JPS63240051A - セラミツクキヤツプ - Google Patents
セラミツクキヤツプInfo
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- JPS63240051A JPS63240051A JP62075312A JP7531287A JPS63240051A JP S63240051 A JPS63240051 A JP S63240051A JP 62075312 A JP62075312 A JP 62075312A JP 7531287 A JP7531287 A JP 7531287A JP S63240051 A JPS63240051 A JP S63240051A
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- Japan
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- metallic layer
- sealing
- metal layer
- layer
- ceramic cap
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- Pending
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 15
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
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- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はセラミックキャップに関し、特に半導体素子を
収納した容器を気密封止するセラミックキャップに関す
る。
収納した容器を気密封止するセラミックキャップに関す
る。
従来、この種のセラミックキャップは、第３図に示すよ
うに、Ａｆｆ０３のセラミック基板１と、セラミック基
板１の一方の面の半導体素子を収納した容器を気密封止
するために必要な周辺部に形成したＷ又はＭｏの焼結金
属層２と、焼結金属層２の上面にめっきにより順次形成
されたＮｉ金属層３とＡｕ金属層５とを含んで構成され
る。
うに、Ａｆｆ０３のセラミック基板１と、セラミック基
板１の一方の面の半導体素子を収納した容器を気密封止
するために必要な周辺部に形成したＷ又はＭｏの焼結金
属層２と、焼結金属層２の上面にめっきにより順次形成
されたＮｉ金属層３とＡｕ金属層５とを含んで構成され
る。
次に、第４図は第３図のセラミックキャップを用いて気
密封止される半導体装置の断面図である。
密封止される半導体装置の断面図である。
第４図に示すように、内部に半導体素子を収納する容器
は中央部にキャビティ部を有するＡｆｆ□○、の積層セ
ラミック基板から成る本体部１１と、本体部１１のキャ
ビティ部の周囲を囲って形成されている気密封止のため
の側壁の上面に設けられたＷ又はＭｏの焼結金属層１２
と、焼結金属層１２上にめっきにより順次形成されたＮ
ｉ金属層１３とＡｕ金属［１５とを含んで構成される。
は中央部にキャビティ部を有するＡｆｆ□○、の積層セ
ラミック基板から成る本体部１１と、本体部１１のキャ
ビティ部の周囲を囲って形成されている気密封止のため
の側壁の上面に設けられたＷ又はＭｏの焼結金属層１２
と、焼結金属層１２上にめっきにより順次形成されたＮ
ｉ金属層１３とＡｕ金属［１５とを含んで構成される。
キャビティ部には半導体素子１６が搭載され、半導体素
子１６の電極は金属細線１７により本体部１１に取付け
られた外部導出リード１８と電気的に接続される。
子１６の電極は金属細線１７により本体部１１に取付け
られた外部導出リード１８と電気的に接続される。
セラミックキャップと容器との気密封止には、Ａｕ−Ｓ
ｎ合金の封止用ろう材を枠状に成型加工したろう材プリ
フォームを準備し、封止治具に容器、ろう材プリフォー
ム７、セラミックキャップの順にセットした後、還元あ
るいは中性雰囲気の炉中でろう材プリフォームを加熱融
解させる。
ｎ合金の封止用ろう材を枠状に成型加工したろう材プリ
フォームを準備し、封止治具に容器、ろう材プリフォー
ム７、セラミックキャップの順にセットした後、還元あ
るいは中性雰囲気の炉中でろう材プリフォームを加熱融
解させる。
融解したろう材プリフォーム７は金属層５と１５との間
で合金層を形成し、容器とセラミックキャップとを密着
させて気密封止する。
で合金層を形成し、容器とセラミックキャップとを密着
させて気密封止する。
上述した従来のセラミックキャップは、封止に枠状に成
型加工したろう材プリフォームを用いているが、このろ
う材プリフォームに用いられるＡｕ−Ｓｎ合金は脆い合
金で、かつ、枠状の薄片であるので、取扱いが困難で封
止治具へのセツティングは手作業によらねばならず自動
化ができないという欠点がある。又、作業中にろう材プ
リフォームを変形させたり、あるいは、２枚のろう材プ
リフォームを誤ってセツティングしたりすることにより
、封止部で部分的なろう材量不足を生じ気密性を損ねた
り、あるいは、ろう材量が過多となりろう材が容器内部
に流出して電気的短絡を発生するといった封止品質の低
下を招くという欠点がある。
型加工したろう材プリフォームを用いているが、このろ
う材プリフォームに用いられるＡｕ−Ｓｎ合金は脆い合
金で、かつ、枠状の薄片であるので、取扱いが困難で封
止治具へのセツティングは手作業によらねばならず自動
化ができないという欠点がある。又、作業中にろう材プ
リフォームを変形させたり、あるいは、２枚のろう材プ
リフォームを誤ってセツティングしたりすることにより
、封止部で部分的なろう材量不足を生じ気密性を損ねた
り、あるいは、ろう材量が過多となりろう材が容器内部
に流出して電気的短絡を発生するといった封止品質の低
下を招くという欠点がある。
本発明のセラミックキャップは、セラミック基板と、該
セラミック基板上の周辺を囲って前記セラミック基板に
形成する焼結金属層と、該焼結金属層上に形成されるＮ
ｉ金属層とを備える半導体素子を収納した容器を気密封
止するセラミックキャップにおいて、前記Ｎｉ金属層上
にＳｎとＡｕとを順次めっきにより形成した少くとも１
層の金属層を有している。
セラミック基板上の周辺を囲って前記セラミック基板に
形成する焼結金属層と、該焼結金属層上に形成されるＮ
ｉ金属層とを備える半導体素子を収納した容器を気密封
止するセラミックキャップにおいて、前記Ｎｉ金属層上
にＳｎとＡｕとを順次めっきにより形成した少くとも１
層の金属層を有している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。
第１図に示すように、ＡＩ！２ＯＳのセラミック基板１
と、セラミック基板１の一方の面の半導体素子を収納し
た容器を気密封止するために必要な周辺部に形成したＷ
又はＭｏ等の焼結金属層２と、焼結金属層２の上部にめ
っきにより形成したＮｉ金属層３と、Ｎｉ金属層３の上
部にめっきにより順次形成したＳｎ金属層４とＡｕ金属
層５とを含む。
と、セラミック基板１の一方の面の半導体素子を収納し
た容器を気密封止するために必要な周辺部に形成したＷ
又はＭｏ等の焼結金属層２と、焼結金属層２の上部にめ
っきにより形成したＮｉ金属層３と、Ｎｉ金属層３の上
部にめっきにより順次形成したＳｎ金属層４とＡｕ金属
層５とを含む。
第２図は第１図の実施例を用いて気密封止される半導体
装置の断面図である。
装置の断面図である。
ここで、第２図に示す容器の構成については、前述した
第４図の容器と同様であり説明を省略する。
第４図の容器と同様であり説明を省略する。
第２図において、容器と第１図に示すセラミックキャッ
プとを順次封止治具にセットし、還元又は中性雰囲気の
炉中で加熱することにより、Ｓｎ金属層４とＡｕ金属層
５とが相互拡散融解したＡｕ−Ｓｎ合金層６を形成する
ので、Ｓｎ金属層４とＡｕ合金４層５にろう材の役割を
もたせることが可能となる。
プとを順次封止治具にセットし、還元又は中性雰囲気の
炉中で加熱することにより、Ｓｎ金属層４とＡｕ金属層
５とが相互拡散融解したＡｕ−Ｓｎ合金層６を形成する
ので、Ｓｎ金属層４とＡｕ合金４層５にろう材の役割を
もたせることが可能となる。
従って、容器封止の際に、封止用のろう材プリフォーム
を用いる必要がなく、半導体素子の収納された容器にセ
ラミックキャップを直接取付けることができる。それ故
、封止治具へのセツティングの作業が容易となりセツテ
ィングの自動化が可能となる。
を用いる必要がなく、半導体素子の収納された容器にセ
ラミックキャップを直接取付けることができる。それ故
、封止治具へのセツティングの作業が容易となりセツテ
ィングの自動化が可能となる。
又、Ｓｎ金属層４とＡｕ金属層５はめっきにより形成す
るので、厚さの制御が容易でＡ ｕ −Ｓ ｎ合金層６
の厚さのばらつきを少くできる。この為、封止の際にろ
う材量の過不足により生じる容器内部へのろう材の流入
による電気的短絡、又は、気密封止の不完全さを防止す
ることができる。
るので、厚さの制御が容易でＡ ｕ −Ｓ ｎ合金層６
の厚さのばらつきを少くできる。この為、封止の際にろ
う材量の過不足により生じる容器内部へのろう材の流入
による電気的短絡、又は、気密封止の不完全さを防止す
ることができる。
なお、本実施例ではＳｎ金属層とＡｕ金属層を順次めっ
き形成した１層の金属層としているが、更にその上部に
Ｓｎ金属層とＡｕ金属層を順次めっき形成して２層又は
２層以上の金属層としても本発明を適用でき、その場合
はＡｕ−Ｓｎ合金層の組織を更に均一にできる利点があ
る。
き形成した１層の金属層としているが、更にその上部に
Ｓｎ金属層とＡｕ金属層を順次めっき形成して２層又は
２層以上の金属層としても本発明を適用でき、その場合
はＡｕ−Ｓｎ合金層の組織を更に均一にできる利点があ
る。
以上説明したように本発明は、Ｓｎ金属層とＡｕ金属層
を順次めっきで形成し加熱によりＡｕ−３ｎ合金層を形
成して容器とセラミックキャップとを封止することによ
り、封止にろう材プリフォームを用いることを要せず封
止の自動化が可能となり、かつ、ろう材の過不足による
電気的短絡又は封止不良の発生を防止できるので、封止
品質を向上できるという効果がある。
を順次めっきで形成し加熱によりＡｕ−３ｎ合金層を形
成して容器とセラミックキャップとを封止することによ
り、封止にろう材プリフォームを用いることを要せず封
止の自動化が可能となり、かつ、ろう材の過不足による
電気的短絡又は封止不良の発生を防止できるので、封止
品質を向上できるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は第１図の
実施例を用いて気密封止される半導体装置の断面図、第
３図は従来のセラミックキャップの一例の断面図、第４
図は第３図のセラミックキャップを用いて気密封止され
る半導体装置の断面図である。 １・・・セラミック基板、２，１２・・・焼結金属層、
３．１３−・・Ｎｉ金属層、４−・Ｓ ｎ金属層、５゜
１５−・−Ａｕｉ属層、５−Ａ ｕ −Ｓ ｎ合金層、
７・・・ろう材プリフォーム、１１・・・本体部、１６
・・・半導体素子、１７・・・金属細線、１８・・・外
部導出リード。 代理人 弁理士 内 原 晋・″夕 ノ、″・ （ｌ・・。 箭／ 凹 箭２１図
実施例を用いて気密封止される半導体装置の断面図、第
３図は従来のセラミックキャップの一例の断面図、第４
図は第３図のセラミックキャップを用いて気密封止され
る半導体装置の断面図である。 １・・・セラミック基板、２，１２・・・焼結金属層、
３．１３−・・Ｎｉ金属層、４−・Ｓ ｎ金属層、５゜
１５−・−Ａｕｉ属層、５−Ａ ｕ −Ｓ ｎ合金層、
７・・・ろう材プリフォーム、１１・・・本体部、１６
・・・半導体素子、１７・・・金属細線、１８・・・外
部導出リード。 代理人 弁理士 内 原 晋・″夕 ノ、″・ （ｌ・・。 箭／ 凹 箭２１図
Claims (1)
- セラミック基板と、該セラミック基板上の周辺を囲つて
前記セラミック基板に形成する焼結金属層と、該焼結金
属層上に形成されるＮｉ金属層とを備える半導体素子を
収納した容器を気密封止するセラミックキャップにおい
て、前記Ｎｉ金属層上にＳｎとＡｕとを順次めつきによ
り形成した少くとも１層の金属層を有することを特徴と
するセラミックキャップ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62075312A JPS63240051A (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | セラミツクキヤツプ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62075312A JPS63240051A (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | セラミツクキヤツプ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63240051A true JPS63240051A (ja) | 1988-10-05 |
Family
ID=13572611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62075312A Pending JPS63240051A (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | セラミツクキヤツプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63240051A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0392539A2 (en) * | 1989-04-17 | 1990-10-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor device package and sealing method therefore |
| US5814880A (en) * | 1989-12-22 | 1998-09-29 | Northrop Grumman Corporation | Thick film copper metallization for microwave power transistor packages |
| US7065867B2 (en) | 2001-12-04 | 2006-06-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Low temperature hermetic sealing method having passivation layer |
| EP1610380A3 (en) * | 2004-06-21 | 2007-08-29 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kabushiki Kaisha | Hermetic seal cover and manufacturing method thereof |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58137235A (ja) * | 1982-02-09 | 1983-08-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体用容器のハ−メチツクシ−ル方法 |
| JPS60109253A (ja) * | 1983-11-18 | 1985-06-14 | Hitachi Ltd | 電子装置 |
-
1987
- 1987-03-27 JP JP62075312A patent/JPS63240051A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58137235A (ja) * | 1982-02-09 | 1983-08-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体用容器のハ−メチツクシ−ル方法 |
| JPS60109253A (ja) * | 1983-11-18 | 1985-06-14 | Hitachi Ltd | 電子装置 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0392539A2 (en) * | 1989-04-17 | 1990-10-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor device package and sealing method therefore |
| US5814880A (en) * | 1989-12-22 | 1998-09-29 | Northrop Grumman Corporation | Thick film copper metallization for microwave power transistor packages |
| US7065867B2 (en) | 2001-12-04 | 2006-06-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Low temperature hermetic sealing method having passivation layer |
| EP1610380A3 (en) * | 2004-06-21 | 2007-08-29 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kabushiki Kaisha | Hermetic seal cover and manufacturing method thereof |
| US7495333B2 (en) | 2004-06-21 | 2009-02-24 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Seal cover structure comprising a nickel-tin (Ni—Sn) alloy barrier layer formed between a nickel (Ni) plating layer and a gold-tin (Au—Sn) brazing layer having Sn content of 20.65 to 25 WT % formed on the seal cover main body |
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