JP2003292475A - 3−クロロ−3−ブテン酸エステル誘導体及びその製造方法 - Google Patents

3−クロロ−3−ブテン酸エステル誘導体及びその製造方法

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JP2003292475A
JP2003292475A JP2002099783A JP2002099783A JP2003292475A JP 2003292475 A JP2003292475 A JP 2003292475A JP 2002099783 A JP2002099783 A JP 2002099783A JP 2002099783 A JP2002099783 A JP 2002099783A JP 2003292475 A JP2003292475 A JP 2003292475A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 新規な3−クロロ−3−ブテン酸エステル誘
導体、及び、容易に入手できる原料を用いた、該3−ク
ロロ−3−ブテン酸エステル誘導体の新規且つ効率的な
製造方法を提供すること。 【解決手段】 一般式[1] RC=CClCHCOOR [1] (式中、R、Rは、それぞれ独立して、水素原子、
置換基を有していてもよいアルキル基、同アリール基等
を示し、Rは置換基を有していてもよいアルキル基等
を示す。)で表される3−クロロ−3−ブテン酸エステ
ル誘導体、及び遷移金属を含んでなる触媒の存在下に、
一般式[2] RC=C=CH [2] (式中、R、Rは前記と同じ。)で表される末端ア
レン化合物を、一般式[3] ClCOOR [3] (式中、Rは前記と同じ。)で表されるクロロギ酸エ
ステルと反応させることを特徴とする該3−クロロ−3
−ブテン酸エステル誘導体の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、医薬、農薬等のフ
ァインケミカルズの合成に有用な3−クロロ−3−ブテ
ン酸エステル誘導体、及びその製造方法に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】3−クロロ−3−ブテン酸エステル誘導
体の一般的な合成法は知られていない。一般的には、2
−クロロ−2−プロペニルクロリド誘導体を一酸化炭素
及びアルコールと反応させるカルボアルコキシ化反応が
考えられるが、該原料クロリドの入手性に難があり、ま
た、パイアリル中間体が関与した種々の副生成物の生成
が予想されるため、工業的に有利且つ選択的な方法とな
るとは考えられない。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、新規な3−
クロロ−3−ブテン酸エステル誘導体、及び、容易に入
手できる原料を用いた、該3−クロロ−3−ブテン酸エ
ステル誘導体の新規且つ効率的な製造方法を提供するこ
とを目的とするものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記目的
を達成すべく、鋭意研究の結果、遷移金属を含んでなる
触媒、殊にロジウム錯体触媒の存在下に、クロロギ酸エ
ステルが末端アレン結合に容易に付加する事実を見出
し、本発明を完成するに至った。
【0005】即ち、本発明は、一般式[1] RC=CClCHCOOR [1] (式中、R、Rは、それぞれ独立して、水素原子、
置換基を有していてもよいアルキル基、同アルケニル
基、同アルキニル基、同アリール基、同アラルキル基、
同複素環基、同シリル基、同アルコキシカルボニル基又
は同アリーロキシカルボニル基を示し、Rは置換基を
有していてもよいアルキル基、同アリール基又は同アラ
ルキル基を示す。)で表される3−クロロ−3−ブテン
酸エステル誘導体に関する。
【0006】また、本発明は、遷移金属を含んでなる触
媒の存在下に、一般式[2] RC=C=CH [2] (式中、R、Rは、それぞれ独立して、水素原子、
置換基を有していてもよいアルキル基、同アルケニル
基、同アルキニル基、同アリール基、同アラルキル基、
同複素環基、同シリル基、同アルコキシカルボニル基又
は同アリーロキシカルボニル基を示す。)で表される末
端アレン化合物を、一般式[3] ClCOOR [3] (式中、Rは置換基を有していてもよいアルキル基、
同アリール基又は同アラルキル基を示す。)で表される
クロロギ酸エステルと反応させることを特徴とする一般
式[1] RC=CClCHCOOR [1] (式中、R、R、Rは前記と同じ。)で表される
3−クロロ−3−ブテン酸エステル誘導体の製造方法に
関する。
【0007】
【発明の実施の形態】上記一般式[1]及び[2]にお
いて、R、Rが置換基を有していても良いアルキル
基である場合のアルキル基としては、例えば、炭素数が
1〜20、好ましくは1〜10、より好ましくは1〜6
の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基が挙げられ、よ
り具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル
基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、第二級
ブチル基、第三級ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、
シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル
基などが挙げられる。また、置換基を有していても良い
アルケニル基である場合のアルケニル基としては、例え
ば、前記した炭素数2以上のアルキル基に1個以上の二
重結合を有するものが挙げられ、より具体的には、ビニ
ル基、アリル基、1−プロペニル基、イソプロペニル
基、2−ブテニル基、1,3−ブタジエニル基、2−ペ
ンテニル基、2−ヘキセニル基、シクロプロペニル基、
シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等が挙げられ
る。また、置換基を有していても良いアルキニル基であ
る場合のアルキニル基としては、例えば、前記した炭素
数2以上のアルキル基に1個以上の三重結合を有するも
のが挙げられ、より具体的には、エチニル基、1−プロ
ピニル基、2−プロピニル基等が挙げられる。
【0008】更にまた、置換基を有していても良いアリ
ール基である場合のアリール基としては、例えば、炭素
数6〜30、好ましくは6〜20、より好ましくは6〜
14の単環、多環又は縮合環式の芳香族炭化水素基が挙
げられ、より具体的には、例えば、フェニル基、トリル
基、キシリル基、ナフチル基、メチルナフチル基、アン
トリル基、フェナントリル基、ビフェニル基等が挙げら
れる。また、置換基を有していても良いアラルキル基の
アラルキル基としては、例えば、炭素数7〜30、好ま
しくは7〜20、より好ましくは7〜15の単環、多環
又は縮合環式のアラルキル基が挙げられ、より具体的に
は、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチ
ル基、ナフチルエチル基等が挙げられる。更に、置換基
を有していても良い複素環基である場合の複素環基とし
ては、環中に少なくとも1個以上の窒素原子、酸素原子
又は硫黄原子を有し、1個の環の大きさが5〜20員、
好ましくは5〜10員、より好ましくは5〜7員であっ
て、シクロアルキル基、シクロアルケニル基又はアリー
ル基などの炭素環式基と縮合していてもよい飽和又は不
飽和の単環、多環又は縮合環式のものが挙げられ、より
具体的には、例えば、ピリジル基、チエニル基、フェニ
ルチエニル基、チアゾリル基、フリル基、ピペリジル
基、ピペラジル基、ピロリル基、モルホリノ基、イミダ
ゾリル基、インドリル基、キノリル基、ピリミジニル基
等が挙げられる。
【0009】これらアルキル基、アルケニル基、アリー
ル基、アラルキル基及び複素環基の置換基としては、本
発明に係る反応に支障を来さないものであればどのよう
な置換基でも良いが、例えば、メトキシ基、エトキシ
基、イソプロポキシ基、tert−ブトキシ基等のアル
コキシ基、例えば、フェノキシ基、トリルオキシ基、キ
シリルオキシ基、ナフトキシ基、メチルナフチルオキシ
基等のアリーロキシ基、シリル基、例えばトリメチルシ
リル基、トリエチルシリル基、t−ブチルジメチルシリ
ル基、トリフェニルシリル基等のトリ置換シリル基、例
えば塩素、フッ素等のハロゲン原子、例えばビニル基、
アリル基、1−プロペニル基、イソプロペニル基等のア
ルケニル基、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカ
ルボニル基等のアルコキシカルボニル基、例えばフェノ
キシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基等のアリー
ロキシカルボニル基、アミノ基、例えばN,N−ジメチ
ルアミノ基、N,N−ジエチルアミノ基等のN,N−ジ
置換アミノ基、水酸基、シロキシ基、例えばメチルシロ
キシ基、エチルシロキシ基等の置換シロキシ基、シアノ
基等が挙げられる。
【0010】上記一般式[1]及び[2]において、R
、Rが置換基を有していても良いシリル基である場
合の置換シリル基としては、シリル基の水素原子の1〜
3個がアルキル基、アリール基等に置き換わったものが
挙げられ、中でもトリ置換体が好ましく、より具体的に
は、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、t−ブ
チルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基等が挙げ
られる。また、R、Rが置換基を有していても良い
アルコキシカルボニル基である場合の具体例としては、
例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等
が挙げられ、R、Rが置換基を有していても良いア
リーロキシカルボニル基である場合の具体例としては、
例えばフェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル
基等が挙げられる。
【0011】上記一般式[1]及び[3]において、R
が置換基を有していても良いアルキル基である場合の
アルキル基、置換基を有していても良いアリール基であ
る場合のアリール基及び置換基を有していても良いアラ
ルキル基である場合のアラルキル基、並びにこれらアル
キル基、アリール基及びアラルキル基の置換基として
は、上記R、Rについて挙げたものと同じものが挙
げられる。
【0012】本発明の反応に好適な上記一般式[2]で
表される末端アレン類の具体例としては、例えば、1,
2−ペンタジエン、4−フェニル−1,2−ブタジエ
ン、3−メチル−1,2−ブタジエン、3−エチル−
1,2−ペンタジエン、ビニリデンシクロヘキサン等が
挙げられる。
【0013】また、本発明の反応に好適な上記一般式
[3]で表されるクロロギ酸エステルの具体例として
は、例えば、クロロギ酸メチル、クロロギ酸エチル、ク
ロロギ酸フェニル、クロロギ酸ナフチル、クロロギ酸ベ
ンジル等が挙げられる。末端アレン化合物に対するクロ
ロギ酸エステルのモル比に特に制限はないが、通常、
0.3〜5.0の範囲から選ばれる。
【0014】本発明に係る反応は、遷移金属を含んでな
る触媒、就中、ロジウム錯体触媒の存在下において好ま
しい速度で進行する。ロジウム錯体触媒としては、種々
の構造のものを用いることが出来るが、好適なものは、
いわゆる低原子価のロジウム錯体触媒である。また、3
級ホスフィンや3級ホスファイト等の3価のリン化合物
を配位子とする低原子価のロジウム錯体も好ましく用い
ることが出来る。更に、反応系中で容易に低原子価錯体
に変換し得る前駆体錯体を用い、反応系中で低原子価ロ
ジウム錯体を形成させて反応させることも好ましい態様
である。更にまた、3級ホスフィン、3級ホスファイト
等の3価のリン化合物を配位子として含まない同金属錯
体と、3級ホスフィンや3級ホスファイト等の3価のリ
ン化合物とを併用し、反応系中で3級ホスフィンや3級
ホスファイト等の3価のリン化合物を配位子とする低原
子価錯体を形成させて使用する方法や、3級ホスフィ
ン、3級ホスファイト等の3価のリン化合物を配位子と
する低原子価錯体に同種又は異種の3級ホスフィン、3
級ホスファイト等の3価のリン化合物を更に添加して使
用する方法等も好ましい態様である。これらのいずれか
の方法で有利な性能を発揮する配位子としては、種々の
3級ホスフィンや3級ホスファイト等の3価のリン化合
物、アミンやイミン等の3価の窒素化合物を挙げること
が出来る。
【0015】好適に用いることが出来る配位子を例示す
ると、例えば、トリフェニルホスフィン、トリ(p−メ
チルフェニル)ホスフィン、ジフェニルメチルホスフィ
ン、フェニルジメチルホスフィン、トリエチルホスフィ
ン、トリシクロヘキシルホスフィン、1,4−ビス(ジ
フェニルホスフィノ)ブタン、1,1’−ビス(ジフェ
ニルホスフィノ)フェロセン、1,2−ビス(ジフェニ
ルホスフィノ)ベンゼン、トランス−1,2−ビス(ジ
フェニルホスフィノ)シクロペンタン、トリメチルホス
ファイト、トリフェニルホスファイト等が挙げられる。
【0016】これに組み合わせて用いられる、3級ホス
フィンや3級ホスファイト等を配位として含まない錯体
としては、アセチルアセトナトビス(エチレン)ロジウ
ム、クロロビス(エチレン)ロジウムダイマー、ジカル
ボニル(アセチルアセトナト)ロジウム、ヘキサロジウ
ムヘキサデカカルボニル、クロロ(1,5−シクロオク
タジエン)ロジウムダイマー、クロロ(ノルボルナジエ
ン)ロジウムダイマーなどが挙げられるが、これらに限
定されるものではない。
【0017】また、上記のいずれかの方法で有利な性能
を発揮するロジウム錯体としては、例えば、RhCl
(PPh、RhCl(CO)(PPh、R
h(CN)(CO)(PPh、Rh(PPh)
Br、RhCl(CO)(PPhMe)、RhCl
(CO)(PCy(Cyはシクロヘキシル基を示
す。)、RhCl(cod)(PPh)(codはシ
クロオクタジエンを示す。)、RhCl(cod)(P
PhMe)、RhCl(cod)(PMe)、Rh
Cl(acac)(PPh)(acacはアセチルア
セトナトを示す。)、RhCl(CO)(dpppe
n)(dpppenは1,5−ビス(ジフェニルホスフ
ィノ)ペンタンを示す)、RhCl(CO)(dppp
r)(dppprは1,3−ビス(ジフェニルホスフィ
ノ)プロパンを示す)等が例示される。
【0018】これらのロジウム錯体の使用量はいわゆる
触媒量で良く、末端アレン化合物に対して20モル%以
下で十分である。また、3価のリン化合物を配位子とし
て用いる場合のこれらの使用量には厳密な制限はない
が、リンや窒素原子のロジウムに対する原子比があまり
に過剰であると触媒活性を低下させる傾向にあるので、
一般的にはその原子比で50以下、好ましくは10以下
に設定するのが好ましい。
【0019】反応は特に溶媒を用いなくてもよいが、必
要に応じて溶媒中で実施することもできる。溶媒として
は、トルエン、キシレン、オクタン、デカリン等の炭化
水素系溶媒、ジクロロメタン、1,2−ジクロロエタ
ン、クロロホルム、トリクロロエタン等のハロゲン化炭
化水素系溶媒、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジイ
ソプロピルエーテル、ジメトキシエタン等のエーテル系
溶媒等が一般的に用いられる。反応温度は、末端アレン
化合物の構造にもよるが、一般には室温以上に加熱する
のが好ましく、通常は40〜200℃の範囲から選ばれ
る。反応時間は、用いる末端アレン化合物及びクロロギ
酸エステルの種類や反応温度その他の反応条件等により
自ずから異なるが、通常数時間〜数十時間である。本反
応は空気中等の酸素の存在下でも進行するが、反応中間
体が酸素にやや敏感であるため、窒素やアルゴン、メタ
ン等の不活性ガス雰囲気で反応させるのが好ましい。反
応混合物からの生成物の分離、精製は、各種クロマトグ
ラフィー、蒸留、再結晶等によって容易に達成される。
【0020】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に具体的に説
明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定され
るものではない。
【0021】実施例1 1,2−ノナジエン(0.5ミリモル)、クロロギ酸エ
チル(2.5ミリモル)、及びRhCl(CO)(PP
(5モル%)をトルエン(1ミリリットル)に
加え、窒素雰囲気下、110℃で20時間加熱した。反
応液を冷却後、トルエン(2ミリリットル)を加えて希
釈し、エイコサンを内部標準物質として加え、ガスクロ
マトグラフィーで分析したところ、3−クロロ−3−ト
ランス−デセン酸エチル([1a])及び末端アレン結
合への塩素原子とエステル基の付加の方向が逆の位置異
性体が合計64%の収率で生成し、その両者の異性体比
は91:9であった。ガスクロマトグラフィーによる分
析の後、反応液をロータリーエバポレーターで濃縮し、
残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサ
ンで溶出)で分離し、更に分取薄層クロマトグラフィー
で分離精製(ヘキサン:エーテル=6:1の混合溶媒で
展開)することにより、[1a]が無色液体として得ら
れた。
【0022】実施例2〜16 RhCl(CO)(PPhに代えて他の種々の触
媒を用いた以外は、実施例1と同様にして反応を行な
い、ガスクロマトグラフィーにより、それぞれの収率及
び選択率を測定した。ガスクロマトグラフィーによる分
析結果を表1にまとめて示す。なお、表中の収率の値
は、ガスクロマトグラフィーによる[1a]及び末端ア
レン結合への塩素原子とエステル基の付加の方向が[1
a]とは逆の位置異性体の合計収率で、( )内の選択
率の値は、[1a]とその位置異性体合計中の[1a]
の選択率である。また、*1〜*7はそれぞれ以下の通
りである。 *1:dppe=1,2−ビス(ジフェニルホスフィノ)エ
タン *2:dpppr=1,3−ビス(ジフェニルホスフィノ)
プロパン *3:dppb=1,4−ビス(ジフェニルホスフィノ)ブ
タン *4:dpppen=1,5−ビス(ジフェニルホスフィノ)
ペンタン *5:dppd=1,10−ビス(ジフェニルホスフィノ)
デカン *6:dcpb=1,4−ビス(ジシクロヘキシルホスフィ
ノ)ブタン *7:dppf=1,1’−ビス(ジフェニルホスフィノ)
フェロセン
【0023】
【表1】
【0024】実施例17 溶媒をジオキサンに代えた以外は実施例1と同様にして
反応を行ない、分析した結果、[1a]及びその異性体
が合計63%の収率で生成し、[1a]の選択率は93
%であった。
【0025】実施例18 溶媒を1,2−ジクロロエタンに代えた以外は実施例1
と同様にして反応を行ない、分析した結果、[1a]及
びその異性体が合計33%の収率で生成し、[1a]の
選択率は82%であった。
【0026】実施例19 溶媒をオクタンに代えた以外は実施例1と同様にして反
応を行ない、分析した結果、[1a]及びその異性体が
合計33%の収率で生成し、[1a]の選択率は91%
であった。
【0027】実施例20〜25 1,2−ノナジエンに代えて種々の末端アレン化合物を
用い、実施例1と同様にして反応を行ない、分析した結
果を表2にまとめて示した。また、反応溶液を実施例1
と同様に後処理して、主生成物を分離した。なお、表中
の収率の値は、ガスクロマトグラフィーによる[1]及
び末端アレン結合への塩素原子とエステル基の付加の方
向が[1]とは逆の位置異性体の合計収率で、( )内
の選択率の値は、[1]とその位置異性体合計中の
[1]の選択率である。
【0028】
【表2】
【0029】実施例26 クロロギ酸エチルに代えてクロロギ酸メチルを用いた以
外は実施例23と同様にして反応を行ない、分析した結
果、(Z)−3−クロロ−4−メチル−3−ペンテン酸
メチル([1e'])及び末端アレン結合への塩素原子
とエステル基の付加の方向が[1e']とは逆の位置異
性体が合計56%の収率で生成し、その両者の異性体比
は98:2であった。反応溶液を実施例1と同様に後処
理し、主生成物[1e']を分離した。
【0030】実施例1(〜19)及び20〜26の生成
物は何れも文献未収載の新規物質であり、その性状、物
性値及び/又はスペクトルデータ等は以下の通りであっ
た。
【0031】(Z)−3−クロロ−3−デセン酸エチル
[1a] 無色液体。H NMR(300MHz,C)δ
5.33(t,1H,J =7.0Hz),3.93
(q,2H,J=7.1Hz),3.06(s,2
H),2.13(m,2H),1.35−1.10
(m,8H),0.92(t,3H,J=7.1H
z),0.86(t,3H,J=7.0Hz)。13
NMR(75.4MHz,C)δ 168.7,
130.0,126.9,60.8,45.1,31.
9,29.1,29.0,28.6,22.9,14.
2,14.1。IR(液膜):1744cm−1(C=
O)。元素分析;C1221ClOとしての計算
値:C,61.94;H,9.03。実測値:C,6
2.25; H,9.27。
【0032】(Z)−3−クロロ−3−ヘキセン酸エチ
ル[1b] 無色液体。H NMR(300MHz,C)δ
5.24(t,1H,J=6.8Hz),3.91
(q,2H,J=7.1Hz),3.03(s,2
H),2.04(m,2H),0.91(t,3H,J
=7.1Hz),0.77(t,3H,J=7.5H
z)。13C NMR(75.4MHz,C)δ
168.7,131.7,126.4,60.8,4
5.0,22.3,14.0,12.8。IR(Z/E
混合物、液膜):1744cm−1(C=O)。Z/E
混合物の元素分析;C13ClOとしての計算
値:C,54.39;H,7.36。実測値:C,5
4.35;H,7.43。
【0033】(Z)−3−クロロ−5−フェニル−3−
ペンテン酸エチル[1c] 無色液体。H NMR(300MHz,CDCl
δ 7.33−7.1(m,5H),5.84(t,1
H,J=7.1Hz),4.20(q,2H,J=7.
1Hz),3.58(d,2H,J=7.1Hz),
3.37(s,2H),1.29(t,3H,J=7.
1Hz)。13C NMR(75.4MHz,CDCl
)δ 169.3,139.0,129.0,12
8.5,128.4,127.2,126.3,61.
2,45.0,35.0,14.1。IR(液膜):1
742cm−1(C=O)。元素分析;C1315
lOとしての計算値:C,65.41;H,6.2
9。実測値:C,65.81;H,5.98。
【0034】(Z)−3−クロロ−4−フェニル−3−
ブテン酸エチル [1d] 無色液体。H NMR(300MHz,CDCl
δ 7.63−7.6(m,2H),7.39−7.2
1(m,3H),6.62(s,1H),4.2(q,
2H,J=7.1Hz),3.52(s,2H),1.
30(t,3H,J=7.1Hz)。13C NMR
(75.4MHz,CDCl)δ 169.2,13
4.0,129.1,128.6,128.2,12
8.0,126.1,61.3,46.6,14.1。
IR(液膜):1742cm−1(C=O)。元素分
析;C1213ClOとしての計算値:C,64.
14;H,5.79。実測値:C,64.65;H,
5.37。
【0035】(Z)−3−クロロ−4−メチル−3−ペ
ンテン酸エチル [1e] 無色液体。H NMR(300MHz,C)δ
3.92(q,2H,J=7.1Hz),3.18
(s,2H),1.65(s,3H),1.37(s,
3H),0.92(t,3H,J=7.1Hz)。13
C NMR(75.4MHz,C)δ 169.
0,131.5,120.4,60.8,41.4,2
1.7,20.2,14.1。IR(液膜):1744
cm−1(C=O)。元素分析;C13ClO
しての計算値:C,54.39;H,7.37。実測
値:C,54.19;H,7.40。
【0036】(Z)−3−クロロ−4−メチル−3−ペ
ンテン酸メチル [1e'] 無色液体。H NMR(300MHz,C)δ
3.28(s,3H),3.15(s,2H),1.6
4(s,3H),1.34(s,3H)。13C NM
R(75.4MHz,C)δ 169.4,13
1.6,120.0,51.5,41.2,21.6,
20.2。IR(液膜):1746cm (C=
O)。 HRMS;C11ClOとしての計算
値:162.0447。実測値:162.0429。
【0037】(Z)−3−クロロ−3−シクロヘキシリ
デンプロピオン酸エチル [1f] 無色液体。H NMR(300MHz,C)δ
3.92(q,2H,J=7.1Hz),3.25
(s,2H),2.34(t,2H,J=6.0H
z),1.92(t,2H,J=6.0Hz),1.4
1−1.23(m,6H),0.92(t,3H,J=
7.1Hz),0.86(t,3H,J=7.0H
z)。13C NMR(75.4MHz,C)δ
169.1,139.0,117.6,60.7,4
1.1,31.8,31.2,27.6,27.1,2
6.3,14.1。IR(液膜):1744cm
−1(C=O)。元素分析;C1117ClOとし
ての計算値:C,60.97;H,7.85。実測値:
C,60.89;H,7.97。
【0038】(Z)−3−クロロ−4−ブチル−3−オ
クテン酸エチル[1g] 無色液体。H NMR(300MHz)δ 4.17
(q,2H,J=7.1Hz),3.39(s,2
H),2.23(t,2H,J=7.6Hz),2.0
8(t,2H,J=7.6Hz),1.40−1.23
(m,11H),0.93−0.87(m,6H)。
13C NMR(75.4MHz,C)δ 16
9.4,140.4,120.5,61.0,41.
2,33.0,32.3,30.5,29.5,22.
7(2C),14.1,14.0,13.9。IR(液
膜):1743cm−1(C=O)。HRMS;C14
25ClOとしての計算値:260.1542。実
測値:260.1541。
【0039】
【発明の効果】本発明は、医薬、農薬等のファインケミ
カルズの合成に有用な新規な3−クロロ−3−ブテン酸
エステル誘導体とその製造方法を提供するものであり、
本発明の製造方法によれば、新規な3−クロロ−3−ブ
テン酸エステル誘導体が、入手容易なクロロギ酸エステ
ルと末端アレンから効率的且つ安全に製造でき、その分
離精製も容易である。従って、本発明は工業的に多大の
効果をもたらす。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) A61P 35/00 A61P 35/00 35/04 35/04 43/00 123 43/00 123 C07C 67/347 C07C 67/347 // C07B 61/00 300 C07B 61/00 300 (72)発明者 華 瑞茂 茨城県つくば市梅園2−28−20−303 Fターム(参考) 4C086 AA01 AA02 AA03 DA34 GA14 MA01 MA04 MA13 MA17 MA22 MA23 MA24 MA28 MA32 MA35 MA36 MA37 MA38 MA41 MA43 MA52 MA56 MA59 MA60 MA63 MA66 NA05 NA10 NA15 ZA36 ZA89 ZB11 ZB26 4H006 AA01 AA02 AC21 AC30 AC48 BA24 BA37 BA40 BA48 BB11 BJ20 BJ50 BM10 KA34 KC14 4H039 CA52 CA65 CF10

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一般式[1] RC=CClCHCOOR [1] (式中、R、Rは、それぞれ独立して、水素原子、
    置換基を有していてもよいアルキル基、同アルケニル
    基、同アルキニル基、同アリール基、同アラルキル基、
    同複素環基、同シリル基、同アルコキシカルボニル基又
    は同アリーロキシカルボニル基を示し、Rは置換基を
    有していてもよいアルキル基、同アリール基又は同アラ
    ルキル基を示す。)で表される3−クロロ−3−ブテン
    酸エステル誘導体。
  2. 【請求項2】 遷移金属を含んでなる触媒の存在下に、
    一般式[2] RC=C=CH [2] (式中、R、Rは、それぞれ独立して、水素原子、
    置換基を有していてもよいアルキル基、同アルケニル
    基、同アルキニル基、同アリール基、同アラルキル基、
    同複素環基、同シリル基、同アルコキシカルボニル基又
    は同アリーロキシカルボニル基を示す。)で表される末
    端アレン化合物を、一般式[3] ClCOOR [3] (式中、Rは置換基を有していてもよいアルキル基、
    同アリール基又は同アラルキル基を示す。)で表される
    クロロギ酸エステルと反応させることを特徴とする一般
    式[1] RC=CClCHCOOR [1] (式中、R、R、Rは前記と同じ。)で表される
    3−クロロ−3−ブテン酸エステル誘導体の製造方法。
  3. 【請求項3】 遷移金属を含んでなる触媒が、ロジウム
    錯体触媒である請求項2に記載の製造方法。
  4. 【請求項4】 ロジウム錯体触媒が、低原子価のロジウ
    ム錯体触媒である請求項3に記載の製造方法。
  5. 【請求項5】 ロジウム錯体触媒が、3級ホスフィンや
    3級ホスファイト等の3価のリン化合物を配位子とする
    低原子価の錯体である請求項3に記載の製造方法。
  6. 【請求項6】 ロジウム錯体触媒が、反応系中で容易に
    低原子価錯体に変換し得る前駆体錯体である請求項3に
    記載の製造方法。
  7. 【請求項7】 ロジウム錯体触媒が、3級ホスフィン、
    3級ホスファイト等の3価のリン化合物を配位子として
    含まない同金属錯体と、3級ホスフィンや3級ホスファ
    イト等の3価のリン化合物とを併用し、反応系中で形成
    させた3級ホスフィンや3級ホスファイト等の3価のリ
    ン化合物を配位子とする低原子価錯体である請求項3に
    記載の製造方法。
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