JPH0536854A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0536854A JPH0536854A JP3187159A JP18715991A JPH0536854A JP H0536854 A JPH0536854 A JP H0536854A JP 3187159 A JP3187159 A JP 3187159A JP 18715991 A JP18715991 A JP 18715991A JP H0536854 A JPH0536854 A JP H0536854A
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- metal cap
- semiconductor device
- metal
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は半導体装置に関し、ガラスウインド
を有する金属製キャップをシームウエルド方式でベース
に接合できるＥＰＲＯＭ型半導体装置を実現することを
目的とする。 【構成】 光により消去可能な半導体記憶素子１１を搭
載したベース１０に、ガラスウインド１５を有する金属
製キャップ１４をシームウエルド法により接合し気密封
止して成るように構成する。
を有する金属製キャップをシームウエルド方式でベース
に接合できるＥＰＲＯＭ型半導体装置を実現することを
目的とする。 【構成】 光により消去可能な半導体記憶素子１１を搭
載したベース１０に、ガラスウインド１５を有する金属
製キャップ１４をシームウエルド法により接合し気密封
止して成るように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関する。詳
しくは、ガラスウインドを有するキャップをシームウエ
ルド方式で封止可能としたＥＰＲＯＭ型半導体装置に関
する。半導体素子を保護するパッケージング方式におい
て、まず第１に要求されることは、高い気密性を高い信
頼性において行うことであり、また部材の価格において
も低コスト化及び薄型化が望まれている。
しくは、ガラスウインドを有するキャップをシームウエ
ルド方式で封止可能としたＥＰＲＯＭ型半導体装置に関
する。半導体素子を保護するパッケージング方式におい
て、まず第１に要求されることは、高い気密性を高い信
頼性において行うことであり、また部材の価格において
も低コスト化及び薄型化が望まれている。
【０００２】
【従来の技術】現在、半導体素子をパッケージングする
方法には気密封止と樹脂封止とに大別できる。ＥＰＲＯ
Ｍ型半導体装置は記憶データを消去するための光を通す
窓が必要であるため、気密封止が採用されている。気密
封止方法には、半導体素子を搭載したセラミックベース
に金属製又は非金属製のキャップをＡｕ−Ｓｎ合金又は
半田等で封止する方法と、金属部を溶融し接合する方法
とがある。
方法には気密封止と樹脂封止とに大別できる。ＥＰＲＯ
Ｍ型半導体装置は記憶データを消去するための光を通す
窓が必要であるため、気密封止が採用されている。気密
封止方法には、半導体素子を搭載したセラミックベース
に金属製又は非金属製のキャップをＡｕ−Ｓｎ合金又は
半田等で封止する方法と、金属部を溶融し接合する方法
とがある。
【０００３】そして、金属部を溶融して接合する方法に
も種々の手法があるが、現在行なわれている中で最も信
頼性が高く部材が低コストで薄い材質を使用するのはシ
ームウエルド方式である。このシームウエルド方式で
は、その封止方法がキャップの金属部を溶融し接合する
ものであるため、キャップの接合部の厚さを金属部の溶
融が容易に可能な値である０．０８mm〜０．１２５mmに
しなければならない。
も種々の手法があるが、現在行なわれている中で最も信
頼性が高く部材が低コストで薄い材質を使用するのはシ
ームウエルド方式である。このシームウエルド方式で
は、その封止方法がキャップの金属部を溶融し接合する
ものであるため、キャップの接合部の厚さを金属部の溶
融が容易に可能な値である０．０８mm〜０．１２５mmに
しなければならない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、ＥＰＲＯＭ
型半導体装置の金属製キャップのガラスウインドでは、
図６に示すように、ガラスウインドと金属部の密着性を
保持し高い気密性を保つためにはガラスウインドと金属
部の接合幅、即ち各部材の厚さが０．５０mm以上必要で
ある。従ってガラスウインド付金属製キャップについて
は、ベースとキャップを封止する方法には信頼性が高く
部材が低コストなシームウエルド方式の採用が出来ずＡ
ｕ−Ｓｎ合金又は半田又はガラス等の接合材を使用して
行わなければならずコストアップの原因となっている。
また、封止時に部材の厚さが０．５０mm以上と厚いた
め、キャップとベースの反り、寸法等が大きくなり、そ
の影響によって気密性が保持できない等の問題が発生
し、信頼性が欠けるという問題がある。
型半導体装置の金属製キャップのガラスウインドでは、
図６に示すように、ガラスウインドと金属部の密着性を
保持し高い気密性を保つためにはガラスウインドと金属
部の接合幅、即ち各部材の厚さが０．５０mm以上必要で
ある。従ってガラスウインド付金属製キャップについて
は、ベースとキャップを封止する方法には信頼性が高く
部材が低コストなシームウエルド方式の採用が出来ずＡ
ｕ−Ｓｎ合金又は半田又はガラス等の接合材を使用して
行わなければならずコストアップの原因となっている。
また、封止時に部材の厚さが０．５０mm以上と厚いた
め、キャップとベースの反り、寸法等が大きくなり、そ
の影響によって気密性が保持できない等の問題が発生
し、信頼性が欠けるという問題がある。
【０００５】本発明は、ガラスウインドを有する金属製
キャップをシームウエルド方式でベースに接合できるＥ
ＰＲＯＭ型半導体装置を実現しようとする。
キャップをシームウエルド方式でベースに接合できるＥ
ＰＲＯＭ型半導体装置を実現しようとする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置に於
いては、光により消去可能な半導体記憶素子１１を搭載
したベース１０に、ガラスウインド１５を有する金属製
キャップ１４をシームウエルド法により接合し気密封止
して成ることを特徴とする。
いては、光により消去可能な半導体記憶素子１１を搭載
したベース１０に、ガラスウインド１５を有する金属製
キャップ１４をシームウエルド法により接合し気密封止
して成ることを特徴とする。
【０００７】また、それに加えて、上記金属製キャップ
１４は、その厚さを、ガラスウインド１５をその側面で
接合する部分は気密保持を可能とするように厚くし、ベ
ース１０への接合部分はシームウエルド可能となるよう
に薄くしたことを特徴とする。また、それに加えて、上
記金属製キャップ１４は、その厚さをシームウエルド可
能な厚さとし、ガラスウインド１５との接合はガラスウ
インド１５の平面部周辺で行なわれていることを特徴と
する。
１４は、その厚さを、ガラスウインド１５をその側面で
接合する部分は気密保持を可能とするように厚くし、ベ
ース１０への接合部分はシームウエルド可能となるよう
に薄くしたことを特徴とする。また、それに加えて、上
記金属製キャップ１４は、その厚さをシームウエルド可
能な厚さとし、ガラスウインド１５との接合はガラスウ
インド１５の平面部周辺で行なわれていることを特徴と
する。
【０００８】また、それに加えて、上記金属製キャップ
１４は、その厚さをシームウエルド可能な厚さとし、ガ
ラスウインド１５は金属製キャップ１４の窓穴に嵌合す
る段差部１５ａを設け、金属製キャップ１４への接合
は、ガラスウインド１５の前記段差部及び平面部で接合
されていることを特徴とする。
１４は、その厚さをシームウエルド可能な厚さとし、ガ
ラスウインド１５は金属製キャップ１４の窓穴に嵌合す
る段差部１５ａを設け、金属製キャップ１４への接合
は、ガラスウインド１５の前記段差部及び平面部で接合
されていることを特徴とする。
【０００９】また、それに加えて、上記金属製キャップ
１４は、その厚さをシームウエルド可能な厚さとし、且
つガラスウインド１５を嵌合する凹部が設けられ、ガラ
スウインド１５との接合は、ガラスウインド１５の外周
と平面部周辺で行なわれていることを特徴とする。また
それに加えて、上記金属製キャップ１４は、その厚さを
シームウエルド可能な厚さとし、且つガラスウインド１
５を嵌合する凹部が設けられ、ガラスウインド１５には
金属製キャップ１４の窓穴に嵌合する段差部１５ａを設
け、金属製キャップ１４への接合は外周と平面部周辺
と、前記段差部で行なわれていることを特徴とする。こ
の構成を採ることにより、ガラスウインドを有する金属
製キャップをシームウエルド方式でベースに接合できる
ＥＰＲＯＭ型半導体装置が得られる。
１４は、その厚さをシームウエルド可能な厚さとし、且
つガラスウインド１５を嵌合する凹部が設けられ、ガラ
スウインド１５との接合は、ガラスウインド１５の外周
と平面部周辺で行なわれていることを特徴とする。また
それに加えて、上記金属製キャップ１４は、その厚さを
シームウエルド可能な厚さとし、且つガラスウインド１
５を嵌合する凹部が設けられ、ガラスウインド１５には
金属製キャップ１４の窓穴に嵌合する段差部１５ａを設
け、金属製キャップ１４への接合は外周と平面部周辺
と、前記段差部で行なわれていることを特徴とする。こ
の構成を採ることにより、ガラスウインドを有する金属
製キャップをシームウエルド方式でベースに接合できる
ＥＰＲＯＭ型半導体装置が得られる。
【００１０】
【作用】ガラスウインドを有する金属製キャップ１４
の、ガラスウインド１５と金属部１６との接合部は十分
な気密が保てるようにし、且つベース１０への接合部は
シームウエルド可能な厚さとすることにより、ベース１
０への接合を安価で且つ信頼性のあるシームウエルド方
式で接合することができる。
の、ガラスウインド１５と金属部１６との接合部は十分
な気密が保てるようにし、且つベース１０への接合部は
シームウエルド可能な厚さとすることにより、ベース１
０への接合を安価で且つ信頼性のあるシームウエルド方
式で接合することができる。
【００１１】
【実施例】図１は本発明の第１の実施例を示す断面図で
ある。同図において、１０はセラミックのベースであ
り、その凹部にはＥＰＲＯＭ型半導体素子１１が搭載さ
れ、該半導体素子１１の電極とリード（図示省略）との
間はワイヤ１２でワイヤボンディングされている。さら
に該ベース１０のキャップが接合される部分には金属層
１３が形成されている。
ある。同図において、１０はセラミックのベースであ
り、その凹部にはＥＰＲＯＭ型半導体素子１１が搭載さ
れ、該半導体素子１１の電極とリード（図示省略）との
間はワイヤ１２でワイヤボンディングされている。さら
に該ベース１０のキャップが接合される部分には金属層
１３が形成されている。
【００１２】１４は金属製キャップであり、ガラスウイ
ンド１５が設けられている。そして、ガラスウインド１
５と金属部１６との接合部は十分な気密性が得られるよ
うに該部の金属部１６の板厚Ｔを厚く（０．５０mm以
上）してあり、ベース１０への接合部の厚さｔは、シー
ムウエルド可能な厚さ（０．０８〜０．１２５mm）とし
ている。そして該金属製キャップ１４は厚さの薄い部分
でベース１０へ矢印Ａ方向からシームウエルドにより接
合されている。
ンド１５が設けられている。そして、ガラスウインド１
５と金属部１６との接合部は十分な気密性が得られるよ
うに該部の金属部１６の板厚Ｔを厚く（０．５０mm以
上）してあり、ベース１０への接合部の厚さｔは、シー
ムウエルド可能な厚さ（０．０８〜０．１２５mm）とし
ている。そして該金属製キャップ１４は厚さの薄い部分
でベース１０へ矢印Ａ方向からシームウエルドにより接
合されている。
【００１３】このように構成された本実施例は、金属製
キャップ１４の厚さを、ガラスウインド１５の接合部で
は十分気密を保つことができる厚さとしているため十分
な気密保持ができ、ベース１０への接合部ではシームウ
エルド可能な厚さに薄くしているためシームウエルド可
能である。これにより安価で且つ信頼性のあるシームウ
エルドにより封止した半導体装置が実現できる。
キャップ１４の厚さを、ガラスウインド１５の接合部で
は十分気密を保つことができる厚さとしているため十分
な気密保持ができ、ベース１０への接合部ではシームウ
エルド可能な厚さに薄くしているためシームウエルド可
能である。これにより安価で且つ信頼性のあるシームウ
エルドにより封止した半導体装置が実現できる。
【００１４】図２は本発明の第２の実施例を示す断面図
である。同図において、図１と同一部分は同一符号を付
して示した。本実施例は、金属製キャップ１４以外は前
実施例と同様である。本実施例の金属製キャップ１４
は、その金属部１６の厚さをシームウエルド可能な厚さ
（０．０８〜０．１２５mm）としている。ガラスウイン
ド１５と金属部１６との接合は、ガラスウインド１５の
平面部周辺を用い、気密封止に十分な面積をとれるよう
にしている。そしてベース１０への接合は、前実施例と
同様に矢印Ａ方向からシームウエルドにより接合してい
る。
である。同図において、図１と同一部分は同一符号を付
して示した。本実施例は、金属製キャップ１４以外は前
実施例と同様である。本実施例の金属製キャップ１４
は、その金属部１６の厚さをシームウエルド可能な厚さ
（０．０８〜０．１２５mm）としている。ガラスウイン
ド１５と金属部１６との接合は、ガラスウインド１５の
平面部周辺を用い、気密封止に十分な面積をとれるよう
にしている。そしてベース１０への接合は、前実施例と
同様に矢印Ａ方向からシームウエルドにより接合してい
る。
【００１５】このように構成された本実施例は、ガラス
ウインド１５と金属部１６との接合は気密を十分に保つ
ことができ、また金属製キャップ１４とベース１０との
接合はシームウエルドにより接合されているため、安価
で且つ信頼性のある半導体装置が実現できる。
ウインド１５と金属部１６との接合は気密を十分に保つ
ことができ、また金属製キャップ１４とベース１０との
接合はシームウエルドにより接合されているため、安価
で且つ信頼性のある半導体装置が実現できる。
【００１６】図３は本発明の第３の実施例を示す断面図
である。同図において、図１と同一部分は同一符号を付
して示した。本実施例は図２に示した第２の実施例とほ
ぼ同様であり、異なるところは、金属キャップ１４にお
いて、ガラスウインド１５の金属部１６へ接合される部
分に金属部の窓穴に嵌合する段差部１５ａを設け、該段
差部と平面部で金属部１６へ接合したことである。この
ように構成された本実施例は、第２の実施例と同様な効
果を有する上、さらにガラスウインドと金属部との接合
の信頼性が向上する。
である。同図において、図１と同一部分は同一符号を付
して示した。本実施例は図２に示した第２の実施例とほ
ぼ同様であり、異なるところは、金属キャップ１４にお
いて、ガラスウインド１５の金属部１６へ接合される部
分に金属部の窓穴に嵌合する段差部１５ａを設け、該段
差部と平面部で金属部１６へ接合したことである。この
ように構成された本実施例は、第２の実施例と同様な効
果を有する上、さらにガラスウインドと金属部との接合
の信頼性が向上する。
【００１７】図４は本発明の第４の実施例を示す断面図
である。同図において、図１と同一部分は同一符号を付
して示した。本実施例は金属製キャップ１４以外は第１
乃至第３の実施例と同様である。本実施例の金属製キャ
ップ１４は、その金属部１６の厚さをシームウエルド可
能な厚さ（０．０８〜０．１２５mm）とし、ガラスウイ
ンド１５が嵌合される凹部を形成し、該凹部にガラスウ
インド１５を挿入し、その側面と平面部周辺とで金属部
１６に接合させている。またベース１０への接合は前実
施例と同様に矢印Ａ方向からシームウエルドにより接合
している。
である。同図において、図１と同一部分は同一符号を付
して示した。本実施例は金属製キャップ１４以外は第１
乃至第３の実施例と同様である。本実施例の金属製キャ
ップ１４は、その金属部１６の厚さをシームウエルド可
能な厚さ（０．０８〜０．１２５mm）とし、ガラスウイ
ンド１５が嵌合される凹部を形成し、該凹部にガラスウ
インド１５を挿入し、その側面と平面部周辺とで金属部
１６に接合させている。またベース１０への接合は前実
施例と同様に矢印Ａ方向からシームウエルドにより接合
している。
【００１８】このように構成された本実施例は、前実施
例と同様な効果があり、さらにベースから突出部分が少
なくなるため薄型化が可能となる。
例と同様な効果があり、さらにベースから突出部分が少
なくなるため薄型化が可能となる。
【００１９】図５は本発明の第５の実施例を示す図であ
る。同図において、図１と同一部分は同一符号を付して
示した。本実施例は図４に示した第４の実施例とほぼ同
様であり、異なるところは、金属キャップ１４におい
て、ガラスウインド１５の金属部１６へ接合される部分
に、金属部の窓穴に嵌合する段差部１５ａを設け、該段
差部及び側面と、該段差と側面間の平面部で金属部１６
に接合していることである。
る。同図において、図１と同一部分は同一符号を付して
示した。本実施例は図４に示した第４の実施例とほぼ同
様であり、異なるところは、金属キャップ１４におい
て、ガラスウインド１５の金属部１６へ接合される部分
に、金属部の窓穴に嵌合する段差部１５ａを設け、該段
差部及び側面と、該段差と側面間の平面部で金属部１６
に接合していることである。
【００２０】このように構成された本実施例は、第４の
実施例と同様な効果がある上、さらにガラスウインドと
金属部との接合の信頼性が向上する。
実施例と同様な効果がある上、さらにガラスウインドと
金属部との接合の信頼性が向上する。
【００２１】
【発明の効果】本発明に依れば、ＥＰＲＯＭ型半導体装
置において、その金属製キャップをシームウエルド方式
を用いてベースに接合可能としたことにより、封止時の
工数削減、気密に対する高信頼性、コストダウン、薄型
化等が可能となる。
置において、その金属製キャップをシームウエルド方式
を用いてベースに接合可能としたことにより、封止時の
工数削減、気密に対する高信頼性、コストダウン、薄型
化等が可能となる。
【図１】本発明の第１の実施例を示す断面図である。
【図２】本発明の第２の実施例を示す断面図である。
【図３】本発明の第３の実施例を示す断面図である。
【図４】本発明の第４の実施例を示す断面図である。
【図５】本発明の第５の実施例を示す断面図である。
【図６】従来の半導体装置を示す図で、（ａ）は斜視
図、（ｂ）は（ａ）図のｂ−ｂ線における断面図であ
る。
図、（ｂ）は（ａ）図のｂ−ｂ線における断面図であ
る。
１０…ベース
１１…半導体素子
１２…ワイヤ
１３…金属層
１４…金属製キャップ
１５…ガラスウインド
１５ａ…段差部
１６…金属部
Claims (6)
- 【請求項１】 光により消去可能な半導体記憶素子（１
１）を搭載したベース（１０）に、ガラスウインド（１
５）を有する金属製キャップ（１４）をシームウエルド
法により接合し気密封止して成ることを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項２】 上記金属製キャップ（１４）は、その厚
さを、ガラスウインド（１５）をその側面で接合する部
分は気密保持を可能とするように厚くし、ベース（１
０）への接合部分はシームウエルド可能となるように薄
くしたことを特徴とする請求項１の半導体装置。 - 【請求項３】 上記金属製キャップ（１４）は、その厚
さをシームウエルド可能な厚さとし、ガラスウインド
（１５）との接合はガラスウインド（１５）の平面部周
辺で行なわれていることを特徴とする請求項１の半導体
装置。 - 【請求項４】 上記金属製キャップ（１４）は、その厚
さをシームウエルド可能な厚さとし、ガラスウインド
（１５）は金属製キャップ（１４）の窓穴に嵌合する段
差部（１５ａ）を設け、金属製キャップ（１４）への接
合は、ガラスウインド（１５）の前記段差部及び平面部
で接合されていることを特徴とする請求項１の半導体装
置。 - 【請求項５】 上記金属製キャップ（１４）は、その厚
さをシームウエルド可能な厚さとし、且つガラスウイン
ド（１５）を嵌合する凹部が設けられ、ガラスウインド
（１５）との接合は、ガラスウインド（１５）の外周と
平面部周辺で行なわれていることを特徴とする請求項１
の半導体装置。 - 【請求項６】 上記金属製キャップ（１４）は、その厚
さをシームウエルド可能な厚さとし、且つガラスウイン
ド（１５）を嵌合する凹部が設けられ、ガラスウインド
（１５）には金属製キャップ（１４）の窓穴に嵌合する
段差部（１５ａ）を設け、金属製キャップ（１４）への
接合は外周と、平面部周辺と、前記段差部で行われてい
ることを特徴とする請求項１の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3187159A JPH0536854A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3187159A JPH0536854A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0536854A true JPH0536854A (ja) | 1993-02-12 |
Family
ID=16201162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3187159A Withdrawn JPH0536854A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0536854A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011013581A1 (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-03 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-07-26 JP JP3187159A patent/JPH0536854A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011013581A1 (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-03 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| US8546841B2 (en) | 2009-07-30 | 2013-10-01 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| US8703511B2 (en) | 2009-07-30 | 2014-04-22 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light emitting device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981008 |