JPH01239958A - 気密封止型半導体素子 - Google Patents
気密封止型半導体素子Info
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- JPH01239958A JPH01239958A JP63067675A JP6767588A JPH01239958A JP H01239958 A JPH01239958 A JP H01239958A JP 63067675 A JP63067675 A JP 63067675A JP 6767588 A JP6767588 A JP 6767588A JP H01239958 A JPH01239958 A JP H01239958A
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- ceramic container
- semiconductor element
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims abstract description 58
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 33
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 29
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 15
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 10
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 abstract 1
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 abstract 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 229910017401 Au—Ge Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100063942 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) dot-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、超高周波帯などで使用される半導体素子をセ
ラミック製容器内に気密封止してなる気密封止型半導体
素子に関するものである。
ラミック製容器内に気密封止してなる気密封止型半導体
素子に関するものである。
第3図(a)に示すように、従来、気密封止型半導体素
子においては、底面部に外部との接続用のり一ドト1・
・・を取り付けたセラミック製容器2における凹部2a
内に金属パターン3を形成しておき、ベレット状に成型
した金系のろう材4を挿入して金属パターン3上で溶融
させることにより、金属パターン3上に半導体素子5を
接着するようになっている。
子においては、底面部に外部との接続用のり一ドト1・
・・を取り付けたセラミック製容器2における凹部2a
内に金属パターン3を形成しておき、ベレット状に成型
した金系のろう材4を挿入して金属パターン3上で溶融
させることにより、金属パターン3上に半導体素子5を
接着するようになっている。
この場合、半導体素子5の接着は可能な限り低い温度で
行う必要があるため、ろう材4としては融点が300℃
前後の金系合金、代表的には、Au −Ge (Geは
12%)、八u−Ga (Gaは15%) 、Au
Sn (Snは20%)などが使用される。
行う必要があるため、ろう材4としては融点が300℃
前後の金系合金、代表的には、Au −Ge (Geは
12%)、八u−Ga (Gaは15%) 、Au
Sn (Snは20%)などが使用される。
ところで、ろう材4として使用する上記の金系合金は一
般に固く、かつ、もろいため、加工が極めて困難であり
、ろう材4を円板状のベレットとして成型する場合、最
小サイズに成型しても厚さが30〜50μm程度、直径
が300〜500μm程度が限度である。
般に固く、かつ、もろいため、加工が極めて困難であり
、ろう材4を円板状のベレットとして成型する場合、最
小サイズに成型しても厚さが30〜50μm程度、直径
が300〜500μm程度が限度である。
ところが、半導体素子5のチップサイズは1辺が300
〜400μm程度であるので、直径が300〜500μ
mのろう材4を用いて接着を行うと、ろう材4が過剰と
なって、セラミック製容器2における半導体素子5の接
着部位にろう材4の溢れ止めを設けねばならないなどの
煩雑さが生じるものである。
〜400μm程度であるので、直径が300〜500μ
mのろう材4を用いて接着を行うと、ろう材4が過剰と
なって、セラミック製容器2における半導体素子5の接
着部位にろう材4の溢れ止めを設けねばならないなどの
煩雑さが生じるものである。
又、半導体素子5の接着時に一々ろう材4をセラミック
製容器2内に挿入しなければならないので、供給装置の
複雑化を招くとともに、半導体素子5の接着の自動化が
困難になるという問題も有していた。
製容器2内に挿入しなければならないので、供給装置の
複雑化を招くとともに、半導体素子5の接着の自動化が
困難になるという問題も有していた。
なお、セラミック製容器2に対する半導体素子5の接着
の自動化を図る場合、ろう材4の供給方法としては線材
として供給するのがより好都合であるが、上記の金系合
金はもろく、固いため、最小径としても直径0.5〜1
.0mm程度の太さとなり、実用には供し得ないもので
ある。
の自動化を図る場合、ろう材4の供給方法としては線材
として供給するのがより好都合であるが、上記の金系合
金はもろく、固いため、最小径としても直径0.5〜1
.0mm程度の太さとなり、実用には供し得ないもので
ある。
又、第3図(b)に示すように、セラミック製容器2に
対するキャップ部材6の接着は、セラミック製容器2と
キャップ部材6との対向する表面に、予め金属パターン
2b・6aをそれぞれ形成しておき、リング状のろう材
7を両金属パターン2b・6a間で溶融させることによ
り行うものである。
対するキャップ部材6の接着は、セラミック製容器2と
キャップ部材6との対向する表面に、予め金属パターン
2b・6aをそれぞれ形成しておき、リング状のろう材
7を両金属パターン2b・6a間で溶融させることによ
り行うものである。
ところが、この場合も、接着に際してリング状のろう材
7をセラミック製容器2及びキャップ部材6とは別個に
供給しなければならない点が、供給装置を複雑化させる
要因となる。
7をセラミック製容器2及びキャップ部材6とは別個に
供給しなければならない点が、供給装置を複雑化させる
要因となる。
本発明に係る気密封止型半導体素子は、以上の問題点を
解決するために、セラミック製容器と、このセラミック
製容器内に配置される半導体素子と、半導体素子をセラ
ミック製容器内に気密封止するキャップ部材とを構成要
素として少なくとも有する気密封止型半導体素子におい
て、互いに接着すべき構成要素の一方の表面に形成され
た金系合金のろう材からなる薄膜と、この金系合金のろ
う材の薄膜を覆うように形成された金薄膜とを予め備え
、上記ろう材の薄膜及び金薄膜が溶融されることにより
構成要素同士の接着が行われていることを特徴とするも
のである。
解決するために、セラミック製容器と、このセラミック
製容器内に配置される半導体素子と、半導体素子をセラ
ミック製容器内に気密封止するキャップ部材とを構成要
素として少なくとも有する気密封止型半導体素子におい
て、互いに接着すべき構成要素の一方の表面に形成され
た金系合金のろう材からなる薄膜と、この金系合金のろ
う材の薄膜を覆うように形成された金薄膜とを予め備え
、上記ろう材の薄膜及び金薄膜が溶融されることにより
構成要素同士の接着が行われていることを特徴とするも
のである。
上記の構成によれば、セラミック製容器と半導体素子、
又はセラミック製容器とキャップ部材など、構成要素同
士の接着に使用されるろう材を、互いに接合すべき構成
要素の一方の表面に薄膜として予め形成するようにした
ので、ろう材の量を過不足のないように調整することが
容易に行えるようになる。従って、ろう材の溢れ止めを
設けるなどの煩雑さは省くことができる。
又はセラミック製容器とキャップ部材など、構成要素同
士の接着に使用されるろう材を、互いに接合すべき構成
要素の一方の表面に薄膜として予め形成するようにした
ので、ろう材の量を過不足のないように調整することが
容易に行えるようになる。従って、ろう材の溢れ止めを
設けるなどの煩雑さは省くことができる。
又、ろう材が予め構成要素の表面に形成されるので、構
成要素同士の接合に際してろう材を別個に供給する必要
がな(なる結果、供給装置の簡略化を実現することが可
能になる。又、ろう材はもともと構成要素上の所定位置
に存在しているので、構成要素同士の接着の自動化も容
易に行える。
成要素同士の接合に際してろう材を別個に供給する必要
がな(なる結果、供給装置の簡略化を実現することが可
能になる。又、ろう材はもともと構成要素上の所定位置
に存在しているので、構成要素同士の接着の自動化も容
易に行える。
更に又、金系合金からなるろう材は金薄膜により被覆さ
れているので、ろう材を溶融して接着を行うまでの期間
に、ろう材が雰囲気により酸化したり、変質するのを防
止でき、これにより、接着の安定化と再現性とを確保で
きるものである。
れているので、ろう材を溶融して接着を行うまでの期間
に、ろう材が雰囲気により酸化したり、変質するのを防
止でき、これにより、接着の安定化と再現性とを確保で
きるものである。
本発明の一実施例を第1図及び第2図に基づいて説明す
れば、以下の通りである。
れば、以下の通りである。
第2図に示すように、気密封止型半導体素子IOは、セ
ラミック製容器11、半導体素子12及びキャップ部材
13を構成要素として少なくとも備え、セラミック製容
器11に設けた凹部11a内に半導体素子12を挿入し
て、この半導体素子12をセラミック製容器11に接着
するとともに、セラミック製容器■1の上面部にキャッ
プ部材13を接着することにより、半導体素子12をセ
ラミック製容器11内に気密封止してなるものである。
ラミック製容器11、半導体素子12及びキャップ部材
13を構成要素として少なくとも備え、セラミック製容
器11に設けた凹部11a内に半導体素子12を挿入し
て、この半導体素子12をセラミック製容器11に接着
するとともに、セラミック製容器■1の上面部にキャッ
プ部材13を接着することにより、半導体素子12をセ
ラミック製容器11内に気密封止してなるものである。
なお、セラミック製容器11の底面部には、図示しない
導通部により半導体素子12の上面に設けた端子にAu
ワイヤーにより電気的に導通されて、半導体素子12と
外部との接続に供されるリード14・14・・・が取り
付けられている。
導通部により半導体素子12の上面に設けた端子にAu
ワイヤーにより電気的に導通されて、半導体素子12と
外部との接続に供されるリード14・14・・・が取り
付けられている。
次に、気密封止型半導体素子10の組立手順につき説明
する。
する。
第1図(a)に示すように、まず、セラミ、7り製容器
11の製造に際して、凹部11aにおける底部に、金系
合金からなるろう材15を所定膜厚の薄膜として形成す
る。続いて、このろう材15を覆うように所定膜厚の金
薄膜16を形成してろう材15を保護する。更に、セラ
ミック製容器11の底面部には、リード14・14・・
・を取り付けておく。又、第1図(b)に示すように、
セラミック製容器11の凹部11aを取り囲む上面部に
は、金属パターン17を形成しておく。
11の製造に際して、凹部11aにおける底部に、金系
合金からなるろう材15を所定膜厚の薄膜として形成す
る。続いて、このろう材15を覆うように所定膜厚の金
薄膜16を形成してろう材15を保護する。更に、セラ
ミック製容器11の底面部には、リード14・14・・
・を取り付けておく。又、第1図(b)に示すように、
セラミック製容器11の凹部11aを取り囲む上面部に
は、金属パターン17を形成しておく。
一方、キャップ部材13の製造に際して、金属パターン
17に対応するキャップ部材13の周1ゑ部に、金系合
金からなるろう材18を所定膜厚の薄膜として形成して
おく。更に、ろう材18を覆うように金薄膜19を形成
し、ろう材18を保護しておく。
17に対応するキャップ部材13の周1ゑ部に、金系合
金からなるろう材18を所定膜厚の薄膜として形成して
おく。更に、ろう材18を覆うように金薄膜19を形成
し、ろう材18を保護しておく。
次に、実際の気密封止型半導体素子10の組立に際して
は、まず、図示しない溶融装置によりろう材15及び金
薄膜16を溶融させた状態で、第1図(a)のように、
半導体素子12を図示しない供給装置によりセラミック
製容器11の凹部11a内に挿入し、溶融したろう材1
5により半導体素子12を凹部11a内の所定位置に接
着し、半導体素子12の上面に設けた電極と、セラミッ
ク容器11の底面部に設けた図示しない導通部とを、A
uワイヤーにて電気的に導通させる。この状態で、半導
体素子12はリード14・14・・・と接続される。
は、まず、図示しない溶融装置によりろう材15及び金
薄膜16を溶融させた状態で、第1図(a)のように、
半導体素子12を図示しない供給装置によりセラミック
製容器11の凹部11a内に挿入し、溶融したろう材1
5により半導体素子12を凹部11a内の所定位置に接
着し、半導体素子12の上面に設けた電極と、セラミッ
ク容器11の底面部に設けた図示しない導通部とを、A
uワイヤーにて電気的に導通させる。この状態で、半導
体素子12はリード14・14・・・と接続される。
続いて、溶融装置によりキャップ部材13上のろう材1
8及び金薄膜19を溶融させた状態で、第1図(b)の
ように、キャンプ部材13をセラミック製容器11上に
押し付け、溶融したろう材18をセラミック製容器11
の金属パターン17上で凝固させることにより、キャン
プ部材13とセラミック製容器11とを密封状態で接合
し、キャップ部材13により半導体素子12をセラミッ
ク製容器11内に気密封止する。
8及び金薄膜19を溶融させた状態で、第1図(b)の
ように、キャンプ部材13をセラミック製容器11上に
押し付け、溶融したろう材18をセラミック製容器11
の金属パターン17上で凝固させることにより、キャン
プ部材13とセラミック製容器11とを密封状態で接合
し、キャップ部材13により半導体素子12をセラミッ
ク製容器11内に気密封止する。
なお、気密封止型半導体素子10の製造において、セラ
ミック製容器11に対する半導体素子12の接着及びセ
ラミック製容器11に対するキャップ部材13の接着は
、上記の実施例のように自動的に行うことが好ましいが
、それに限らず、上記の接着を手動で行うようにしても
良いものである。
ミック製容器11に対する半導体素子12の接着及びセ
ラミック製容器11に対するキャップ部材13の接着は
、上記の実施例のように自動的に行うことが好ましいが
、それに限らず、上記の接着を手動で行うようにしても
良いものである。
本発明に係る気密封止型半導体素子は、以上のように、
セラミック製容器と、このセラミック製容器内に配置さ
れる半導体素子と、半導体素子をセラミック製容器内に
気密封止するキャップ部材とを構成要素として少なくと
も有する気密封止型半導体素子において、互いに接着す
べき構成要素の一方の表面に形成された金系合金のろう
材からなる薄膜と、この金系合金のろう材の薄膜を覆う
ように形成された金薄膜とを予め備え、上記ろう材の薄
膜及び金薄膜とが溶融されることにより構成要素同士の
接着が行われている構成である。
セラミック製容器と、このセラミック製容器内に配置さ
れる半導体素子と、半導体素子をセラミック製容器内に
気密封止するキャップ部材とを構成要素として少なくと
も有する気密封止型半導体素子において、互いに接着す
べき構成要素の一方の表面に形成された金系合金のろう
材からなる薄膜と、この金系合金のろう材の薄膜を覆う
ように形成された金薄膜とを予め備え、上記ろう材の薄
膜及び金薄膜とが溶融されることにより構成要素同士の
接着が行われている構成である。
これにより、セラミック製容器と半導体素子、又はセラ
ミック製容器とキャップ部材など、構成要素同士の接着
に使用されるろう材を、互いに接着すべき構成要素の一
方の表面に薄膜として予め形成するようにしたので、ろ
う材の量を過不足のないように調整することが容易に行
えるようになる。従って、ろう材の溢れ止めを設けるな
どの煩雑さは省くことができるようになる。
ミック製容器とキャップ部材など、構成要素同士の接着
に使用されるろう材を、互いに接着すべき構成要素の一
方の表面に薄膜として予め形成するようにしたので、ろ
う材の量を過不足のないように調整することが容易に行
えるようになる。従って、ろう材の溢れ止めを設けるな
どの煩雑さは省くことができるようになる。
又、ろう材が予め構成要素の表面に形成されるので、構
成要素同士の接着に際してろう材を別個に供給する必要
がなくなる結果、供給装置の簡略化を実現することが可
能になる。更に、ろう材はもともと構成要素上の所定位
置に存在しており、構成要素同士の接合時にろう材の供
給を行うことは不要であるので、構成要素同士の接着の
自動化も容易に行えるという効果を奏する。
成要素同士の接着に際してろう材を別個に供給する必要
がなくなる結果、供給装置の簡略化を実現することが可
能になる。更に、ろう材はもともと構成要素上の所定位
置に存在しており、構成要素同士の接合時にろう材の供
給を行うことは不要であるので、構成要素同士の接着の
自動化も容易に行えるという効果を奏する。
又、金系合金からなるろう材は金薄膜により被覆されて
いるので、ろう材を溶融して接合を行うまでの期間に、
ろう材が雰囲気により酸化したり、変質するのを防止で
き、これにより、接着の安定化と再現性とを確保できる
という効果を併せて奏する。
いるので、ろう材を溶融して接合を行うまでの期間に、
ろう材が雰囲気により酸化したり、変質するのを防止で
き、これにより、接着の安定化と再現性とを確保できる
という効果を併せて奏する。
第1図及び第2図は本発明の実施例を示すものであって
、第1図(a)はセラミック製容器に半導体素子を接着
する様子を示す縦断面略図、第1図(b)はセラミック
製容器にキャップ部材を接着する様子を示す縦断面略図
、第2図は完成した気密封止型半導体素子の縦断面略図
、第3図(a)は従来例においてセラミック製容器に半
導体素子を接着する様子を示す縦断面略図、第3図(b
)は従来例においてセラミック製容器にキャップ部材を
接着する様子を示す縦断面略図である。 11はセラミック製容器、12は半導体素子、13はキ
ャップ部材、15・18はろう材、16・19は金薄膜
である。
、第1図(a)はセラミック製容器に半導体素子を接着
する様子を示す縦断面略図、第1図(b)はセラミック
製容器にキャップ部材を接着する様子を示す縦断面略図
、第2図は完成した気密封止型半導体素子の縦断面略図
、第3図(a)は従来例においてセラミック製容器に半
導体素子を接着する様子を示す縦断面略図、第3図(b
)は従来例においてセラミック製容器にキャップ部材を
接着する様子を示す縦断面略図である。 11はセラミック製容器、12は半導体素子、13はキ
ャップ部材、15・18はろう材、16・19は金薄膜
である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、セラミック製容器と、このセラミック製容器内に配
置される半導体素子と、半導体素子をセラミック製容器
内に気密封止するキャップ部材とを構成要素として少な
くとも有する気密封止型半導体素子において、 互いに接着すべき構成要素の一方の表面に形成された金
系のろう材からなる薄膜と、この金系のろう材の薄膜を
覆うように形成された金薄膜とを予め備え、上記ろう材
の薄膜及び金薄膜が溶融されることにより構成要素同士
の接着が行われていることを特徴とする気密封止型半導
体素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63067675A JPH01239958A (ja) | 1988-03-22 | 1988-03-22 | 気密封止型半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63067675A JPH01239958A (ja) | 1988-03-22 | 1988-03-22 | 気密封止型半導体素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01239958A true JPH01239958A (ja) | 1989-09-25 |
Family
ID=13351809
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63067675A Pending JPH01239958A (ja) | 1988-03-22 | 1988-03-22 | 気密封止型半導体素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01239958A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6607843B2 (en) | 2000-02-02 | 2003-08-19 | Quallion Llc | Brazed ceramic seal for batteries with titanium-titanium-6A1-4V cases |
US7041413B2 (en) | 2000-02-02 | 2006-05-09 | Quallion Llc | Bipolar electronics package |
US7166388B2 (en) | 2000-02-02 | 2007-01-23 | Quallion Llc | Brazed ceramic seal for batteries |
US7285355B2 (en) | 2000-04-26 | 2007-10-23 | Quallion Llc | Battery |
-
1988
- 1988-03-22 JP JP63067675A patent/JPH01239958A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6607843B2 (en) | 2000-02-02 | 2003-08-19 | Quallion Llc | Brazed ceramic seal for batteries with titanium-titanium-6A1-4V cases |
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