JPH0550094B2

JPH0550094B2 -

Info

Publication number: JPH0550094B2
Application number: JP62259208A
Authority: JP
Inventors: Bunro Komatsu
Original assignee: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1987-10-14
Filing date: 1987-10-14
Publication date: 1993-07-28
Also published as: DE3887810D1; US4894540A; EP0312082A3; EP0312082A2; EP0312082B1; DE3887810T2; KR890007052A; JPH01102841A; KR920002370B1

Description

【発明の詳細な説明】

〔発明の目的〕（産業上の利用分野）本発明は画像形成方法、特に走査型電子顕微鏡
を用いて対象物にビームを照射し、対象物からの
二次電子を観測して画像を形成する方法に関す
る。（従来の技術）半導体集積回路のパターンなどを測定するため
に、走査型電子顕微鏡（以下、SEMと略す）を
用いてパターンの画像を形成することが行われて
いる。このようなSEMを用いた測定では、種々
のノイズが発生し、形成された画像にノイズがの
つてしまうことが知られている。このノイズの発
生原因の第１は、SEMの一次ビームのもつ分配
雑音である。これは陰極から出たビーム電流が
SEMの鏡筒内を走行し、試料面に到達する前に
途中の絞りに一定の確立で捕えられるために生じ
るノイズである。第２に二次電子放出に伴う雑音
がある。これは二次電子の放出という物理現象が
もともと確率的現象であるために生じるノイズで
ある。このほか、光電子増倍管やＡ／Ｄコンバー
タといつた測定系からもノイズが発生する。このようなノイズの影響を受けない画像を形成
するために、従来次のような方法が行われてい
る。 (1) 低域フイルタによつて、画像に含まれている
高周波ノイズを除去する。 (2) 対象物に対する走査を複数回行い、その積分
値または平均値を用いる。 (3) 空間フイルタを用いて平滑化を行う。 (4) メデイアンフイルタを用い、一定領域内の画
素の濃度値の中央値を用いる。 (5) 高速フーリエ変換によつて画像の周波数解析
を行う。（発明が解決しようとする問題点）しかしながら上述の各方法では、以下のよう
に、ノイズを十分除去した画像形成を行うことが
できない。 (1) まず、低域フイルタを用いる方法であるが、
カツトオフ周波数の設定が非常に困難であると
いう問題がある。SEM画像に発生するノイズ
の周波数は、対象物によつて異なるが、半導体
集積回路では対象物は多数あり、これらすべて
に最適なカツトオフ周波数を定めることは非常
に困難である。 (2) 積分値または平均値を用いる従来の方法で
は、ある一定の周波数のノイズが常に発生して
いるような場合には、十分なノイズ除去ができ
ない。 (3) 平滑化を行う方法では、空間フイルタのフイ
ルタマトリツクスの値の選び方によつて平滑後
の画像が左右され、定量的な評価に悪影響を与
えるという問題がある。また、平滑化によつて
画像のコントラストが低下するという問題もあ
る。 (4) メデイアンフイルタを用いる方法は、一般に
画像の辺縁の情報を保存するための技術として
用いられてきたが、SEMのようにビーム径と
ほぼ同程度の大きさの情報がノイズに混在する
ような画像形成システムでは、十分な効果が得
られない。 (5) 高速フーリエ変換によれば、十分なノイズ対
策を行うことができるが、現在の画像処理プロ
セツサではフーリエ変換を行う処理速度がまだ
まだ遅く、実用上問題がある。そこで本発明は、ノイズを十分除去した鮮明な
画像を得ることのできる画像形成方法を提供する
ことを目的とする。〔発明の構成〕（問題点を解決するための手段）本願第１の発明は、対象物にビームを照射し、
ビーム照射部分の像に対応した濃度値を、このビ
ーム照射部分中央位置に定義した画素の濃度値と
して取込むようにしながら、対象物の検査領域内
でビームを走査し、検査領域の画像をビーム径よ
り小さなピツチで配された画素の集合として得る
第１の段階と、前記第１の段階で得られた画像の画素のうち処
理対象となる画素およびその周辺の画素につい
て、ビームの強度分布に比例した係数を割当て、
各画素のもつ濃度値と割当てられた係数とをそれ
ぞれ乗じ、得られた積の合計に基づいて処理対象
となる画素の新たな濃度値を決定するという処理
を、必要なすべての画素について行う第２の段階
と、を行い、鮮明な画像を得るようにしたものであ
る。本願第２の発明は、前述の第１の発明の第２の
段階において、処理対象となる画素およびその周
辺の画素について、ビームの強度分布に比例した
係数を割当てた後、更に処理対象となる画素に対
して走査方向上にある画素以外の周辺画素につい
て割当てた係数を減少させる補正を施すように
し、より効率良いノイズ除去を可能にしたもので
ある。本願第３の発明は、対象物にビームを照射し、
ビーム照射部分の像に対応した濃度値を、このビ
ーム照射部分中央位置に定義した画素の濃度値と
して取込むようにしながら、対象物の検査領域内
でビームを走査し、検査領域の画像をビーム径よ
り小さなピツチで配された画素の集合として得る
作業を複数回繰返して行い、複数回の走査におい
てそれぞれ対応する走査位置にある画素について
取込まれた複数の濃度値の平均を求め、この平均
濃度値をもつた画素の集合として検査領域の画像
を表現する第１の段階と、この第１の段階で得られた画像の画素のうち処
理対象となる画素およびその周辺の画素につい
て、ビームの強度分布に比例した係数を割当て、
各画素のもつ濃度値と割当てられた係数とをそれ
ぞれ乗じ、得られた積の合計に基づいて処理対象
となる画素の新たな濃度値を決定するという処理
を、必要なすべての画素について行う第２の段階
と、各画素のもつ濃度値が所定の範囲内に分布する
ように、濃度値を線形変換する第３の段階と、を行い、鮮明な画像を得るようにしたものであ
る。（作用）本願第１の発明は、ビームの径よりも各画素の
径の方が小さいという条件の下に対象物の走査が
行われるシステムで用いることのできる画像形成
方法である。このような条件下では、ビームは一
度に複数の画素領域を照射することができる。そ
こで、ビーム走査で得られた各画素の濃度値を、
その周辺の画素の濃度値に基づいて修正し鮮明な
画像形成を行おうというのが発明のポイントであ
る。この修正は、各周辺画素について重みづけが
なされたうえ行われる。重みづけは、ビームの強
度分布に応じて決定される。このような周辺画素
の濃度値による修正により、ノイズ成分を除去し
た鮮明な画像形成が可能になる。本願第２の発明は、上記第１の発明において、
重みづけをビームの強度分布だけでなくビームの
走査方向をも考慮して決定する点に特徴がある。
これは、ビームの走査方向上にない周辺画素につ
いては、重みを減らすようにするとより良い結果
が得られることが実験的に確認できたことに基づ
く。本願第３の発明は、３つの画像処理段階からな
る。すなわち、加算平均処理、空間フイルタ処
理、線形画像強調処理の３段階である。加算平均
処理は、複数回の走査によつて得られた濃度値の
平均を求め、この平均値を各画素の濃度値とする
処理であり、空間フイルタ処理は前述の第１およ
び第２の発明の要旨となる周辺画素濃度による修
正処理であり、線形画像強調処理は、各画素のも
つ濃度値が所定の範囲内に分布するように、濃度
値を線形変換する処理である。この３つの処理を
行うことにより、ノイズを効率良く除去すること
ができ、しかもコントラストの高い鮮明な画像形
成が可能となる。（実施例）以下本発明を図示する実施例に基づいて詳述す
る。第１図はこの実施例に係る方法の手順を示す
流れ図である。この流れ図に示すように、この実
施例は第１の段階である加算平均処理段階Ａ、第
２の段階である空間フイルタ処理段階Ｂ、第３の
段階である線形画像強調処理段階Ｃという３つの
段階からなり、本願第３の発明の一態様に相当す
る。なお、本願第１および第２の発明は、この３
つの段階の中の空間フイルタ処理段階Ｂに関して
のものである。以下、この３つの段階を、SEM
を用いて行う実施例について、それぞれ順に説明
することにする。＜第１の段階＞第１の段階である加算平均処理段階Ａは、対象
物をビームで走査するところから始まる。第２図
はこのビーム走査を示す図である。第２図ａに示
すように、対象物の検査領域１を図の矢印で示す
方向にSEMの一次電子ビームで走査してゆく。
走査方向は図の水平方向であり、以下の説明では
このように常に図の水平方向を走査方向とする。
一行目の走査が左から右へと終了すると、二行目
の走査が同様に行われ、以下すべての行について
同様の走査が行われてゆく。対象物からは一次電
子ビームの照射によつて二次電子が放出される
が、この二次電子量を一定のサンプリング周期で
観測すれば、第２図ｂに示すように、このサンプ
リング周期で配列された画素を定義することがで
き、各サンプリング時に観測された二次電子量が
その画素の濃度値ということになる。このように
１回の走査によつて、ｍ×ｎの二次元マトリツク
ス状に配された画素の集合からなる画像が得られ
ることになる。本実施例では、このような画像を
記憶するメモリとして、第３図に示すようにメモ
リM₁〜M₆までの６つのメモリを用意している。
いずれのメモリも第２図ｂに示された画素の配列
に対応するｍ×ｎの二次元マトリツクス状に配さ
れたメモリセルを有し、本実施例の場合、各メモ
リセルは８ビツトの記憶容量をもつ。したがつ
て、各画素の濃度値は０〜255までのデジタル量
で表現されて、各メモリセルに記憶されることに
なる。さて、第１図の流れ図において、まずステツプ
S1においてメモリM₁に対して画像入力が行われ
る。すなわち、検査領域１を完全に走査し、第２
図ｂに示すような全画素の濃度値をメモリM₁に
入力する作業である。これはSEMからの出力信
号をＡ／Ｄ変換したデジタル値をメモリM₁の所
定のアドレスに書込めばよい。この実施例では、
SEMの走査によつて直接得られたデータは、常
にメモリM₁に入力される。１回目の走査が終了すると、ステツプS2にお
いて、メモリM₁の内容をそのままメモリM₂にコ
ピーし、ステツプS1と同様の作業で２回目の走
査を行つてその結果をメモリM₁に入力する。そ
してステツプS3において、メモリM₁とM₂の内容
を加算して、その和をメモリM₃に入れる。この
場合、メモリM₁内の任意のメモリセル内のデー
タと、メモリM₂内のこれに対応するメモリセル
内のデータとが加算され、メモリM₃内のこれに
対応するメモリセルに加算結果がストアされるこ
とになる。なお、この加算結果がオーバーフロー
した場合には、メモリM₄内の対応するメモリセ
ル内のデータが１だけインクリメントされる。更
に、メモリM₄がオーバーフローした場合には、
メモリM₅内の対応するメモリセル内のデータが
１だけインクリメントされる。別言すれば、メモ
リM₄はメモリM₃の上位桁に相当し、メモリM₅
はメモリM₄の更に上位桁に相当する。このよう
にして24ビツトまでの積算値を保持することが可
能である。ステツプS3による加算が終了したら、ステツ
プS4で所定回数の加算が行われたか判断される。
加算回数を大きく設定する程、信頼すべき平均値
が得られるが、１回の加算を行うごとに対象物の
走査を繰返さねばならないため、実際の測定に即
した加算回数を設定する必要がある。所定回数に達していなければ、ステツプS5に
おいて、メモリM₃の内容をそのままメモリM₂に
コピーする。そしてステツプS6で、メモリM₁へ
の画像入力を行う。このステツプS6の画像入力
は、ステツプS1およびS2の画像入力と全く同様
であり、検査領域１を走査して得られた画素の濃
度データをメモリM₁に入れる作業となる。この
３回目の走査が終了すると、再びステツプS3に
おいて、メモリM₁とM₂の内容が加算され、その
結果がメモリM₃に入れられる。以下、ステツプ
S4，５，６，３というループ処理が所定回数繰
返されることになる。結局、検査領域１が複数回
走査され、走査結果がリアルタイムで積算され、
積算結果がメモリM₃〜M₅に保存されることにな
る。このあと、ステツプS7において、各画素濃
度の積算値が積算回数で割算され、平均濃度値が
メモリM₆に出力される。したがつて、この加算
平均処理段階Ａによる最終的な出力画像はメモリ
M₆に得られることになる。このような加算平均処理を施すことによつて、
SEM固有の高周波ノイズ成分の除去ができる。
この結果を第４図および第５図に示す。第４図ａ
は走査によつて得られた画像（第２図ｂに相当）
の走査方向（第２図の横方向）に関する濃度値の
空間分布周波数スペクトルを示す図であり、同図
ｂは走査方向に直角な方向（第２図の縦方向）に
関する周波数スペクトルを示す図である。横軸は
周波数値を０を中心として右を＋、左を−で示
し、縦軸は各周波数成分の強度値を示す。いずれ
も中央部に直流成分を表わすピークがあり、その
両脇に高周波成分（ノイズ成分）が存在する。こ
れに対し、第５図ａおよびｂは、８回の画像走査
に基づく加算平均処理を行つた後の画像について
の、それぞれ走査方向およびこれに直角な方向に
関する周波数スペクトルである。第４図と第５図
とを比較すると、加算平均処理によつてかなりの
ノイズ成分除去がなされていることがわかる。＜第２の段階＞第２の段階である空間フイルタ処理段階Ｂは、
第１の段階の出力画像（メモリM₆内の画像）の
各画素の濃度値を、その周辺画素の濃度値に基づ
いて修正する処理を行う。まず、その基本原理を
第６図ａで説明する。この図で破線で示したビー
ムスポツト２は、実線で示した画素Ｐ０〜Ｐ２の
径よりも大きく、ビーム照射時にはこの例では、
中央の画素Ｐ０、これに隣接する８個の画素Ｐ
１、そしてその周囲の12個の画素Ｐ２という合計
21個の画素に対してビームが照射されることにな
る。そしてこのビーム照射位置において観測され
た二次電子量が、中央位置にある画素Ｐ０の濃度
値として前述した第１の段階において取込まれて
いるわけである。図で画素Ｐ０の右隣の画素につ
いての濃度値は、ビーム走査によりビームスポツ
ト２が１画素ピツチ分右へずれた状態で観測され
る二次電子量ということになる。通常、SEMを
低加速電圧で使用すると、ビームスポツトの径は
比較的大きくなるが、この実施例では、ビーム径
850Å、１画素の径17Åである。一般にSEMの一次電子ビームは、第６図ｂに
破線で示すようなビーム電流強度分布（通常ガウ
ス分布）をもつ。同図に示す画素Ｐ０〜Ｐ２の位
置とこのビーム電流強度分布とを参照すれば、各
画素に照射されるビーム強度比がわかる。この例
では、画素Ｐ０，Ｐ１，Ｐ２へのビーム強度比は
約10：５：１である。そこで、この比に応じて第
６図ｃに示すように各画素に係数を割当てる。そ
して各画素のもつ濃度値にこの係数をそれぞれ乗
じて積を求め、すべての積の加算結果に応じて画
素Ｐ０の新たな濃度値を定めるのである。結局、
画素Ｐ０の濃度値をその周辺画素の濃度値によつ
て修正したことになる。なお、本実施例では、修正に用いる画素は、修
正対象となる画素に隣接した８個の画素のみ（第
６図ｃでの画素Ｐ１）とし、かつ、走査方向上に
ない画素についての係数を減じるような補正を施
すようにした。すなわち、実際の係数は第６図ｄ
のように定義される。画素Ｐ０の係数とＰ１の係
数は、ビーム電流強度の比に応じてそれぞれ４と
２に定義し、かつ、走査方向上にない隣接画素Ｐ
１′は係数２であるべきところを１に減じている。
第４図ａとｂとを比較すればわかるように、走査
方向とこれに直角な方向とでは、ノイズ成分が異
なり、実験的に走査方向上にない隣接画素の係数
を減じると良好な結果が得られることが確認でき
ている。この空間フイルタ処理の実際の手順は、第１図
の流れ図に示すとおりとなる。まず、ステツプ
S8において、処理対象となる１つの画素および
その周囲の８画素を抽出する。たとえば、第６図
での画素Ｐ０およびＰ１が抽出される。続いて、
ステツプS10で、これらの画素について定められ
た係数と濃度値との乗算が行われる。第６図ｅに
示すように、各画素はそれぞれ固有の濃度値Ｆ１
〜Ｆ９を有するが、この例では、第６図ｄに示す
係数と同図ｅに示す濃度値との積が求められる。
更に、ステツプS10でこの積の合計が求められ、
この合計値が係数の合計値で割算され、その結果
が画素Ｐ０の新たな濃度値となる。具体的には、
積の合計値Ｓは、Ｓ＝Ｆ１＋Ｆ２＋Ｆ３＋2F４＋4F５＋2F６＋
Ｆ７＋Ｆ８＋Ｆ９であり、これを係数の合計値14で割つた値Ｓ／14
が画素Ｐ０の修正後の新たな濃度値となる。このような修正作業をすべての画素について行
う（ステツプS11）。なお、辺縁の画素について
は、周辺画素がないためこの作業を行うことがで
きないが、通常、画像の辺縁部には重要な情報は
含まれていないため問題は生じない。以上の空間フイルタ処理Ｂによつて、高周波の
ノイズ成分をかなり除去することができる。この
様子を第７図のグラフに示す。第７図ａは、この
空間フイルタ処理Ｂを施す前の一走査線上に並ん
だ画素の濃度値を示すグラフ、同図ｂは処理後の
同グラフである。いずれも横軸は画素の位置を示
し、縦軸は各画素の濃度値を示す。同図ａ，ｂの
比較からわかるように、ノイズ成分が効率良く除
去されている。＜第３の段階＞第３の段階である線形画像強調処理Ｃは、前述
の第２の段階までで処理されてきた画像について
コントラストを上げるための線形処理を行う。す
なわち、第１図のステツプS12において、まず、
すべての画素の濃度値の中から最大値Fmaxと最
小値Fminとを求める。続いて、ステツプS13に
おいて処理対象となる１画素を抽出し、この抽出
した画素のもつ濃度値Ｆに対して次式の演算を行
い、新たな濃度値Ｘを得る。Ｘ＝Ｃ（Ｆ−Fmin）／（Fmax−Fmin）ここで、Ｃは任意の定数である。このような処理をすべての画素について行えば
（ステツプS15）、各画素の濃度値は０〜Ｃの範囲
内に分布するようになる。たとえば、Ｃ＝255と
すれば、各画素は０〜255までの256段階の濃度値
で表されることになる。＜実施例の効果＞第８図に示すグラフは、第９図に示すような半
導体基板上に形成されたレジストパターンについ
て、第１図の流れ図に示す手順で画像形成をおこ
なつた結果を示すものである。第９図に示すよう
に、開口径L₁＝1.2μm、深さL₂＝3.6μmの凹状部
に対してSEMによる走査を行つた結果得られた
画像の各画素の濃度値を第８図のグラフに示す。
ここで横軸は画素位置、すなわち第９図の横方向
の位置に相当し、縦軸は各画素の濃度値（８ビツ
トのデジタル量で表す）を示す。グラフＡは第１
図の加算平均処理段階Ａを終えた後の濃度値、グ
ラフＢは空間フイルタ処理段階Ｂを終えた後の濃
度値、グラフＣは線形画像強調処理段階Ｃを終え
た後の濃度値を、それぞれ示す。グラフＡに比べ
てグラフＢはノイズ成分が少なくなつており、グ
ラフＢに比べてグラフＣはコントラストが強調さ
れていることがわかる。このように３つの処理段階を経ることによつ
て、ノイズを除去した鮮明な画像が得られること
がわかるであろう。このように、本実施例に係る
方法では、μmオーダーの微小なしかもアスペク
ト比のかなり大きな凹状パターンの画像もかなり
鮮明に得ることができるのである。したがつて、
本発明は半導体集積回路の微小な凹凸パターンの
画像形成に特に有効である。勿論、本発明はビー
ム走査を用いた画像形成方法であれば、対象物は
どのようなものであつても適用可能であり、ビー
ムも電子ビームに限らず、光ビームを用いた測定
にも適用可能である。〔発明の効果〕以上のとおり本発明の画像形成方法によれば、
１つの画素の濃度値をその周辺画素の濃度値に基
づいて修正するような空間フイルタ処理を行うよ
うにしたため、ノイズを十分除去した鮮明な画像
を得ることができるようになる。また、走査した
画像に対して、加算平均処理、空間フイルタ処
理、線形画像強調処理の３つの処理を施すように
したため、更に鮮明な画像を得ることができるよ
うになる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に係る画像形成方法
の手順を示す流れ図、第２図は本発明に係る方法
における画像走査の方法を示す図、第３図は本発
明に係る方法の段階Ａの処理に用いるメモリ構成
を示す図、第４図および第５図は本発明に係る方
法における段階Ａの加算平均処理を施す前および
施した後の濃度値の空間分布周波数スペクトルを
示すグラフ、第６図は本発明に係る方法における
段階Ｂの処理を示す図、第７図は本発明に係る方
法における段階Ｂの空間フイルタ処理を施す前後
の画素濃度分布を示すグラフ、第８図は本発明に
係る方法の各段階の画素濃度分布を示すグラフ、
第９図は第８図のグラフを得るのに用いた対象物
の断面図である。１……検査領域、２……ビームスポツト、Ｐ０
〜Ｐ２……画素、Ｆ１〜Ｆ９……濃度値。

Claims

【特許請求の範囲】１対象物にビームを照射し、ビーム照射部分の
像に対応した濃度値を、このビーム照射部分中央
位置に定義した画素の濃度値として取込むように
しながら、前記対象物の検査領域内でビームを走
査し、前記検査領域の画像を前記ビーム径より小
さなピツチで配された画素の集合として得る第１
の段階と、前記第１の段階で得られた画像の画素のうち処
理対象となる画素およびその周辺の画素につい
て、前記ビームの強度分布に比例した係数を割当
て、各画素のもつ濃度値と割当てられた前記係数
とをそれぞれ乗じ、得られた積の合計に基づいて
前記処理対象となる画素の新たな濃度値を決定す
るという処理を、必要なすべての画素について行
う第２の段階と、を有することを特徴とする画像形成方法。２走査型電子顕微鏡を用いて、ビームの照射、
走査、および濃度値の取込みを行うことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の画像形成方法。３ビームの強度分布としてガウス分布を用いる
ことを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の画
像形成方法。４対象物にビームを照射し、ビーム照射部分の
像に対応した濃度値を、このビーム照射部分中央
位置に定義した画素の濃度値として取込むように
しながら、前記対象物の検査領域内でビームを走
査し、前記検査領域の画像を前記ビーム径より小
さなピツチで配された画素の集合として得る第１
の段階と、前記第１の段階で得られた画像の画素のうち処
理対象となる画素およびその周辺の画素につい
て、前記ビームの強度分布に比例した係数を割当
て、更に前記処理対象となる画素に対して走査方
向上にある画素以外の周辺画素について割当てた
前記係数を減少させる補正を施し、各画素のもつ
濃度値と割当てられた前記係数とをそれぞれ乗
じ、得られた積の合計に基づいて前記処理対象と
なる画素の新たな濃度値を決定するという処理
を、必要なすべての画素について行う第２の段階
と、を有することを特徴とする画像形成方法。５走査型電子顕微鏡を用いて、ビームの照射、
走査、および濃度値の取込みを行うことを特徴と
する特許請求の範囲第４項記載の画像形成方法。６ビームの強度分布としてガウス分布を用いる
ことを特徴とする特許請求の範囲第５項記載の画
像形成方法。７対象物にビームを照射し、ビーム照射部分の
像に対応した濃度値を、このビーム照射部分中央
位置に定義した画素の濃度値として取込むように
しながら、前記対象物の検査領域内でビームを走
査し、前記検査領域の画像を前記ビーム径より小
さなピツチで配された画素の集合として得る作業
を複数回繰返して行い、複数回の走査においてそ
れぞれ対応する走査位置にある画素について取込
まれた複数の濃度値の平均を求め、この平均濃度
値をもつた画素の集合として前記検査領域の画像
を表現する第１の段階と、前記第１の段階で得られた画像の画素のうち処
理対象となる画素およびその周辺の画素につい
て、前記ビームの強度分布に比例した係数を割当
て、各画素のもつ濃度値と割当てられた前記係数
とをそれぞれ乗じ、得られた積の合計に基づいて
前記処理対象となる画素の新たな濃度値を決定す
るという処理を、必要なすべての画素について行
う第２の段階と、各画素のもつ濃度値が所定の範囲内に分布する
ように、濃度値を線形変換する第３の段階と、を有することを特徴とする画像形成方法。８走査型電子顕微鏡を用いて、ビームの照射、
走査、および濃度値の取込みを行うことを特徴と
する特許請求の範囲第７項記載の画像形成方法。９ビームの強度分布としてガウス分布を用いる
ことを特徴とする特許請求の範囲第８項記載の画
像形成方法。１０第３の段階において、各画素のもつ濃度値
の最大値Fmax、最小値Fminを求め、所定の係
数Ｃを定め、各画素のもつ濃度値Ｆに対して、Ｘ
＝Ｃ（Ｆ−Fmin）／（Fmax−Fmin）なる演算
を行つて濃度値Ｆを新たな濃度値Ｘに線形変換す
ることを特徴とする特許請求の範囲第７項乃至第
９項のいずれかに記載の画像形成方法。