JPH0547661A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0547661A JPH0547661A JP3224995A JP22499591A JPH0547661A JP H0547661 A JPH0547661 A JP H0547661A JP 3224995 A JP3224995 A JP 3224995A JP 22499591 A JP22499591 A JP 22499591A JP H0547661 A JPH0547661 A JP H0547661A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polysilicon
- thin film
- grain size
- crystal grain
- semiconductor device
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 結晶粒径の大きいポリシリコン薄膜を得る方
法を得る。 【構成】 光ＣＶＤ法でポリシリコン核を形成し、次い
でＣＶＤ法にてアモルファスシリコン膜を形成した後、
６５０℃以下の低温アニールにより結晶粒径の大きいポ
リシリコン薄膜を形成する。 【効果】 結晶粒径の大きいポリシリコン薄膜が得ら
れ、これをＴＦＴトランジスタの電極として使用すれば
トランジスタのオフ電流を低減できる。
法を得る。 【構成】 光ＣＶＤ法でポリシリコン核を形成し、次い
でＣＶＤ法にてアモルファスシリコン膜を形成した後、
６５０℃以下の低温アニールにより結晶粒径の大きいポ
リシリコン薄膜を形成する。 【効果】 結晶粒径の大きいポリシリコン薄膜が得ら
れ、これをＴＦＴトランジスタの電極として使用すれば
トランジスタのオフ電流を低減できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体装置の製造方法
に関し、特に結晶粒径の大きなシリコン薄膜を形成する
半導体装置の製造方法に関するものである。
に関し、特に結晶粒径の大きなシリコン薄膜を形成する
半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来のシリコン薄膜形成方法を説
明する断面フロー図であり、１は基板、２はアモルファ
スシリコン膜、５はポリシリコン膜である。
明する断面フロー図であり、１は基板、２はアモルファ
スシリコン膜、５はポリシリコン膜である。
【０００３】以下、この図に沿って従来のシリコン薄膜
の形成方法を述べる。ＣＶＤ法により基板１上にアモル
ファスシリコン膜２を形成し（図２(a))、該アモルファ
スシリコン膜２を約６００℃にてアニールすることによ
りポリシリコン膜５を形成する（図２(b))。
の形成方法を述べる。ＣＶＤ法により基板１上にアモル
ファスシリコン膜２を形成し（図２(a))、該アモルファ
スシリコン膜２を約６００℃にてアニールすることによ
りポリシリコン膜５を形成する（図２(b))。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置は以
上のようにアモルファスシリコン膜をアニールすること
によりポリシリコン膜を形成しているが、ポリシリコン
の結晶粒径があまり大きくならないという問題があっ
た。
上のようにアモルファスシリコン膜をアニールすること
によりポリシリコン膜を形成しているが、ポリシリコン
の結晶粒径があまり大きくならないという問題があっ
た。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、結晶粒径のさらに大きなポリシ
リコン薄膜を得ることのできる半導体装置の製造方法を
得ることを目的とする。
ためになされたもので、結晶粒径のさらに大きなポリシ
リコン薄膜を得ることのできる半導体装置の製造方法を
得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置の製造方法は、光ＣＶＤ法でポリシリコン核を形成
し、さらにＣＶＤ法によりアモルファスシリコン膜を形
成し、６５０℃以下の低温アニールにより結晶粒径の大
きいポリシリコン薄膜を形成するものである。
置の製造方法は、光ＣＶＤ法でポリシリコン核を形成
し、さらにＣＶＤ法によりアモルファスシリコン膜を形
成し、６５０℃以下の低温アニールにより結晶粒径の大
きいポリシリコン薄膜を形成するものである。
【０００７】
【作用】この発明における半導体装置の製造方法では、
光ＣＶＤ法にてポリシリコン核を形成し、ＣＶＤ法にて
アモルファスシリコン膜を形成し、その後６５０℃以下
の低温アニールを行って結晶粒径の大きいポリシリコン
薄膜を形成するので、例えばこれをＴＦＴトランジスタ
として使用した場合、オフ電流を低減できる。
光ＣＶＤ法にてポリシリコン核を形成し、ＣＶＤ法にて
アモルファスシリコン膜を形成し、その後６５０℃以下
の低温アニールを行って結晶粒径の大きいポリシリコン
薄膜を形成するので、例えばこれをＴＦＴトランジスタ
として使用した場合、オフ電流を低減できる。
【０００８】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１は本発明の一実施例によるシリコン薄膜の形
成方法を示す断面フロー図であり、１は基板、４はポリ
シリコン核、２はアモルファスシリコン膜、５はポリシ
リコン膜である。
する。図１は本発明の一実施例によるシリコン薄膜の形
成方法を示す断面フロー図であり、１は基板、４はポリ
シリコン核、２はアモルファスシリコン膜、５はポリシ
リコン膜である。
【０００９】以下、この図に沿ってシリコン薄膜の形成
方法を述べる。光ＣＶＤ法により基板１上にポリシリコ
ン核４を形成し（図１(a))、次いで、ＣＶＤ法にてアモ
ルファスシリコン膜２を形成し（図１(b))、さらに６５
０℃以下の低温でアニールすることによりポリシリコン
核４を核として結晶を成長させ、結晶粒径の大きいポリ
シリコン薄膜５を形成する（図１(c))。
方法を述べる。光ＣＶＤ法により基板１上にポリシリコ
ン核４を形成し（図１(a))、次いで、ＣＶＤ法にてアモ
ルファスシリコン膜２を形成し（図１(b))、さらに６５
０℃以下の低温でアニールすることによりポリシリコン
核４を核として結晶を成長させ、結晶粒径の大きいポリ
シリコン薄膜５を形成する（図１(c))。
【００１０】このような本実施例では、ポリシリコン核
が核となって結晶が成長するから、容易に結晶粒径の大
きなポリシリコン薄膜が形成される。従ってＴＦＴトラ
ンジスタとして使用に適した半導体装置が得られる。
が核となって結晶が成長するから、容易に結晶粒径の大
きなポリシリコン薄膜が形成される。従ってＴＦＴトラ
ンジスタとして使用に適した半導体装置が得られる。
【００１１】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、アモ
ルファスポリシリコン下にあるポリシリコン核を６５０
℃以下の低温アニールにより成長させるようにしたの
で、結晶粒径の大きいポリシリコン薄膜を形成すること
ができ、例えばＴＦＴトランジスタとして使用すればオ
フ電流を低減できるという効果がある。
ルファスポリシリコン下にあるポリシリコン核を６５０
℃以下の低温アニールにより成長させるようにしたの
で、結晶粒径の大きいポリシリコン薄膜を形成すること
ができ、例えばＴＦＴトランジスタとして使用すればオ
フ電流を低減できるという効果がある。
【図１】この発明の一実施例による半導体装置の製造方
法を示す断面フロー図である。
法を示す断面フロー図である。
【図２】従来の半導体装置の製造方法を示す断面フロー
図である。
図である。
１ 基板 ２ アモルファスシリコン膜 ３ マスク ４ ポリシリコン核 ５ ポリシリコン膜
Claims (1)
- 【請求項１】 光化学的気相成長法（以下、光ＣＶＤ法
と称す）でポリシリコン核を形成する工程と、 ＣＶＤ法によりアモルファスシリコン膜を形成する工程
と、 次いで６５０℃以下の低温アニールを行い、結晶粒径の
大きいポリシリコン膜を形成する工程とを含むことを特
徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3224995A JPH0547661A (ja) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3224995A JPH0547661A (ja) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0547661A true JPH0547661A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16822441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3224995A Pending JPH0547661A (ja) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0547661A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5766989A (en) * | 1994-12-27 | 1998-06-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for forming polycrystalline thin film and method for fabricating thin-film transistor |
| US5893747A (en) * | 1995-10-07 | 1999-04-13 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method of manufacturing a polysilicon film of a semiconductor device |
-
1991
- 1991-08-09 JP JP3224995A patent/JPH0547661A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5766989A (en) * | 1994-12-27 | 1998-06-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for forming polycrystalline thin film and method for fabricating thin-film transistor |
| US5893747A (en) * | 1995-10-07 | 1999-04-13 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method of manufacturing a polysilicon film of a semiconductor device |
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