JPH01239958A - 気密封止型半導体素子 - Google Patents

気密封止型半導体素子

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Publication number
JPH01239958A
JPH01239958A JP63067675A JP6767588A JPH01239958A JP H01239958 A JPH01239958 A JP H01239958A JP 63067675 A JP63067675 A JP 63067675A JP 6767588 A JP6767588 A JP 6767588A JP H01239958 A JPH01239958 A JP H01239958A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
brazing material
gold
thin film
ceramic container
semiconductor element
Prior art date
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Pending
Application number
JP63067675A
Other languages
English (en)
Inventor
Osamu Hamaoka
浜岡 治
Saburo Imai
今井 三郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP63067675A priority Critical patent/JPH01239958A/ja
Publication of JPH01239958A publication Critical patent/JPH01239958A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16195Flat cap [not enclosing an internal cavity]

Landscapes

  • Die Bonding (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、超高周波帯などで使用される半導体素子をセ
ラミック製容器内に気密封止してなる気密封止型半導体
素子に関するものである。
〔従来の技術〕
第3図(a)に示すように、従来、気密封止型半導体素
子においては、底面部に外部との接続用のり一ドト1・
・・を取り付けたセラミック製容器2における凹部2a
内に金属パターン3を形成しておき、ベレット状に成型
した金系のろう材4を挿入して金属パターン3上で溶融
させることにより、金属パターン3上に半導体素子5を
接着するようになっている。
この場合、半導体素子5の接着は可能な限り低い温度で
行う必要があるため、ろう材4としては融点が300℃
前後の金系合金、代表的には、Au −Ge (Geは
12%)、八u−Ga (Gaは15%) 、Au  
Sn (Snは20%)などが使用される。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところで、ろう材4として使用する上記の金系合金は一
般に固く、かつ、もろいため、加工が極めて困難であり
、ろう材4を円板状のベレットとして成型する場合、最
小サイズに成型しても厚さが30〜50μm程度、直径
が300〜500μm程度が限度である。
ところが、半導体素子5のチップサイズは1辺が300
〜400μm程度であるので、直径が300〜500μ
mのろう材4を用いて接着を行うと、ろう材4が過剰と
なって、セラミック製容器2における半導体素子5の接
着部位にろう材4の溢れ止めを設けねばならないなどの
煩雑さが生じるものである。
又、半導体素子5の接着時に一々ろう材4をセラミック
製容器2内に挿入しなければならないので、供給装置の
複雑化を招くとともに、半導体素子5の接着の自動化が
困難になるという問題も有していた。
なお、セラミック製容器2に対する半導体素子5の接着
の自動化を図る場合、ろう材4の供給方法としては線材
として供給するのがより好都合であるが、上記の金系合
金はもろく、固いため、最小径としても直径0.5〜1
.0mm程度の太さとなり、実用には供し得ないもので
ある。
又、第3図(b)に示すように、セラミック製容器2に
対するキャップ部材6の接着は、セラミック製容器2と
キャップ部材6との対向する表面に、予め金属パターン
2b・6aをそれぞれ形成しておき、リング状のろう材
7を両金属パターン2b・6a間で溶融させることによ
り行うものである。
ところが、この場合も、接着に際してリング状のろう材
7をセラミック製容器2及びキャップ部材6とは別個に
供給しなければならない点が、供給装置を複雑化させる
要因となる。
〔発明が解決しようとする課題〕
本発明に係る気密封止型半導体素子は、以上の問題点を
解決するために、セラミック製容器と、このセラミック
製容器内に配置される半導体素子と、半導体素子をセラ
ミック製容器内に気密封止するキャップ部材とを構成要
素として少なくとも有する気密封止型半導体素子におい
て、互いに接着すべき構成要素の一方の表面に形成され
た金系合金のろう材からなる薄膜と、この金系合金のろ
う材の薄膜を覆うように形成された金薄膜とを予め備え
、上記ろう材の薄膜及び金薄膜が溶融されることにより
構成要素同士の接着が行われていることを特徴とするも
のである。
〔作 用〕
上記の構成によれば、セラミック製容器と半導体素子、
又はセラミック製容器とキャップ部材など、構成要素同
士の接着に使用されるろう材を、互いに接合すべき構成
要素の一方の表面に薄膜として予め形成するようにした
ので、ろう材の量を過不足のないように調整することが
容易に行えるようになる。従って、ろう材の溢れ止めを
設けるなどの煩雑さは省くことができる。
又、ろう材が予め構成要素の表面に形成されるので、構
成要素同士の接合に際してろう材を別個に供給する必要
がな(なる結果、供給装置の簡略化を実現することが可
能になる。又、ろう材はもともと構成要素上の所定位置
に存在しているので、構成要素同士の接着の自動化も容
易に行える。
更に又、金系合金からなるろう材は金薄膜により被覆さ
れているので、ろう材を溶融して接着を行うまでの期間
に、ろう材が雰囲気により酸化したり、変質するのを防
止でき、これにより、接着の安定化と再現性とを確保で
きるものである。
〔実施例〕
本発明の一実施例を第1図及び第2図に基づいて説明す
れば、以下の通りである。
第2図に示すように、気密封止型半導体素子IOは、セ
ラミック製容器11、半導体素子12及びキャップ部材
13を構成要素として少なくとも備え、セラミック製容
器11に設けた凹部11a内に半導体素子12を挿入し
て、この半導体素子12をセラミック製容器11に接着
するとともに、セラミック製容器■1の上面部にキャッ
プ部材13を接着することにより、半導体素子12をセ
ラミック製容器11内に気密封止してなるものである。
なお、セラミック製容器11の底面部には、図示しない
導通部により半導体素子12の上面に設けた端子にAu
ワイヤーにより電気的に導通されて、半導体素子12と
外部との接続に供されるリード14・14・・・が取り
付けられている。
次に、気密封止型半導体素子10の組立手順につき説明
する。
第1図(a)に示すように、まず、セラミ、7り製容器
11の製造に際して、凹部11aにおける底部に、金系
合金からなるろう材15を所定膜厚の薄膜として形成す
る。続いて、このろう材15を覆うように所定膜厚の金
薄膜16を形成してろう材15を保護する。更に、セラ
ミック製容器11の底面部には、リード14・14・・
・を取り付けておく。又、第1図(b)に示すように、
セラミック製容器11の凹部11aを取り囲む上面部に
は、金属パターン17を形成しておく。
一方、キャップ部材13の製造に際して、金属パターン
17に対応するキャップ部材13の周1ゑ部に、金系合
金からなるろう材18を所定膜厚の薄膜として形成して
おく。更に、ろう材18を覆うように金薄膜19を形成
し、ろう材18を保護しておく。
次に、実際の気密封止型半導体素子10の組立に際して
は、まず、図示しない溶融装置によりろう材15及び金
薄膜16を溶融させた状態で、第1図(a)のように、
半導体素子12を図示しない供給装置によりセラミック
製容器11の凹部11a内に挿入し、溶融したろう材1
5により半導体素子12を凹部11a内の所定位置に接
着し、半導体素子12の上面に設けた電極と、セラミッ
ク容器11の底面部に設けた図示しない導通部とを、A
uワイヤーにて電気的に導通させる。この状態で、半導
体素子12はリード14・14・・・と接続される。
続いて、溶融装置によりキャップ部材13上のろう材1
8及び金薄膜19を溶融させた状態で、第1図(b)の
ように、キャンプ部材13をセラミック製容器11上に
押し付け、溶融したろう材18をセラミック製容器11
の金属パターン17上で凝固させることにより、キャン
プ部材13とセラミック製容器11とを密封状態で接合
し、キャップ部材13により半導体素子12をセラミッ
ク製容器11内に気密封止する。
なお、気密封止型半導体素子10の製造において、セラ
ミック製容器11に対する半導体素子12の接着及びセ
ラミック製容器11に対するキャップ部材13の接着は
、上記の実施例のように自動的に行うことが好ましいが
、それに限らず、上記の接着を手動で行うようにしても
良いものである。
〔発明の効果〕
本発明に係る気密封止型半導体素子は、以上のように、
セラミック製容器と、このセラミック製容器内に配置さ
れる半導体素子と、半導体素子をセラミック製容器内に
気密封止するキャップ部材とを構成要素として少なくと
も有する気密封止型半導体素子において、互いに接着す
べき構成要素の一方の表面に形成された金系合金のろう
材からなる薄膜と、この金系合金のろう材の薄膜を覆う
ように形成された金薄膜とを予め備え、上記ろう材の薄
膜及び金薄膜とが溶融されることにより構成要素同士の
接着が行われている構成である。
これにより、セラミック製容器と半導体素子、又はセラ
ミック製容器とキャップ部材など、構成要素同士の接着
に使用されるろう材を、互いに接着すべき構成要素の一
方の表面に薄膜として予め形成するようにしたので、ろ
う材の量を過不足のないように調整することが容易に行
えるようになる。従って、ろう材の溢れ止めを設けるな
どの煩雑さは省くことができるようになる。
又、ろう材が予め構成要素の表面に形成されるので、構
成要素同士の接着に際してろう材を別個に供給する必要
がなくなる結果、供給装置の簡略化を実現することが可
能になる。更に、ろう材はもともと構成要素上の所定位
置に存在しており、構成要素同士の接合時にろう材の供
給を行うことは不要であるので、構成要素同士の接着の
自動化も容易に行えるという効果を奏する。
又、金系合金からなるろう材は金薄膜により被覆されて
いるので、ろう材を溶融して接合を行うまでの期間に、
ろう材が雰囲気により酸化したり、変質するのを防止で
き、これにより、接着の安定化と再現性とを確保できる
という効果を併せて奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は本発明の実施例を示すものであって
、第1図(a)はセラミック製容器に半導体素子を接着
する様子を示す縦断面略図、第1図(b)はセラミック
製容器にキャップ部材を接着する様子を示す縦断面略図
、第2図は完成した気密封止型半導体素子の縦断面略図
、第3図(a)は従来例においてセラミック製容器に半
導体素子を接着する様子を示す縦断面略図、第3図(b
)は従来例においてセラミック製容器にキャップ部材を
接着する様子を示す縦断面略図である。 11はセラミック製容器、12は半導体素子、13はキ
ャップ部材、15・18はろう材、16・19は金薄膜
である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、セラミック製容器と、このセラミック製容器内に配
    置される半導体素子と、半導体素子をセラミック製容器
    内に気密封止するキャップ部材とを構成要素として少な
    くとも有する気密封止型半導体素子において、 互いに接着すべき構成要素の一方の表面に形成された金
    系のろう材からなる薄膜と、この金系のろう材の薄膜を
    覆うように形成された金薄膜とを予め備え、上記ろう材
    の薄膜及び金薄膜が溶融されることにより構成要素同士
    の接着が行われていることを特徴とする気密封止型半導
    体素子。
JP63067675A 1988-03-22 1988-03-22 気密封止型半導体素子 Pending JPH01239958A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6607843B2 (en) 2000-02-02 2003-08-19 Quallion Llc Brazed ceramic seal for batteries with titanium-titanium-6A1-4V cases
US7041413B2 (en) 2000-02-02 2006-05-09 Quallion Llc Bipolar electronics package
US7166388B2 (en) 2000-02-02 2007-01-23 Quallion Llc Brazed ceramic seal for batteries
US7285355B2 (en) 2000-04-26 2007-10-23 Quallion Llc Battery

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