈ，ｓ），
３．６０（３Ｈ，ｓ），６．８０（１Ｈ，ｓ），７．８
０（１Ｈ，ｓ），７．９７（１Ｈ，ｓ）。

【００７１】実施例２１（＋）−３’−メトキシ− ２’，４’−ジメチル−６ ’
−ジメチルアミノ−２− ジフェニルホスフィノ−４ ，６
−ビス（トリフルオロ メチル）−１，１’−ビフ ェニル
の合成 実施例２０の化合物（３７ｍｇ）よりクロロジフェニル
ホスフィンを使用し、実施例５と同様にして目的物（２
１ｍｇ）を得た。 融点 １６５〜１６６℃ ［α］_D ²³ ：＋２３．５°（ｃ，０．１２，ＣＨＣｌ₃ ） Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ₃ ）：１．２３（３Ｈ，
ｓ），２．２７（３Ｈ，ｓ），２．３７（６Ｈ，ｓ），
３．４７（３Ｈ，ｓ），６．７３（１Ｈ，ｓ），６．７
０〜７．３３（１０Ｈ，ｍ），７．６０（１Ｈ，ｓ），
７．８３（１Ｈ，ｓ）。

【００７２】実施例２２１−（６−ブロモ−３−メ トキシ−２，４−ジメチル フ
ェニル）ナフタレン−２ −イルカルボン酸メチルの 合成 １−（３−メトキシ−２，４−ジメチルフェニル）ナフ
タレン−２−イルカルボン酸メチル（１．５ｇ）を酢酸
（３０ｍｌ）に溶解、撹拌下に臭素（０．２４ｍｌ）を
加え、一晩室温にて撹拌した。反応液に塩化メチレンと
氷水を加え、抽出した。有機層を１０％水酸化ナトリウ
ム水溶液、水にて順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで
乾燥後、減圧濃縮した。得られた残渣をｎ−ヘキサンで
再結晶して目的物（１．３ｇ）を得た。 融点 ９７〜９８℃ 元素分析（％）：Ｃ₂₁Ｈ₁₉ＢｒＯ₃ として Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ₃ ）：１．７３（３Ｈ，
ｓ），２．３１（６Ｈ，ｓ），３．６０（３Ｈ，ｓ），
３．６３（３Ｈ，ｓ），６．７０〜７．３３（７Ｈ，
ｍ）。

【００７３】実施例２３２−アミノ−１−（６−ブ ロモ−３−メトキシ−２， ４
−ジメチルフェニル）ナ フタレンの合成 実施例２２の化合物（０．９ｇ）を１０％水酸化ナトリ
ウム水溶液（３０ｍｌ）、エタノール（３ｍｌ）の溶液
に加え、２時間加熱還流した。冷却後、濃塩酸にて酸性
にし、塩化メチレンで抽出した。有機層を水洗し、無水
硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧濃縮した。残渣に塩化
チオニル（２０ｍｌ）を加え、１時間還流後、濃縮し
た。残渣に乾燥ベンゼンを加え、再度減圧濃縮した後、
残渣をアセトン（４０ｍｌ）に溶解し、０℃に冷却し
た。反応液にアジ化ナトリウム（４ｇ）、水（２０ｍ
ｌ）の溶液を０℃以下にて滴下し、更に０℃で３０分間
撹拌した。反応液に水（４０ｍｌ）を加え、ベンゼンで
抽出、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、１時間加
熱還流した。反応液に５０％水酸化ナトリウム水溶液
（１０ｍｌ）を加え、更に１時間加熱還流した。冷却
後、ベンゼンで抽出し、有機層を水洗後、無水硫酸ナト
リウムで乾燥し、減圧濃縮した。残渣をシリカゲルカラ
ムクロマトにより分離精製（塩化メチレン：ｎ−ヘキサ
ン＝３：２）し、淡黄色油状物の目的物（０．５５ｇ）
を得た。 Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ₃ ）：１．８７（３Ｈ，
ｓ），２．３３（３Ｈ，ｓ），３．５０（２Ｈ，ｂｒ
ｓ），３．７３（３Ｈ，ｓ），６．７０〜７．８０（７
Ｈ，ｍ）。

【００７４】実施例２４１−（６−ブロモ−３−メ トキシ−２，４−ジメチル フ
ェニル）−２−ジメチル アミノナフタレンの合成 実施例２３の化合物（０．５５ｇ）に水（１５ｍｌ）、
エタノール（２７ｍｌ）、炭酸ナトリウム（０．６
ｇ）、ヨウ化メチル（０．５ｇ）を加え、１２時間加熱
還流した。反応液を減圧濃縮し、残渣に水を加え、塩化
メチレンで抽出、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥
後、減圧濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトに
より分離精製（塩化メチレン：ｎ−ヘキサン＝２：３）
し、目的物（０．５１ｇ）を得た。 融点 ８４〜８５℃ Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ₃ ）：１．８３（３Ｈ，
ｓ），２．３０（３Ｈ，ｓ），２．５７（６Ｈ，ｓ），
３．６８（３Ｈ，ｓ），６．８３〜８．００（７Ｈ，
ｍ）。

【００７５】実施例２５２−ジメチルアミノ−１− （６−ジフェニルホスフィ ニ
ル−３−メトキシ−２， ４−ジメチルフェニル）ナ フタ
レンの合成 実施例２４の化合物（０．５１ｇ）を実施例５と同様に
処理することにより目的物（０．４ｇ）を得た。 融点 ９０〜９２℃ Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ₃ ）：１．８０（３Ｈ，
ｓ），２．２７（３Ｈ，ｓ），２．４５（６Ｈ，ｓ），
３．７３（３Ｈ，ｓ），６．３３〜７．８３（７Ｈ，
ｍ）。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) C07F 9/50 C07F 9/53 ＣＡ（ＳＴＮ) ＣＡＯＬＤ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)

Claims (12)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式［Ｉ］ 【化１】 ［式中、Ｒ¹ はフッ素で置換されていても良い低級アル
   キル基、置換されていても良いベンジル基、２個のＲ¹
   が相伴って炭素原子４もしくは５個からなる環状基を、
   Ｒ² はフェニル基（該フェニル基は、低級アルキル基、
   低級アルコキシ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン
   原子から選ばれる１〜５個で置換されていても良い）又
   はシクロヘキシル基を、Ｒ³ ，Ｒ⁴ ，Ｒ⁷ ，Ｒ⁸ は同一
   又は相異なって、水素原子、低級アルキル基、低級アル
   コキシ基、トリフルオロメチル基を、Ｒ⁵ 及びＲ⁶ は同
   一又は相異なって、低級アルキル基、低級アルコキシ
   基、トリフルオロメチル基を表すか、又はＲ⁴ とＲ⁵ 、
   Ｒ⁶ とＲ⁷ が相伴って芳香環を表す］で表される光学活
   性な軸不斉アミノホスフィン誘導体。
2. 【請求項２】 前記一般式［Ｉ］においてＲ³ ，Ｒ⁵ ，
   Ｒ⁶ 及びＲ⁸ がメチル基、Ｒ⁴ 及びＲ⁷ がメトキシ基で
   ある一般式［II］ 【化２】 ［式中、Ｒ¹ はフッ素で置換されていても良い低級アル
   キル基、置換されていても良いベンジル基、２個のＲ¹
   が相伴って炭素原子４もしくは５個からなる環状基を、
   Ｒ² はフェニル基（該フェニル基は、低級アルキル基、
   低級アルコキシ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン
   原子から選ばれる１〜５個で置換されていても良い）又
   はシクロヘキシル基を表す］で表される光学活性な軸不
   斉アミノホスフィン誘導体。
3. 【請求項３】 前記一般式［Ｉ］においてＲ³ 及びＲ⁵
   がトリフルオロメチル基、Ｒ⁴ が水素原子、Ｒ⁶ 及びＲ
   ⁸ がメチル基、Ｒ⁷ がメトキシ基である一般式[III] 【化３】 ［式中、Ｒ¹ はフッ素で置換されていても良い低級アル
   キル基、置換されていても良いベンジル基、２個のＲ¹
   が相伴って炭素原子４もしくは５個からなる環状基を、
   Ｒ² はフェニル基（該フェニル基は、低級アルキル基、
   低級アルコキシ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン
   原子から選ばれる１〜５個で置換されていても良い）又
   はシクロヘキシル基を表す］で表される光学活性な軸不
   斉アミノホスフィン誘導体。
4. 【請求項４】 前記一般式［Ｉ］においてＲ³ 及びＲ⁵
   がメチル基、Ｒ⁴ がメトキシ基、Ｒ⁶ 及びＲ⁸ がトリフ
   ルオロメチル基、Ｒ⁷ が水素原子を表す一般式［IV］ 【化４】 ［式中、Ｒ¹ はフッ素で置換されていても良い低級アル
   キル基、置換されていても良いベンジル基、２個のＲ¹
   が相伴って炭素原子４もしくは５個からなる環状基を、
   Ｒ² はフェニル基（該フェニル基は、低級アルキル基、
   低級アルコキシ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン
   原子から選ばれる１〜５個で置換されていても良い）又
   はシクロヘキシル基を表す］で表される光学活性な軸不
   斉アミノホスフィン誘導体。
5. 【請求項５】 前記一般式［Ｉ］においてＲ³ 及びＲ⁵
   がメチル基、Ｒ⁴ がメトキシ基、Ｒ⁶ 及びＲ⁷ が相伴っ
   て芳香環、Ｒ⁸ が水素原子を表す一般式［Ｖ］ 【化５】 ［式中、Ｒ¹ はフッ素で置換されていても良い低級アル
   キル基、置換されていても良いベンジル基、２個のＲ¹
   が相伴って炭素原子４もしくは５個からなる環状基を、
   Ｒ² はフェニル基（該フェニル基は、低級アルキル基、
   低級アルコキシ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン
   原子から選ばれる１〜５個で置換されていても良い）又
   はシクロヘキシル基を表す］で表される光学活性な軸不
   斉アミノホスフィン誘導体。
6. 【請求項６】 一般式［VI］ 【化６】 ［式中、Ｒ¹ はフッ素で置換されていても良い低級アル
   キル基、置換されていても良いベンジル基、２個のＲ¹
   が相伴って炭素原子４もしくは５個からなる環状基を、
   Ｒ² はフェニル基（該フェニル基は、低級アルキル基、
   低級アルコキシ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン
   原子から選ばれる１〜５個で置換されていても良い）又
   はシクロヘキシル基を、Ｒ³ ，Ｒ⁴ ，Ｒ⁷ ，Ｒ⁸ は同一
   又は相異なって、水素原子、低級アルキル基、低級アル
   コキシ基、トリフルオロメチル基を、Ｒ⁵ 及びＲ⁶ は同
   一又は相異なって、低級アルキル基、低級アルコキシ
   基、トリフルオロメチル基を表すか、又はＲ⁴ とＲ⁵ 、
   Ｒ⁶ とＲ⁷ が相伴って芳香環を表す］で表されるアミノ
   ホスフィニル誘導体。
7. 【請求項７】 一般式［VI］ 【化７】 ［式中、Ｒ¹ はフッ素で置換されていても良い低級アル
   キル基、置換されていても良いベンジル基、２個のＲ¹
   が相伴って炭素原子４もしくは５個からなる環状基を、
   Ｒ² はフェニル基（該フェニル基は、低級アルキル基、
   低級アルコキシ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン
   原子から選ばれる１〜５個で置換されていても良い）又
   はシクロヘキシル基を、Ｒ³ ，Ｒ⁴ ，Ｒ⁷ ，Ｒ⁸ は同一
   又は相異なって、水素原子、低級アルキル基、低級アル
   コキシ基、トリフルオロメチル基を、Ｒ⁵ 及びＲ⁶ は同
   一又は相異なって、低級アルキル基、低級アルコキシ
   基、トリフルオロメチル基を表すか、又はＲ⁴ とＲ⁵ 、
   Ｒ⁶ とＲ⁷ が相伴って芳香環を表す］で表される化合物
   を光学分割することを特徴とする光学活性な軸不斉アミ
   ノホスフィニル誘導体。
8. 【請求項８】 一般式［VI］ 【化８】 ［式中、Ｒ¹ はフッ素で置換されていても良い低級アル
   キル基、置換されていても良いベンジル基、２個のＲ¹
   が相伴って炭素原子４もしくは５個からなる環状基を、
   Ｒ² はフェニル基（該フェニル基は、低級アルキル基、
   低級アルコキシ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン
   原子から選ばれる１〜５個で置換されていても良い）又
   はシクロヘキシル基を、Ｒ³ ，Ｒ⁴ ，Ｒ⁷ ，Ｒ⁸ は同一
   又は相異なって、水素原子、低級アルキル基、低級アル
   コキシ基、トリフルオロメチル基を、Ｒ⁵ 及びＲ⁶ は同
   一又は相異なって、低級アルキル基、低級アルコキシ
   基、トリフルオロメチル基を表すか、又はＲ⁴ とＲ⁵ 、
   Ｒ⁶ とＲ⁷ が相伴って芳香環を表す］で表されるホスフ
   ィニル誘導体を還元することを特徴とする一般式［Ｉ］ 【化９】 ［式中、Ｒ¹ ，Ｒ² ，Ｒ³ ，Ｒ⁴ ，Ｒ⁵ ，Ｒ⁶ ，Ｒ⁷ ，
   Ｒ⁸ は前記の通り］で表される光学活性な軸不斉アミノ
   ホスフィン誘導体の製造方法。
9. 【請求項９】 一般式［Ｉ］ 【化１０】 ［式中、Ｒ¹ はフッ素で置換されていても良い低級アル
   キル基、置換されていても良いベンジル基、２個のＲ¹
   が相伴って炭素原子４もしくは５個からなる環状基を、
   Ｒ² はフェニル基（該フェニル基は、低級アルキル基、
   低級アルコキシ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン
   原子から選ばれる１〜５個で置換されていても良い）又
   はシクロヘキシル基を、Ｒ³ ，Ｒ⁴ ，Ｒ⁷ ，Ｒ⁸ は同一
   又は相異なって、水素原子、低級アルキル基、低級アル
   コキシ基、トリフルオロメチル基を、Ｒ⁵ 及びＲ⁶ は同
   一又は相異なって、低級アルキル基、低級アルコキシ
   基、トリフルオロメチル基を表すか、又はＲ⁴ とＲ⁵ 、
   Ｒ⁶ とＲ⁷ が相伴って芳香環を表す］で表されるホスフ
   ィニル誘導体を酸化することを特徴とする一般式［VI］ 【化１１】 ［式中、Ｒ¹ ，Ｒ² ，Ｒ³ ，Ｒ⁴ ，Ｒ⁵ ，Ｒ⁶ ，Ｒ⁷ ，
   Ｒ⁸ は前記の通り］で表される光学活性な軸不斉アミノ
   ホスフィン誘導体の製造方法。
10. 【請求項１０】 一般式[VII] 【化１２】 ［式中、Ｒ¹ はフッ素で置換されていても良い低級アル
    キル基、置換されていても良いベンジル基、２個のＲ¹
    が相伴って炭素原子４もしくは５個からなる環状基を、
    Ｒ³ ，Ｒ⁴ ，Ｒ⁷ ，Ｒ⁸ は同一又は相異なって、水素原
    子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、トリフルオロ
    メチル基を、Ｒ⁵ 及びＲ⁶ は同一又は相異なって、低級
    アルキル基、低級アルコキシ基、トリフルオロメチル基
    を表すか、又はＲ⁴ とＲ⁵ 、Ｒ⁶ とＲ⁷ が相伴って芳香
    環を表し、Ｘはハロゲン原子を表す］で表される化合物
    に一般式［VIII］ 【化１３】 ［式中、Ｒ² はフェニル基（該フェニル基は、低級アル
    キル基、低級アルコキシ基、トリフルオロメチル基又は
    ハロゲン原子から選ばれる１〜５個で置換されていても
    良い）又はシクロヘキシル基を、ｎは０又は１の数字を
    示す）を、Ｘ¹ はハロゲン原子を表す］で表される化合
    物を作用させることを特徴とする一般式［IX］ 【化１４】 ［式中、Ｒ¹ ，Ｒ² ，Ｒ³ ，Ｒ⁴ ，Ｒ⁵ ，Ｒ⁶ ，Ｒ⁷ ，
    Ｒ⁸ ，ｎは前記の通り］で表される化合物の製造方法。
11. 【請求項１１】 一般式［Ｘ］ 【化１５】 ［式中、Ｒ³ ，Ｒ⁴ ，Ｒ⁷ ，Ｒ⁸ は同一又は相異なっ
    て、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ト
    リフルオロメチル基を、Ｒ⁵ 及びＲ⁶ は同一又は相異な
    って、低級アルキル基、低級アルコキシ基、トリフルオ
    ロメチル基を表すか、又はＲ⁴ とＲ⁵ 、Ｒ⁶ とＲ⁷が相
    伴って芳香環を表し、Ｘはハロゲン原子を表す］で表さ
    れる化合物に（Ｌ）−Ｎ−トシルプロリルクロリドを作
    用させ、一般式［XI］ 【化１６】 ［式中、Ｒ³ ，Ｒ⁴ ，Ｒ⁵ ，Ｒ⁶ ，Ｒ⁷ ，Ｒ⁸ は前記の
    通り］とし、これを光学分割した後に加水分解すること
    を特徴とする一般式［Ｘ］で表される化合物の光学分割
    方法。
12. 【請求項１２】 一般式［Ｉ］ 【化１７】 ［式中、Ｒ¹ はフッ素で置換されていても良い低級アル
    キル基、置換されていても良いベンジル基、２個のＲ¹
    が相伴って炭素原子４もしくは５個からなる環状基を、
    Ｒ² はフェニル基（該フェニル基は、低級アルキル基、
    低級アルコキシ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン
    原子から選ばれる１〜５個で置換されていても良い）又
    はシクロヘキシル基を、Ｒ³ ，Ｒ⁴ ，Ｒ⁷ ，Ｒ⁸ は同一
    又は相異なって、水素原子、低級アルキル基、低級アル
    コキシ基、トリフルオロメチル基を、Ｒ⁵ 及びＲ⁶ は同
    一又は相異なって、低級アルキル基、低級アルコキシ
    基、トリフルオロメチル基を表すか、又はＲ⁴ とＲ⁵ 、
    Ｒ⁶ とＲ⁷ が相伴って芳香環を表す］で表される光学活
    性な軸不斉アミノホスフィン誘導体を触媒の配位子とし
    て用いることを特徴とする不斉合成法。