JP2855221B2 - 光学活性3,4―ビスホスフィノピロリジン化合物 - Google Patents
光学活性3,4―ビスホスフィノピロリジン化合物Info
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は新規な光学活性3,4−ビスホスフィノピロリ
ジン化合物に関する。
ジン化合物に関する。
さらに詳しく言えば、本発明は、炭素−炭素二重結合
構造、炭素−窒素二重結合構造、および(又は)炭素−
酸素二重結合構造を水素化することにより下斉炭素原子
を有する化合物を生成せしめる反応を行うにおいて触媒
として使用する金属錯体化合物における配位子としての
一般式、 (式中、R1は、水素原子、R′、−COR″、−COOR又
は−CONHR′であり、R′、R″、RおよびR′
は、それぞれアルキル基、アリール基又はアリールアル
キル基を表わし、R2はジ(低級アルキル)アミノ基、低
級アルコキシル基若しくは低級アルキル基から選ばれた
置換基の1〜3個を有するフェニル基、又はシクロヘキ
シル基を表わす)で表わされる光学活性3,4−ビスホス
フィノピロリジン化合物に関するものである。
構造、炭素−窒素二重結合構造、および(又は)炭素−
酸素二重結合構造を水素化することにより下斉炭素原子
を有する化合物を生成せしめる反応を行うにおいて触媒
として使用する金属錯体化合物における配位子としての
一般式、 (式中、R1は、水素原子、R′、−COR″、−COOR又
は−CONHR′であり、R′、R″、RおよびR′
は、それぞれアルキル基、アリール基又はアリールアル
キル基を表わし、R2はジ(低級アルキル)アミノ基、低
級アルコキシル基若しくは低級アルキル基から選ばれた
置換基の1〜3個を有するフェニル基、又はシクロヘキ
シル基を表わす)で表わされる光学活性3,4−ビスホス
フィノピロリジン化合物に関するものである。
従来、合成化学の分野において光学活性化合物を直接
合成することのできる不斉還元反応に関する幾多の研究
がなされている。その一つとして、多くのビスホスフィ
ン配位子が合成されて、その配位子と各種の金属との組
合せを用いて不斉還元反応が試みられている。
合成することのできる不斉還元反応に関する幾多の研究
がなされている。その一つとして、多くのビスホスフィ
ン配位子が合成されて、その配位子と各種の金属との組
合せを用いて不斉還元反応が試みられている。
不斉収率(光学収率)及び反応収率(註:反応速度に
関して、その反応速度が遅いと使用量が多くなるため、
その関係を示す方法の一つとして,基質と配位子のモル
比で表したもの)を同時に満足させる配位子の探索が多
くの研究者により行われている。
関して、その反応速度が遅いと使用量が多くなるため、
その関係を示す方法の一つとして,基質と配位子のモル
比で表したもの)を同時に満足させる配位子の探索が多
くの研究者により行われている。
本発明者は、不斉還元反応において、不斉収率と反応
効率の両者を同時に満足し得る不斉合成法の開発を課題
として鋭意研究をおこなったところ、本研究により、上
記課題を解決し得る優れた配位子としての新規な光学活
性3,4−ビスホスフィノピロリジン化合物を提供するこ
とに成功し、これを用いて行う新規な不斉合成法を提供
するに至った。以下に、本発明を詳細に説明する。
効率の両者を同時に満足し得る不斉合成法の開発を課題
として鋭意研究をおこなったところ、本研究により、上
記課題を解決し得る優れた配位子としての新規な光学活
性3,4−ビスホスフィノピロリジン化合物を提供するこ
とに成功し、これを用いて行う新規な不斉合成法を提供
するに至った。以下に、本発明を詳細に説明する。
ヴオルフガング・ベツクらは式、 (式中、Phはフェニル基を表わし、Rは水素、アルキル
基、アリールアルキル基またはアシル基を表わす)で表
わされる光学活性3,4−ビス−(ジフェニルホスフィ
ノ)ピロリジンを合成し、これを用いてβ−置換−α−
アシルアミノアクリル酸の不斉水素化を行っている(特
開昭60−185793)。
基、アリールアルキル基またはアシル基を表わす)で表
わされる光学活性3,4−ビス−(ジフェニルホスフィ
ノ)ピロリジンを合成し、これを用いてβ−置換−α−
アシルアミノアクリル酸の不斉水素化を行っている(特
開昭60−185793)。
本発明者は前記式(II)で表わされる化合物の一つで
ある(3R,4R)−1−ベンジル−3,4−ビス(ジフェニル
ホスフィノ)ピロリジン[Degphos]を合成しα−アセ
トアミドケイ皮酸の水素化を5気圧、50℃、20時間で行
ってみたところ、基質/触媒=10,000(モル比)で変換
率44%、不斉収率81%であった(還元例18参照)。
ある(3R,4R)−1−ベンジル−3,4−ビス(ジフェニル
ホスフィノ)ピロリジン[Degphos]を合成しα−アセ
トアミドケイ皮酸の水素化を5気圧、50℃、20時間で行
ってみたところ、基質/触媒=10,000(モル比)で変換
率44%、不斉収率81%であった(還元例18参照)。
式(II)で表わされる化合物の2つのジフェニルホス
フィノ基のうちの一方は触媒効率を、他方は不斉収率に
影響を与えると推定し、(参照:ファルマシア レビュ
ー 24巻 71頁)式(II)で表わされる化合物のジフェ
ニルホスフィノ基のフェニル基の代わりに電子供与性置
換基であるアルキル基、アルコキシル基やジアルキルア
ミノ基の1〜3個付いたフェニル基を用いれば電子供与
性基により触媒効率の向上を、又かさ高い基を浸けるこ
とによる不斉収率の向上が期待できると考えた。
フィノ基のうちの一方は触媒効率を、他方は不斉収率に
影響を与えると推定し、(参照:ファルマシア レビュ
ー 24巻 71頁)式(II)で表わされる化合物のジフェ
ニルホスフィノ基のフェニル基の代わりに電子供与性置
換基であるアルキル基、アルコキシル基やジアルキルア
ミノ基の1〜3個付いたフェニル基を用いれば電子供与
性基により触媒効率の向上を、又かさ高い基を浸けるこ
とによる不斉収率の向上が期待できると考えた。
前記一般式(I)で表わされる光学活性3,4−ビスホ
スフィノピフィノピロリジン化合物を合成し、それを用
いて不斉水素化を試み、その目的に適していることを見
いだした。
スフィノピフィノピロリジン化合物を合成し、それを用
いて不斉水素化を試み、その目的に適していることを見
いだした。
例えば(3R,4R)−1−ベンジル−3,4−ビス[ジ(3,
5−ジメチル−4−メトキシフェニル)ホスフィノ]ピ
ロリジン[MOD−Deg]を合成しα−アセトアミドケイ皮
酸の水素化を前記と同じ条件(5気圧、50℃、20時間)
で行ってみたところ基質/触媒=10,000(モル比)で変
換率100%、不斉収率92%であった(還元例3参照)。
5−ジメチル−4−メトキシフェニル)ホスフィノ]ピ
ロリジン[MOD−Deg]を合成しα−アセトアミドケイ皮
酸の水素化を前記と同じ条件(5気圧、50℃、20時間)
で行ってみたところ基質/触媒=10,000(モル比)で変
換率100%、不斉収率92%であった(還元例3参照)。
この様に、本発明の前記式(I)で表わされる光学活
性3,4−ビスホスフィノピロリジン化合物を不斉水素化
に於ける触媒の配位子として用いることにより不斉収
率、反応効率の両面において工業的に実施する上におい
て極めて優れた結果が得られることを見いだした。
性3,4−ビスホスフィノピロリジン化合物を不斉水素化
に於ける触媒の配位子として用いることにより不斉収
率、反応効率の両面において工業的に実施する上におい
て極めて優れた結果が得られることを見いだした。
本発明の化合物、前記一般式(I)で表わされる光学
活性3,4−ビスホスフィノピロリジン化合物は例えば下
記の方法で製造できる。
活性3,4−ビスホスフィノピロリジン化合物は例えば下
記の方法で製造できる。
光学活性酒石酸を原料として得られる1−置換−3,4
−ジメタンスルホニルオキシピロリジンと、一般式、 (R2 2P-・M+ (III) (式中、R2はジ(低級アルキル)アミノ基、低級アルコ
キシル基若しくは低級アルキル基から選ばれた置換基の
1〜3個を有するフェニル基、又はシクロヘキシル基を
表わし、Mはアルカリ金属を表わす)で表わされるホス
フィノ金属とをクラウンエーテル存在下反応することに
より合成できる。
−ジメタンスルホニルオキシピロリジンと、一般式、 (R2 2P-・M+ (III) (式中、R2はジ(低級アルキル)アミノ基、低級アルコ
キシル基若しくは低級アルキル基から選ばれた置換基の
1〜3個を有するフェニル基、又はシクロヘキシル基を
表わし、Mはアルカリ金属を表わす)で表わされるホス
フィノ金属とをクラウンエーテル存在下反応することに
より合成できる。
この際、(+)−酒石酸から出発すると(3R,4R)体
を、(−)−酒石酸から出発すると(3S,4S)体を得る
ことができる。
を、(−)−酒石酸から出発すると(3S,4S)体を得る
ことができる。
前記一般式(I)で表わされる光学活性3,4−ビスホ
スフィノピロリジン化合物において、式中の1位の置換
基R1は、水素原子、R′、−COR″、−COOR又は−CON
HR′であり、R′、R″、RおよびR′は、それ
ぞれアルキル基、アリール基又はアリールアルキル基を
表わし、R′、R″、R、R′の各アルキル基の例
としては、C1〜C6のアルキル基、例えば、メチル、エチ
ル、プロピル、イソプロピル、n−ブチル、sec−ブチ
ル、tert−ブチル等があげられ、アリール基の例とし
て、フェニル、ピリジン基があげられ、アリールアルキ
ル基の例としてベンジル基があげられる。これらのアル
キル基、アリール基又はアリールアルキル基は、置換値
としてフッソや塩素等のハロゲン原子、水酸基、アルキ
ル基、アルコキシ基などを有することができる。
スフィノピロリジン化合物において、式中の1位の置換
基R1は、水素原子、R′、−COR″、−COOR又は−CON
HR′であり、R′、R″、RおよびR′は、それ
ぞれアルキル基、アリール基又はアリールアルキル基を
表わし、R′、R″、R、R′の各アルキル基の例
としては、C1〜C6のアルキル基、例えば、メチル、エチ
ル、プロピル、イソプロピル、n−ブチル、sec−ブチ
ル、tert−ブチル等があげられ、アリール基の例とし
て、フェニル、ピリジン基があげられ、アリールアルキ
ル基の例としてベンジル基があげられる。これらのアル
キル基、アリール基又はアリールアルキル基は、置換値
としてフッソや塩素等のハロゲン原子、水酸基、アルキ
ル基、アルコキシ基などを有することができる。
R2はジ(低級アルキル)アミノ基、低級アルコキシル
基若しくは低級アルキル基から選ばれた置換基の1〜3
個を有するフェニル基、又はシクロヘキシル基であり、
置換基を有するフェニル基としては、例えば、2−ジメ
チルアミノフェニル、3−ジメチルアミノフェニル、4
−ジメチルアミノフェニル、3,5−ジメチル−4−ジメ
チルアミノフェニル、2−メトキシフェニル、3−メト
キシフェニル、4−メトキシフェニル、2,4−ジメトキ
シフェニル、3,5−ジメチル−4−メトキシフェニル、
2−トリル、4−トリル基を挙げることができる。
基若しくは低級アルキル基から選ばれた置換基の1〜3
個を有するフェニル基、又はシクロヘキシル基であり、
置換基を有するフェニル基としては、例えば、2−ジメ
チルアミノフェニル、3−ジメチルアミノフェニル、4
−ジメチルアミノフェニル、3,5−ジメチル−4−ジメ
チルアミノフェニル、2−メトキシフェニル、3−メト
キシフェニル、4−メトキシフェニル、2,4−ジメトキ
シフェニル、3,5−ジメチル−4−メトキシフェニル、
2−トリル、4−トリル基を挙げることができる。
この様にして得られた式(I)で表わされる光学活性
3,4−ビスホスフィノピロリジン化合物はロジウム金属
錯体触媒の配位子として不斉水素化に使用できる。
3,4−ビスホスフィノピロリジン化合物はロジウム金属
錯体触媒の配位子として不斉水素化に使用できる。
不斉水素化にもちいる触媒の調製方法としては、式
(I)で表わされる光学活性3,4−ビスホスフィノピロ
リジン化合物と、ロジウム−シクロオクタジエン−クロ
ル錯体又はロジウム−ノルボルナジエン−クロル錯体等
のロジウム錯体と、テトラフロロホウ酸、ヘキサフロロ
リン酸または過塩素酸のアルカリ金属塩または銀塩との
反応により調製できる。又、ロジウム−ジシクロオクタ
ジエン−過塩素酸錯体やロジウム−ジシクロオクタジエ
ン−テトラフロロホウ酸錯体等のロジウムカチオン錯体
と、式(I)で表わされる光学活性3,4−ビスホスフィ
ノピロリジン化合物と反応させることにより調製でき
る。
(I)で表わされる光学活性3,4−ビスホスフィノピロ
リジン化合物と、ロジウム−シクロオクタジエン−クロ
ル錯体又はロジウム−ノルボルナジエン−クロル錯体等
のロジウム錯体と、テトラフロロホウ酸、ヘキサフロロ
リン酸または過塩素酸のアルカリ金属塩または銀塩との
反応により調製できる。又、ロジウム−ジシクロオクタ
ジエン−過塩素酸錯体やロジウム−ジシクロオクタジエ
ン−テトラフロロホウ酸錯体等のロジウムカチオン錯体
と、式(I)で表わされる光学活性3,4−ビスホスフィ
ノピロリジン化合物と反応させることにより調製でき
る。
これらは水素化反応系内で用時調製しても良いし、前
もって調製単離した物を用いてもよい。
もって調製単離した物を用いてもよい。
不斉水素化反応を行う方法につき、α−アセトアミド
ケイ皮酸よりN−アセチルフェニルアラニンを生成せし
める場合を例にとって説明する。
ケイ皮酸よりN−アセチルフェニルアラニンを生成せし
める場合を例にとって説明する。
接触還元反応を行う際の一般的溶媒、例えば、水、メ
タノール、エタノール、イソプロピルアルコール、酢
酸、酢酸エチル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等を
溶媒として用い、その40ml中にα−アセトアミドケイ皮
酸25ミリモルおよび、ロジウム−ジシクロオクタジエン
−過塩素酸錯体0.25ミリモル〜0.00025ミリモル、配位
子としての光学活性3,4−ビスホスフイノピロリジン化
合物(I)をロジウム−ジシクロオクタジエン−過塩素
酸錯体の1.0〜2.0倍モル加え、常圧で、もしくは加圧下
で、好ましくは反応温度0℃−150℃で水素添加反応を
行う。反応終了後、溶媒を留去し、残留物を適宜、処理
すると反応生成物として、光学活性N−アセチルフェニ
ルアラニンが高収率で得られる。
タノール、エタノール、イソプロピルアルコール、酢
酸、酢酸エチル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等を
溶媒として用い、その40ml中にα−アセトアミドケイ皮
酸25ミリモルおよび、ロジウム−ジシクロオクタジエン
−過塩素酸錯体0.25ミリモル〜0.00025ミリモル、配位
子としての光学活性3,4−ビスホスフイノピロリジン化
合物(I)をロジウム−ジシクロオクタジエン−過塩素
酸錯体の1.0〜2.0倍モル加え、常圧で、もしくは加圧下
で、好ましくは反応温度0℃−150℃で水素添加反応を
行う。反応終了後、溶媒を留去し、残留物を適宜、処理
すると反応生成物として、光学活性N−アセチルフェニ
ルアラニンが高収率で得られる。
以下に、本発明に係る光学活性3,4−ビスホスフィノ
ピロリジン化合物の製造例及びそれを用いる不斉還元剤
を掲げ、本発明をさらに説明するものであるが本発明を
限定するものではない。
ピロリジン化合物の製造例及びそれを用いる不斉還元剤
を掲げ、本発明をさらに説明するものであるが本発明を
限定するものではない。
参考例1 4−ブロム−2,6−キシリジン(6.9g)に40%ホルマ
リン水溶液(6.4g)およびギ酸(51.5g)を加え2時間
加熱、還流煮沸する。冷却後、濃塩酸(5ml)を加え減
圧濃縮、真空蒸留を行い、沸点135〜145℃/3Torrの留分
のN,N−ジメチル−4−ブロム−2,6−キシリジン(7.8
g)を得た。
リン水溶液(6.4g)およびギ酸(51.5g)を加え2時間
加熱、還流煮沸する。冷却後、濃塩酸(5ml)を加え減
圧濃縮、真空蒸留を行い、沸点135〜145℃/3Torrの留分
のN,N−ジメチル−4−ブロム−2,6−キシリジン(7.8
g)を得た。
アルゴン雰囲気下、テトラヒドロフラン(以下THFと
略す)(5ml)中へマグネシウム(3.6g)を入れ、N,N−
ジメチル−4−ブロム−2,6−キシリジン(23g)のTHF
(150ml)溶液を滴下する。還流煮沸2時間行った後、
氷冷下、ジエチルホスファイト(4.1g)のTHF(30ml)
溶液を滴下する。室温で一夜撹拌後、1時間還流煮沸す
る。
略す)(5ml)中へマグネシウム(3.6g)を入れ、N,N−
ジメチル−4−ブロム−2,6−キシリジン(23g)のTHF
(150ml)溶液を滴下する。還流煮沸2時間行った後、
氷冷下、ジエチルホスファイト(4.1g)のTHF(30ml)
溶液を滴下する。室温で一夜撹拌後、1時間還流煮沸す
る。
冷却後、飽和塩化アンモニウム水溶液(150ml)を加
え30分間撹拌、過し残渣を酢酸エチルで洗浄する。
洗液を分液し水層は酢酸エチルで2回抽出する。有機層
を合併し、無水硫酸マグネシウムで乾燥、減圧濃縮し、
シリカゲルカラムクロマト精製を行いビス(3,5−ジメ
チル−4−ジメチルアミノフェニル)ホスフィンオキシ
ド4.5gを油状物として得た。
え30分間撹拌、過し残渣を酢酸エチルで洗浄する。
洗液を分液し水層は酢酸エチルで2回抽出する。有機層
を合併し、無水硫酸マグネシウムで乾燥、減圧濃縮し、
シリカゲルカラムクロマト精製を行いビス(3,5−ジメ
チル−4−ジメチルアミノフェニル)ホスフィンオキシ
ド4.5gを油状物として得た。
塩化セリウム・7水和物(8.4g)120℃で減圧乾燥
後、冷却、アルゴン雰囲気下THF(20ml)を加え30分間
撹拌する。氷冷後水素化リチウムアルミニウム(2.0g)
を添加する。ビス(3,5−ジメチル−4−ジメチルアミ
ノフェニル)ホスフィンオキシド(4.0g)をTHF(50m
l)に溶解した液を加える。一夜還流煮沸する。氷冷
後、脱気トルエン(50ml)を加え40℃で30分間撹拌す
る。再度冷却し、傾斜法によりトルエン層を分離する。
脱気トルエン(50ml)で再度抽出し、トルエン層を合併
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥、減圧濃縮、真空蒸留
しビス(3,5−ジメチル−4−ジメチルアミノフェニ
ル)ホスフィン2.0gを得た。(沸点220〜240℃/2Torr) 実施例1 アルゴン雰囲気下、ビス(3,5−ジメチル−4−メト
キシフェニル)ホスフィン(4.7g)をTHF(20ml)に溶
解し、−40℃に冷却する。1.57M−n−ブチルリチウム
−ヘキサン溶液(9.8ml)を加え、15分間撹拌する。ク
ラウンエーテル(12−Crown 4、1ml)を滴下し更に15分
間撹拌する。
後、冷却、アルゴン雰囲気下THF(20ml)を加え30分間
撹拌する。氷冷後水素化リチウムアルミニウム(2.0g)
を添加する。ビス(3,5−ジメチル−4−ジメチルアミ
ノフェニル)ホスフィンオキシド(4.0g)をTHF(50m
l)に溶解した液を加える。一夜還流煮沸する。氷冷
後、脱気トルエン(50ml)を加え40℃で30分間撹拌す
る。再度冷却し、傾斜法によりトルエン層を分離する。
脱気トルエン(50ml)で再度抽出し、トルエン層を合併
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥、減圧濃縮、真空蒸留
しビス(3,5−ジメチル−4−ジメチルアミノフェニ
ル)ホスフィン2.0gを得た。(沸点220〜240℃/2Torr) 実施例1 アルゴン雰囲気下、ビス(3,5−ジメチル−4−メト
キシフェニル)ホスフィン(4.7g)をTHF(20ml)に溶
解し、−40℃に冷却する。1.57M−n−ブチルリチウム
−ヘキサン溶液(9.8ml)を加え、15分間撹拌する。ク
ラウンエーテル(12−Crown 4、1ml)を滴下し更に15分
間撹拌する。
(3S,4S)−1−ベンジル−3,4−ジメタンスルホニル
オキシピロリジン(1.8g)のTHF(10ml)溶液を滴下す
る。
オキシピロリジン(1.8g)のTHF(10ml)溶液を滴下す
る。
脱気DMFを赤色透明の状態になるまで加え、−30℃で
一夜撹拌する。
一夜撹拌する。
反応液を過、減圧濃縮し、シリカゲルカラムクロマ
ト精製を行い(3R,4R)−ビス[ジ(3,5−ジメチル−4
−メトキシフェニル)ホスフィノ]ピロリジン(以下、
MOD−Degと略す)を油状物として880mg得た。1 H−NMR(CDCl3)δ:2.16(24H,d,J=22.4Hz,m−CH
3−),2.40〜2.51(2H,m,P−CH),2.82〜2.94(4H,m,N
−CH2),3.40(1H,d,J=13.5Hz,N−CHPh),3.64(1H,d,
J=13.5Hz,N−CHPh),3.66(12H,d,J=8.8Hz,CH3O),6.
93〜7.29(13H,m,arom.). IR(KBr)νmaxcm-1:1473,1206,1102,1101. [α]D+54.7゜(c 0.72,トルエン,22℃) 実施例2 ビス(4−メトキシフェニル)ホスフィンを実施例1
と同様に、反応、後処理、精製を行い(3R,4R)−ビス
[ジ(4−メトキシフェニル)ホスフィノ]ピロリジン
(以下、PMO−Degと略す)を油状物として得た。1 H−NMR(CDCl3)δ:2.45〜2.58(2H,m,P−CH),2.72〜
3.15(4H,m,N−CH2),3.50(1H,d,J=13.2Hz,N−CHP
h),3.72(1H,d,J=13.2Hz,N−CHPh),3.76(12H,d,J=
1.5Hz,CH3O),6.61〜7.34(21H,m,arom.). IR(KBr)νmaxcm-1:1586,1490,1247,1240,1165,1110. [α]D+110.5゜(c 0.83,トルエン,22℃) 実施例3 ビス(3,5−ジメチル−4−ジメチルアミノフェニ
ル)ホスフィンを実施例1と同様に、反応、後処理、精
製を行い(3R,4R)−ビス[ジ(3,5−ジメチル−4−ジ
メチルアミノフェニル)ホスフィノ]ピロリジン(以
下、XYL−Degと略す)を油状物として得た。1 H−NMR(CDCl3)δ:2.18(24H,d,J=12.8Hz,m−CH
3−),2.10〜2.27,2.45〜2.57,2.80〜2.89(6H,m,P−C
H,N−CH2),2.77(24H,d,J=3.4,(CH3)2−N),3.39
(1H,d,J=13.5Hz,N−CHPh),3.60(1H,d,J=13.5Hz,CH
Ph),6.95〜7.28(13H,m,arom.). IR(KBr)νmaxcm-1:1460,1262,1164,1115. [α]D−7.8゜(c 0.75,トルエン,22℃) 実施例4 (3R,4R)−ビス(ジフェニルホスホノ)ピロリジン
(1.0g)にメタノール(20ml)、5%ロジウム−炭素
(0.5g)を加えオートクレーブ中水素化100気圧で100
℃、5日間撹拌反応を行う。触媒を去、減圧濃縮し
(3R,4R)−ビス(ジシクロヘキシルホスホノ)ピロリ
ジン(0.88g)をアモルファスな固体として得た。
ト精製を行い(3R,4R)−ビス[ジ(3,5−ジメチル−4
−メトキシフェニル)ホスフィノ]ピロリジン(以下、
MOD−Degと略す)を油状物として880mg得た。1 H−NMR(CDCl3)δ:2.16(24H,d,J=22.4Hz,m−CH
3−),2.40〜2.51(2H,m,P−CH),2.82〜2.94(4H,m,N
−CH2),3.40(1H,d,J=13.5Hz,N−CHPh),3.64(1H,d,
J=13.5Hz,N−CHPh),3.66(12H,d,J=8.8Hz,CH3O),6.
93〜7.29(13H,m,arom.). IR(KBr)νmaxcm-1:1473,1206,1102,1101. [α]D+54.7゜(c 0.72,トルエン,22℃) 実施例2 ビス(4−メトキシフェニル)ホスフィンを実施例1
と同様に、反応、後処理、精製を行い(3R,4R)−ビス
[ジ(4−メトキシフェニル)ホスフィノ]ピロリジン
(以下、PMO−Degと略す)を油状物として得た。1 H−NMR(CDCl3)δ:2.45〜2.58(2H,m,P−CH),2.72〜
3.15(4H,m,N−CH2),3.50(1H,d,J=13.2Hz,N−CHP
h),3.72(1H,d,J=13.2Hz,N−CHPh),3.76(12H,d,J=
1.5Hz,CH3O),6.61〜7.34(21H,m,arom.). IR(KBr)νmaxcm-1:1586,1490,1247,1240,1165,1110. [α]D+110.5゜(c 0.83,トルエン,22℃) 実施例3 ビス(3,5−ジメチル−4−ジメチルアミノフェニ
ル)ホスフィンを実施例1と同様に、反応、後処理、精
製を行い(3R,4R)−ビス[ジ(3,5−ジメチル−4−ジ
メチルアミノフェニル)ホスフィノ]ピロリジン(以
下、XYL−Degと略す)を油状物として得た。1 H−NMR(CDCl3)δ:2.18(24H,d,J=12.8Hz,m−CH
3−),2.10〜2.27,2.45〜2.57,2.80〜2.89(6H,m,P−C
H,N−CH2),2.77(24H,d,J=3.4,(CH3)2−N),3.39
(1H,d,J=13.5Hz,N−CHPh),3.60(1H,d,J=13.5Hz,CH
Ph),6.95〜7.28(13H,m,arom.). IR(KBr)νmaxcm-1:1460,1262,1164,1115. [α]D−7.8゜(c 0.75,トルエン,22℃) 実施例4 (3R,4R)−ビス(ジフェニルホスホノ)ピロリジン
(1.0g)にメタノール(20ml)、5%ロジウム−炭素
(0.5g)を加えオートクレーブ中水素化100気圧で100
℃、5日間撹拌反応を行う。触媒を去、減圧濃縮し
(3R,4R)−ビス(ジシクロヘキシルホスホノ)ピロリ
ジン(0.88g)をアモルファスな固体として得た。
アルゴン雰囲気下(3R,4R)−ビス(ジシクロヘキシ
ルホスホノ)ピロリジン(0.50g)をアセトニトリル(4
0ml)に溶かしトリエチルアミン(1.6g)加える。氷冷
下、トリクロロシラン(3.0ml)を滴下する。40時間還
流後、反応液を氷冷却下30%苛性ソーダ水溶液(30ml)
及びベンゼン(30ml)を加え室温で1時間撹拌する。ベ
ンゼン層を分液し、さらに水層をベンゼンで抽出する。
ルホスホノ)ピロリジン(0.50g)をアセトニトリル(4
0ml)に溶かしトリエチルアミン(1.6g)加える。氷冷
下、トリクロロシラン(3.0ml)を滴下する。40時間還
流後、反応液を氷冷却下30%苛性ソーダ水溶液(30ml)
及びベンゼン(30ml)を加え室温で1時間撹拌する。ベ
ンゼン層を分液し、さらに水層をベンゼンで抽出する。
ベンゼン層を併せて無水硫酸マグネシウムで乾燥、減
圧濃縮し、(3R,4R)−ビス(ジシクロヘキシルホスフ
ィノ)ピロリジン(0.42g)を油状物として得た。
圧濃縮し、(3R,4R)−ビス(ジシクロヘキシルホスフ
ィノ)ピロリジン(0.42g)を油状物として得た。
アルゴン雰囲気下ビス(ジシクロヘキシルホスフィ
ノ)ピロリジン(0.46g)をベンゼン(20ml)に溶かし
トリエチルアミン(222mg)を加える。氷冷下、塩化ベ
ンゾイル(155mg)を滴下する。
ノ)ピロリジン(0.46g)をベンゼン(20ml)に溶かし
トリエチルアミン(222mg)を加える。氷冷下、塩化ベ
ンゾイル(155mg)を滴下する。
室温で3時間後、反応液を飽和重曹水(10ml)で洗浄
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥、減圧濃縮し、(3R,4
R)−1−ベンゾイル−ビス(ジシクロヘキシルホスフ
ィノ)ピロリジン(0.34g)をアモルファスな固体とし
て得た。
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥、減圧濃縮し、(3R,4
R)−1−ベンゾイル−ビス(ジシクロヘキシルホスフ
ィノ)ピロリジン(0.34g)をアモルファスな固体とし
て得た。
アルゴン雰囲気下(3R,4R)−1−ベンゾイル−ビス
(ジシクロヘキシルホスフィノ)ピロリジン(0.30g)
をTHF(10ml)に溶解し氷冷下水素化リチウムアルミニ
ウム(114mg)を加え室温で3時間撹拌する。
(ジシクロヘキシルホスフィノ)ピロリジン(0.30g)
をTHF(10ml)に溶解し氷冷下水素化リチウムアルミニ
ウム(114mg)を加え室温で3時間撹拌する。
水を加え分解後、過しトルエンで洗浄する。液、
洗液を合併し減圧濃縮し、無水硫酸マグネシウムで乾
燥、シリカゲルカラムクロマト精製を行い(3R,4R)−
1−ベンジル−ビス(ジシクロヘキシルホスフィノ)ピ
ロリジン(以下、Cy−Degと略す)1 H−NMR(CDCl3)δ:1.00〜2.21(44H,m,cyclohexyl),
2.54〜3.03(6H,m,P−CH,N−CH2),3.63(1H,d,J=13.5
Hz,N−CHPh),3.78(1H,d,J=13.5Hz,N−CHPh),7.28〜
7.45(5H,m,arom.). IR(KBr)νmaxcm-1:1455,1140,1103. [α]D−6.51゜(c 0.84,トルエン,22℃) 還元例1〜15 アルゴン雰囲気下ロジウム−ジシクロオクタジエン−
過塩素酸錯体(1.1mg)、不斉配位子(0.003モル)及び
脱気メタノール(1ml)をいれ10分間撹拌する。100mlス
テンレス製オートクレーブにα−アセトアミドケイ皮酸
(513mg)のメタノール(4ml)溶液と上記触媒溶液を加
え水素置換、所定の水素圧とし、50℃で20時間撹拌水素
添加反応を行う。反応終了後、溶媒を留去し、0.5N−苛
性ソーダ水溶液に溶解し、不溶物を去し、液を希塩
酸で酸性とし、エーテルで抽出する。有機層を水洗、乾
燥後溶媒を留去して、光学活性な(S)−N−アセチル
フェニルアランニを得た。
洗液を合併し減圧濃縮し、無水硫酸マグネシウムで乾
燥、シリカゲルカラムクロマト精製を行い(3R,4R)−
1−ベンジル−ビス(ジシクロヘキシルホスフィノ)ピ
ロリジン(以下、Cy−Degと略す)1 H−NMR(CDCl3)δ:1.00〜2.21(44H,m,cyclohexyl),
2.54〜3.03(6H,m,P−CH,N−CH2),3.63(1H,d,J=13.5
Hz,N−CHPh),3.78(1H,d,J=13.5Hz,N−CHPh),7.28〜
7.45(5H,m,arom.). IR(KBr)νmaxcm-1:1455,1140,1103. [α]D−6.51゜(c 0.84,トルエン,22℃) 還元例1〜15 アルゴン雰囲気下ロジウム−ジシクロオクタジエン−
過塩素酸錯体(1.1mg)、不斉配位子(0.003モル)及び
脱気メタノール(1ml)をいれ10分間撹拌する。100mlス
テンレス製オートクレーブにα−アセトアミドケイ皮酸
(513mg)のメタノール(4ml)溶液と上記触媒溶液を加
え水素置換、所定の水素圧とし、50℃で20時間撹拌水素
添加反応を行う。反応終了後、溶媒を留去し、0.5N−苛
性ソーダ水溶液に溶解し、不溶物を去し、液を希塩
酸で酸性とし、エーテルで抽出する。有機層を水洗、乾
燥後溶媒を留去して、光学活性な(S)−N−アセチル
フェニルアランニを得た。
基質/Rh=10,000の場合はマイクロシリンジを用いて
上記調製液より0.1ml計り取り用いた。基質/Rh=20,000
の場合はマイクロシリンジを用いて上記調製液より0.05
ml計り取り用いた。
上記調製液より0.1ml計り取り用いた。基質/Rh=20,000
の場合はマイクロシリンジを用いて上記調製液より0.05
ml計り取り用いた。
結果を表1に示す。
還元例16〜20 不斉配位子にDegphosを用い、還元例1と同様に反
応、後処理を行った。結果を表2に示す。
応、後処理を行った。結果を表2に示す。
Claims (3)
- 【請求項1】一般式 (式中、R1は、水素原子、R′、−COR″、−COOR又
は−CONHR′であり、R′、R″、RおよびR′
は、それぞれアルキル基、アリール基又はアリールアル
キル基を表わし、R2はジ(低級アルキル)アミノ基、低
級アルコキシル基若しくは低級アルキル基から選ばれた
置換基の1〜3個を有するフェニル基、又はシクロヘキ
シル基を表わす)で表わされる光学活性3,4−ビスホス
フィノピロリジン化合物。 - 【請求項2】前記一般式(I)に於てR2が3,5−ジメチ
ル−4−メトキシフェニル基である特許請求の範囲第一
項記載の光学活性3,4−ビスホスフィノピロリジン化合
物。 - 【請求項3】前記一般式(I)に於てR2が3,5−ジメチ
ル−4−ジメチルアミノフェニル基である特許請求の範
囲第一項記載の光学活性3,4−ビスホスフィノピロリジ
ン化合物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32935689A JP2855221B2 (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | 光学活性3,4―ビスホスフィノピロリジン化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32935689A JP2855221B2 (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | 光学活性3,4―ビスホスフィノピロリジン化合物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03188091A JPH03188091A (ja) | 1991-08-16 |
JP2855221B2 true JP2855221B2 (ja) | 1999-02-10 |
Family
ID=18220545
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32935689A Expired - Fee Related JP2855221B2 (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | 光学活性3,4―ビスホスフィノピロリジン化合物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2855221B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6399540B2 (ja) * | 2014-03-11 | 2018-10-03 | 国立大学法人名古屋大学 | 配位子、該配位子を含むニッケル錯体、及び該ニッケル錯体を用いた反応 |
-
1989
- 1989-12-18 JP JP32935689A patent/JP2855221B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH03188091A (ja) | 1991-08-16 |
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