JPH0230181A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0230181A JPH0230181A JP63180791A JP18079188A JPH0230181A JP H0230181 A JPH0230181 A JP H0230181A JP 63180791 A JP63180791 A JP 63180791A JP 18079188 A JP18079188 A JP 18079188A JP H0230181 A JPH0230181 A JP H0230181A
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 11
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔１既 要〕
半導体装置の構造に特にＣＣＤ等の固体撮像デバイスに
用いる透光性キャンプを有する半導体装置の構造に関し
、 フィルタを変質させることなく耐湿性の良い半導体装置
の提供を目的とし、 外部リードピンを有するパッケージの上面に透光性キャ
ンプを備え、有機材料からなるフィルタを被着された受
光素子を前記透光性キャップに対向配置してなる半導体
装置において、前記透光性キャップに対向しない側の前
記受光素子の面にチップ付けされる導通パターンを有す
るセラミック板と、該導通パターンの一端に前記受光素
子の入出力端子をワイヤボンディング接続すると共に、
該導通パターンの各他端を前記外部リードピンに接続可
能に前記セラミック板に設けた中継ビンと、該セラミッ
ク板を前記パッケージの下面から挿入して前記パッケー
ジの内側面に封着する封止レジンと、前記セラミック板
に対向して前記パッケージの下面に設けたシームウェル
ドキャップとから構成する。
用いる透光性キャンプを有する半導体装置の構造に関し
、 フィルタを変質させることなく耐湿性の良い半導体装置
の提供を目的とし、 外部リードピンを有するパッケージの上面に透光性キャ
ンプを備え、有機材料からなるフィルタを被着された受
光素子を前記透光性キャップに対向配置してなる半導体
装置において、前記透光性キャップに対向しない側の前
記受光素子の面にチップ付けされる導通パターンを有す
るセラミック板と、該導通パターンの一端に前記受光素
子の入出力端子をワイヤボンディング接続すると共に、
該導通パターンの各他端を前記外部リードピンに接続可
能に前記セラミック板に設けた中継ビンと、該セラミッ
ク板を前記パッケージの下面から挿入して前記パッケー
ジの内側面に封着する封止レジンと、前記セラミック板
に対向して前記パッケージの下面に設けたシームウェル
ドキャップとから構成する。
本発明は、半導体装置の構造に特にＣＣＤ等の固体撮像
デバイスに用いる透光性キャップを有する半導体装置の
構造に関する。
デバイスに用いる透光性キャップを有する半導体装置の
構造に関する。
第２図は従来の固体撮像デバイスの要部断面図を示す。
図において、■は透光性キャップであってサファイヤ等
の透光性部材からなる。２は半導体素子を収容するパフ
ケージであってセラミック等にて形成される。３はＣＯ
Ｄ等の固体損保デバイス等からなるカラー用の受光素子
であって、その表面には有機材料からなるフィルタ４が
被着されている。５は接着剤を示す。パッケージ２の上
面には段差を設け、その段差部を利用して接着剤５にて
透光性キャップ１を接着し、外部からの光を封止された
受光素子３が受光できる構造になっている。６は複数の
リードピンであってパッケージ２の内部に積層形成され
た導通パターン２′と接続され、その導通パターン２”
の他端は受光素子３の入出力端子にそれぞれワイヤボン
デング付けされている。
の透光性部材からなる。２は半導体素子を収容するパフ
ケージであってセラミック等にて形成される。３はＣＯ
Ｄ等の固体損保デバイス等からなるカラー用の受光素子
であって、その表面には有機材料からなるフィルタ４が
被着されている。５は接着剤を示す。パッケージ２の上
面には段差を設け、その段差部を利用して接着剤５にて
透光性キャップ１を接着し、外部からの光を封止された
受光素子３が受光できる構造になっている。６は複数の
リードピンであってパッケージ２の内部に積層形成され
た導通パターン２′と接続され、その導通パターン２”
の他端は受光素子３の入出力端子にそれぞれワイヤボン
デング付けされている。
第３図は第２図の接着剤付近の拡大図を示す。
透光性キャップ１をパッケージ２に接着する際に接着剤
５としてガラス性接着剤を用いると、封止温度が約４０
０℃になり、前記受光素子３に被着された有機材料から
なるフィルタ４が変質してしまう欠点がある。また、樹
脂性接着剤を用いると、封止温度は約１５０℃となりフ
ィルタ４の変質の心配はないが封止後、高湿度雰囲気中
で装置を使用すると、パッケージ２内に水分が侵入する
ことがあり、装置の信頬性を劣化させる欠点がある。
５としてガラス性接着剤を用いると、封止温度が約４０
０℃になり、前記受光素子３に被着された有機材料から
なるフィルタ４が変質してしまう欠点がある。また、樹
脂性接着剤を用いると、封止温度は約１５０℃となりフ
ィルタ４の変質の心配はないが封止後、高湿度雰囲気中
で装置を使用すると、パッケージ２内に水分が侵入する
ことがあり、装置の信頬性を劣化させる欠点がある。
本発明は上記従来の欠点に鑑みてなされたもので、フィ
ルタを変質させることなく耐湿性の良い半導体装置の提
供を目的とする。
ルタを変質させることなく耐湿性の良い半導体装置の提
供を目的とする。
第１図は、本発明の構成を示す要部断面図である。外部
リードビン６を有するパンケージ７の上面に透光性キャ
ップ１を備え、有機材料からなるフィルタ４を被着され
た受光素子３を前記透光性キャップｌに対向配置してな
る半導体装置において、前記透光性キャップ１に対向し
ない側の前記受光素子３の面にチップ付けされる導通パ
ターン１２を有するセラミック板９と、該導通パターン
１２の一端に前記受光素子３の入出力端子をワイヤボン
ディング接続すると共に、該導通パターン１２の各他端
を前記外部リードピン６に接続可能に前記セラミック板
９に設けた中継ピン１３と、該セラミック板９を前記パ
ッケージ７の下面から挿入して前記パッケージ７の内側
面に封着する封止レジンｌＯと、前記セラミック板９に
対向して前記パッケージ７の下面に設けたシームウェル
ドキャップ１１とから構成する。
リードビン６を有するパンケージ７の上面に透光性キャ
ップ１を備え、有機材料からなるフィルタ４を被着され
た受光素子３を前記透光性キャップｌに対向配置してな
る半導体装置において、前記透光性キャップ１に対向し
ない側の前記受光素子３の面にチップ付けされる導通パ
ターン１２を有するセラミック板９と、該導通パターン
１２の一端に前記受光素子３の入出力端子をワイヤボン
ディング接続すると共に、該導通パターン１２の各他端
を前記外部リードピン６に接続可能に前記セラミック板
９に設けた中継ピン１３と、該セラミック板９を前記パ
ッケージ７の下面から挿入して前記パッケージ７の内側
面に封着する封止レジンｌＯと、前記セラミック板９に
対向して前記パッケージ７の下面に設けたシームウェル
ドキャップ１１とから構成する。
受光素子３をセラミック板９にチップ付けすることによ
り、受光素子３をパッケージ７から分離した状態でパッ
ケージ７の上面に透光性キャップ１を接着可能となり封
止温度の高いガラス性接着剤８を使用でき、これにより
透光性キャップ１の接着部分からの湿気侵入問題は解決
できる。また受光素子３の入出力端子は中継ビン１３を
セラミック板９にもうけることにより外部リードビン６
と接続可能となり、シームウェルドキャップ１１をパッ
ケージ７の下面に設けることによりパッケージ７の内側
面にセラミック板９を封着する封止レジンＩＯは大気に
晒されることなく、かつ受光素子３に熱を加えることな
く封止が可能となる。
り、受光素子３をパッケージ７から分離した状態でパッ
ケージ７の上面に透光性キャップ１を接着可能となり封
止温度の高いガラス性接着剤８を使用でき、これにより
透光性キャップ１の接着部分からの湿気侵入問題は解決
できる。また受光素子３の入出力端子は中継ビン１３を
セラミック板９にもうけることにより外部リードビン６
と接続可能となり、シームウェルドキャップ１１をパッ
ケージ７の下面に設けることによりパッケージ７の内側
面にセラミック板９を封着する封止レジンＩＯは大気に
晒されることなく、かつ受光素子３に熱を加えることな
く封止が可能となる。
以下本発明の実施例を図面によって詳述する。
なお、構成、動作の説明を理解し易くするために全図を
通じて同一部分には同一符号を付してその重複説明を省
略する。
通じて同一部分には同一符号を付してその重複説明を省
略する。
第１図は本発明の構成を示す要部断面図である。
図において、７はパッケージであって第２図のパッケー
ジ２と異なる点は底部が抜けていることと、外部リード
ピン６の接続パターンが後述する中継ピン１３と接続さ
れるようになったこと、および後述するセラミック板９
とシームウェルドキャップ１１とを下面側に設ける構造
になった点である。８はガラス性の接着剤、９は受光素
子３をチップ付けするセラミック板、１０はセラミック
板９を前記パッケージ７の下面から挿入して前記パッケ
ージ７の内側面に封着する封止レジンであって、例えば
封止温度の低い樹脂性接着剤を用いる。
ジ２と異なる点は底部が抜けていることと、外部リード
ピン６の接続パターンが後述する中継ピン１３と接続さ
れるようになったこと、および後述するセラミック板９
とシームウェルドキャップ１１とを下面側に設ける構造
になった点である。８はガラス性の接着剤、９は受光素
子３をチップ付けするセラミック板、１０はセラミック
板９を前記パッケージ７の下面から挿入して前記パッケ
ージ７の内側面に封着する封止レジンであって、例えば
封止温度の低い樹脂性接着剤を用いる。
１１はパッケージ７の下面にセラミック板９をカバーす
るように設けたシームウェルドキャンプであって、スポ
ット溶接式に加熱されるため温度上昇は少なく、セラミ
ック板９を密封できる。
るように設けたシームウェルドキャンプであって、スポ
ット溶接式に加熱されるため温度上昇は少なく、セラミ
ック板９を密封できる。
１２はセラミック板９に設けられた導通パターンであっ
て、その一端は受光素子３の入出力端子とをワイヤボン
ディング接続され、その各他端は外部リードピン６と接
続可能に設けられた中継ピン１３に接続されている。中
継ピン１３は挿抜自在のコネクタ構造でセラミック板９
に植設されたものである。
て、その一端は受光素子３の入出力端子とをワイヤボン
ディング接続され、その各他端は外部リードピン６と接
続可能に設けられた中継ピン１３に接続されている。中
継ピン１３は挿抜自在のコネクタ構造でセラミック板９
に植設されたものである。
組み立ての手順としては、まずパッケージ７と透光性キ
ャップ１をガラス性接着剤８にて一体化する。次に導通
パターン１２のあるセラミック板９に受光素子３をチッ
プ付けし、その入出力端子を導通パターン１２とワイヤ
ボンディング接続し、さらにその他端は植設された中継
ピンと接続する。
ャップ１をガラス性接着剤８にて一体化する。次に導通
パターン１２のあるセラミック板９に受光素子３をチッ
プ付けし、その入出力端子を導通パターン１２とワイヤ
ボンディング接続し、さらにその他端は植設された中継
ピンと接続する。
次に透光性キャップ１と一体化されたパッケージ７の下
面からセラミック板９の中継ピン１３を嵌合させながら
挿入して前記パッケージ７の内側面に封止レジン１０に
て封着する。次にシームウェルドキャップ１１にてパッ
ケージ７の下面を密封する。
面からセラミック板９の中継ピン１３を嵌合させながら
挿入して前記パッケージ７の内側面に封止レジン１０に
て封着する。次にシームウェルドキャップ１１にてパッ
ケージ７の下面を密封する。
この密封はあらかじめパッケージ７の下面をメタライズ
しておき、低融点金属の金属ロー材を選択することによ
り行う。
しておき、低融点金属の金属ロー材を選択することによ
り行う。
以上の説明から明らかなように本発明によれば、良好な
耐湿性が得られ装置の信顛性を向上させることができる
効果がある。
耐湿性が得られ装置の信顛性を向上させることができる
効果がある。
第１図は本発明の構成を示す要部断面図、第２図は従来
の固体撮像デバイスの要部断面図、第３図は第２図の接
着剤付近の拡大図を示す。 第１図において、１は透光性キャップ、３は受光素子、
４はフィルタ、６は外部リードピン、７はパッケージ、
９はセラミック板、■０は封止レジン、１１はシームウ
ェルドキャップ、１２は導通パターン、１３は中継ピン
をそれぞれ示す。
の固体撮像デバイスの要部断面図、第３図は第２図の接
着剤付近の拡大図を示す。 第１図において、１は透光性キャップ、３は受光素子、
４はフィルタ、６は外部リードピン、７はパッケージ、
９はセラミック板、■０は封止レジン、１１はシームウ
ェルドキャップ、１２は導通パターン、１３は中継ピン
をそれぞれ示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 外部リードピン（６）を有するパッケージ（７）の上面
に透光性キャップ（１）を備え、有機材料からなるフィ
ルタ（４）を被着された受光素子（３）を前記透光性キ
ャップ（１）に対向配置してなる半導体装置において、
前記透光性キャップ（１）に対向しない側の前記受光素
子（３）の面にチップ付けされる導通パターン（１２）
を有するセラミック板（９）と、 該導通パターン（２）の一端に前記受光素子（３）の入
出力端子をワイヤボンディング接続すると共に、該導通
パターン（２）の各他端を前記外部リードピン（６）に
接続可能に前記セラミック板（９）に設けた中継ピン（
１３）と、 該セラミック板（９）を前記パッケージ（７）の下面か
ら挿入して前記パッケージ（７）の内側面に封着する封
止レジン（１０）と、 前記セラミック板（９）に対向して前記パッケージ（７
）の下面に設けたシームウエルドキャップ（１１）とか
ら構成されてなることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63180791A JPH0230181A (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63180791A JPH0230181A (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0230181A true JPH0230181A (ja) | 1990-01-31 |
Family
ID=16089393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63180791A Pending JPH0230181A (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0230181A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000076001A1 (en) * | 1999-06-04 | 2000-12-14 | Silicon Film Technologies, Inc. | Image sensor package with image plane reference |
| US6268231B1 (en) | 1996-04-08 | 2001-07-31 | Eastman Kodak Company | Low cost CCD packaging |
| WO2004068592A1 (ja) * | 2003-01-27 | 2004-08-12 | Ngk Insulators, Ltd. | 光デバイス |
| US7174062B2 (en) | 2002-03-29 | 2007-02-06 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical device and method of manufacturing same |
-
1988
- 1988-07-19 JP JP63180791A patent/JPH0230181A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6268231B1 (en) | 1996-04-08 | 2001-07-31 | Eastman Kodak Company | Low cost CCD packaging |
| WO2000076001A1 (en) * | 1999-06-04 | 2000-12-14 | Silicon Film Technologies, Inc. | Image sensor package with image plane reference |
| US7174062B2 (en) | 2002-03-29 | 2007-02-06 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical device and method of manufacturing same |
| WO2004068592A1 (ja) * | 2003-01-27 | 2004-08-12 | Ngk Insulators, Ltd. | 光デバイス |
| US7287915B2 (en) | 2003-01-27 | 2007-10-30 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical device |
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