JPH0337861B2 - - Google Patents

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JPH0337861B2
JPH0337861B2 JP535485A JP535485A JPH0337861B2 JP H0337861 B2 JPH0337861 B2 JP H0337861B2 JP 535485 A JP535485 A JP 535485A JP 535485 A JP535485 A JP 535485A JP H0337861 B2 JPH0337861 B2 JP H0337861B2
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JP
Japan
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glass
case
metal sealing
stem
metal
Prior art date
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Expired - Lifetime
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JP535485A
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English (en)
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JPS61164243A (ja
Inventor
Kazunari Ichise
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPS61164243A publication Critical patent/JPS61164243A/ja
Publication of JPH0337861B2 publication Critical patent/JPH0337861B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • HELECTRICITY
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    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
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    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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    • H01L2224/48472Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge

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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はテレビカメラ等に用いられる固体撮像
素子および光学的機能を有する素子のガラス窓を
有するハーメチツクパツケージの構造に関する。
〔従来の技術〕
第4図は先行技術として本願の先願である特願
昭59−46941のハーメチツクシールタイプの固体
撮像素子の構造を例として示す。
同図Aは平面図、同図Bは正面図である。同図
において、23は固体撮像素子で、金属ステム2
2に固着され、前記金属ステム22とリード端子
21は、封止用ガラス29によりハーメチツクシ
ールされている。上面に開口26を有する金属封
止ケース25は、開口26を密封するガラス27
と低融点ガラス接着剤28により接着され、最終
的に、ステム22と電気的に溶接部30において
密封封止される。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし、前述の先行技術では、第4図の溶接部
30に於いてケース25とステム22を電気的に
溶接あるいは圧接させる時生じた変形力が、ケー
ス25を介してガラス27に伝わり、ガラスのワ
レ、クラツクを生じされるという問題があつた。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明のガラス窓を有するハーメチツクパツケ
ージの構造は、複数本のリード端子と前記リード
端子をハーメチツクシールして形成されるステム
と、前記ステムに溶接または圧接され上面に密封
接着されたガラス窓を有する金属封止ケースで構
成され、前記金属封止ケースは、金属封止ケース
の側面に、ガラス接着部分と異なる厚み段差形状
を有することを特徴とする。さらに前記厚み段差
形状は、少なくとも前記金属封止ケースの側面の
一部に設けられ、ガラス接着部分とガラス接着部
分より薄い部分とからなる段差形状であることを
特徴とする。
〔作用〕
本発明の上記構成によれば、金属封止ケースの
側面に、ガラス部分より薄い部分を設けることに
より、先行技術では問題のあつた溶接または圧接
時の応力変形をガラスまで伝えることなく、前記
段差部および薄い部分で応力変形を吸収すること
ができる。
<実施例> 以下、本発明の実施例を図面にもとづき説明す
る。第1図は本発明の実施例を示し、同図Aは平
面図、同図Bは正面図である。同図において本例
のガラス窓を有するハーメチツクパツケージの構
造は、複数本のリード端子1と、前記リード端子
1を低融点封止用ガラス9でハーメチツクシール
して形成されるステム2と、前記ステムに固着さ
れる固体撮像素子3と、前記固体撮像素子3と前
記リード端子1とを電気的に接続する金属細線4
と、前記ステム2に溶接され上面に開口6を有す
る金属封止ケース5と、前記封止ケース5の内側
に接着し開口6を密封するガラス7と、低融点ガ
ラス接着剤8で構成されている。尚金属封止ケー
ス5は、内壁側面全周にわたつて、ガラス7の接
着部5aより薄い部分5bとからなる厚み段差1
1を有している。この段差11により、溶接時あ
るいは圧接時の応力歪を吸収させ、ガラスのワ
レ、クラツクを防ぐことができる。
この場合、段差は、金属封止ケース5の側面全
周にわたらずとも、第2図の様に側面の周囲の部
分にガラス17の接着部15aより薄い部分15
を有していても良い。さらに第3図、A,B,C
の様に薄い部分の段差形状は、V構造、凹構造、
ゆるやかに薄くなる段差構造であつても良い。
さらにこれらの構造はケースの内壁に限らず外
側に有していても有効である。また段差は厚みの
差が大きい程有効である。
また応用実施例として本発明は、固体撮像素子
のハーメチツクパツケージの構造のみにかかわら
ず、ガラス窓を必要とする光学素子のハーメチツ
クパツケージの構造に、広く応用可能である。
〔発明の効果〕 本発明は以上説明したように、金属封止ケース
の側面に、ガラス接着部分とガラス接着部分より
薄い部分とからなる段差形状を設けたことによ
り、金属封止ケースとステムとを電気的に溶接あ
るいは圧接する際、金属封止ケースにおよぼす応
力歪を吸収させ、ガラス接着部に応力歪が伝わら
ないため、ガラスのワレ、クラツクが生じない。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明のハーメチツクパツケージ構
造図。 A……平面図、B……正面図、1……リード端
子、2……ステム、3……固体撮像素子、4……
金属細線、5……金属封止ケース、5a……金属
封止ケースの透明ガラス接着部分、5b……金属
封止ケースの透明ガラス接着部分より厚みが薄く
なつている部分、6……金属封止ケースの開口、
7……透明ガラス、8……低融点ガラス接着剤、
9……ハーメチツク封止用ガラス、10……金属
封止ケースとステムの溶接部、11……金属封止
ケースの厚み段差。 第2図は、側面の周囲の一部分に厚み段差を設
けたハーメチツクパツケージ構造図。 A……平面図、B……Aの切断面′で切つ
たときの正面断面図、15a……金属封止ケース
の透明ガラス接着部分、15b……金属封止ケー
スの透明ガラス接着部分より厚みが薄くなつてい
る部分、17……透明ガラス。 第3図は、金属封止ケース厚み段差の形状例図 A……V型構造図、B……凹型構造図、C……
ゆるやかに薄くなる段差構造図。 第4図は先願のハーメチツクパツケージ構造図 A……平面図、B……正面図、21……リード
端子、22……金属ステム、23……固体撮像素
子、25……金属封止ケース、26……金属封止
ケースの開口、27……透明ガラス、28……低
融点ガラス接着剤、29……封止用ガラス、30
……金属封止ケースとステムの接合部。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 複数本のリード端子と前記リード端子をハー
    メチツクシールして形成されるステムと、前記ス
    テムに溶接または圧接され上面に密封接着された
    ガラス窓を有する金属封止ケースで構成され、前
    記金属封止ケースは、金属封止ケースの側面に、
    ガラス接着部分と異なる厚み段差形状を設けたこ
    とを特徴としたハーメチツクパツケージ構造。 2 厚み段差形状は、少なくとも、前記金属封止
    ケースの側面の一部に設けられ、ガラス接着部分
    より薄いことを特徴とした特許請求の範囲第1項
    記載のハーメチツクパツケージの構造。
JP60005354A 1985-01-16 1985-01-16 ハ−メチツクパツケ−ジの構造 Granted JPS61164243A (ja)

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JP60005354A JPS61164243A (ja) 1985-01-16 1985-01-16 ハ−メチツクパツケ−ジの構造

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JP60005354A JPS61164243A (ja) 1985-01-16 1985-01-16 ハ−メチツクパツケ−ジの構造

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JPS61164243A JPS61164243A (ja) 1986-07-24
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CN110364487A (zh) * 2019-07-23 2019-10-22 西安伟京电子制造有限公司 一种混合集成电路管壳及防止玻璃绝缘子断裂的方法

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JPS61164243A (ja) 1986-07-24

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