JPH053740B2 - - Google Patents
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- JPH053740B2 JPH053740B2 JP10980786A JP10980786A JPH053740B2 JP H053740 B2 JPH053740 B2 JP H053740B2 JP 10980786 A JP10980786 A JP 10980786A JP 10980786 A JP10980786 A JP 10980786A JP H053740 B2 JPH053740 B2 JP H053740B2
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- Japan
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- lead
- power supply
- aging
- lead frame
- thin film
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、テープキヤリア方式によつて製造さ
れる、半導体集積回路に用いるリードフレームに
関する。
れる、半導体集積回路に用いるリードフレームに
関する。
テープキヤリア方式とは、ポリイミド樹脂等の
絶縁性フレキシブルなフイルム上に密着して設け
られた、導電性のリードを有するリードフレーム
と、半導体素子に設けられた突起電極とを直接に
熱圧着するアセンブリー方式である。このテープ
キヤリア方式は、電子機器の小型化、薄型化の傾
向にある中で、装置実装上重要な方式となり、ま
た、電子機器内での半導体集積回路相互の伝達遅
延時間を減少させる方式として広く用いられてい
る。
絶縁性フレキシブルなフイルム上に密着して設け
られた、導電性のリードを有するリードフレーム
と、半導体素子に設けられた突起電極とを直接に
熱圧着するアセンブリー方式である。このテープ
キヤリア方式は、電子機器の小型化、薄型化の傾
向にある中で、装置実装上重要な方式となり、ま
た、電子機器内での半導体集積回路相互の伝達遅
延時間を減少させる方式として広く用いられてい
る。
従来のテープキヤリア方式用リードフレーム
は、第3図の平面図に示すように、均質のテープ
状のポリイミド等の絶縁性フイルム11上に密着
して設けられた銅などの金属箔からなるリード1
3を有して金属腐触法および電気鍍金法等によつ
て形成され、このリード13の半導体素子15が
接続される側はデバイスホール14に突き出して
おり、その先端13aに半導体素子15の突起電
極が熱圧着され、その後このリードの他端13b
に探針を接触させて半導体素子15の電気的な特
性を測定したり、エージング用の電圧を印加させ
るようになつていた。
は、第3図の平面図に示すように、均質のテープ
状のポリイミド等の絶縁性フイルム11上に密着
して設けられた銅などの金属箔からなるリード1
3を有して金属腐触法および電気鍍金法等によつ
て形成され、このリード13の半導体素子15が
接続される側はデバイスホール14に突き出して
おり、その先端13aに半導体素子15の突起電
極が熱圧着され、その後このリードの他端13b
に探針を接触させて半導体素子15の電気的な特
性を測定したり、エージング用の電圧を印加させ
るようになつていた。
半導体集積回路の製造工程中には、アセンブリ
ー工程終了後、実際の使用上の初期動作不良とな
るべき集積回路の除去を目的としたエージング試
験があり、通常このエージング試験では、集積回
路に室温より高い温度を加えると同時に、所定の
電圧を印加して加速試験を行つている。
ー工程終了後、実際の使用上の初期動作不良とな
るべき集積回路の除去を目的としたエージング試
験があり、通常このエージング試験では、集積回
路に室温より高い温度を加えると同時に、所定の
電圧を印加して加速試験を行つている。
しかしながら近年高機能化の進んだ半導体集積
回路においては、極めて多数のリードを有するた
め、上述した従来のリードフレームは、すべての
リード電極に電圧を印加することが困難であり、
充分なエージング試験を行なえないという欠点が
ある。
回路においては、極めて多数のリードを有するた
め、上述した従来のリードフレームは、すべての
リード電極に電圧を印加することが困難であり、
充分なエージング試験を行なえないという欠点が
ある。
本発明のリードフレームは、絶縁性フイルム上
に、一端がリードに接続されている金属薄膜抵抗
が設けられ、少なくとも2つのリードが、そのう
ちの少なくとも1つのリードが金属薄膜抵抗を介
して接続されている共通の電極部を有することを
特徴とする。
に、一端がリードに接続されている金属薄膜抵抗
が設けられ、少なくとも2つのリードが、そのう
ちの少なくとも1つのリードが金属薄膜抵抗を介
して接続されている共通の電極部を有することを
特徴とする。
したがつて、半導体集積回路のエージング試験
をするときには、多数のリードのうち、あるリー
ドには、エージング試験用電源電圧を直接印加
し、他のリードには、同一の電源電圧を薄膜抵抗
を介して印加して、過剰電流に対して半導体集積
回路を保護することにより、能率的かつ安全にエ
ージング試験を行うことができる。
をするときには、多数のリードのうち、あるリー
ドには、エージング試験用電源電圧を直接印加
し、他のリードには、同一の電源電圧を薄膜抵抗
を介して印加して、過剰電流に対して半導体集積
回路を保護することにより、能率的かつ安全にエ
ージング試験を行うことができる。
次に、本発明の実施例について図面を参照して
説明する。
説明する。
第1図は本発明のリードフレームの一実施例の
平面図である。
平面図である。
絶縁性フイルム11上に設けられたリード13
は、リード先端部13aで半導体素子15の突起
電極と熱圧着され、測定時に使用される測定用端
子13bを有し、さらに金属薄膜抵抗16を介し
エージング電源端子17に接続されている。エー
ジング試験を行う際、電源の1つの電極がエージ
ング電源端子17へ接続されることにより、本来
電源電圧が印加される電源用リード18へ電圧が
加わると同時に、他の入力信号又は出力信号用の
リード13にも電圧が印加される。通常、入力信
号、出力信号端子へは、半導体集積回路を動作さ
せるべき電圧が直接印加されると、過剰な電流が
流れ、半導体素子の破壊を起こすことがあるの
で、直列に設けた金属薄膜抵抗16がその保護の
役目を果している。一方、電源から供給された電
流は、電源の他の電極用のエージング電源端子1
9側へと流れ出す。
は、リード先端部13aで半導体素子15の突起
電極と熱圧着され、測定時に使用される測定用端
子13bを有し、さらに金属薄膜抵抗16を介し
エージング電源端子17に接続されている。エー
ジング試験を行う際、電源の1つの電極がエージ
ング電源端子17へ接続されることにより、本来
電源電圧が印加される電源用リード18へ電圧が
加わると同時に、他の入力信号又は出力信号用の
リード13にも電圧が印加される。通常、入力信
号、出力信号端子へは、半導体集積回路を動作さ
せるべき電圧が直接印加されると、過剰な電流が
流れ、半導体素子の破壊を起こすことがあるの
で、直列に設けた金属薄膜抵抗16がその保護の
役目を果している。一方、電源から供給された電
流は、電源の他の電極用のエージング電源端子1
9側へと流れ出す。
エージング試験終了後、電気的特性を測定する
ためにエージング電源端子17は取り除かれる。
第2図は、第1図のリードフレームからエージン
グ電源端子17が取り除かれたものの平面図であ
る。
ためにエージング電源端子17は取り除かれる。
第2図は、第1図のリードフレームからエージン
グ電源端子17が取り除かれたものの平面図であ
る。
エージング試験後、測定機に装着されたフイル
ムキヤリア方式半導体集積回路が測定される前
に、順次エージング電源端子17にアイソレーシ
ヨンホール20をあけて入力信号用および出力信
号用リード13が相互に切り離されると同時に電
源用リード18とも切り離され、本来の集積回路
の機能を有するか否かを測定することができる。
ムキヤリア方式半導体集積回路が測定される前
に、順次エージング電源端子17にアイソレーシ
ヨンホール20をあけて入力信号用および出力信
号用リード13が相互に切り離されると同時に電
源用リード18とも切り離され、本来の集積回路
の機能を有するか否かを測定することができる。
以上説明したように本発明は、フイルムキヤリ
ア方式の半導体集積回路にエージング電源端子
と、半導体素子を過剰電流から保護するための金
属薄膜抵抗を設けることにより、エージング試験
において、多数の入力信号用および出力信号用端
子すべてに電源を容易に印加することが可能とな
り、初期動作不良となる集積回路の効果的なスク
リーニングを得ることができる効果がある。
ア方式の半導体集積回路にエージング電源端子
と、半導体素子を過剰電流から保護するための金
属薄膜抵抗を設けることにより、エージング試験
において、多数の入力信号用および出力信号用端
子すべてに電源を容易に印加することが可能とな
り、初期動作不良となる集積回路の効果的なスク
リーニングを得ることができる効果がある。
第1図は本発明のリードフレームの一実施例の
平面図、第2図は第1図のリードフレームからエ
ージング電源端子17が取り除かれたものの平面
図、第3図はリードフレームの従来例の平面図で
ある。 11……絶縁性フイルム、13……リード、1
3a……リード先端部、13b……測定用端子、
15……半導体素子、16……金属薄膜抵抗、1
7,19……エージング電源端子、18……電源
用リード、20……アイソレーシヨンホール。
平面図、第2図は第1図のリードフレームからエ
ージング電源端子17が取り除かれたものの平面
図、第3図はリードフレームの従来例の平面図で
ある。 11……絶縁性フイルム、13……リード、1
3a……リード先端部、13b……測定用端子、
15……半導体素子、16……金属薄膜抵抗、1
7,19……エージング電源端子、18……電源
用リード、20……アイソレーシヨンホール。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 電極用リードがテープ状の絶縁性フイルム上
に密着して設けられた、テープキヤリア方式に用
いるリードフレームにおいて、 絶縁性フイルム上に、一端がリードに接続され
ている金属薄膜抵抗が設けられ、 少なくとも2つのリードが、そのうちの少なく
とも1つのリードが前記金属薄膜抵抗を介して接
続されている共通の電極部を有することを特徴と
するリードフレーム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10980786A JPS62265731A (ja) | 1986-05-13 | 1986-05-13 | リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10980786A JPS62265731A (ja) | 1986-05-13 | 1986-05-13 | リ−ドフレ−ム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62265731A JPS62265731A (ja) | 1987-11-18 |
JPH053740B2 true JPH053740B2 (ja) | 1993-01-18 |
Family
ID=14519702
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10980786A Granted JPS62265731A (ja) | 1986-05-13 | 1986-05-13 | リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62265731A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02135793A (ja) * | 1988-11-16 | 1990-05-24 | Ibiden Co Ltd | 厚膜素子を有するフィルムキャリアの製造方法 |
US5239191A (en) * | 1990-01-19 | 1993-08-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor wafer |
-
1986
- 1986-05-13 JP JP10980786A patent/JPS62265731A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS62265731A (ja) | 1987-11-18 |
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