JP2003292475A - 3−クロロ−3−ブテン酸エステル誘導体及びその製造方法 - Google Patents
3−クロロ−3−ブテン酸エステル誘導体及びその製造方法Info
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- JP2003292475A JP2003292475A JP2002099783A JP2002099783A JP2003292475A JP 2003292475 A JP2003292475 A JP 2003292475A JP 2002099783 A JP2002099783 A JP 2002099783A JP 2002099783 A JP2002099783 A JP 2002099783A JP 2003292475 A JP2003292475 A JP 2003292475A
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Abstract
導体、及び、容易に入手できる原料を用いた、該3−ク
ロロ−3−ブテン酸エステル誘導体の新規且つ効率的な
製造方法を提供すること。 【解決手段】 一般式[1] R1R2C=CClCH2COOR3 [1] (式中、R1、R2は、それぞれ独立して、水素原子、
置換基を有していてもよいアルキル基、同アリール基等
を示し、R3は置換基を有していてもよいアルキル基等
を示す。)で表される3−クロロ−3−ブテン酸エステ
ル誘導体、及び遷移金属を含んでなる触媒の存在下に、
一般式[2] R1R2C=C=CH2 [2] (式中、R1、R2は前記と同じ。)で表される末端ア
レン化合物を、一般式[3] ClCOOR3 [3] (式中、R3は前記と同じ。)で表されるクロロギ酸エ
ステルと反応させることを特徴とする該3−クロロ−3
−ブテン酸エステル誘導体の製造方法。
Description
ァインケミカルズの合成に有用な3−クロロ−3−ブテ
ン酸エステル誘導体、及びその製造方法に関するもので
ある。
体の一般的な合成法は知られていない。一般的には、2
−クロロ−2−プロペニルクロリド誘導体を一酸化炭素
及びアルコールと反応させるカルボアルコキシ化反応が
考えられるが、該原料クロリドの入手性に難があり、ま
た、パイアリル中間体が関与した種々の副生成物の生成
が予想されるため、工業的に有利且つ選択的な方法とな
るとは考えられない。
クロロ−3−ブテン酸エステル誘導体、及び、容易に入
手できる原料を用いた、該3−クロロ−3−ブテン酸エ
ステル誘導体の新規且つ効率的な製造方法を提供するこ
とを目的とするものである。
を達成すべく、鋭意研究の結果、遷移金属を含んでなる
触媒、殊にロジウム錯体触媒の存在下に、クロロギ酸エ
ステルが末端アレン結合に容易に付加する事実を見出
し、本発明を完成するに至った。
置換基を有していてもよいアルキル基、同アルケニル
基、同アルキニル基、同アリール基、同アラルキル基、
同複素環基、同シリル基、同アルコキシカルボニル基又
は同アリーロキシカルボニル基を示し、R3は置換基を
有していてもよいアルキル基、同アリール基又は同アラ
ルキル基を示す。)で表される3−クロロ−3−ブテン
酸エステル誘導体に関する。
媒の存在下に、一般式[2] R1R2C=C=CH2 [2] (式中、R1、R2は、それぞれ独立して、水素原子、
置換基を有していてもよいアルキル基、同アルケニル
基、同アルキニル基、同アリール基、同アラルキル基、
同複素環基、同シリル基、同アルコキシカルボニル基又
は同アリーロキシカルボニル基を示す。)で表される末
端アレン化合物を、一般式[3] ClCOOR3 [3] (式中、R3は置換基を有していてもよいアルキル基、
同アリール基又は同アラルキル基を示す。)で表される
クロロギ酸エステルと反応させることを特徴とする一般
式[1] R1R2C=CClCH2COOR3 [1] (式中、R1、R2、R3は前記と同じ。)で表される
3−クロロ−3−ブテン酸エステル誘導体の製造方法に
関する。
いて、R1、R2が置換基を有していても良いアルキル
基である場合のアルキル基としては、例えば、炭素数が
1〜20、好ましくは1〜10、より好ましくは1〜6
の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基が挙げられ、よ
り具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル
基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、第二級
ブチル基、第三級ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、
シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル
基などが挙げられる。また、置換基を有していても良い
アルケニル基である場合のアルケニル基としては、例え
ば、前記した炭素数2以上のアルキル基に1個以上の二
重結合を有するものが挙げられ、より具体的には、ビニ
ル基、アリル基、1−プロペニル基、イソプロペニル
基、2−ブテニル基、1,3−ブタジエニル基、2−ペ
ンテニル基、2−ヘキセニル基、シクロプロペニル基、
シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等が挙げられ
る。また、置換基を有していても良いアルキニル基であ
る場合のアルキニル基としては、例えば、前記した炭素
数2以上のアルキル基に1個以上の三重結合を有するも
のが挙げられ、より具体的には、エチニル基、1−プロ
ピニル基、2−プロピニル基等が挙げられる。
ール基である場合のアリール基としては、例えば、炭素
数6〜30、好ましくは6〜20、より好ましくは6〜
14の単環、多環又は縮合環式の芳香族炭化水素基が挙
げられ、より具体的には、例えば、フェニル基、トリル
基、キシリル基、ナフチル基、メチルナフチル基、アン
トリル基、フェナントリル基、ビフェニル基等が挙げら
れる。また、置換基を有していても良いアラルキル基の
アラルキル基としては、例えば、炭素数7〜30、好ま
しくは7〜20、より好ましくは7〜15の単環、多環
又は縮合環式のアラルキル基が挙げられ、より具体的に
は、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチ
ル基、ナフチルエチル基等が挙げられる。更に、置換基
を有していても良い複素環基である場合の複素環基とし
ては、環中に少なくとも1個以上の窒素原子、酸素原子
又は硫黄原子を有し、1個の環の大きさが5〜20員、
好ましくは5〜10員、より好ましくは5〜7員であっ
て、シクロアルキル基、シクロアルケニル基又はアリー
ル基などの炭素環式基と縮合していてもよい飽和又は不
飽和の単環、多環又は縮合環式のものが挙げられ、より
具体的には、例えば、ピリジル基、チエニル基、フェニ
ルチエニル基、チアゾリル基、フリル基、ピペリジル
基、ピペラジル基、ピロリル基、モルホリノ基、イミダ
ゾリル基、インドリル基、キノリル基、ピリミジニル基
等が挙げられる。
ル基、アラルキル基及び複素環基の置換基としては、本
発明に係る反応に支障を来さないものであればどのよう
な置換基でも良いが、例えば、メトキシ基、エトキシ
基、イソプロポキシ基、tert−ブトキシ基等のアル
コキシ基、例えば、フェノキシ基、トリルオキシ基、キ
シリルオキシ基、ナフトキシ基、メチルナフチルオキシ
基等のアリーロキシ基、シリル基、例えばトリメチルシ
リル基、トリエチルシリル基、t−ブチルジメチルシリ
ル基、トリフェニルシリル基等のトリ置換シリル基、例
えば塩素、フッ素等のハロゲン原子、例えばビニル基、
アリル基、1−プロペニル基、イソプロペニル基等のア
ルケニル基、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカ
ルボニル基等のアルコキシカルボニル基、例えばフェノ
キシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基等のアリー
ロキシカルボニル基、アミノ基、例えばN,N−ジメチ
ルアミノ基、N,N−ジエチルアミノ基等のN,N−ジ
置換アミノ基、水酸基、シロキシ基、例えばメチルシロ
キシ基、エチルシロキシ基等の置換シロキシ基、シアノ
基等が挙げられる。
1、R2が置換基を有していても良いシリル基である場
合の置換シリル基としては、シリル基の水素原子の1〜
3個がアルキル基、アリール基等に置き換わったものが
挙げられ、中でもトリ置換体が好ましく、より具体的に
は、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、t−ブ
チルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基等が挙げ
られる。また、R1、R2が置換基を有していても良い
アルコキシカルボニル基である場合の具体例としては、
例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等
が挙げられ、R1、R2が置換基を有していても良いア
リーロキシカルボニル基である場合の具体例としては、
例えばフェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル
基等が挙げられる。
3が置換基を有していても良いアルキル基である場合の
アルキル基、置換基を有していても良いアリール基であ
る場合のアリール基及び置換基を有していても良いアラ
ルキル基である場合のアラルキル基、並びにこれらアル
キル基、アリール基及びアラルキル基の置換基として
は、上記R1、R2について挙げたものと同じものが挙
げられる。
表される末端アレン類の具体例としては、例えば、1,
2−ペンタジエン、4−フェニル−1,2−ブタジエ
ン、3−メチル−1,2−ブタジエン、3−エチル−
1,2−ペンタジエン、ビニリデンシクロヘキサン等が
挙げられる。
[3]で表されるクロロギ酸エステルの具体例として
は、例えば、クロロギ酸メチル、クロロギ酸エチル、ク
ロロギ酸フェニル、クロロギ酸ナフチル、クロロギ酸ベ
ンジル等が挙げられる。末端アレン化合物に対するクロ
ロギ酸エステルのモル比に特に制限はないが、通常、
0.3〜5.0の範囲から選ばれる。
る触媒、就中、ロジウム錯体触媒の存在下において好ま
しい速度で進行する。ロジウム錯体触媒としては、種々
の構造のものを用いることが出来るが、好適なものは、
いわゆる低原子価のロジウム錯体触媒である。また、3
級ホスフィンや3級ホスファイト等の3価のリン化合物
を配位子とする低原子価のロジウム錯体も好ましく用い
ることが出来る。更に、反応系中で容易に低原子価錯体
に変換し得る前駆体錯体を用い、反応系中で低原子価ロ
ジウム錯体を形成させて反応させることも好ましい態様
である。更にまた、3級ホスフィン、3級ホスファイト
等の3価のリン化合物を配位子として含まない同金属錯
体と、3級ホスフィンや3級ホスファイト等の3価のリ
ン化合物とを併用し、反応系中で3級ホスフィンや3級
ホスファイト等の3価のリン化合物を配位子とする低原
子価錯体を形成させて使用する方法や、3級ホスフィ
ン、3級ホスファイト等の3価のリン化合物を配位子と
する低原子価錯体に同種又は異種の3級ホスフィン、3
級ホスファイト等の3価のリン化合物を更に添加して使
用する方法等も好ましい態様である。これらのいずれか
の方法で有利な性能を発揮する配位子としては、種々の
3級ホスフィンや3級ホスファイト等の3価のリン化合
物、アミンやイミン等の3価の窒素化合物を挙げること
が出来る。
ると、例えば、トリフェニルホスフィン、トリ(p−メ
チルフェニル)ホスフィン、ジフェニルメチルホスフィ
ン、フェニルジメチルホスフィン、トリエチルホスフィ
ン、トリシクロヘキシルホスフィン、1,4−ビス(ジ
フェニルホスフィノ)ブタン、1,1’−ビス(ジフェ
ニルホスフィノ)フェロセン、1,2−ビス(ジフェニ
ルホスフィノ)ベンゼン、トランス−1,2−ビス(ジ
フェニルホスフィノ)シクロペンタン、トリメチルホス
ファイト、トリフェニルホスファイト等が挙げられる。
フィンや3級ホスファイト等を配位として含まない錯体
としては、アセチルアセトナトビス(エチレン)ロジウ
ム、クロロビス(エチレン)ロジウムダイマー、ジカル
ボニル(アセチルアセトナト)ロジウム、ヘキサロジウ
ムヘキサデカカルボニル、クロロ(1,5−シクロオク
タジエン)ロジウムダイマー、クロロ(ノルボルナジエ
ン)ロジウムダイマーなどが挙げられるが、これらに限
定されるものではない。
を発揮するロジウム錯体としては、例えば、RhCl
(PPh3)3、RhCl(CO)(PPh3)2、R
h(CN)(CO)(PPh3)2、Rh(PPh3)3
Br、RhCl(CO)(PPh2Me)2、RhCl
(CO)(PCy3)2(Cyはシクロヘキシル基を示
す。)、RhCl(cod)(PPh3)(codはシ
クロオクタジエンを示す。)、RhCl(cod)(P
PhMe2)、RhCl(cod)(PMe3)、Rh
Cl(acac)(PPh3)(acacはアセチルア
セトナトを示す。)、RhCl(CO)(dpppe
n)(dpppenは1,5−ビス(ジフェニルホスフ
ィノ)ペンタンを示す)、RhCl(CO)(dppp
r)(dppprは1,3−ビス(ジフェニルホスフィ
ノ)プロパンを示す)等が例示される。
触媒量で良く、末端アレン化合物に対して20モル%以
下で十分である。また、3価のリン化合物を配位子とし
て用いる場合のこれらの使用量には厳密な制限はない
が、リンや窒素原子のロジウムに対する原子比があまり
に過剰であると触媒活性を低下させる傾向にあるので、
一般的にはその原子比で50以下、好ましくは10以下
に設定するのが好ましい。
要に応じて溶媒中で実施することもできる。溶媒として
は、トルエン、キシレン、オクタン、デカリン等の炭化
水素系溶媒、ジクロロメタン、1,2−ジクロロエタ
ン、クロロホルム、トリクロロエタン等のハロゲン化炭
化水素系溶媒、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジイ
ソプロピルエーテル、ジメトキシエタン等のエーテル系
溶媒等が一般的に用いられる。反応温度は、末端アレン
化合物の構造にもよるが、一般には室温以上に加熱する
のが好ましく、通常は40〜200℃の範囲から選ばれ
る。反応時間は、用いる末端アレン化合物及びクロロギ
酸エステルの種類や反応温度その他の反応条件等により
自ずから異なるが、通常数時間〜数十時間である。本反
応は空気中等の酸素の存在下でも進行するが、反応中間
体が酸素にやや敏感であるため、窒素やアルゴン、メタ
ン等の不活性ガス雰囲気で反応させるのが好ましい。反
応混合物からの生成物の分離、精製は、各種クロマトグ
ラフィー、蒸留、再結晶等によって容易に達成される。
明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定され
るものではない。
チル(2.5ミリモル)、及びRhCl(CO)(PP
h3)2(5モル%)をトルエン(1ミリリットル)に
加え、窒素雰囲気下、110℃で20時間加熱した。反
応液を冷却後、トルエン(2ミリリットル)を加えて希
釈し、エイコサンを内部標準物質として加え、ガスクロ
マトグラフィーで分析したところ、3−クロロ−3−ト
ランス−デセン酸エチル([1a])及び末端アレン結
合への塩素原子とエステル基の付加の方向が逆の位置異
性体が合計64%の収率で生成し、その両者の異性体比
は91:9であった。ガスクロマトグラフィーによる分
析の後、反応液をロータリーエバポレーターで濃縮し、
残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサ
ンで溶出)で分離し、更に分取薄層クロマトグラフィー
で分離精製(ヘキサン:エーテル=6:1の混合溶媒で
展開)することにより、[1a]が無色液体として得ら
れた。
媒を用いた以外は、実施例1と同様にして反応を行な
い、ガスクロマトグラフィーにより、それぞれの収率及
び選択率を測定した。ガスクロマトグラフィーによる分
析結果を表1にまとめて示す。なお、表中の収率の値
は、ガスクロマトグラフィーによる[1a]及び末端ア
レン結合への塩素原子とエステル基の付加の方向が[1
a]とは逆の位置異性体の合計収率で、( )内の選択
率の値は、[1a]とその位置異性体合計中の[1a]
の選択率である。また、*1〜*7はそれぞれ以下の通
りである。 *1:dppe=1,2−ビス(ジフェニルホスフィノ)エ
タン *2:dpppr=1,3−ビス(ジフェニルホスフィノ)
プロパン *3:dppb=1,4−ビス(ジフェニルホスフィノ)ブ
タン *4:dpppen=1,5−ビス(ジフェニルホスフィノ)
ペンタン *5:dppd=1,10−ビス(ジフェニルホスフィノ)
デカン *6:dcpb=1,4−ビス(ジシクロヘキシルホスフィ
ノ)ブタン *7:dppf=1,1’−ビス(ジフェニルホスフィノ)
フェロセン
反応を行ない、分析した結果、[1a]及びその異性体
が合計63%の収率で生成し、[1a]の選択率は93
%であった。
と同様にして反応を行ない、分析した結果、[1a]及
びその異性体が合計33%の収率で生成し、[1a]の
選択率は82%であった。
応を行ない、分析した結果、[1a]及びその異性体が
合計33%の収率で生成し、[1a]の選択率は91%
であった。
用い、実施例1と同様にして反応を行ない、分析した結
果を表2にまとめて示した。また、反応溶液を実施例1
と同様に後処理して、主生成物を分離した。なお、表中
の収率の値は、ガスクロマトグラフィーによる[1]及
び末端アレン結合への塩素原子とエステル基の付加の方
向が[1]とは逆の位置異性体の合計収率で、( )内
の選択率の値は、[1]とその位置異性体合計中の
[1]の選択率である。
外は実施例23と同様にして反応を行ない、分析した結
果、(Z)−3−クロロ−4−メチル−3−ペンテン酸
メチル([1e'])及び末端アレン結合への塩素原子
とエステル基の付加の方向が[1e']とは逆の位置異
性体が合計56%の収率で生成し、その両者の異性体比
は98:2であった。反応溶液を実施例1と同様に後処
理し、主生成物[1e']を分離した。
物は何れも文献未収載の新規物質であり、その性状、物
性値及び/又はスペクトルデータ等は以下の通りであっ
た。
[1a] 無色液体。1H NMR(300MHz,C6D6)δ
5.33(t,1H,J =7.0Hz),3.93
(q,2H,J=7.1Hz),3.06(s,2
H),2.13(m,2H),1.35−1.10
(m,8H),0.92(t,3H,J=7.1H
z),0.86(t,3H,J=7.0Hz)。13C
NMR(75.4MHz,C6D6)δ 168.7,
130.0,126.9,60.8,45.1,31.
9,29.1,29.0,28.6,22.9,14.
2,14.1。IR(液膜):1744cm−1(C=
O)。元素分析;C12H21ClO2としての計算
値:C,61.94;H,9.03。実測値:C,6
2.25; H,9.27。
ル[1b] 無色液体。1H NMR(300MHz,C6D6)δ
5.24(t,1H,J=6.8Hz),3.91
(q,2H,J=7.1Hz),3.03(s,2
H),2.04(m,2H),0.91(t,3H,J
=7.1Hz),0.77(t,3H,J=7.5H
z)。13C NMR(75.4MHz,C6D6)δ
168.7,131.7,126.4,60.8,4
5.0,22.3,14.0,12.8。IR(Z/E
混合物、液膜):1744cm−1(C=O)。Z/E
混合物の元素分析;C8H13ClO2としての計算
値:C,54.39;H,7.36。実測値:C,5
4.35;H,7.43。
ペンテン酸エチル[1c] 無色液体。1H NMR(300MHz,CDCl3)
δ 7.33−7.1(m,5H),5.84(t,1
H,J=7.1Hz),4.20(q,2H,J=7.
1Hz),3.58(d,2H,J=7.1Hz),
3.37(s,2H),1.29(t,3H,J=7.
1Hz)。13C NMR(75.4MHz,CDCl
3)δ 169.3,139.0,129.0,12
8.5,128.4,127.2,126.3,61.
2,45.0,35.0,14.1。IR(液膜):1
742cm−1(C=O)。元素分析;C13H15C
lO2としての計算値:C,65.41;H,6.2
9。実測値:C,65.81;H,5.98。
ブテン酸エチル [1d] 無色液体。1H NMR(300MHz,CDCl3)
δ 7.63−7.6(m,2H),7.39−7.2
1(m,3H),6.62(s,1H),4.2(q,
2H,J=7.1Hz),3.52(s,2H),1.
30(t,3H,J=7.1Hz)。13C NMR
(75.4MHz,CDCl3)δ 169.2,13
4.0,129.1,128.6,128.2,12
8.0,126.1,61.3,46.6,14.1。
IR(液膜):1742cm−1(C=O)。元素分
析;C12H13ClO2としての計算値:C,64.
14;H,5.79。実測値:C,64.65;H,
5.37。
ンテン酸エチル [1e] 無色液体。1H NMR(300MHz,C6D6)δ
3.92(q,2H,J=7.1Hz),3.18
(s,2H),1.65(s,3H),1.37(s,
3H),0.92(t,3H,J=7.1Hz)。13
C NMR(75.4MHz,C6D6)δ 169.
0,131.5,120.4,60.8,41.4,2
1.7,20.2,14.1。IR(液膜):1744
cm−1(C=O)。元素分析;C8H13ClO2と
しての計算値:C,54.39;H,7.37。実測
値:C,54.19;H,7.40。
ンテン酸メチル [1e'] 無色液体。1H NMR(300MHz,C6D6)δ
3.28(s,3H),3.15(s,2H),1.6
4(s,3H),1.34(s,3H)。13C NM
R(75.4MHz,C6D6)δ 169.4,13
1.6,120.0,51.5,41.2,21.6,
20.2。IR(液膜):1746cm− 1(C=
O)。 HRMS;C7H11ClO2としての計算
値:162.0447。実測値:162.0429。
デンプロピオン酸エチル [1f] 無色液体。1H NMR(300MHz,C6D6)δ
3.92(q,2H,J=7.1Hz),3.25
(s,2H),2.34(t,2H,J=6.0H
z),1.92(t,2H,J=6.0Hz),1.4
1−1.23(m,6H),0.92(t,3H,J=
7.1Hz),0.86(t,3H,J=7.0H
z)。13C NMR(75.4MHz,C6D6)δ
169.1,139.0,117.6,60.7,4
1.1,31.8,31.2,27.6,27.1,2
6.3,14.1。IR(液膜):1744cm
−1(C=O)。元素分析;C11H17ClO2とし
ての計算値:C,60.97;H,7.85。実測値:
C,60.89;H,7.97。
クテン酸エチル[1g] 無色液体。1H NMR(300MHz)δ 4.17
(q,2H,J=7.1Hz),3.39(s,2
H),2.23(t,2H,J=7.6Hz),2.0
8(t,2H,J=7.6Hz),1.40−1.23
(m,11H),0.93−0.87(m,6H)。
13C NMR(75.4MHz,C6D6)δ 16
9.4,140.4,120.5,61.0,41.
2,33.0,32.3,30.5,29.5,22.
7(2C),14.1,14.0,13.9。IR(液
膜):1743cm−1(C=O)。HRMS;C14
H25ClO2としての計算値:260.1542。実
測値:260.1541。
カルズの合成に有用な新規な3−クロロ−3−ブテン酸
エステル誘導体とその製造方法を提供するものであり、
本発明の製造方法によれば、新規な3−クロロ−3−ブ
テン酸エステル誘導体が、入手容易なクロロギ酸エステ
ルと末端アレンから効率的且つ安全に製造でき、その分
離精製も容易である。従って、本発明は工業的に多大の
効果をもたらす。
Claims (7)
- 【請求項1】 一般式[1] R1R2C=CClCH2COOR3 [1] (式中、R1、R2は、それぞれ独立して、水素原子、
置換基を有していてもよいアルキル基、同アルケニル
基、同アルキニル基、同アリール基、同アラルキル基、
同複素環基、同シリル基、同アルコキシカルボニル基又
は同アリーロキシカルボニル基を示し、R3は置換基を
有していてもよいアルキル基、同アリール基又は同アラ
ルキル基を示す。)で表される3−クロロ−3−ブテン
酸エステル誘導体。 - 【請求項2】 遷移金属を含んでなる触媒の存在下に、
一般式[2] R1R2C=C=CH2 [2] (式中、R1、R2は、それぞれ独立して、水素原子、
置換基を有していてもよいアルキル基、同アルケニル
基、同アルキニル基、同アリール基、同アラルキル基、
同複素環基、同シリル基、同アルコキシカルボニル基又
は同アリーロキシカルボニル基を示す。)で表される末
端アレン化合物を、一般式[3] ClCOOR3 [3] (式中、R3は置換基を有していてもよいアルキル基、
同アリール基又は同アラルキル基を示す。)で表される
クロロギ酸エステルと反応させることを特徴とする一般
式[1] R1R2C=CClCH2COOR3 [1] (式中、R1、R2、R3は前記と同じ。)で表される
3−クロロ−3−ブテン酸エステル誘導体の製造方法。 - 【請求項3】 遷移金属を含んでなる触媒が、ロジウム
錯体触媒である請求項2に記載の製造方法。 - 【請求項4】 ロジウム錯体触媒が、低原子価のロジウ
ム錯体触媒である請求項3に記載の製造方法。 - 【請求項5】 ロジウム錯体触媒が、3級ホスフィンや
3級ホスファイト等の3価のリン化合物を配位子とする
低原子価の錯体である請求項3に記載の製造方法。 - 【請求項6】 ロジウム錯体触媒が、反応系中で容易に
低原子価錯体に変換し得る前駆体錯体である請求項3に
記載の製造方法。 - 【請求項7】 ロジウム錯体触媒が、3級ホスフィン、
3級ホスファイト等の3価のリン化合物を配位子として
含まない同金属錯体と、3級ホスフィンや3級ホスファ
イト等の3価のリン化合物とを併用し、反応系中で形成
させた3級ホスフィンや3級ホスファイト等の3価のリ
ン化合物を配位子とする低原子価錯体である請求項3に
記載の製造方法。
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JP2002099783A JP4156857B2 (ja) | 2002-04-02 | 2002-04-02 | 3−クロロ−3−ブテン酸エステル誘導体及びその製造方法 |
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---|---|---|---|---|
US8163955B2 (en) | 2008-12-18 | 2012-04-24 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for the synthesis of 2,6-diamino-3,5-dinitrotoluene |
US8183418B2 (en) | 2008-12-18 | 2012-05-22 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for the synthesis of dihalodinitrotoluene |
-
2002
- 2002-04-02 JP JP2002099783A patent/JP4156857B2/ja not_active Expired - Lifetime
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