JP3376518B2 - ホスフィン化合物の製法及びその中間体並びにその製法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は不斉触媒の配位子と
して種々の不斉合成に有用なホスフィン化合物の製法及
びその中間体並びにその製法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】不斉触媒として光学活性ホスフィン配位
子の有用性がHorner, Kagan, Knowles等により報告され
て以来、多数の光学活性ホスフィン配位子が合成され、
不斉触媒能が検討されてきた。これまでに公表された配
位子は５００以上にのぼり、これらの中には極めて高い
選択性を示すものも少なくない。しかし、選択性が高い
だけでなく、非常に高い触媒活性（基質／触媒＞１００
００）を示し、且つオレフィンの水素化のみならずカル
ボニル化合物の還元、ヒドロシリル化、異性化、炭素−
炭素結合生成反応等に幅広く適用できる配位子はごくわ
ずかである。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】極めて高い不斉収率を
与える配位子としては、リン原子自体に不斉中心を有す
る光学活性ビスホスフィン、例えば（Ｓ，Ｓ）−１，４
−ビス（ｏ−アニシルフェニルホスフィノ）エタン（Ｄ
ＩＰＡＭＰ）が挙げられるが、従来法によるこの種の配
位子の合成は著しく困難であり、簡便な合成法の開発が
強く望まれている。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明者等は上記ＤＩＰ
ＡＭＰの新規製造法を見出すべく、鋭意研究を重ね、ホ
スフィン・ボランの特異な反応性を利用することによ
り、リン原子上に不斉中心を有するホスフィン配位子を
光学純度１００％で合成できるものと考え、光学的に純
粋なホスフィン・ボランの製法を開発し、本発明を完成
させたものである。本発明は構造式(X) Ph-P-Cl₂ (X) （式中、Ｐｈはフェニル基を示す。）で表されるジクロ
ロフェニルホスフィンに一般式(VII)

【０００５】

【化１３】 （式中、Ｘはハロゲン原子を示す。）で表されるグリニ
アール試薬を反応させ、次いで塩基の存在下に（−）−
メントールを反応させ、更にボラン−テトラヒドロフラ
ン錯体(BH₃-THF錯体) を反応させ、構造式(VI)

【化１４】 （式中、Ｐｈは前記に同じ。）で表されるジアステレオ
マー混合物とし、該混合物(VI)を分離せず若しくは分離
して構造式(VI)で表されるジアステレオマー混合物若し
くは分離物とするか、又は構造式(X) で表されるジクロ
ロフェニルホスフィンを塩基の存在下に（−）−メント
ールと反応させ、次いでボラン−テトラヒドロフラン錯
体を反応させ、更に還元剤で還元反応を行い、構造式(I
X)

【０００６】

【化１５】 （式中、Ｐｈは前記に同じ。）で表されるジアステレオ
マー混合物とし、該混合物を分離し、又は分離せずして
一般式(VIII)

【化１６】 （式中、Ｙはハロゲン原子を示す。）で表されるハライ
ド類を触媒の存在下に反応させ、構造式(VI)で表される
ジアステレオマー混合物又は分離物とし、該分離物(VI)
を構造式(V)

【０００７】 CH₃-Li (V) で表されるリチウム化合物と反応させ、構造式(IV)

【化１２】 （式中、Ｐｈは前記に同じ。） で表されるエナンチオマーにあるいずれかの化合物を製
造し、該化合物を塩化銅の存在下に一般式(III) R-Li (III) （式中、Ｒは低級アルキル基を示す。） で表されるアルキルリチウム類と反応させ、構造式(II)

【０００８】

【化１８】 （式中、Ｐｈは前記に同じ。）で表されるエナンチオマ
ーにあるいずれかの化合物とし、該化合物(II)を塩基と
反応させることを特徴とする構造式(I)

【０００９】

【化１９】 （式中、Ｐｈは前記に同じ。）で表されるエナンチオマ
ーにあるいずれかのホスフィン化合物の製法及び文献未
記載の新規化合物であるその中間体並びにそれらの製法
に関するものである。

【００１０】本発明の製造方法を図式的に示すと例えば
下記の通り示すことができる。

【化２０】

【００１１】

【化２１】

【００１２】

【化２２】 （式中、Ｐｈはフェニル基を示し、Ｒは低級アルキル基
を示し、Ｍｅｎは（−）−メントールを示し、Ｘ及びＹ
は同一又は異なっても良いハロゲン原子を示す。）

【００１３】即ち、構造式(X) で表されるジクロロフ
ェニルホスフィンに不活性溶媒の存在下に一般式(VII)
で表されるグリニアール試薬を反応させ、次いで塩基の
存在下に（−）−メントールを反応させ、更にボラン−
テトラヒドロフラン錯体（BH ₃-THF 錯体）を反応させ、
構造式(VI)で表されるジアステレオマー混合物とし、該
混合物(VI)を分離し、構造式(VI-1)又は(VI-2)で表され
るジアステレオマー分離物とするか、構造式(X) で表
されるジクロロフェニルホスフィンと（−）−メントー
ルを不活性溶媒及び塩基の存在下に反応させ、次いでBH
₃-THF 錯体を反応させ、更に還元剤により還元反応する
ことにより、構造式(IX)で表されるジアステレオマー混
合物とし、該混合物(IX)を一般式(VIII)で表されるハラ
イド類と反応させ、構造式(VI)で表されるジアステレオ
マー混合物とし、該混合物を分離することにより構造式
(VI-1)又は(VI-2)で表される分離物とするか、構造式
(X) で表されるジクロロフェニルホスフィンと（−）−
メントールを不活性溶媒及び塩基の存在下に反応させ、
次いでBH₃-THF 錯体を反応させ、更に還元剤により還元
反応することにより、構造式(IX)で表されるジアステレ
オマー混合物とし、該混合物(IX)を分離し、構造式(IX-
1)及び(IX-2)で表される分離物とし、該化合物(IX-1)、
(IX-2)を一般式(VIII)で表されるハライド類と不活性溶
媒及び塩基の存在下に反応させ、構造式(VI-1)又は(VI-
2)で表されるジアステレオマー分離物を製造する。

【００１４】上記方法により製造される構造式(VI-1)又
は(VI-2)で表されるジアステレオマー分離物のいずれか
を構造式(V) で表されるリチウム化合物と反応させるこ
とにより構造式(IV-1)又は(IV-2)で表されるいずれかの
エナンチオマー分離物を製造することができる。又構造
式(X) より上記方法により各工程で得られるジアステレ
オマー混合物を単離せずして、構造式(IV)で表されるエ
ナンチオマー混合物を製造し、この段階でエナンチオマ
ーを分離して構造式(IV-1)又は(IV-2)で表されるエナン
チオマー分離物を製造することもできる。次いで、エナ
ンチオマー分離物(IV-1)又は(IV-2)を塩化銅の存在下に
構造式(III) で表されるリチウム化合物と反応させ、構
造式(II)で表される構造式(IV-1)又は(IV-2)に由来する
いずれかのエナンチオマー分離物とし、該分離物と塩基
を反応させることにより構造式(I) で表されるいずれか
のエナンチオマーであるホスフィン化合物を製造するこ
とができる。

【００１５】Ａ．（Ｘ）→（ＶＩ） 本反応で使用できる不活性溶媒としては、本反応の進行
を阻害しないものであれば良く、例えばジエチルエーテ
ル、テトラヒドロフラン等の鎖状又は環状エーテル類を
使用することができる。本反応で使用するグリニアール
試薬の調製は通常用いられる方法で調製して使用するこ
とができる。グリニアール試薬の使用量は構造式(X) で
表されるジクロロフェニルホスフィンに対して等モル乃
至２倍モルの範囲から選択すれば良く、好ましくは等モ
ル乃至１．３倍モルの範囲である。グリニアール試薬の
滴下温度は０℃以下の温度であり、好ましくは−５０℃
乃至−８０℃の範囲である。本反応はアルゴン雰囲気下
で行うのが好ましい。滴下終了後、光学活性アルコール
の一つである（−）−メントールを塩基の存在下に添加
すれば良い。

【００１６】光学活性アルコールは（−）−メントール
にとくに限定されるものではない。（−）−メントール
の使用量は構造式(X) で表されるジクロロフェニルホス
フィンに対して等モル乃至１．５倍モルの範囲から選択
すれば良く、好ましくは１．０乃至１．３倍モルの範囲
である。本反応で使用できる塩基としては有機塩基又は
無機塩基を使用することができ、好ましくはトリエチル
アミン、ピリジン等の有機塩基の使用が良い。本反応は
−８０℃乃至室温の範囲で行えば良く、好ましくは反応
系に（−）−メントール及び塩基を添加する際は−５０
℃乃至−８０℃の範囲であり、添加後は徐々に室温まで
の範囲で反応を行えば良い。反応時間は反応量、反応温
度等により一定しないが数分乃至４８時間の範囲で行え
ば良い。

【００１７】反応終了後、反応系から生成する塩を除
き、BH₃-THF 錯体を加え反応することにより目的物を製
造することができる。BH₃-THF 錯体は市販されているも
のを使用すれば良く、その量は一般式(X) で表されるジ
クロロフェニルホスフィンに対して等モル以上反応系内
に存在すればよい。反応温度は０℃乃至室温の範囲から
選択して行なえば良い。反応時間は反応量、反応温度等
により一定しないが数分乃至４８時間の範囲で行えば良
い。反応終了後、常法により目的物を含む反応液からジ
アステレオマーとして単離し、例えば再結晶法、カラム
クロマトグラフィー法、液体カラムクロマトグラフィー
法、薄層クロマトグラフィー法等によりジアステレオマ
ーを分離することができる。

【００１８】Ｂ．（Ｘ）→（ＩＸ）→（ＩＸ−１），
（ＩＸ−２） 本反応で使用できる不活性溶媒としてはＡで例示の不活
性溶媒を使用することができる。光学活性アルコールの
一つである（−）−メントールを塩基の存在下に添加す
れば良いが、光学活性アルコールとしてはこれに限定さ
れるものではない。（−）−メントールの使用量は構造
式(X) で表されるジクロロフェニルホスフィンに対して
等モル乃至１．５倍モルの範囲から選択すれば良く、好
ましくは等モル乃至若干過剰モルの範囲である。本反応
で使用できる塩基としては有機塩基又は無機塩基を使用
することができ、好ましくはトリエチルアミン、ピリジ
ン等の有機塩基の使用が良い。本反応は０℃乃至室温の
範囲で行えば良く、好ましくは室温付近の温度で行うの
が良い。反応時間は反応量、反応温度等により一定しな
いが数分乃至４８時間の範囲で行えば良い。次いで、反
応系から生成する塩を除き、BH₃-THF 錯体及び還元剤を
加えて反応を行えば良い。

【００１９】BH₃-THF 錯体及び還元剤の添加は０℃付近
の温度下で行なうのが良く、添加後、徐々に室温付近ま
での温度で反応を行なえば良い。BH₃-THF 錯体は市販さ
れているものを使用すれば良く、その量は一般式(X) で
表されるジクロロフェニルホスフィンに対して等モル以
上反応系内に存在すればよい。還元剤としては、例えば
リチウムアルミニウムハイドライド（LiAlH₄）等の還元
剤を使用すれば良く、その添加量は一般式(X) で表され
るジクロロフェニルホスフィンに対して等モル乃至１．
５倍量の範囲で添加すれば良い。本反応はアルゴン雰囲
気下で行なうのが好ましい。反応終了後、常法により目
的物を単離し、必要に応じて、例えばシリカゲル薄層ク
ロマトグラフィー法等により分離し、各ジアステレオマ
ーを単離することができる。

【００２０】Ｃ．（ＩＸ−１），（ＩＸ−２）→（ＶＩ
−１），（ＶＩ−２） 本反応で使用できる不活性溶媒としては、例えばジエチ
ルエーテル、テトラヒドロフラン等の鎖状又は環状エー
テル類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化
水素を使用することができる。本反応で使用する触媒と
してはパラジウム−ホスフィン化合物を使用することが
でき、例えばテトラキス（トリフェニルホスフィン）パ
ラジウムを使用することができ、その添加量は構造式(I
X)で表される化合物に対して０．０００１乃至０．５モ
ルの範囲から選択すれば良く、好ましくは０．０１乃至
０．１モルの範囲である。反応温度は室温乃至使用する
不活性溶媒の沸点域から適宜選択すれば良い。本反応は
等モル反応であるので、各反応剤を等モル使用すれば良
いが、いずれかを過剰に使用することもできる。

【００２１】Ｄ．（ＩＸ）→（ＶＩ） 本反応はＣと同様にすることにより目的物を製造するこ
とができる。Ｅ ．（ＶＩ−１），（ＶＩ−２）→（ＩＶ−１），（Ｉ
Ｖ−２） 本反応で使用できる不活性溶媒としては、例えばＣで例
示の不活性溶媒を使用することができる。本反応は等モ
ル反応であるので、構造式(VI-1)又は(VI-2)で表される
化合物に対して構造式(V) で表されるアルキルリチウム
類を等モル使用すれば良いが、いずれかの反応試剤を過
剰に使用することもできる。反応温度は０℃乃至室温の
範囲から選択して使用すれば良い。反応時間は反応量、
反応温度等により一定しないが数分乃至４８時間の範囲
から選択すれば良い。反応終了後、目的物を含む反応液
から常法により単離し、例えばシリカゲル薄層クロマト
グラフィー法等で分離することにより目的物を得ること
ができる。

【００２２】Ｆ．構造式（ＩＶ−１），（ＩＶ−２）→
構造式（ＩＩ−１），（ＩＩ−２） 本反応で使用できる不活性溶媒としては、本反応の進行
を阻害しないものであれば良く、例えばＣの反応で例示
の不活性溶媒を使用することができる。本反応で使用す
る一般式(III) で表されるアルキルリチウム類として
は、例えばｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウ
ム、ｔ−ブチルリチウム等のアルキルリチウム類を使用
することができる。本反応で同時に使用する塩化銅は無
水塩化第二銅を使用するのが好ましく、又その使用量は
得に限定されるものではないが、好ましくは構造式(IV-
1)又は(IV-2)で表される化合物に対して等モル乃至１．
５倍モルの範囲である。反応温度は−８０℃乃至室温の
範囲から選択すれば良く、好ましくは−５０℃乃至−８
０℃の範囲である。反応時間は反応量、反応温度等によ
り一定しないが数分乃至４８時間の範囲から選択すれば
良い。反応終了後、目的物を含む反応液から常法により
単離し、原料である構造式(IV)のいずれかのエナンチオ
マーに対応する目的物を製造することができる。

【００２３】Ｇ．（ＩＩ─１），（ＩＩ−２）→（Ｉ−
１），（Ｉ−２） 本反応で使用できる不活性溶媒としては、例えばＣで例
示の不活性溶媒の他、本反応で使用する塩基を溶媒とし
て使用することもできる。本反応で使用できる塩基とし
ては脱ボラン化を行なう塩基であれば良く、例えばエチ
ルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、モルホ
リン、Ｎ−メチルモルホリン等の有機塩基を使用するこ
とができる。塩基の使用量は構造式(II-1)又は(II-2)で
表される化合物に対して２倍モル乃至過剰量使用すれば
良いが、好ましくは過剰量使用し、不活性溶媒としても
使用するのが良い。反応終了後、目的物を含む反応液か
ら常法により単離し、必要に応じて、例えばカラムクロ
マトグラフィー等で精製し、目的物を製造することがで
きる。以下に本発明の代表的な実施例を示すが、本発明
はこれらに限定されるものではない。

【００２４】実施例１． １─１．

【化２３】

【００２５】ジクロロフェニルホスフィン１．１ml
（８．１ミリモル）をテトラヒドロフラン４０mlに溶解
し、この溶液にｏ−アニシルマグネシウムブロミド４０
ml（０．２５モル／１Ｌテトラヒドロフラン溶液）をア
ルゴン雰囲気下に−７８℃で激しく攪拌しながら５０分
かけて滴下した。滴下終了後、（−）−メントール１．
５６ｇ（１０ミリモル）とピリジン０．８ml（１０ミリ
モル）を−７８℃の温度下に加え、冷浴を除き反応混合
物を室温下に１晩攪拌し、反応を行った。反応後、反応
混合物を素早く濾過し、ピリジニウム塩を除き、更に濾
液を０℃に冷却した。次いで、 BH₃-THF錯体３０ml
（１．０モル／１Ｌテトラヒドロフラン溶液）を加え室
温下に１時間反応を行った後、１Ｎ塩酸１００mlを加え
た。反応終了後、目的物を含む反応液からエーテルで抽
出し、抽出液を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウム
で乾燥後、溶媒を減圧下に留去し、得られた残渣をシリ
カゲルクロマトグラフィー（ベンゼン：ｎ−ヘキサン＝
１：１）で精製した。目的物は粘稠物として得られる
が、ヘキサン中からそれぞれのジアステレオマーの混合
物として白色粉末結晶２．８３ｇを得た。 （収率 ９０％）ジアステレオマーの分離は分取用シリ
カゲル薄層クマトグラフィー（トルエン：シクロヘキサ
ン＝１：４）で分離した。

【００２６】物性（ＶＩ−１）：油状物 〔α〕D²⁵ −７５．６°（ｃ 0.9, C₆H₆） IR（neat）2950, 2390, 1590, 1480, 1280cm^{-1 1} H-NMR(500MHz, CDCl₃) δ値(ppm)0.49(d,3H,J=6.87H
z), 0.80-1.64(m,16H), 1.92-1.96(m,1H),2.09(d,1H,J=
11.8Hz), 3.53(s,3H), 4.23-4.25(m,1H), 6.80-7.96(m,
9H),100% de （ＶＩ−２）：mp. 85.0-87.5 ℃ 〔α〕D²⁵ −４９．０°（ｃ 1.0, C₆H₆） IR（neat）2940, 2390, 1480, 1280, 1015, 765 cm^{-1 1} H-NMR(500MHz, CDCl₃) δ値(ppm)0.55(d,3H,J=6.87H
z), 0.79-1.64(m,16H), 1.87-1.91(m,1H),2.06(d,1H,J=
13.2Hz), 3.53(s,3H), 4.26-4.29(m,1H), 6.82-7.93(m,
9H),93% de

【００２７】１−２．

【化２４】

【００２８】ジクロロフェニルホスフィン２５ml（０．
１８５モル）を乾燥ベンゼン１００mlに溶解し、この溶
液に乾燥ベンゼン１００mlに溶解した（−）−メントー
ル２８．８ｇ（０．１８５モル）とピリジン１５ml
（０．１８５モル）とをアルゴン雰囲気下に室温で２時
間滴下した。滴下後１２時間反応後、反応液を素早く濾
過してピリジニウム塩を除き、濾液にリチウムアルミニ
ウムハイドライド８．４２ｇ（０．２２２モル）及び B
H₃-THF錯体２２５ml（１．０モル／１Ｌテトラヒドロフ
ラン溶液）を０℃で加え、室温で３分間反応を行った
後、反応液を濃塩酸４０ml、氷約２００ｇ及び水１００
mlの混合物中に注ぎ、有機層を分取し、更に水層をエー
テルで４回抽出した。有機層とエーテル層を合わせ飽和
食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減
圧下に留去し、得られた残渣をシリカゲルクロマトグラ
フィー（ベンゼン：ｎ−ヘキサン＝１：１）で精製する
ことによりジアステレオマー混合物(IX)を白色結晶とし
て２０．６ｇ得た。（収率４０％）。更に得られた結晶
をヘキサンから３回再結晶することにより純粋なジアス
テレオマー５．７ｇを得た。ジアステレオマーの分離は
分取用シリカゲル薄層クマトグラフィー（トルエン：シ
クロヘキサン）で分離した。

【００２９】物性（ＩＸ−１）： 無色結晶，m.p. 94-
96℃ 〔α〕D²⁵ −１１７．６°(c 1.0, ClCH₂CH₂Cl) IR(KBr, cm^-1) 2900, 2375, 1445, 1135, 1060, 970.¹ H-NMR(500MHz, CDCl₃) δ値(ppm)0.63(d,3H,J=7.15H
z), 0.888(d,3H,6.60Hz), 0.893(d,3H,J=6.88Hz),2.01-
2.08(m,2H), 3.85-3.94(m,1H), 7.48-7.81(m,5H).³¹ P-NMR(121MHz)(CDCl₃:(PhO)₃PO ext),δ値109.5(q,J
(PB)=58.96Hz).¹¹ B-NMR(96MHz)(CDCl₃:(CH₃O)B ext),δ値-58.90(d,J(P
B)=58.96Hz). MS(70eV) m/e 264 (M -BH₃) 100ee

【００３０】（ＩＸ−２）： 無色結晶，m.p. 81-83℃ 〔α〕D²⁵ −６２．８°(c 1.0, ClCH₂CH₂Cl) IR(KBr, cm^-1) 2900, 2390, 1435, 1130, 1060, 970.¹ H-NMR(500MHz, CDCl₃) δ値(ppm)0.70(d,3H,J=6.87H
z), 0.85(d,3H,6.87Hz), 0.91(d,3H,J=6.32Hz),1.92-2.
08(m,2H), 3.97-4.40(m,1H), 7.49-7.82(m,5H).³¹ P-NMR(121MHz)(CDCl₃:(PhO)₃PO ext),δ値111.1(q,J
(PB)=58.96Hz).¹¹ B-NMR(96MHz)(CDCl₃:(CH₃O)B ext),δ値-59.90(d,J(P
B)=58.96Hz). 100ee

【００３１】１−３．

【化２５】 トルエン２ml中に(IX-1)２７８ｍｇ（１ミリモル）、ｏ
−ヨードアニソール４６８ｍｇ（２ミリモル）をテトラ
キス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）１１
５ｍｇ（０．１ミリモル）及び炭酸ナトリウム５５３ｍ
ｇ（４ミリモル）を加え、該混合液をアルゴン雰囲気下
に７０−８０℃で１日攪拌下反応を行った後、１Ｎ−塩
酸を加え反応を停止した。反応後、有機層を分取し、更
に水層からエーテルで３度抽出し、有機層及びエーテル
層を合わせチオ硫酸ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗
浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去
し、得られた残渣をシリカゲル薄層クロマトグラフィー
で分取した。 収量 ２３４ｍｇ 物性（ＩＶ−１）：油状物

【００３２】１−４．

【化２６】

【００３３】（ＶＩ−２）８３ｍｇ（０．２ミリモル）
を乾燥ベンゼン３mlに溶解し、該溶液にメチルリチウム
のエーテル溶液０．５ml（１．３モル／１Ｌエーテル溶
液）を室温下に加えた。３時間同温度下に攪拌反応を行
い、１Ｎ−塩酸を加え反応を停止した。反応後、有機層
を分液し、更に水層をエーテルで４回抽出した。抽出液
を硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去し、
得られた残渣を分取用シリカゲル薄層クロマトグラフィ
ー（ベンゼン：ｎ−ヘキサン）で分取し、目的物である
（ＩＶ−２）で表されるｏ−アニシルメチルフェニルホ
スフィン−ボラン５０ｍｇを得た（収率：９５％）。同
様にして、（ＶＩ−１）から他方のエナンチオマーを得
た。 物性（ＩＶ−１）： 〔α〕D²⁵ −２７．０°(c 1.5, MeOH) 100% de （ＩＶ−２）： 〔α〕²⁵ ＋２５．２°(c 1.6, MeOH) 93% de

【００３４】１−５．

【化２７】 光学活性ホスフィン−ボラン４８８ｍｇ（２ミリモル，
８９％ｅｅ）をアルゴン雰囲気下で乾燥テトラヒドロフ
ランに溶解し、−７８℃に冷却した。該溶液にｓｅｃ−
ブチルリチウム２．２ml（１．０モル／１Ｌテトラヒド
ロフラン溶液）を加え２時間攪拌下に反応を行った。更
に激しく攪拌下に無水塩化銅４０４ｍｇ（３ミリモル）
を加え、反応温度を１．５時間かけて徐々に室温まで上
げ、その後１時間室温で反応を行い、希塩酸を加え反応
を停止した。反応後、目的物を含む反応液よりクロロホ
ルムで抽出し、抽出液を硫酸マグネシウムで乾燥後、減
圧下に留去し、残渣を分取用シリカゲル薄層クロマトグ
ラフィー（酢酸エチル：ヘキサン：ジクロロメタン＝
１：４：１）で精製し目的物を得た。 物性 m.p. 162.5-163.0℃ 〔α〕D²⁵ -70.2 ° (c 1.3, CHCl₃） １−６

【００３５】

【化２８】 上記１−５で得られたビス−ホスフィン−ボラン１００
ｍｇ（０．２１ミリモル）を脱気したジエチルアミンに
溶解し、該溶液をアルゴン雰囲気下に１０時間５０℃に
保った。反応終了後、過剰のジエチルアミンを減圧下に
留去し、残渣をアルゴン雰囲気下に脱気ベンゼンで塩基
性アルミナの短いカラムに通して、実質的に純粋な目的
物８１ｍｇ（収率：８４％）を得た。更にアルゴン雰囲
気下に熱メタノールより再結晶し、純粋な目的物を得
た。 物性 m.p. 102-103℃ 〔α〕D²⁵ +87.0 (c 1.0, CHCl₃)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．, 1985，Ｖｏｌ．107 Ｎｏ．18，ｐ. 5301−5303 (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C07F 9/50 ＣＡ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 構造式(X) Ph-P-Cl₂ (X) （式中、Ｐｈはフェニル基を示す。） で表されるジクロロフェニルホスフィンに一般式(VII) 【化１】 （式中、Ｘはハロゲン原子を示す。） で表されるグリニアール試薬を反応させ、次いで塩基の
   存在下に（−）−メントールを反応させ、更にボラン−
   テトラヒドロフラン錯体を反応させ、構造式(VI) 【化２】 （式中、Ｐｈは前記に同じ。） で表されるジアステレオマー混合物とし、該混合物(VI)
   を分離し、又は分離せずして構造式(VI)で表されるジア
   ステレオマー混合物を製造し、該混合物(VI)を構造式
   (V) CH₃-Li (V) で表されるリチウム化合物と反応させ、構造式(IV) 【化３】 （式中、Ｐｈは前記に同じ。） で表されるエナンチオマーにあるいずれかの化合物(IV)
   とし、該化合物を塩化銅の存在下に一般式(III) R-Li (III) （式中、Ｒは低級アルキル基を示す。） で表されるアルキルリチウム類と反応させ、構造式(II) 【化４】 （式中、Ｐｈは前記に同じ。） で表されるエナンチオマーにあるいずれかの化合物と
   し、該化合物(II)を塩基と反応させることを特徴とする
   構造式(I) 【化５】 （式中、Ｐｈは前記に同じ。） で表されるエナンチオマーにあるいずれかのホスフィン
   化合物の製法。
2. 【請求項２】 構造式(X) Ph-P-Cl₂ (X) （式中、Ｐｈはフェニル基を示す。） で表されるジクロロフェニルホスフィンに塩基の存在下
   に（−）−メントールを反応させ、次いでボラン−テト
   ラヒドロフラン錯体を反応させ、更に還元剤で還元反応
   を行い構造式(IX) 【化６】 （式中、Ｐｈは前記に同じ。） で表されるジアステレオマー混合物とし、該混合物(IX)
   を分離し、又は分離せずして一般式(VIII) 【化７】 （式中、Ｙはハロゲン原子を示す。） で表されるハライド類と触媒の存在下に反応させ構造式
   (VI) 【化８】 （式中、Ｐｈは前記に同じ。） で表されるジアステレオマー混合物又は分離物とし、該
   混合物又は分離物(VI)を構造式(V) CH₃-Li (V) で表されるリチウム化合物と反応させ、構造式(IV) 【化９】 （式中、Ｐｈは前記に同じ。） で表されるエナンチオマーにあるいずれかの化合物(IV)
   とし、該化合物を塩化銅の存在下に一般式(III) R-Li (III) （式中、Ｒは低級アルキル基を示す。） で表されるアルキルリチウム類と反応させ、構造式(II) 【化１０】 （式中、Ｐｈは前記に同じ。） で表されるエナンチオマーにあるいずれかの化合物と
   し、該化合物(II)を塩基と反応させることを特徴とする
   構造式(I) 【化１１】 （式中、Ｐｈは前記に同じ。） で表されるエナンチオマーにあるいずれかのホスフィン
   化合物の製法。