JPH0542140B2 - - Google Patents
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- JPH0542140B2 JPH0542140B2 JP62315457A JP31545787A JPH0542140B2 JP H0542140 B2 JPH0542140 B2 JP H0542140B2 JP 62315457 A JP62315457 A JP 62315457A JP 31545787 A JP31545787 A JP 31545787A JP H0542140 B2 JPH0542140 B2 JP H0542140B2
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- JP
- Japan
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- module
- power
- frame
- holding frame
- multilayer ceramic
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
- H05K7/02—Arrangements of circuit components or wiring on supporting structure
- H05K7/10—Plug-in assemblages of components, e.g. IC sockets
- H05K7/1053—Plug-in assemblages of components, e.g. IC sockets having interior leads
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
A 産業上の利用分野
本発明は、集積回路に関し、特に集積回路のた
めの高密度パツケージに関するものである。
めの高密度パツケージに関するものである。
B 従来技術
高速コンピユータは、高密度にパツケージされ
た集積回路を必要とする。そのようなパツケージ
は信頼性がきわめて高くなくてはならず、また集
積回路を物理的に支持し、相互接続し、冷却する
ための手段を備えていなくてはならない。
た集積回路を必要とする。そのようなパツケージ
は信頼性がきわめて高くなくてはならず、また集
積回路を物理的に支持し、相互接続し、冷却する
ための手段を備えていなくてはならない。
集積回路のための高密度パツケージの設計にお
いて考慮すべき要因には次のものがある。
いて考慮すべき要因には次のものがある。
(a) チツプ毎の回路の数。
(b) チツプからモジユールへの相互接続線の数。
(c) チツプの電力必要条件。
(d) パツケージによつて与えられる入出力接続の
数。
数。
最近のデイジタル・コンピユータは、単一のパ
ツケージ中に比較的多数の集積回路チツプを与
え、パツケージに対して文字どおり何千ものI/
O接続を用意するようなパツケージ技術を必要と
する。さらに、パツケージが載置されている回路
ボード上からパツケージを除去できるようにI/
Oピンが挿脱可能(Pluggable)でなくてはなら
ない。市販されている高速デイジタル・コンピユ
ータで使用されている最近のパツケージ・システ
ムが、IBM Jounal of Research and
Developmentに1981年と1982年の間に掲載され
た論文に述べられている。すなわち、 (1) IBM Journal of Research and
Development,vol.25、pp.617−629、1981の
D.P.SeraphimとI.Feinbergによる“Electronic
Packaging Evolution in IBM”と題する論
文。
ツケージ中に比較的多数の集積回路チツプを与
え、パツケージに対して文字どおり何千ものI/
O接続を用意するようなパツケージ技術を必要と
する。さらに、パツケージが載置されている回路
ボード上からパツケージを除去できるようにI/
Oピンが挿脱可能(Pluggable)でなくてはなら
ない。市販されている高速デイジタル・コンピユ
ータで使用されている最近のパツケージ・システ
ムが、IBM Jounal of Research and
Developmentに1981年と1982年の間に掲載され
た論文に述べられている。すなわち、 (1) IBM Journal of Research and
Development,vol.25、pp.617−629、1981の
D.P.SeraphimとI.Feinbergによる“Electronic
Packaging Evolution in IBM”と題する論
文。
(2) IBM Journal of Research and
Development,Vol.26、pp.302−317、1982の
R.F.Bonner、J.A.Asselta及びF.W.Hainingに
よる“Advanced Printed Circuit Board
Design for High Performance Computer
Applications”と題する論文。
Development,Vol.26、pp.302−317、1982の
R.F.Bonner、J.A.Asselta及びF.W.Hainingに
よる“Advanced Printed Circuit Board
Design for High Performance Computer
Applications”と題する論文。
(3) IBM Journal of Research and
Development、Vol.26、No.1、pp.30−37のA.
J.BlodgettとD.R.Barbourによる“Thermal
Conduction Module:A High
Performance Multilayer Ceramic Package”
と題する論文。
Development、Vol.26、No.1、pp.30−37のA.
J.BlodgettとD.R.Barbourによる“Thermal
Conduction Module:A High
Performance Multilayer Ceramic Package”
と題する論文。
上述の論文に示されているモジユールにおいて
は、モジユールに信号を搬送するのと同一タイプ
のピンを通じてモジユールに電力が供給される。
しかし、このことは少くとも2つの不都合を与え
る。その第1は、ピンとピン・コネクタの設計の
際に信号接続と電力接続の2つの必要条件をとも
に考慮に入れなくてはならず、これにより、利用
できる設計の選択範囲が限定されるということで
ある。その第2は、電力接続のために使用される
いかなるピンも、信号接続に使用されるピンの数
を低減してしまうということである。
は、モジユールに信号を搬送するのと同一タイプ
のピンを通じてモジユールに電力が供給される。
しかし、このことは少くとも2つの不都合を与え
る。その第1は、ピンとピン・コネクタの設計の
際に信号接続と電力接続の2つの必要条件をとも
に考慮に入れなくてはならず、これにより、利用
できる設計の選択範囲が限定されるということで
ある。その第2は、電力接続のために使用される
いかなるピンも、信号接続に使用されるピンの数
を低減してしまうということである。
集積回路のためのきわめて多種のパツケージが
従来技術で知られている。例えば、米国特許第
3846734号は、デユアル・イン・ライン回路パツ
ケージの例を示す。米国特許第3808506号は、ブ
ロツクの両側面上のパツドに接触するパツケージ
を示す。米国特許第3614541号は複数の側面上に
コネクタをもつボードを示す。米国特許第
4137559号は、パツケージの複数の側面上にコネ
クタをもつパツケージを示す。この分野の一般的
な関連技術を示すものとしては、米国特許第
3634602号、米国特許第3934959号、米国特許第
3495037号、米国特許第3496283号、米国特許第
3107414号、米国特許第3029495号及び米国特許第
3643135号がある。
従来技術で知られている。例えば、米国特許第
3846734号は、デユアル・イン・ライン回路パツ
ケージの例を示す。米国特許第3808506号は、ブ
ロツクの両側面上のパツドに接触するパツケージ
を示す。米国特許第3614541号は複数の側面上に
コネクタをもつボードを示す。米国特許第
4137559号は、パツケージの複数の側面上にコネ
クタをもつパツケージを示す。この分野の一般的
な関連技術を示すものとしては、米国特許第
3634602号、米国特許第3934959号、米国特許第
3495037号、米国特許第3496283号、米国特許第
3107414号、米国特許第3029495号及び米国特許第
3643135号がある。
さて、電力接続を信号接続から分離した回路パ
ツケージ技術は知られている。さらに、前述の
IBM Journal of Research and Development
に示されているように、電子パツケージに多層セ
ラミツク(一般的にはMLCと呼ばれる)基板を
使用することもよく知られている。しかし、
MLCからなるフレームをもち、電力コネクタが
信号コネクタから分離されているような構造を教
示または示唆する文献はない。さらにまた、知ら
れているどの回路パツケージ技術も、本発明によ
つて与えられる集積密度、信頼性及びI/O接続
の数を与えるものではない。
ツケージ技術は知られている。さらに、前述の
IBM Journal of Research and Development
に示されているように、電子パツケージに多層セ
ラミツク(一般的にはMLCと呼ばれる)基板を
使用することもよく知られている。しかし、
MLCからなるフレームをもち、電力コネクタが
信号コネクタから分離されているような構造を教
示または示唆する文献はない。さらにまた、知ら
れているどの回路パツケージ技術も、本発明によ
つて与えられる集積密度、信頼性及びI/O接続
の数を与えるものではない。
本発明はまた、従来技術により教示されない多
層セラミツク基板のための改良されたエツジ・コ
ネクタを提供する。
層セラミツク基板のための改良されたエツジ・コ
ネクタを提供する。
C 発明が解決しようとする問題点
本発明の目的は、多層セラミツク基板から成る
集積回路チツプ搭載モジユールの垂直な外周側に
エツジ・コネクタを有する挿脱可能な集積回路パ
ツケージを提供することである。
集積回路チツプ搭載モジユールの垂直な外周側に
エツジ・コネクタを有する挿脱可能な集積回路パ
ツケージを提供することである。
本発明の他の目的は、多層セラミツク基板から
成る集積回路チツプ搭載モジユールに対する電力
ピン及び信号入出力ピンが相互に垂直な平面に設
けられている挿脱可能な集積回路パツケージを提
供することである。
成る集積回路チツプ搭載モジユールに対する電力
ピン及び信号入出力ピンが相互に垂直な平面に設
けられている挿脱可能な集積回路パツケージを提
供することである。
本発明の他の目的は、多層セラミツク基板から
成る集積回路チツプ搭載モジユールに対して信号
をその底面から信号用コネクタアセンブリを介し
て供給する一方、電力をその側面から着脱可能な
保持フレームの電力用コネクタアセンブリを介し
て供給できる挿脱可能な集積回路パツケージを提
供することである。
成る集積回路チツプ搭載モジユールに対して信号
をその底面から信号用コネクタアセンブリを介し
て供給する一方、電力をその側面から着脱可能な
保持フレームの電力用コネクタアセンブリを介し
て供給できる挿脱可能な集積回路パツケージを提
供することである。
D 問題点を解決するための手段
本発明によれば、挿脱可能な集積回路パツケー
ジは、複数個の集積回路チツプを搭載した多層セ
ラミツクの基板のモジユールを含む、このモジユ
ールの底面から信号用入出力ピンが突出してい
る。これらのピンは、多層回路ボード上に形成さ
れた雌コネクタに挿入される。モジユールは、こ
の信号用コネクタアセンブリを介して多層回路ボ
ード上に挿脱自在に装着されて信号導電路を完成
する。
ジは、複数個の集積回路チツプを搭載した多層セ
ラミツクの基板のモジユールを含む、このモジユ
ールの底面から信号用入出力ピンが突出してい
る。これらのピンは、多層回路ボード上に形成さ
れた雌コネクタに挿入される。モジユールは、こ
の信号用コネクタアセンブリを介して多層回路ボ
ード上に挿脱自在に装着されて信号導電路を完成
する。
一方、モジユールは、同様な多層セラミツク材
の保持フレーム内に嵌込まれる。モジユール嵌合
面である外周側面及び保持フレームの嵌合面であ
る内周側面の予め定めた対向した位置において、
夫々、予め、電力用内部配線回路に接続されてい
る導電性バイアを縦割りにして内面を露出し、そ
こに半田層を施して複数列の入出力接点が形成さ
れている。保持フレームの電力用入出力接点に接
続された電力用内部配線回路は、フレームの1辺
に固定されそこから外部へ突出している電力用コ
ネクタ・ピンの他端に接続されている。
の保持フレーム内に嵌込まれる。モジユール嵌合
面である外周側面及び保持フレームの嵌合面であ
る内周側面の予め定めた対向した位置において、
夫々、予め、電力用内部配線回路に接続されてい
る導電性バイアを縦割りにして内面を露出し、そ
こに半田層を施して複数列の入出力接点が形成さ
れている。保持フレームの電力用入出力接点に接
続された電力用内部配線回路は、フレームの1辺
に固定されそこから外部へ突出している電力用コ
ネクタ・ピンの他端に接続されている。
モジユールには、その底面から突出する信号用
入出力ピンと多層回路ボードのコネクタとから成
る信号用コネクタアセンブリを介して信号が供給
される一方、モジユールの外周側面のコネクタ接
点及び保持フレームの内周側面のコネクタ接点を
含む電力用コネクタアセンブリを介して電力が供
給される。フレーム及びモジユール基板が同一の
多層セラミツク材であるので電力コネクタは良好
な熱整合性をもち、信頼性が高い。
入出力ピンと多層回路ボードのコネクタとから成
る信号用コネクタアセンブリを介して信号が供給
される一方、モジユールの外周側面のコネクタ接
点及び保持フレームの内周側面のコネクタ接点を
含む電力用コネクタアセンブリを介して電力が供
給される。フレーム及びモジユール基板が同一の
多層セラミツク材であるので電力コネクタは良好
な熱整合性をもち、信頼性が高い。
本発明の構成は、次の通りである。
信号用及び電力用の内部配線回路、層間相互接
続用の導電性バイアを少なくとも含む 多層セラミツク基板と、該基板表面上に接着さ
れ内部配線回路に接続された複数個の集積回路チ
ツプと、導電性バイアに選択的に接続され基板底
面から行列状に亘つた垂直に突出している複数本
の信号用コネクタ・ピンと、から成るモジユール
を設け、このモジユールを多層セラミツク材の保
持フレームに嵌込み、上記コンタクト・ピンを多
層回路ボードのコネクタに挿入することにより集
積回路チツプの内部配線回路を多層回路ボードの
内部配線回路に相互接続する挿脱可能な集積回路
パツケージにおいて、 上記モジユールは、選択された導電性バイアを
縦割りにしてその内面を露出した基板に垂直な外
周側面を備え、導電性バイアの露出内面に半田層
が施されてモジユールの電力用接点を構成してお
り、 上記保持フレームの内周側面は、上記モジユー
ルの上記外周側面を嵌合するように垂直面をなし
ていて、モジユールの電力用接点に対接する位置
に、保持フレーム内部の電力配線回路に接続され
たフレームの電力用接点を備えており、 上記フレーム内部の電力配線回路は、保持フレ
ームの1つの外周側壁から突出した複数列の電力
用コネクタ・ピンの他端に固着されており、 モジユールのための保持フレームに電力供給用
のコネクタアセンブリの機能をもたせた集積回路
パツケージ。
続用の導電性バイアを少なくとも含む 多層セラミツク基板と、該基板表面上に接着さ
れ内部配線回路に接続された複数個の集積回路チ
ツプと、導電性バイアに選択的に接続され基板底
面から行列状に亘つた垂直に突出している複数本
の信号用コネクタ・ピンと、から成るモジユール
を設け、このモジユールを多層セラミツク材の保
持フレームに嵌込み、上記コンタクト・ピンを多
層回路ボードのコネクタに挿入することにより集
積回路チツプの内部配線回路を多層回路ボードの
内部配線回路に相互接続する挿脱可能な集積回路
パツケージにおいて、 上記モジユールは、選択された導電性バイアを
縦割りにしてその内面を露出した基板に垂直な外
周側面を備え、導電性バイアの露出内面に半田層
が施されてモジユールの電力用接点を構成してお
り、 上記保持フレームの内周側面は、上記モジユー
ルの上記外周側面を嵌合するように垂直面をなし
ていて、モジユールの電力用接点に対接する位置
に、保持フレーム内部の電力配線回路に接続され
たフレームの電力用接点を備えており、 上記フレーム内部の電力配線回路は、保持フレ
ームの1つの外周側壁から突出した複数列の電力
用コネクタ・ピンの他端に固着されており、 モジユールのための保持フレームに電力供給用
のコネクタアセンブリの機能をもたせた集積回路
パツケージ。
E 実施例
第1図には、本発明に従つて構成された回路パ
ツケージの全体的な分解斜視図が示されている。
このパツケージは多層セラミツク基板回路モジユ
ール10と、多層セラミツク材の保持フレーム2
0と、多層回路ボード30を有する。
ツケージの全体的な分解斜視図が示されている。
このパツケージは多層セラミツク基板回路モジユ
ール10と、多層セラミツク材の保持フレーム2
0と、多層回路ボード30を有する。
尚、モジユール10の構造は、IBM Journal
of Research and Development、Vol26.No1、
pp.30−37のA.J.BlodgettとD.R.Barbourによる
論文に示されている集積回路モジユールを単に変
形した構成にすぎないので、ここでは図示せずま
た詳細な説明も与えない。
of Research and Development、Vol26.No1、
pp.30−37のA.J.BlodgettとD.R.Barbourによる
論文に示されている集積回路モジユールを単に変
形した構成にすぎないので、ここでは図示せずま
た詳細な説明も与えない。
上述の論文に示されているパツケージは熱伝導
モジユール(TCMと略称される)と呼ばれる。
これは、各々が704個までの回路をもつ100個まで
の論理チツプを相互接続するために、99×90mm2
の多層セラミツク基板を利用する。このモジユー
ルは基板の裏側に1800個のピンをろう付けされて
なり、モジユールは、コネクタ・アセンブリを介
して回路ボードに接続される。その基板は、モリ
ブデンによつてメタライズされた33個までの層か
ら成る。これらの層は、電力分配と、インピーダ
ンス制御された12000個までのチツプ・パツドの
相互接続と、1800個のモジユール・ピンに対する
結線を用意する。典型的な基板は、層間接続のた
めの350000個のバイア(導電性スルー・ホール)
と、130mのX−Y結線を有する。基板全体の厚
さは約5.5mmである。
モジユール(TCMと略称される)と呼ばれる。
これは、各々が704個までの回路をもつ100個まで
の論理チツプを相互接続するために、99×90mm2
の多層セラミツク基板を利用する。このモジユー
ルは基板の裏側に1800個のピンをろう付けされて
なり、モジユールは、コネクタ・アセンブリを介
して回路ボードに接続される。その基板は、モリ
ブデンによつてメタライズされた33個までの層か
ら成る。これらの層は、電力分配と、インピーダ
ンス制御された12000個までのチツプ・パツドの
相互接続と、1800個のモジユール・ピンに対する
結線を用意する。典型的な基板は、層間接続のた
めの350000個のバイア(導電性スルー・ホール)
と、130mのX−Y結線を有する。基板全体の厚
さは約5.5mmである。
モジユール10は複数の入出力ピン12をも
ち、それらは点15で内部信号回路にろう付けさ
れている。このことは慣用技術であつて、前述の
IBM Journal of Research and Development
に記載されている。尚、ピン12は、上記文献に
示すように、モジユール10の底面全体を覆つて
いる。しかし、第1図では、図示の便宜上一部の
ピンを示すにとどめる。モジユール10はまた、
3つの側面に複数の電力コネクタ17を有する。
これらのコネクタは、上述の文献に示されている
モジユールには含まれていない部品であるため、
第2図及び第3図を参照して後で詳細に説明す
る。
ち、それらは点15で内部信号回路にろう付けさ
れている。このことは慣用技術であつて、前述の
IBM Journal of Research and Development
に記載されている。尚、ピン12は、上記文献に
示すように、モジユール10の底面全体を覆つて
いる。しかし、第1図では、図示の便宜上一部の
ピンを示すにとどめる。モジユール10はまた、
3つの側面に複数の電力コネクタ17を有する。
これらのコネクタは、上述の文献に示されている
モジユールには含まれていない部品であるため、
第2図及び第3図を参照して後で詳細に説明す
る。
多層セラミツク・フレーム20は、コネクタ1
7をもつモジユール10の側面に対応する3つの
側面をもつ電力コネクタ27をもつ。多層セラミ
ツク・フレーム20とコネクタ27の構造につい
ては第2図及び第3図を参照して後で詳細に説明
する。また、組立用ボルト孔をもつ金属支持フレ
ーム14が、このアセンブリ全体を保持するよう
に適合される。
7をもつモジユール10の側面に対応する3つの
側面をもつ電力コネクタ27をもつ。多層セラミ
ツク・フレーム20とコネクタ27の構造につい
ては第2図及び第3図を参照して後で詳細に説明
する。また、組立用ボルト孔をもつ金属支持フレ
ーム14が、このアセンブリ全体を保持するよう
に適合される。
モジユール10は、多層セラミツク基板上に取
付けられた複数の集積回路チツプ(図示しない)
を有する。モジユール10中の多層セラミツク基
板の一部は、第2図及び第3図に図示され、後で
詳細に説明する。
付けられた複数の集積回路チツプ(図示しない)
を有する。モジユール10中の多層セラミツク基
板の一部は、第2図及び第3図に図示され、後で
詳細に説明する。
保持フレーム20は多層セラミツクから成り、
モジユール10上のコネクタ17に適合するよう
に配置された3列のコネクタ27をもつ。そして
フレーム20中の3列の回路23,24及び25
が3列のコネクタ27を相互接続する。このと
き、回路線21が回路23,24及び25の列を
コネクタ27に接続する。第1図において、回路
21,23,24及び25を図示するために、フ
レームの上層の一部が破断されていることに注意
されたい。ピン29は、ピン12をモジユール1
0上の回路にろう付けするために使用されたのと
同じ技術を用いて回路線23,24及び25に接
続されている。ピン29は、フレームに電力を与
える標準的なコネクタ29Aに挿入される。
モジユール10上のコネクタ17に適合するよう
に配置された3列のコネクタ27をもつ。そして
フレーム20中の3列の回路23,24及び25
が3列のコネクタ27を相互接続する。このと
き、回路線21が回路23,24及び25の列を
コネクタ27に接続する。第1図において、回路
21,23,24及び25を図示するために、フ
レームの上層の一部が破断されていることに注意
されたい。ピン29は、ピン12をモジユール1
0上の回路にろう付けするために使用されたのと
同じ技術を用いて回路線23,24及び25に接
続されている。ピン29は、フレームに電力を与
える標準的なコネクタ29Aに挿入される。
多層回路ボード30は、その一部のみが図示さ
れており、モジユール10上のピン12に係合す
るように配置される複数の雌コネクタ31をも
つ。多層回路ボード30は慣用的であつて、前述
のIBM Journal of Research and
Developmentに示されているボードに類似する。
れており、モジユール10上のピン12に係合す
るように配置される複数の雌コネクタ31をも
つ。多層回路ボード30は慣用的であつて、前述
のIBM Journal of Research and
Developmentに示されているボードに類似する。
多層セラミツク・モジユール10と、多層セラ
ミツク・フレーム20は、慣用的な多層セラミツ
ク回路を構成するのと同様の技術を用いて構成さ
れている。多層セラミツク処理に使用される基本
的な構成ブロツクは、セラミツク・グリーン・シ
ートである。これらのシートは、有機バインダ中
に懸だくされたセラミツクとガラス粉末からな
る。これらは焼結前には公称0.2mmないし0.28mm
厚である。
ミツク・フレーム20は、慣用的な多層セラミツ
ク回路を構成するのと同様の技術を用いて構成さ
れている。多層セラミツク処理に使用される基本
的な構成ブロツクは、セラミツク・グリーン・シ
ートである。これらのシートは、有機バインダ中
に懸だくされたセラミツクとガラス粉末からな
る。これらは焼結前には公称0.2mmないし0.28mm
厚である。
これらのグリーン・シートは、樹脂と溶剤の混
合物中に懸だくされたモリブデン粉末でスクリー
ン印刷することによつて所望のパターンにメタラ
イズされる。このスクリーニング操作に続いて、
シートは乾燥され積み重ねられる。この積み重ね
られたシートは積層され所望の形状に切断されて
焼結される。この処理は慣用的であつて、従来技
術の文献で述べられている。
合物中に懸だくされたモリブデン粉末でスクリー
ン印刷することによつて所望のパターンにメタラ
イズされる。このスクリーニング操作に続いて、
シートは乾燥され積み重ねられる。この積み重ね
られたシートは積層され所望の形状に切断されて
焼結される。この処理は慣用的であつて、従来技
術の文献で述べられている。
さて、モジユール10上のコネクタ17の詳細
を第2図及び第3図を参照して説明する。第2図
は、モジユール10中の多層セラミツク基板中の
一本の回路線40を示す。回路線40は、セラミ
ツク基板の端面まで延出され、セラミツク基板の
端面にはスルー・ホール・バイア41が配置され
ている。このバイア41は、積み重ねられたシー
トが最終の所望の形状に切断されるときに半分に
切られるように配置される。
を第2図及び第3図を参照して説明する。第2図
は、モジユール10中の多層セラミツク基板中の
一本の回路線40を示す。回路線40は、セラミ
ツク基板の端面まで延出され、セラミツク基板の
端面にはスルー・ホール・バイア41が配置され
ている。このバイア41は、積み重ねられたシー
トが最終の所望の形状に切断されるときに半分に
切られるように配置される。
本発明によれば、多層セラミツク・モジユール
10と多層セラミツク・フレーム20を構成する
処理は、コネクタ17または27が要望される箇
所でセラミツク基板の端面に導電バイアが配置さ
れることを除けば、慣用的な多層セラミツク処理
と同一である。これらのバイアは、セラミツク基
板が必要なサイズに切られる箇所で半分に切られ
るように配置される。
10と多層セラミツク・フレーム20を構成する
処理は、コネクタ17または27が要望される箇
所でセラミツク基板の端面に導電バイアが配置さ
れることを除けば、慣用的な多層セラミツク処理
と同一である。これらのバイアは、セラミツク基
板が必要なサイズに切られる箇所で半分に切られ
るように配置される。
第3図に示すように、導電バイアの露出端面
は、コネクタ17を形成するように錫鉛組成物で
錫引き、即ち、半田メツキで肉盛りされる(第2
図及び第3図中の番号42参照)。この錫引きは、
基板の端面を溶融錫鉛浴に浸漬することによつて
行うことができる。このとき、錫鉛は露出された
導電バイアにしか付着しない。
は、コネクタ17を形成するように錫鉛組成物で
錫引き、即ち、半田メツキで肉盛りされる(第2
図及び第3図中の番号42参照)。この錫引きは、
基板の端面を溶融錫鉛浴に浸漬することによつて
行うことができる。このとき、錫鉛は露出された
導電バイアにしか付着しない。
フレーム20上のコネクタ27も同様にして形
成される。すなわち、フレーム20は少くとも3
つの回路をもつ多層セラミツク構造である。これ
らの回路上の線は、第2図及び第3図に示すよう
にモジユール10上でコネクタ17が形成された
のと同じ方法で、コネクタ27を形成するように
引き出される。尚、第1図に示されている線2
3,24,25及び26は、図示及び説明の簡便
のため図式的に示されていることに留意された
い。実際は、線23,24,25及び26は、多
層セラミツク回路構造中にある回路線である。
成される。すなわち、フレーム20は少くとも3
つの回路をもつ多層セラミツク構造である。これ
らの回路上の線は、第2図及び第3図に示すよう
にモジユール10上でコネクタ17が形成された
のと同じ方法で、コネクタ27を形成するように
引き出される。尚、第1図に示されている線2
3,24,25及び26は、図示及び説明の簡便
のため図式的に示されていることに留意された
い。実際は、線23,24,25及び26は、多
層セラミツク回路構造中にある回路線である。
F 発明の効果
以上説明したように、この発明によれば、電力
コネクタが信号コネクタとは別の箇所に形成され
て、信号コネクタの高密度を可能ならしめる、信
頼性の高い集積回路パツケージが提供される。
コネクタが信号コネクタとは別の箇所に形成され
て、信号コネクタの高密度を可能ならしめる、信
頼性の高い集積回路パツケージが提供される。
第1図は、本発明のパツケージの分解斜視図、
第2図は、本発明に基づき構成されたモジユール
上のエツジ・コネクタの斜視図、第3図は、本発
明に基づき構成されたエツジ・コネクタの側面図
である。 10……回路モジユール、12……信号線ピ
ン、17……電力コネクタ、20……保持フレー
ム、27……電力コネクタ。
第2図は、本発明に基づき構成されたモジユール
上のエツジ・コネクタの斜視図、第3図は、本発
明に基づき構成されたエツジ・コネクタの側面図
である。 10……回路モジユール、12……信号線ピ
ン、17……電力コネクタ、20……保持フレー
ム、27……電力コネクタ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 信号用及び電力用内部配線回路、層間相互接
続用の導電性バイアを少なくとも含む多層セラミ
ツク基板と、該基板表面上に装着され内部配線回
路に接続された複数個の集積回路チツプと、導電
性バイアに選択的に接続され基板底面から行列状
に亘つて垂直に突出している複数本の信号用コネ
クタ・ピンと、から成るモジユールを設け、この
モジユールを多層セラミツク材の保持フレームに
嵌込み、上記コンタクト・ピンを多層回路ボード
のコネクタに挿入することにより集積回路チツプ
の内部配線回路を多層回路ボードの内部配線回路
に相互接続する挿脱可能な集積回路パツケージに
おいて、 上記モジユールは、選択された導電性バイアを
縦割りにしてその内面を露出した基板に垂直な外
周側面を備え、導電性バイアの露出内面に半田層
が施されてモジユールの複数列の電力用接点を構
成しており、 上記保持フレームの内周側面は、上記モジユー
ルの上記外周側面を嵌合するように垂直面をなし
ていて、モジユールの電力用接点に対接する位置
に、保持フレーム内部の電力配線回路に接続され
たフレームの電力用接点を備えており、 上記フレーム内部の電力配線回路は、保持フレ
ームの1つの外周側壁から突出した複数列の電力
用コネクタ・ピンの他端に固着されており、 モジユールのための保持フレームに電力供給用
のコネクタアセンブリの機能をもたせた集積回路
パツケージ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/018,633 US4814857A (en) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | Circuit module with separate signal and power connectors |
US18633 | 1987-02-25 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63217653A JPS63217653A (ja) | 1988-09-09 |
JPH0542140B2 true JPH0542140B2 (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=21788968
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62315457A Granted JPS63217653A (ja) | 1987-02-25 | 1987-12-15 | 集積回路パツケージ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4814857A (ja) |
EP (1) | EP0282693B1 (ja) |
JP (1) | JPS63217653A (ja) |
DE (1) | DE3879737T2 (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US5010038A (en) * | 1989-06-29 | 1991-04-23 | Digital Equipment Corp. | Method of cooling and powering an integrated circuit chip using a compliant interposing pad |
US5068715A (en) * | 1990-06-29 | 1991-11-26 | Digital Equipment Corporation | High-power, high-performance integrated circuit chip package |
US5487673A (en) * | 1993-12-13 | 1996-01-30 | Rockwell International Corporation | Package, socket, and connector for integrated circuit |
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-
1987
- 1987-02-25 US US07/018,633 patent/US4814857A/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-12-15 JP JP62315457A patent/JPS63217653A/ja active Granted
-
1988
- 1988-01-19 EP EP88100675A patent/EP0282693B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-01-19 DE DE88100675T patent/DE3879737T2/de not_active Expired - Fee Related
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DE3879737T2 (de) | 1993-10-07 |
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DE3879737D1 (de) | 1993-05-06 |
EP0282693A1 (en) | 1988-09-21 |
EP0282693B1 (en) | 1993-03-31 |
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