JPH05505087A - リアルタイム読み出し特性を有するホトダイオードを備えるイメージデバイス - Google Patents

リアルタイム読み出し特性を有するホトダイオードを備えるイメージデバイス

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JPH05505087A
JPH05505087A JP4503153A JP50315391A JPH05505087A JP H05505087 A JPH05505087 A JP H05505087A JP 4503153 A JP4503153 A JP 4503153A JP 50315391 A JP50315391 A JP 50315391A JP H05505087 A JPH05505087 A JP H05505087A
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image sensor
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Application number
JP4503153A
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English (en)
Inventor
ガブリー マイケル ジョセフ
リー テーサン
スティーブン エリック ゴードン
Original Assignee
イーストマン コダック カンパニー
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/148Charge coupled imagers
    • H01L27/14887Blooming suppression

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 リアルタイム読み出し特性を有するホトダイオードを備えるイメージデバイ発明 の技術分野 本発明は固体イメージセンサ、例えば、電荷結合イメージセンサ(CCDs)、 より具体的には連続時間ホトダイオードとしても作動可能な固体イメージセンサ に関する。
発明の背景 他の形式の写真と同様、電子イメージの品質は照明条件によって決まる。多くの 従来のフィルムカメラは、露出を調節するために単一のあるいはマトリクス状に 組み合わせたホトダイオードを使用している。これらのホトダイオードは、米国 特許第4,827,119に記載されているようなイルミナント(照度)カラー 検出またはタイプ検出を行う際にも使用することができる。この特許に記載され た照度検出は実時間の信号入力を必要とする。電子式スチールカメラは既に、光 を検出し、実時間信号を供給するためのセンサを有している。従って、このセン サを使用することが適当であろう。固体イメージセンサの状態は、“ブルーミン グと呼ばれる現象の発生を防ぐためのオーバーフロー防止装置が提供されるとこ ろまで進歩した。この現象は、感光素子に蓄積された電荷と隣接感光素子に蓄積 された電荷との相互作用による拡がりと定義される。種々の方法が、“ブルーミ ング″を排除又は制御するために用いられている。いくつかの方法が、以下の特 許に示されている。
Earlyによる米国特許第3,896.485 rオーバーフロー防止装置を 有する電荷結合装置」。
A層el Io 等による米国特許第3,896,474 rカラムアンチブル ーミングコントロール(Column Anti−Blooming Cont rol)を有する電荷結合区画イメージング装置(Charge Couple d Area Imaging Device) J。
5uzukl による米国特許第4.242..599 rアンチブルーミング (Ant4blooming)及び露出コントロー化を有する電荷移動イメージ センサ」。
Yatxada による米国特許第4,373,167 rオーバーフロー防止 装置を有する高解像度の固体イメージセンサ」。
発明の概要 本発明は、横方向ブルーミング防止装置を有する固体イメージセンサの改良で、 そのレベルは、オーバーフローチャネルへの電荷の流れに対して障壁を形成する オーバーフローゲートへの印加電圧によって制御される。この改良は、イメージ センサの感光部に照射する瞬時光を表示する連続時間信号出力を提供する。制御 電圧がセンサに印加されて障壁か制御され、電荷が感光部に蓄積されず、電荷の 流れが該感光部に照射する瞬時光の関数となる。固体イメージセンサには、オー バーフローチャネルからの電荷の流れを受け取り、電荷の流れの関数として連続 時間出力信号を供給するための増幅器が接続される。
前述したように、本発明の第一の目的は、センサに照射された瞬時光の強度の関 数である信号を供給することができる改良されたイメージセンサを提供すること にある。
本発明の他の目的は、センサ上に映った像の複数のゾーンそれぞれからの瞬時光 強度を個々に決定するためのイメージセンサを提供することにある。
本発明の他の目的としては、二つ以上のゾーンが連結してなる像の複数のゾーン それぞれからイメージセンサを提供することにある。
また、本発明の他の目的としては、光強度のうち、センサのサンプリング速度で 検出される周波数よりも高い周波数成分を検出することができるイメージセンサ を提供することにある。
更に、本発明の他の目的は、照射光の高周波成分を含む信号を供給するイメージ センサを提供することにある。
本発明のこれら及び他の目的は、以下の説明や図と関連させることにより、より 明らかになるであろう。ここでは、同様の文字で同様の部材を示し、それぞれの 図は本発明の一部を表している。
図面の簡単な説明 図1はCCDアレイの一部の本発明のダイオードの構造を示す断面図である。
図2は図1の構造に対応する電位図である。
図3は図1の好適な実施例の一部であるホトダイオード回路を表す記号図である 。
図4は図1の好適な実施例と共に使われる増幅器の回路図である。
図5はホトダイオード信号のレベルシフティング及び限定された電流利得を発生 するための回路図で、図4を含む。
図6はマルチゾーン露出計を形成するために区画アレーを分割する電位図である 。
図7は図6に示したマルチゾーン露出計に相当するものを示すための図3の記号 図と同様の記号図である。
好適な実施例の説明 本発明は、シリコン半導体において実施されるものとして説明するが、他の材料 でも同等に効果があるものと理解することとする。
図1にはイメージセンサ60の一部分の断面がオーバーフロー防止装置と共に示 されている。センサは、裏面が電圧源VSに接続された基板19上に形成される 。基板19はP型材料よりなる。N十型領域を形成するためにリンのようなN型 不純物を基板材に埋め込む(インブランティング)か拡散させることにより、い くつかの電荷シンク領域(チャネル)11.13及び15が基板に形成される。
チャネル13はオーバーフローチャネル、チャネル15はCCD、すなわち信号 電荷結合チャネル、そしてチャネル17はホトダイオードの作用による電子を蓄 積するためのウェルである。これらの二つのチャネルの間には基板材のW14が ある。絶縁層20はオーバーフローチャネル13を除くこれらすべてのチャネル 上に位置している。導電材の電極18はチャネル13の材料と接触して形成され る。基板材で形成される分離!!12がオーバーフローチャネル13と感光部1 7の間にある。電位Vdが電極18に印加される。導電材で形成されるゲート2 2は壁12上に位置し、電位Vogに接続される。導電性のタブ24が壁14を 含むCCDチャネル15上に位置し、像をセンサ60から読み出す際にウェル1 7に蓄積された電荷をチャネル15に排出するためのクロック信号Ph1vを供 給する。
図2には本発明の動作が電位図により示されている。イメージセンサが読み出し モードで作動している時、電位PhIv及びVogは最初、チャネル17の両側 に電位壁を形成するレベルに設定され、チャネルに電子が蓄積される。オーバー フローがない状態と同じように、これらの電子は読み出し適切な時間に、チャネ ル17とチャネル15の間の電位障壁レベルを下げることにより、チャネル15 に排出される。イメージセンサが照度検出モードで作動している時、電位壁をレ ベル12Aからレベル12Bに移すために電位Vogが設定される。この時、電 位壁14は高いままである。チャネル17に蓄積された電子は、チャネル17に 更に蓄積されることなく、オーバーフローチャネル13そして電極18に直接流 れ込む。
この電子の流れが電流Iovである。オーバーフローモードでは、チャネル17 の電子の数が増加し、それがチャネル15に読み出されると°ブルーミング°を 起こす数にまで達すると、これらの電子はオーバーフローチャネル13に流れ出 すが、その速度は電位Vogによって決められる。縦方向のオーバーフロー構造 では、障壁のレベルは幾何学的及びドーピング特性によって決まり、固定した値 となる。
図1に示された横方向のオーバーフロー構造では、障壁のレベルはオーバーフロ ーゲート電圧Vogによって設定される。
電流lowが定常値に達した時、装置は図3に示されるように光が制御する電流 源16として表すことができる。
図4では、電流1ovを検出するための対数増幅器30は、入力31.34を有 する増幅器32及び電圧V rerに参照されるフィードバック素子33で構成 され、対数機能を供給する。V refは入力34のバイアス電圧でもある一電 流lowは増幅器30の反転入力31に入るが、これは総和接続点でフィードバ ック電流1rfは電流lowに等しい。VOで示された出力信号は、−Vt I n [Iov/ B Is]に等しい。この対数増幅器は装置に照射する光を表 すIovの大きなダイナミックレンジを圧縮するのに用いられる。
図5にはレベルシフトの開局を取り除く増幅回路を示す。カレントミラー41は 増幅器30の入力31に接続され、検出された光電流1oνにより作動する。こ の段階で、エレメントトランジスタMl及びM2のサイズにより、いくらかの利 得が得られる可能性がある。Ml及びM2のゲート長が等しいとすると、利得は 約W2 /Wlとなる。この構成では、増幅器32の入力34は電圧V ref に接続されているが、この電圧は増幅器の出力が以下の信号処理回路により期待 されるレベルでバイアスされるのを保証するために選択されるものである。
図6には4111のゾーン露出計60の構成ブロック図が示されている。それぞ れのゾーン1から4は、図6及び図7に51から54のようにまとめて示されて いるいくつかのホトダイオードから構成される。それぞれのゾーンはいくつかの ホトダイオードのオーバーフローゲートを有し、共通に接続され、別々のオーバ ーフロー電圧VoglからVog4によりそれぞれ別々に制御される。従って、 それぞれのゾーンは、それぞれのゾーンに別々に照射される瞬時光強度を測定す るのに用いられる。望ましい出力を形成するために、2個以上のゾーンが連結さ れている点に着目すべきである。構成ブロック図と等価な回路の概略図を図7に 示した。
それぞれの電流1ovlからI ov4は、図6の結合したゾーンに照射される 光を表す。ゾーンは4個示されているが、このゾーンの数はいくつにも増やすこ とができる。ゾーンの幾何学的形状は、それぞれのオーバーフローゲートが連結 できるかどうかによってのみ制限される。
本発明の好適実施例と見なされるものを示してきたが、本発明の本質的な精神か ら逸脱することなく、多くの変更及び修正がなされ得ることは明白である。従っ て、添付の請求の範囲では、本発明の技術範囲に入るこのような変更及び修正を すべて包含することを意図する。
図1 図4 図5 り 要vJ書 溝方向ブルーミング防止装置を存するCCDイメージセンサのような固体イメー ジセンサでは、そのレベルは障壁を形成するオーバーフローゲート電圧により制 御され、センサのホトダイオード接続部位における電子の蓄積は、その障壁を除 去し、電荷をセンサのホトダイオード接続部位からオーバーフロー領域に流し込 むことによって排除される。そして、この電荷の流れはホトダイオードに照射す る瞬時光の関数として検出される。オーバーフローゲートの物理的な結合がゾー ンを形成するために選択されている。電荷の流れはここで瞬時光強度を表すので 、センササンプリング速度により限定されるものより高い周波数成分が検出され る。増幅器がそれぞれのゾーンからの電荷の流れを検知するために接続されてお り、光強度の範囲が大きい場合、増幅器には対数フィードバック成分が供給され る。この成分は、検出された電荷の流れを表す信号を圧縮したものを供給する。
国際調査報告 +1rT/lle 61 /n61’lcff

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.横方向ブルーミング防止装置を有し、そのレベルがオーバーフローチャネル ヘの電荷の流れに対して障壁を形成するオーバーフローゲートヘの印加電圧によ って制御される固体イメージセンサにおける、イメージセンサの感光部に照射さ れる瞬時光を表示する連続時間出力信号を供給する固体イメージセンサであって 、 電荷が感光部に蓄積されず、電荷の流れが該感光部に照射される瞬時光の関数と なるように障壁を制御すべく該センサに制御電圧を供給する手段と、該オーバー フローチャネルからの電荷の流れを受け取り、電荷の流れの関数として連続時間 出力信号を供給すべく該固体イメージセンサに接続された増幅手段と、 を有することを特徴とする固体イメージセンサ。
  2. 2.それぞれのセグメントから単一の出力を該増幅手段に供給すべくそれぞれ別 々のセグメントにあるオーバーフローゲートの結合、並びに、それぞれのセグメ ントのオーバーフローチャネルの結合により該固体イメージセンサがセグメント から形成されることを特徴とする請求項1記載の固体イメージセンサ。
  3. 3.2個以上の該セグメントが互いに接続されることを特徴とする請求項2記載 の固体イメージセンサ。
  4. 4.固体イメージセンサであって、 別々に像を検出するためにそれぞれのゾーンに照射する瞬時光の関数として電荷 の流れを供給し、並びにそれぞれの感光性素子により生成された電荷を供給する たあのいくつかのゾーンを形成する複数の感光性素子と、それぞれのゾーンから 電荷の流れを受け取るため、ゾーンの数にその数が相当するいく1つかのオーバ ーフローチャネル手段と、該オーバーフローチャネル手段から電荷の流れを受け 取り、並びにいくつものゾーンそれぞれに照射する瞬時光を示す出力を供給ずる ために該オーバーフローチャネル手段に接続された増幅手段と、を含むことを特 徴とする固体イメージセンサ。
  5. 5.1個以上の該ゾーンが互いに接続されることを特徴とする請求項4記載の固 体イメージセンサ。
  6. 6.感光性部位に接続された電荷保存領域を有するCCDイメージセンサであっ て、 該感光性部位により該感光性部位に照射する照度の関数として生成された電荷を 保存する手段と、 該保存手段に連結され、電荷の保存を制御して防ぎ、並びに該感光性部位からの 電荷の流れを該感光性部位の瞬時光の関数として発生させる手段と、該保存手段 から電荷の流れを受け取る増幅手段と、を有することを特徴とするCCDイメー ジセンサ。
  7. 7.ゾーンを形成するいくつかの感光性部位の結合により該イメージセンサがゾ ーンによって形成され、さらに 単一の出力をそれぞれのゾーンの平均照度の関数として該増幅手段に供給する手 段と、 を含むことを特徴とする請求項6記載のCCDイメージセンサ。
  8. 8.2個以上の該ゾーンが互いに連結されることを特徴とする請求項7記載のC CDイメージセンサ。
JP4503153A 1990-12-12 1991-12-06 リアルタイム読み出し特性を有するホトダイオードを備えるイメージデバイス Pending JPH05505087A (ja)

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