JP2855221B2 - 光学活性３，４―ビスホスフィノピロリジン化合物 - Google Patents
光学活性３，４―ビスホスフィノピロリジン化合物Info
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は新規な光学活性3,4−ビスホスフィノピロリ
ジン化合物に関する。
ジン化合物に関する。
さらに詳しく言えば、本発明は、炭素−炭素二重結合
構造、炭素−窒素二重結合構造、および（又は）炭素−
酸素二重結合構造を水素化することにより下斉炭素原子
を有する化合物を生成せしめる反応を行うにおいて触媒
として使用する金属錯体化合物における配位子としての
一般式、 （式中、R1は、水素原子、Ｒ′、−COR″、−COOR又
は−CONHR′であり、Ｒ′、Ｒ″、ＲおよびＲ′
は、それぞれアルキル基、アリール基又はアリールアル
キル基を表わし、R2はジ（低級アルキル）アミノ基、低
級アルコキシル基若しくは低級アルキル基から選ばれた
置換基の１〜３個を有するフェニル基、又はシクロヘキ
シル基を表わす）で表わされる光学活性3,4−ビスホス
フィノピロリジン化合物に関するものである。
構造、炭素−窒素二重結合構造、および（又は）炭素−
酸素二重結合構造を水素化することにより下斉炭素原子
を有する化合物を生成せしめる反応を行うにおいて触媒
として使用する金属錯体化合物における配位子としての
一般式、 （式中、R1は、水素原子、Ｒ′、−COR″、−COOR又
は−CONHR′であり、Ｒ′、Ｒ″、ＲおよびＲ′
は、それぞれアルキル基、アリール基又はアリールアル
キル基を表わし、R2はジ（低級アルキル）アミノ基、低
級アルコキシル基若しくは低級アルキル基から選ばれた
置換基の１〜３個を有するフェニル基、又はシクロヘキ
シル基を表わす）で表わされる光学活性3,4−ビスホス
フィノピロリジン化合物に関するものである。
従来、合成化学の分野において光学活性化合物を直接
合成することのできる不斉還元反応に関する幾多の研究
がなされている。その一つとして、多くのビスホスフィ
ン配位子が合成されて、その配位子と各種の金属との組
合せを用いて不斉還元反応が試みられている。
合成することのできる不斉還元反応に関する幾多の研究
がなされている。その一つとして、多くのビスホスフィ
ン配位子が合成されて、その配位子と各種の金属との組
合せを用いて不斉還元反応が試みられている。
不斉収率（光学収率）及び反応収率（註：反応速度に
関して、その反応速度が遅いと使用量が多くなるため、
その関係を示す方法の一つとして，基質と配位子のモル
比で表したもの）を同時に満足させる配位子の探索が多
くの研究者により行われている。
関して、その反応速度が遅いと使用量が多くなるため、
その関係を示す方法の一つとして，基質と配位子のモル
比で表したもの）を同時に満足させる配位子の探索が多
くの研究者により行われている。
本発明者は、不斉還元反応において、不斉収率と反応
効率の両者を同時に満足し得る不斉合成法の開発を課題
として鋭意研究をおこなったところ、本研究により、上
記課題を解決し得る優れた配位子としての新規な光学活
性3,4−ビスホスフィノピロリジン化合物を提供するこ
とに成功し、これを用いて行う新規な不斉合成法を提供
するに至った。以下に、本発明を詳細に説明する。
効率の両者を同時に満足し得る不斉合成法の開発を課題
として鋭意研究をおこなったところ、本研究により、上
記課題を解決し得る優れた配位子としての新規な光学活
性3,4−ビスホスフィノピロリジン化合物を提供するこ
とに成功し、これを用いて行う新規な不斉合成法を提供
するに至った。以下に、本発明を詳細に説明する。
ヴオルフガング・ベツクらは式、 （式中、Phはフェニル基を表わし、Ｒは水素、アルキル
基、アリールアルキル基またはアシル基を表わす）で表
わされる光学活性3,4−ビス−（ジフェニルホスフィ
ノ）ピロリジンを合成し、これを用いてβ−置換−α−
アシルアミノアクリル酸の不斉水素化を行っている（特
開昭60−185793）。
基、アリールアルキル基またはアシル基を表わす）で表
わされる光学活性3,4−ビス−（ジフェニルホスフィ
ノ）ピロリジンを合成し、これを用いてβ−置換−α−
アシルアミノアクリル酸の不斉水素化を行っている（特
開昭60−185793）。
本発明者は前記式（II）で表わされる化合物の一つで
ある（3R,4R）−１−ベンジル−3,4−ビス（ジフェニル
ホスフィノ）ピロリジン［Degphos］を合成しα−アセ
トアミドケイ皮酸の水素化を５気圧、50℃、20時間で行
ってみたところ、基質／触媒＝10,000（モル比）で変換
率44％、不斉収率81％であった（還元例18参照）。
ある（3R,4R）−１−ベンジル−3,4−ビス（ジフェニル
ホスフィノ）ピロリジン［Degphos］を合成しα−アセ
トアミドケイ皮酸の水素化を５気圧、50℃、20時間で行
ってみたところ、基質／触媒＝10,000（モル比）で変換
率44％、不斉収率81％であった（還元例18参照）。
式（II）で表わされる化合物の２つのジフェニルホス
フィノ基のうちの一方は触媒効率を、他方は不斉収率に
影響を与えると推定し、（参照：ファルマシア レビュ
ー 24巻 71頁）式（II）で表わされる化合物のジフェ
ニルホスフィノ基のフェニル基の代わりに電子供与性置
換基であるアルキル基、アルコキシル基やジアルキルア
ミノ基の１〜３個付いたフェニル基を用いれば電子供与
性基により触媒効率の向上を、又かさ高い基を浸けるこ
とによる不斉収率の向上が期待できると考えた。
フィノ基のうちの一方は触媒効率を、他方は不斉収率に
影響を与えると推定し、（参照：ファルマシア レビュ
ー 24巻 71頁）式（II）で表わされる化合物のジフェ
ニルホスフィノ基のフェニル基の代わりに電子供与性置
換基であるアルキル基、アルコキシル基やジアルキルア
ミノ基の１〜３個付いたフェニル基を用いれば電子供与
性基により触媒効率の向上を、又かさ高い基を浸けるこ
とによる不斉収率の向上が期待できると考えた。
前記一般式（Ｉ）で表わされる光学活性3,4−ビスホ
スフィノピフィノピロリジン化合物を合成し、それを用
いて不斉水素化を試み、その目的に適していることを見
いだした。
スフィノピフィノピロリジン化合物を合成し、それを用
いて不斉水素化を試み、その目的に適していることを見
いだした。
例えば（3R,4R）−１−ベンジル−3,4−ビス［ジ（3,
5−ジメチル−４−メトキシフェニル）ホスフィノ］ピ
ロリジン［MOD−Deg］を合成しα−アセトアミドケイ皮
酸の水素化を前記と同じ条件（５気圧、50℃、20時間）
で行ってみたところ基質／触媒＝10,000（モル比）で変
換率100％、不斉収率92％であった（還元例３参照）。
5−ジメチル−４−メトキシフェニル）ホスフィノ］ピ
ロリジン［MOD−Deg］を合成しα−アセトアミドケイ皮
酸の水素化を前記と同じ条件（５気圧、50℃、20時間）
で行ってみたところ基質／触媒＝10,000（モル比）で変
換率100％、不斉収率92％であった（還元例３参照）。
この様に、本発明の前記式（Ｉ）で表わされる光学活
性3,4−ビスホスフィノピロリジン化合物を不斉水素化
に於ける触媒の配位子として用いることにより不斉収
率、反応効率の両面において工業的に実施する上におい
て極めて優れた結果が得られることを見いだした。
性3,4−ビスホスフィノピロリジン化合物を不斉水素化
に於ける触媒の配位子として用いることにより不斉収
率、反応効率の両面において工業的に実施する上におい
て極めて優れた結果が得られることを見いだした。
本発明の化合物、前記一般式（Ｉ）で表わされる光学
活性3,4−ビスホスフィノピロリジン化合物は例えば下
記の方法で製造できる。
活性3,4−ビスホスフィノピロリジン化合物は例えば下
記の方法で製造できる。
光学活性酒石酸を原料として得られる１−置換−3,4
−ジメタンスルホニルオキシピロリジンと、一般式、 （R2 2P-・M+ （III） （式中、R2はジ（低級アルキル）アミノ基、低級アルコ
キシル基若しくは低級アルキル基から選ばれた置換基の
１〜３個を有するフェニル基、又はシクロヘキシル基を
表わし、Ｍはアルカリ金属を表わす）で表わされるホス
フィノ金属とをクラウンエーテル存在下反応することに
より合成できる。
−ジメタンスルホニルオキシピロリジンと、一般式、 （R2 2P-・M+ （III） （式中、R2はジ（低級アルキル）アミノ基、低級アルコ
キシル基若しくは低級アルキル基から選ばれた置換基の
１〜３個を有するフェニル基、又はシクロヘキシル基を
表わし、Ｍはアルカリ金属を表わす）で表わされるホス
フィノ金属とをクラウンエーテル存在下反応することに
より合成できる。
この際、（＋）−酒石酸から出発すると（3R,4R）体
を、（−）−酒石酸から出発すると（3S,4S）体を得る
ことができる。
を、（−）−酒石酸から出発すると（3S,4S）体を得る
ことができる。
前記一般式（Ｉ）で表わされる光学活性3,4−ビスホ
スフィノピロリジン化合物において、式中の１位の置換
基R1は、水素原子、Ｒ′、−COR″、−COOR又は−CON
HR′であり、Ｒ′、Ｒ″、ＲおよびＲ′は、それ
ぞれアルキル基、アリール基又はアリールアルキル基を
表わし、Ｒ′、Ｒ″、Ｒ、Ｒ′の各アルキル基の例
としては、C1〜C6のアルキル基、例えば、メチル、エチ
ル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、sec−ブチ
ル、tert−ブチル等があげられ、アリール基の例とし
て、フェニル、ピリジン基があげられ、アリールアルキ
ル基の例としてベンジル基があげられる。これらのアル
キル基、アリール基又はアリールアルキル基は、置換値
としてフッソや塩素等のハロゲン原子、水酸基、アルキ
ル基、アルコキシ基などを有することができる。
スフィノピロリジン化合物において、式中の１位の置換
基R1は、水素原子、Ｒ′、−COR″、−COOR又は−CON
HR′であり、Ｒ′、Ｒ″、ＲおよびＲ′は、それ
ぞれアルキル基、アリール基又はアリールアルキル基を
表わし、Ｒ′、Ｒ″、Ｒ、Ｒ′の各アルキル基の例
としては、C1〜C6のアルキル基、例えば、メチル、エチ
ル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、sec−ブチ
ル、tert−ブチル等があげられ、アリール基の例とし
て、フェニル、ピリジン基があげられ、アリールアルキ
ル基の例としてベンジル基があげられる。これらのアル
キル基、アリール基又はアリールアルキル基は、置換値
としてフッソや塩素等のハロゲン原子、水酸基、アルキ
ル基、アルコキシ基などを有することができる。
R2はジ（低級アルキル）アミノ基、低級アルコキシル
基若しくは低級アルキル基から選ばれた置換基の１〜３
個を有するフェニル基、又はシクロヘキシル基であり、
置換基を有するフェニル基としては、例えば、２−ジメ
チルアミノフェニル、３−ジメチルアミノフェニル、４
−ジメチルアミノフェニル、3,5−ジメチル−４−ジメ
チルアミノフェニル、２−メトキシフェニル、３−メト
キシフェニル、４−メトキシフェニル、2,4−ジメトキ
シフェニル、3,5−ジメチル−４−メトキシフェニル、
２−トリル、４−トリル基を挙げることができる。
基若しくは低級アルキル基から選ばれた置換基の１〜３
個を有するフェニル基、又はシクロヘキシル基であり、
置換基を有するフェニル基としては、例えば、２−ジメ
チルアミノフェニル、３−ジメチルアミノフェニル、４
−ジメチルアミノフェニル、3,5−ジメチル−４−ジメ
チルアミノフェニル、２−メトキシフェニル、３−メト
キシフェニル、４−メトキシフェニル、2,4−ジメトキ
シフェニル、3,5−ジメチル−４−メトキシフェニル、
２−トリル、４−トリル基を挙げることができる。
この様にして得られた式（Ｉ）で表わされる光学活性
3,4−ビスホスフィノピロリジン化合物はロジウム金属
錯体触媒の配位子として不斉水素化に使用できる。
3,4−ビスホスフィノピロリジン化合物はロジウム金属
錯体触媒の配位子として不斉水素化に使用できる。
不斉水素化にもちいる触媒の調製方法としては、式
（Ｉ）で表わされる光学活性3,4−ビスホスフィノピロ
リジン化合物と、ロジウム−シクロオクタジエン−クロ
ル錯体又はロジウム−ノルボルナジエン−クロル錯体等
のロジウム錯体と、テトラフロロホウ酸、ヘキサフロロ
リン酸または過塩素酸のアルカリ金属塩または銀塩との
反応により調製できる。又、ロジウム−ジシクロオクタ
ジエン−過塩素酸錯体やロジウム−ジシクロオクタジエ
ン−テトラフロロホウ酸錯体等のロジウムカチオン錯体
と、式（Ｉ）で表わされる光学活性3,4−ビスホスフィ
ノピロリジン化合物と反応させることにより調製でき
る。
（Ｉ）で表わされる光学活性3,4−ビスホスフィノピロ
リジン化合物と、ロジウム−シクロオクタジエン−クロ
ル錯体又はロジウム−ノルボルナジエン−クロル錯体等
のロジウム錯体と、テトラフロロホウ酸、ヘキサフロロ
リン酸または過塩素酸のアルカリ金属塩または銀塩との
反応により調製できる。又、ロジウム−ジシクロオクタ
ジエン−過塩素酸錯体やロジウム−ジシクロオクタジエ
ン−テトラフロロホウ酸錯体等のロジウムカチオン錯体
と、式（Ｉ）で表わされる光学活性3,4−ビスホスフィ
ノピロリジン化合物と反応させることにより調製でき
る。
これらは水素化反応系内で用時調製しても良いし、前
もって調製単離した物を用いてもよい。
もって調製単離した物を用いてもよい。
不斉水素化反応を行う方法につき、α−アセトアミド
ケイ皮酸よりＮ−アセチルフェニルアラニンを生成せし
める場合を例にとって説明する。
ケイ皮酸よりＮ−アセチルフェニルアラニンを生成せし
める場合を例にとって説明する。
接触還元反応を行う際の一般的溶媒、例えば、水、メ
タノール、エタノール、イソプロピルアルコール、酢
酸、酢酸エチル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等を
溶媒として用い、その40ml中にα−アセトアミドケイ皮
酸25ミリモルおよび、ロジウム−ジシクロオクタジエン
−過塩素酸錯体0.25ミリモル〜0.00025ミリモル、配位
子としての光学活性3,4−ビスホスフイノピロリジン化
合物（Ｉ）をロジウム−ジシクロオクタジエン−過塩素
酸錯体の1.0〜2.0倍モル加え、常圧で、もしくは加圧下
で、好ましくは反応温度０℃−150℃で水素添加反応を
行う。反応終了後、溶媒を留去し、残留物を適宜、処理
すると反応生成物として、光学活性Ｎ−アセチルフェニ
ルアラニンが高収率で得られる。
タノール、エタノール、イソプロピルアルコール、酢
酸、酢酸エチル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等を
溶媒として用い、その40ml中にα−アセトアミドケイ皮
酸25ミリモルおよび、ロジウム−ジシクロオクタジエン
−過塩素酸錯体0.25ミリモル〜0.00025ミリモル、配位
子としての光学活性3,4−ビスホスフイノピロリジン化
合物（Ｉ）をロジウム−ジシクロオクタジエン−過塩素
酸錯体の1.0〜2.0倍モル加え、常圧で、もしくは加圧下
で、好ましくは反応温度０℃−150℃で水素添加反応を
行う。反応終了後、溶媒を留去し、残留物を適宜、処理
すると反応生成物として、光学活性Ｎ−アセチルフェニ
ルアラニンが高収率で得られる。
以下に、本発明に係る光学活性3,4−ビスホスフィノ
ピロリジン化合物の製造例及びそれを用いる不斉還元剤
を掲げ、本発明をさらに説明するものであるが本発明を
限定するものではない。
ピロリジン化合物の製造例及びそれを用いる不斉還元剤
を掲げ、本発明をさらに説明するものであるが本発明を
限定するものではない。
参考例１ ４−ブロム−2,6−キシリジン（6.9g）に40％ホルマ
リン水溶液（6.4g）およびギ酸（51.5g）を加え２時間
加熱、還流煮沸する。冷却後、濃塩酸（5ml）を加え減
圧濃縮、真空蒸留を行い、沸点135〜145℃/3Torrの留分
のN,N−ジメチル−４−ブロム−2,6−キシリジン（7.8
g）を得た。
リン水溶液（6.4g）およびギ酸（51.5g）を加え２時間
加熱、還流煮沸する。冷却後、濃塩酸（5ml）を加え減
圧濃縮、真空蒸留を行い、沸点135〜145℃/3Torrの留分
のN,N−ジメチル−４−ブロム−2,6−キシリジン（7.8
g）を得た。
アルゴン雰囲気下、テトラヒドロフラン（以下THFと
略す）（5ml）中へマグネシウム（3.6g）を入れ、N,N−
ジメチル−４−ブロム−2,6−キシリジン（23g）のTHF
（150ml）溶液を滴下する。還流煮沸２時間行った後、
氷冷下、ジエチルホスファイト（4.1g）のTHF（30ml）
溶液を滴下する。室温で一夜撹拌後、１時間還流煮沸す
る。
略す）（5ml）中へマグネシウム（3.6g）を入れ、N,N−
ジメチル−４−ブロム−2,6−キシリジン（23g）のTHF
（150ml）溶液を滴下する。還流煮沸２時間行った後、
氷冷下、ジエチルホスファイト（4.1g）のTHF（30ml）
溶液を滴下する。室温で一夜撹拌後、１時間還流煮沸す
る。
冷却後、飽和塩化アンモニウム水溶液（150ml）を加
え30分間撹拌、過し残渣を酢酸エチルで洗浄する。
洗液を分液し水層は酢酸エチルで２回抽出する。有機層
を合併し、無水硫酸マグネシウムで乾燥、減圧濃縮し、
シリカゲルカラムクロマト精製を行いビス（3,5−ジメ
チル−４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィンオキシ
ド4.5gを油状物として得た。
え30分間撹拌、過し残渣を酢酸エチルで洗浄する。
洗液を分液し水層は酢酸エチルで２回抽出する。有機層
を合併し、無水硫酸マグネシウムで乾燥、減圧濃縮し、
シリカゲルカラムクロマト精製を行いビス（3,5−ジメ
チル−４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィンオキシ
ド4.5gを油状物として得た。
塩化セリウム・７水和物（8.4g）120℃で減圧乾燥
後、冷却、アルゴン雰囲気下THF（20ml）を加え30分間
撹拌する。氷冷後水素化リチウムアルミニウム（2.0g）
を添加する。ビス（3,5−ジメチル−４−ジメチルアミ
ノフェニル）ホスフィンオキシド（4.0g）をTHF（50m
l）に溶解した液を加える。一夜還流煮沸する。氷冷
後、脱気トルエン（50ml）を加え40℃で30分間撹拌す
る。再度冷却し、傾斜法によりトルエン層を分離する。
脱気トルエン（50ml）で再度抽出し、トルエン層を合併
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥、減圧濃縮、真空蒸留
しビス（3,5−ジメチル−４−ジメチルアミノフェニ
ル）ホスフィン2.0gを得た。（沸点220〜240℃/2Torr） 実施例１ アルゴン雰囲気下、ビス（3,5−ジメチル−４−メト
キシフェニル）ホスフィン（4.7g）をTHF（20ml）に溶
解し、−40℃に冷却する。1.57M−ｎ−ブチルリチウム
−ヘキサン溶液（9.8ml）を加え、15分間撹拌する。ク
ラウンエーテル（12−Crown 4、1ml）を滴下し更に15分
間撹拌する。
後、冷却、アルゴン雰囲気下THF（20ml）を加え30分間
撹拌する。氷冷後水素化リチウムアルミニウム（2.0g）
を添加する。ビス（3,5−ジメチル−４−ジメチルアミ
ノフェニル）ホスフィンオキシド（4.0g）をTHF（50m
l）に溶解した液を加える。一夜還流煮沸する。氷冷
後、脱気トルエン（50ml）を加え40℃で30分間撹拌す
る。再度冷却し、傾斜法によりトルエン層を分離する。
脱気トルエン（50ml）で再度抽出し、トルエン層を合併
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥、減圧濃縮、真空蒸留
しビス（3,5−ジメチル−４−ジメチルアミノフェニ
ル）ホスフィン2.0gを得た。（沸点220〜240℃/2Torr） 実施例１ アルゴン雰囲気下、ビス（3,5−ジメチル−４−メト
キシフェニル）ホスフィン（4.7g）をTHF（20ml）に溶
解し、−40℃に冷却する。1.57M−ｎ−ブチルリチウム
−ヘキサン溶液（9.8ml）を加え、15分間撹拌する。ク
ラウンエーテル（12−Crown 4、1ml）を滴下し更に15分
間撹拌する。
（3S,4S）−１−ベンジル−3,4−ジメタンスルホニル
オキシピロリジン（1.8g）のTHF（10ml）溶液を滴下す
る。
オキシピロリジン（1.8g）のTHF（10ml）溶液を滴下す
る。
脱気DMFを赤色透明の状態になるまで加え、−30℃で
一夜撹拌する。
一夜撹拌する。
反応液を過、減圧濃縮し、シリカゲルカラムクロマ
ト精製を行い（3R,4R）−ビス［ジ（3,5−ジメチル−４
−メトキシフェニル）ホスフィノ］ピロリジン（以下、
MOD−Degと略す）を油状物として880mg得た。1 H−NMR（CDCl3）δ:2.16（24H,d,J＝22.4Hz,m−CH
3−）,2.40〜2.51（2H,m,P−CH）,2.82〜2.94（4H,m,N
−CH2）,3.40（1H,d,J＝13.5Hz,N−CHPh）,3.64（1H,d,
J＝13.5Hz,N−CHPh）,3.66（12H,d,J＝8.8Hz,CH3O）,6.
93〜7.29（13H,m,arom.）． IR（KBr）νmaxcm-1:1473,1206,1102,1101. ［α］Ｄ＋54.7゜（c 0.72,トルエン,22℃） 実施例２ ビス（４−メトキシフェニル）ホスフィンを実施例１
と同様に、反応、後処理、精製を行い（3R,4R）−ビス
［ジ（４−メトキシフェニル）ホスフィノ］ピロリジン
（以下、PMO−Degと略す）を油状物として得た。1 H−NMR（CDCl3）δ:2.45〜2.58（2H,m,P−CH）,2.72〜
3.15（4H,m,N−CH2）,3.50（1H,d,J＝13.2Hz,N−CHP
h）,3.72（1H,d,J＝13.2Hz,N−CHPh）,3.76（12H,d,J＝
1.5Hz,CH3O）,6.61〜7.34（21H,m,arom.）． IR（KBr）νmaxcm-1:1586,1490,1247,1240,1165,1110. ［α］Ｄ＋110.5゜（c 0.83,トルエン,22℃） 実施例３ ビス（3,5−ジメチル−４−ジメチルアミノフェニ
ル）ホスフィンを実施例１と同様に、反応、後処理、精
製を行い（3R,4R）−ビス［ジ（3,5−ジメチル−４−ジ
メチルアミノフェニル）ホスフィノ］ピロリジン（以
下、XYL−Degと略す）を油状物として得た。1 H−NMR（CDCl3）δ:2.18（24H,d,J＝12.8Hz,m−CH
3−）,2.10〜2.27,2.45〜2.57,2.80〜2.89（6H,m,P−C
H,N−CH2）,2.77（24H,d,J＝3.4,（CH3）２−Ｎ）,3.39
（1H,d,J＝13.5Hz,N−CHPh）,3.60（1H,d,J＝13.5Hz,CH
Ph）,6.95〜7.28（13H,m,arom.）． IR（KBr）νmaxcm-1:1460,1262,1164,1115. ［α］Ｄ−7.8゜（c 0.75,トルエン,22℃） 実施例４ （3R,4R）−ビス（ジフェニルホスホノ）ピロリジン
（1.0g）にメタノール（20ml）、５％ロジウム−炭素
（0.5g）を加えオートクレーブ中水素化100気圧で100
℃、５日間撹拌反応を行う。触媒を去、減圧濃縮し
（3R,4R）−ビス（ジシクロヘキシルホスホノ）ピロリ
ジン（0.88g）をアモルファスな固体として得た。
ト精製を行い（3R,4R）−ビス［ジ（3,5−ジメチル−４
−メトキシフェニル）ホスフィノ］ピロリジン（以下、
MOD−Degと略す）を油状物として880mg得た。1 H−NMR（CDCl3）δ:2.16（24H,d,J＝22.4Hz,m−CH
3−）,2.40〜2.51（2H,m,P−CH）,2.82〜2.94（4H,m,N
−CH2）,3.40（1H,d,J＝13.5Hz,N−CHPh）,3.64（1H,d,
J＝13.5Hz,N−CHPh）,3.66（12H,d,J＝8.8Hz,CH3O）,6.
93〜7.29（13H,m,arom.）． IR（KBr）νmaxcm-1:1473,1206,1102,1101. ［α］Ｄ＋54.7゜（c 0.72,トルエン,22℃） 実施例２ ビス（４−メトキシフェニル）ホスフィンを実施例１
と同様に、反応、後処理、精製を行い（3R,4R）−ビス
［ジ（４−メトキシフェニル）ホスフィノ］ピロリジン
（以下、PMO−Degと略す）を油状物として得た。1 H−NMR（CDCl3）δ:2.45〜2.58（2H,m,P−CH）,2.72〜
3.15（4H,m,N−CH2）,3.50（1H,d,J＝13.2Hz,N−CHP
h）,3.72（1H,d,J＝13.2Hz,N−CHPh）,3.76（12H,d,J＝
1.5Hz,CH3O）,6.61〜7.34（21H,m,arom.）． IR（KBr）νmaxcm-1:1586,1490,1247,1240,1165,1110. ［α］Ｄ＋110.5゜（c 0.83,トルエン,22℃） 実施例３ ビス（3,5−ジメチル−４−ジメチルアミノフェニ
ル）ホスフィンを実施例１と同様に、反応、後処理、精
製を行い（3R,4R）−ビス［ジ（3,5−ジメチル−４−ジ
メチルアミノフェニル）ホスフィノ］ピロリジン（以
下、XYL−Degと略す）を油状物として得た。1 H−NMR（CDCl3）δ:2.18（24H,d,J＝12.8Hz,m−CH
3−）,2.10〜2.27,2.45〜2.57,2.80〜2.89（6H,m,P−C
H,N−CH2）,2.77（24H,d,J＝3.4,（CH3）２−Ｎ）,3.39
（1H,d,J＝13.5Hz,N−CHPh）,3.60（1H,d,J＝13.5Hz,CH
Ph）,6.95〜7.28（13H,m,arom.）． IR（KBr）νmaxcm-1:1460,1262,1164,1115. ［α］Ｄ−7.8゜（c 0.75,トルエン,22℃） 実施例４ （3R,4R）−ビス（ジフェニルホスホノ）ピロリジン
（1.0g）にメタノール（20ml）、５％ロジウム−炭素
（0.5g）を加えオートクレーブ中水素化100気圧で100
℃、５日間撹拌反応を行う。触媒を去、減圧濃縮し
（3R,4R）−ビス（ジシクロヘキシルホスホノ）ピロリ
ジン（0.88g）をアモルファスな固体として得た。
アルゴン雰囲気下（3R,4R）−ビス（ジシクロヘキシ
ルホスホノ）ピロリジン（0.50g）をアセトニトリル（4
0ml）に溶かしトリエチルアミン（1.6g）加える。氷冷
下、トリクロロシラン（3.0ml）を滴下する。40時間還
流後、反応液を氷冷却下30％苛性ソーダ水溶液（30ml）
及びベンゼン（30ml）を加え室温で１時間撹拌する。ベ
ンゼン層を分液し、さらに水層をベンゼンで抽出する。
ルホスホノ）ピロリジン（0.50g）をアセトニトリル（4
0ml）に溶かしトリエチルアミン（1.6g）加える。氷冷
下、トリクロロシラン（3.0ml）を滴下する。40時間還
流後、反応液を氷冷却下30％苛性ソーダ水溶液（30ml）
及びベンゼン（30ml）を加え室温で１時間撹拌する。ベ
ンゼン層を分液し、さらに水層をベンゼンで抽出する。
ベンゼン層を併せて無水硫酸マグネシウムで乾燥、減
圧濃縮し、（3R,4R）−ビス（ジシクロヘキシルホスフ
ィノ）ピロリジン（0.42g）を油状物として得た。
圧濃縮し、（3R,4R）−ビス（ジシクロヘキシルホスフ
ィノ）ピロリジン（0.42g）を油状物として得た。
アルゴン雰囲気下ビス（ジシクロヘキシルホスフィ
ノ）ピロリジン（0.46g）をベンゼン（20ml）に溶かし
トリエチルアミン（222mg）を加える。氷冷下、塩化ベ
ンゾイル（155mg）を滴下する。
ノ）ピロリジン（0.46g）をベンゼン（20ml）に溶かし
トリエチルアミン（222mg）を加える。氷冷下、塩化ベ
ンゾイル（155mg）を滴下する。
室温で３時間後、反応液を飽和重曹水（10ml）で洗浄
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥、減圧濃縮し、（3R,4
R）−１−ベンゾイル−ビス（ジシクロヘキシルホスフ
ィノ）ピロリジン（0.34g）をアモルファスな固体とし
て得た。
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥、減圧濃縮し、（3R,4
R）−１−ベンゾイル−ビス（ジシクロヘキシルホスフ
ィノ）ピロリジン（0.34g）をアモルファスな固体とし
て得た。
アルゴン雰囲気下（3R,4R）−１−ベンゾイル−ビス
（ジシクロヘキシルホスフィノ）ピロリジン（0.30g）
をTHF（10ml）に溶解し氷冷下水素化リチウムアルミニ
ウム（114mg）を加え室温で３時間撹拌する。
（ジシクロヘキシルホスフィノ）ピロリジン（0.30g）
をTHF（10ml）に溶解し氷冷下水素化リチウムアルミニ
ウム（114mg）を加え室温で３時間撹拌する。
水を加え分解後、過しトルエンで洗浄する。液、
洗液を合併し減圧濃縮し、無水硫酸マグネシウムで乾
燥、シリカゲルカラムクロマト精製を行い（3R,4R）−
１−ベンジル−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）ピ
ロリジン（以下、Cy−Degと略す）1 H−NMR（CDCl3）δ:1.00〜2.21（44H,m,cyclohexyl）,
2.54〜3.03（6H,m,P−CH,N−CH2）,3.63（1H,d,J＝13.5
Hz,N−CHPh）,3.78（1H,d,J＝13.5Hz,N−CHPh）,7.28〜
7.45（5H,m,arom.）． IR（KBr）νmaxcm-1:1455,1140,1103. ［α］Ｄ−6.51゜（c 0.84,トルエン,22℃） 還元例１〜15 アルゴン雰囲気下ロジウム−ジシクロオクタジエン−
過塩素酸錯体（1.1mg）、不斉配位子（0.003モル）及び
脱気メタノール（1ml）をいれ10分間撹拌する。100mlス
テンレス製オートクレーブにα−アセトアミドケイ皮酸
（513mg）のメタノール（4ml）溶液と上記触媒溶液を加
え水素置換、所定の水素圧とし、50℃で20時間撹拌水素
添加反応を行う。反応終了後、溶媒を留去し、0.5N−苛
性ソーダ水溶液に溶解し、不溶物を去し、液を希塩
酸で酸性とし、エーテルで抽出する。有機層を水洗、乾
燥後溶媒を留去して、光学活性な（Ｓ）−Ｎ−アセチル
フェニルアランニを得た。
洗液を合併し減圧濃縮し、無水硫酸マグネシウムで乾
燥、シリカゲルカラムクロマト精製を行い（3R,4R）−
１−ベンジル−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）ピ
ロリジン（以下、Cy−Degと略す）1 H−NMR（CDCl3）δ:1.00〜2.21（44H,m,cyclohexyl）,
2.54〜3.03（6H,m,P−CH,N−CH2）,3.63（1H,d,J＝13.5
Hz,N−CHPh）,3.78（1H,d,J＝13.5Hz,N−CHPh）,7.28〜
7.45（5H,m,arom.）． IR（KBr）νmaxcm-1:1455,1140,1103. ［α］Ｄ−6.51゜（c 0.84,トルエン,22℃） 還元例１〜15 アルゴン雰囲気下ロジウム−ジシクロオクタジエン−
過塩素酸錯体（1.1mg）、不斉配位子（0.003モル）及び
脱気メタノール（1ml）をいれ10分間撹拌する。100mlス
テンレス製オートクレーブにα−アセトアミドケイ皮酸
（513mg）のメタノール（4ml）溶液と上記触媒溶液を加
え水素置換、所定の水素圧とし、50℃で20時間撹拌水素
添加反応を行う。反応終了後、溶媒を留去し、0.5N−苛
性ソーダ水溶液に溶解し、不溶物を去し、液を希塩
酸で酸性とし、エーテルで抽出する。有機層を水洗、乾
燥後溶媒を留去して、光学活性な（Ｓ）−Ｎ−アセチル
フェニルアランニを得た。
基質/Rh＝10,000の場合はマイクロシリンジを用いて
上記調製液より0.1ml計り取り用いた。基質/Rh＝20,000
の場合はマイクロシリンジを用いて上記調製液より0.05
ml計り取り用いた。
上記調製液より0.1ml計り取り用いた。基質/Rh＝20,000
の場合はマイクロシリンジを用いて上記調製液より0.05
ml計り取り用いた。
結果を表１に示す。
還元例16〜20 不斉配位子にDegphosを用い、還元例１と同様に反
応、後処理を行った。結果を表２に示す。
応、後処理を行った。結果を表２に示す。
Claims (3)
- 【請求項１】一般式 （式中、R1は、水素原子、Ｒ′、−COR″、−COOR又
は−CONHR′であり、Ｒ′、Ｒ″、ＲおよびＲ′
は、それぞれアルキル基、アリール基又はアリールアル
キル基を表わし、R2はジ（低級アルキル）アミノ基、低
級アルコキシル基若しくは低級アルキル基から選ばれた
置換基の１〜３個を有するフェニル基、又はシクロヘキ
シル基を表わす）で表わされる光学活性3,4−ビスホス
フィノピロリジン化合物。 - 【請求項２】前記一般式（Ｉ）に於てR2が3,5−ジメチ
ル−４−メトキシフェニル基である特許請求の範囲第一
項記載の光学活性3,4−ビスホスフィノピロリジン化合
物。 - 【請求項３】前記一般式（Ｉ）に於てR2が3,5−ジメチ
ル−４−ジメチルアミノフェニル基である特許請求の範
囲第一項記載の光学活性3,4−ビスホスフィノピロリジ
ン化合物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32935689A JP2855221B2 (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | 光学活性３，４―ビスホスフィノピロリジン化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32935689A JP2855221B2 (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | 光学活性３，４―ビスホスフィノピロリジン化合物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03188091A JPH03188091A (ja) | 1991-08-16 |
| JP2855221B2 true JP2855221B2 (ja) | 1999-02-10 |
Family
ID=18220545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32935689A Expired - Fee Related JP2855221B2 (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | 光学活性３，４―ビスホスフィノピロリジン化合物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2855221B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6399540B2 (ja) * | 2014-03-11 | 2018-10-03 | 国立大学法人名古屋大学 | 配位子、該配位子を含むニッケル錯体、及び該ニッケル錯体を用いた反応 |
-
1989
- 1989-12-18 JP JP32935689A patent/JP2855221B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03188091A (ja) | 1991-08-16 |
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