JPH05343549A

JPH05343549A - 半導体装置

Info

Publication number: JPH05343549A
Application number: JP3144629A
Authority: JP
Inventors: Hitoshi Matsui; 仁松井
Original assignee: Hitachi Ltd; Akita Electronics Co Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Akita Electronics Systems Co Ltd
Priority date: 1991-06-17
Filing date: 1991-06-17
Publication date: 1993-12-24

Abstract

(57)【要約】【目的】ベース基板２に搭載された半導体ペレット３を
金属又は合金で形成される封止用キャップ９で封止する
半導体装置（ＰＧＡ）１において、前記金属又は合金で
形成される封止用キャップ９の特性を保持した状態で、
外観不良を低減する。【構成】ベース基板２に封止用ろう材１１を介在して金
属又は合金で形成される封止用キャップ９を接着し、こ
のベース基板２、封止用キャップ９の夫々の間に形成さ
れるキャビティ内部に半導体ペレット３を封止する半導
体装置１において、前記封止用キャップ９の封止用ろう
材１１を付着させる接着領域を除く表面又はその表面の
一部の領域に化学的に不活性でかつ前記接着領域に比べ
て前記封止用ろう材に対する濡れ性が低い表面被覆層９
Ｃを形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に関し、特
に、半導体装置における表面処理技術に適用して有効な
技術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ＰＧＡ（Ｐin Ｇrid Ａrray ）構造を採
用する半導体装置は多ピン化に好適なパッケージ構造と
して知られている。ＰＧＡ構造を採用する半導体装置
は、ベース基板及び封止用キャップでパッケージ本体が
構成され、前記ベース基板と封止用キャップとの間に形
成されるキャビティ内部に半導体ペレットを封止する。

【０００３】前記ＰＧＡ構造を採用する半導体装置のベ
ース基板は、一般的に高性能及び高信頼性を目的とした
場合、積層セラミックで構成される。このベース基板の
ペレット搭載面と対向する裏面（実装面）には、複数本
の外部ピンが配列される。ＰＧＡ構造を採用する半導体
装置は、ベース基板の外側周縁の限定された領域に外部
ピンが配列されるのではなく、ベース基板の裏面の広い
領域に外部ピンが配列されるので、外部ピンを多数配列
できる。前記外部ピンは、ベース基板内に形成された配
線を介在し、半導体ペレットの外部端子（ボンディング
パッド）に電気的に接続される。

【０００４】封止用キャップは、ベース基板のペレット
搭載面のキャビティの周囲において、封止用ろう材を介
在して接着される。封止用キャップは、金属若しくは合
金、例えばＦｅ−Ｎｉ系合金（例えばＮｉの含有量４２
［％］）で形成される。この金属若しくは合金で形成さ
れる封止用キャップは、セラミック材で形成されるもの
に比べて、機械的強度が高い（特に脆性が小さい）の
で、ベース基板との接着領域の面積を縮小でき、ＰＧＡ
構造を採用する半導体装置の小型化が図れる。

【０００５】封止用キャップは、表面の酸化の防止や腐
食の防止を目的として、表面がＡｕメッキ層で被覆され
る。このＡｕメッキ層は、化学的に不活性な性質を有
し、しかも封止用ろう材との接着性（濡れ性）が高めら
れる。

【０００６】前記封止用ろう材としては低融点のＡｕ−
Ｓｎ合金が使用される。

【０００７】なお、ＰＧＡ構造を採用する半導体装置に
ついては、例えば、日経エレクトロニクス、別冊マイク
ロデバイセズ、１９８４年６月１１日号、第１４８頁乃
至第１５９頁に記載されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明者は、前述のＰ
ＧＡ構造を採用する半導体装置において、下記の問題点
を見出した。

【０００９】（１）ＰＧＡ構造を採用する半導体装置に
おいて、ベース基板と封止用キャップとの間を封止用ろ
う材で接着する際、封止用ろう材は気密封止の信頼性を
確保するために若干過剰に形成されるので、封止用ろう
材が封止用キャップの上側表面上に表面張力に基づきは
い上がる（流出する）。封止用キャップの母体のＦｅ−
Ｎｉ合金の表面にＡｕメッキ層を形成した後に、封止用
ろう材を使用し、ベース基板と封止用キャップとの間を
接着する場合、封止用ろう材のはい上がりは封止用キャ
ップの上側表面上に余分な封止用ろう材として残存す
る。

【００１０】また、封止用キャップの母体であるＦｅ−
Ｎｉ合金の表面にＡｕメッキ層を形成する際、Ｆｅ−Ｎ
ｉ合金の表面に異物が存在すると、Ｆｅ−Ｎｉ合金とＡ
ｕメッキ層との界面にメッキ液が残留し、Ａｕメッキ層
にふくれ現象が発生する。

【００１１】いずれの場合も、ＰＧＡ構造を採用する半
導体装置の組立プロセス後に行われる良品の選別工程に
おいて、外観不良として、不良品に選別される。つま
り、外観不良となったＰＧＡ構造を採用する半導体装置
は、封止用キャップの表面に会社名、製品名、製造番号
等のマークを形成できない。また、外観不良となったＰ
ＧＡ構造を採用する半導体装置は、プリント配線基板等
の実装基板に実装する際、規定の高さよりも高くなる場
合が発生し、実装基板に組込めない。

【００１２】（２）また、ＰＧＡ構造を採用する半導体
装置の組立プロセスにおいて、封止用キャップのハンド
リング工程の際（封止用キャップをコレットで挟持し、
搬送する工程の際）、封止用キャップの母体若しくはＡ
ｕメッキ層の硬度が低いので、傷がつき易い。この傷が
ついたＰＧＡ構造を採用する半導体装置は、前述と同様
に、不良品として選別される。

【００１３】本発明の目的は、ベース基板に搭載された
半導体ペレットを金属若しくは合金で形成される封止用
キャップで封止する半導体装置において、前記金属若し
くは合金で形成される封止用キャップの特性を保持した
状態で、外観不良を低減することが可能な技術を提供す
ることにある。

【００１４】本発明の他の目的は、ベース基板と封止用
キャップとの間に形成されるキャビティ内部に半導体ペ
レットを封止し、前記ベース基板、封止用キャップのい
ずれかに放熱体を装着する半導体装置において、放熱効
率を向上することが可能な技術を提供することにある。

【００１５】本発明の他の目的は、半導体ペレットを封
止する封止体の外部に、実装する際に半田を介在して被
実装体に電気的かつ機械的に接続される、複数の外部電
極を配列した半導体装置において、前記外部電極間の半
田実装に基づく短絡を防止することが可能な技術を提供
することにある。

【００１６】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下
記のとおりである。

【００１８】（１）ベース基板に封止用ろう材を介在し
て金属若しくは合金で形成される封止用キャップを接着
し、このベース基板、封止用キャップの夫々の間に形成
されるキャビティ内部に半導体ペレットを封止する半導
体装置において、前記封止用キャップの封止用ろう材を
付着させる接着領域を除く表面若しくはその表面の一部
の領域に、化学的に不活性で、かつ前記接着領域に比べ
て前記封止用ろう材に対する濡れ性が低い表面被覆層を
形成する。

【００１９】（２）ベース基板に封止用ろう材を介在し
て金属若しくは合金で形成される封止用キャップを接着
し、このベース基板、封止用キャップの夫々の間に形成
されるキャビティ内部に半導体ペレットを封止する半導
体装置において、前記封止用キャップの封止用ろう材を
付着させる接着領域を除く表面若しくはその表面の一部
の領域に、化学的に不活性で、かつ前記封止用キャップ
に比べて機械的強度の高い表面被覆層を形成する。

【００２０】（３）前記手段（１）又は手段（２）の表
面被覆層は、封止用キャップの表面若しくはその表面の
一部の領域にイオン処理で形成されたＴｉコート層であ
る。

【００２１】（４）ベース基板と封止用キャップとの間
に形成されるキャビティ内部に半導体ペレットを封止
し、前記ベース基板、封止用キャップのいずれかに放熱
体を装着する半導体装置において、前記ベース基板、封
止用キャップのいずれかの放熱体が装着される領域の表
面、又は前記放熱体の装着される領域の表面に、Ｔｉコ
ート層を形成する。

【００２２】（５）半導体ペレットを封止する封止体の
外部に、実装する際に半田を介在して被実装体に電気的
かつ機械的に接続される、複数の外部電極を配列した半
導体装置において、前記封止体の外部電極間の表面に、
前記封止体に比べて、半田に対する濡れ性が低い表面被
覆層を形成する。

【００２３】

【作用】上述した手段（１）によれば、（Ａ）前記化学
的に不活性な表面被覆層により、封止用キャップの表面
若しくはその表面の一部の領域に水分、イオン等が付着
しても、封止用キャップを形成する金属若しくは合金の
酸化、腐食等を防止できるとともに、（Ｂ）前記濡れ性
の低い表面被覆層により、前記封止用キャップの表面若
しくはその表面の一部の領域に封止用ろう材の表面張力
に基づく流出がなくなるので、半導体装置の封止用ろう
材の流出による外観不良を防止できる。前記半導体装置
の封止用ろう材の封止用キャップの表面若しくはその表
面の一部の領域への流出の防止（外観不良の防止）は、
封止用キャップの表面に会社名、製品名、製造番号等の
マークを簡単に形成でき、又半導体装置の実装基板（例
えばプリント配線基板）への実装時、実装高さ不良の発
生を防止できる。

【００２４】上述した手段（２）によれば、前記手段
（１）の作用効果（Ａ）と同様の作用効果が得られると
ともに、（Ｂ）前記機械的強度の高い表面被覆層によ
り、封止用キャップの表面の傷、摩耗等を防止し、半導
体装置の外観不良を防止できる。

【００２５】上述した手段（３）によれば、前記チタン
コート層は、化学的に不活性で、かつイオン半径が小さ
く、封止用ろう材に対して濡れ性が低い性質を有し、又
機械的硬度が比較的高い性質を有する。

【００２６】上述した手段（４）によれば、前記チタン
コート層により、ベース基板、封止用キャップのいずれ
かの放熱体が装着される領域の表面、又は前記放熱体の
装着される領域の表面に異物、封止材等が付着せず、ベ
ース基板、封止用キャップのいずれかと放熱体との間の
密着性を高くできる（この密着部分の熱抵抗を低減でき
る）ので、半導体ペレットに搭載された回路システムの
動作で発生する熱を放熱体に効率良く放出でき、半導体
装置の放熱性を向上できる。

【００２７】上述した手段（５）によれば、前記濡れ性
の低い表面被覆層により、封止体の外部電極間への半田
の流出を防止し、所謂半田ブリッジに基づく外部電極間
の短絡を防止できるので、半導体装置の特に被実装体へ
の実装時の信頼性を向上できる。

【００２８】以下、本発明の構成について、実施例とと
もに説明する。

【００２９】なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。

【００３０】

【実施例】（実施例１）本実施例１は、ＰＧＡ構造
を採用する半導体装置において、外観不良を低減した、
本発明の第１実施例である。

【００３１】本発明の実施例１であるＰＧＡ構造を採用
する半導体装置の構成を図１（部分断面側面図）で示
す。

【００３２】図１に示すように、ＰＧＡ構造を採用する
半導体装置１はベース基板２と封止用キャップ９との間
に形成されたキャビティ内部に半導体ペレット３が封止
される。

【００３３】前記ベース基板２は、平面形状がほぼ正方
形のパネル形状で構成され、高性能及び高信頼性を主目
的として、積層セラミックを主体に構成される。ベース
基板２のペレット搭載面側の中央部にはキャビティとな
る凹部が形成され、この凹部内（キャビティ内部）に半
導体ペレット３が固着される。

【００３４】ベース基板２は積層されたセラミックの各
積層間において配線層６が配置され、この配線層６の一
端側は、他の配線層６若しくは外部電極ピン８に電気的
に接続される。配線層６の一端側と他の配線層６若しく
は外部電極ピン８との間の接続は積層されたセラミック
の各層に形成されたスルーホール及びスルーホールメッ
キ層７を介在して行われる。前記外部電極ピン８は、例
えば円柱形状で形成され、コバールで形成される。

【００３５】前記半導体ペレット３は、例えば平面形状
が方形状で形成され、例えば単結晶珪素で形成される。
この半導体ペレット３の回路搭載面（図１中、上側の
面）には所定の回路システムが搭載される。半導体ペレ
ット３に搭載される回路システムは半導体ペレット３の
周囲に配列された外部端子（ボンディングパッド）４に
結線される。

【００３６】半導体ペレット３の外部端子４はベース基
板２の配線層６のキャビティ内部まで引き出された他端
側にボンディングワイヤ５を介在して電気的に接続され
る。配線層６の他端側は半導体ペレット３の外周囲にこ
の半導体ペレット３を中心として放射状に複数本配置さ
れる。

【００３７】前記封止用キャップ９は、前記ベース基板
の平面形状に比べて小さく、かつキャビティの平面サイ
ズ（凹部の開口寸法）に比べて大きい範囲内において、
平面形状がベース基板２の実質的に相似形状のほぼ正方
形のパネル形状で構成される。封止用キャップ９は、機
械的強度特に脆性を小さくし、ベース基板２との接続領
域の占有面積を縮小し、ＰＧＡ構造を採用する半導体装
置１の小型化を主目的として、例えば母体（本体）９Ａ
がＦｅ−Ｎｉ合金（例えばＮｉ含有量４２［％］）で形
成される。

【００３８】封止用キャップ９の母体９Ａの周囲の少な
くともベース基板２との接着領域にはメタライズ層９Ｂ
が構成される。本実施例１においては、このメタライズ
層９Ｂは、母体９Ａの外側面及び母体９Ａのキャビティ
側の裏面に形成され、例えばＡｕメッキ層で形成され
る。メタライズ層９Ｂは基本的に封止用ろう材１１に対
して濡れ性が高い。

【００３９】封止用キャップ９の母体９Ａは、その接着
領域のメタライズ層９Ｂとベース基板２のキャビティの
周囲に形成されたメタライズ層１０との間に封止用ろう
材１１を介在させ、この封止用ろう材１１でベース基板
２に機械的に固着される。この封止用ろう材１１による
固着により、ベース基板２と封止用キャップ９との間に
形成されるキャビティ内部が気密封止される。

【００４０】前記ベース基板２のメタライズ層１０は、
例えばベース基板２の表面側からＷ層、Ｎｉ層、Ａｕ層
の夫々を順次積層した３層構造で構成される。

【００４１】また、前記封止用ろう材１１は例えばＡｕ
−Ｓｎ合金が使用される。この封止用ろう材１１は、固
形の平面リング形状のものをベース基板２のメタライズ
層１０と封止用キャップ９のメタライズ層９Ｂとの間に
配置し、この後、３２０〜３６０［℃］程度の低温度で
加熱溶融し、半流動化した後、硬化させることにより、
図１に示す形状になる。

【００４２】前記封止用キャップ９の接着領域（メタラ
イズ層９Ｂが形成された領域）を除く表面、つまり母体
９Ａの上側表面には表面被覆層９Ｃが構成される。本実
施例１においては、表面被覆層９Ｃは、母体９Ａの外部
雰囲気に接触する上側表面にしか形成していないが、基
本的に母体９Ａのキャビティ側の裏面に形成してもよ
い。

【００４３】前記表面被覆層９Ｃは、表面の酸化の防止
や腐食の防止を目的として、化学的に不活性な性質を備
え、かつ封止用キャップ９のメタライズ層９に比べて濡
れ性の低い性質を備える。また、表面被覆層９Ｃは、同
様に化学的に不活性な性質を備え、かつ母体９Ａ（若し
くはハンドリング工程の際に使用されるコレットや治
具）に比べて機械的な硬度の高い性質を備える。具体的
には、例えば、表面被覆層９Ｃはイオン半径の小さいＴ
ｉ（チタン）コート層が使用され、このＴｉコート層は
イオン処理による表面処理技術でコーティングされる。
Ｔｉコート層の場合、例えば１〜５［μｍ］程度の膜厚
で形成する。

【００４４】したがって、前述の封止用キャップ９はそ
の母体９Ａ、メタライズ層９Ｂ及び母体９Ａの表面（若
しくは表面の一部の領域）を被覆する表面被覆層９Ｃを
主体として構成される。

【００４５】このように、ベース基板２に封止用ろう材
１１を介在して合金で形成される封止用キャップ９を接
着し、このベース基板２、封止用キャップ９の夫々の間
に形成されるキャビティ内部に半導体ペレット３を封止
するＰＧＡ構造を採用する半導体装置１において、前記
封止用キャップ９の封止用ろう材１１を付着させる接着
領域（メタライズ層９Ｂの領域）を除く表面若しくはそ
の表面の一部の領域に、化学的に不活性で、かつ前記接
着領域に比べて前記封止用ろう材１１に対する濡れ性が
低い表面被覆層９Ｃを形成する。この構成により、
（Ａ）前記化学的に不活性な表面被覆層９Ｃにより、封
止用キャップ９の表面若しくはその表面の一部の領域に
水分、イオン等が付着しても、封止用キャップ９の母体
９Ａを形成するＦｅ−Ｎｉ合金の酸化、腐食等を防止で
きるとともに、（Ｂ）前記濡れ性の低い表面被覆層９Ｃ
により、前記封止用キャップ９の表面若しくはその表面
の一部の領域に封止用ろう材１１の表面張力に基づく流
出がなくなる（メタライズ層９Ａの領域にのみ封止用ろ
う材１１が付着する）ので、ＰＧＡ構造を採用する半導
体装置１の封止用ろう材１１の流出による外観不良を防
止できる。前記ＰＧＡ構造を採用する半導体装置１の封
止用ろう材１１の封止用キャップ９の表面若しくはその
表面の一部の領域への流出の防止（外観不良の防止）
は、封止用キャップ９の表面に会社名、製品名、製造番
号等のマークを簡単に形成でき、又ＰＧＡ構造を採用す
る半導体装置１の実装基板（例えばプリント配線基板）
への実装時、実装高さ不良の発生を防止できる。

【００４６】また、ベース基板２に封止用ろう材１１を
介在して母体９Ａを合金で形成する封止用キャップ９を
接着し、このベース基板２、封止用キャップ９の夫々の
間に形成されるキャビティ内部に半導体ペレット３を封
止するＰＧＡ構造を採用する半導体装置１において、前
記封止用キャップ９の封止用ろう材１１を付着させる接
着領域（メタライズ層９Ａの領域）を除く表面若しくは
その表面の一部の領域に、化学的に不活性で、かつ前記
封止用キャップ９の母体９Ａに比べて機械的強度の高い
表面被覆層９Ｃを形成する。この構成により、前記構成
の作用効果（Ａ）と同様の作用効果が得られるととも
に、（Ｂ）前記機械的強度の高い表面被覆層９Ｃによ
り、封止用キャップ９の表面の傷、摩耗等を防止し、Ｐ
ＧＡ構造を採用する半導体装置１の外観不良を防止でき
る。

【００４７】また、前記表面被覆層９Ｃは、封止用キャ
ップ９の母体９Ａの表面若しくはその表面の一部の領域
にイオン処理で形成されたＴｉコート層である。この構
成により、前記Ｔｉコート層は、化学的に不活性で、か
つイオン半径が小さく、封止用ろう材１１に対して濡れ
性が低い性質を有し、又機械的硬度が比較的高い性質を
有する。

【００４８】なお、本発明は、前述のＰＧＡ構造を採用
する半導体装置１の封止用キャップ９の表面被覆層９Ｃ
をＣｒコート層としてもよい。

【００４９】（実施例２）本実施例２は、放熱構造
を採用する半導体装置に本発明を適用した、本発明の第
２実施例である。

【００５０】本発明の実施例２である放熱構造を採用す
る半導体装置の構成を図２（部分断面側面図）で示す。

【００５１】本実施例２の放熱構造を採用する半導体装
置１はベース基板２、上部封止用キャップ９Ｅ及び下部
封止用キャップ９Ｄを主体にパッケージ本体が構成さ
れ、このパッケージ本体のキャビティ内部に半導体ペレ
ット３が封止される。半導体ペレット３は上部封止用キ
ャップ９Ｅのキャビティ側の表面に搭載される。半導体
ペレット３の外部端子４はボンディングワイヤ５を介在
してリード１２に電気的に接続される。

【００５２】前記パッケージ本体の上部封止用キャップ
９Ｅの外側表面には放熱フィン（放熱体）１３が連結さ
れる。放熱フィン１３は半導体ペレット３に搭載された
回路システムの動作で発生する熱を効率良く外部に放出
する機能を備える。前記上部封止用キャップ９Ｅ、放熱
フィン１３の夫々の連結は封止用キャップ９Ｅの外側表
面に形成された表面被覆層９Ｃを介在して行われる。表
面被覆層９Ｃは、前述の実施例１の表面被覆層９Ｃと同
様に、Ｔｉコート層を使用する。

【００５３】このように、ベース基板２、封止用キャッ
プ９Ｄ及び９Ｅで形成されるキャビティ内部に半導体ペ
レット３を封止し、前記上部封止用キャップ９Ｅに放熱
フィン１３を装着する放熱構造を採用する半導体装置１
において、前記上部封止用キャップ９Ｅと放熱フィン１
３との間に表面被覆層（Ｔｉコート層）９Ｃを形成す
る。この構成により、前記表面被覆層９Ｃにより、上部
封止用キャップ９Ｅの表面に異物、封止材等が付着せ
ず、上部封止用キャップ９Ｅと放熱体フィン１３との間
の密着性を高くできる（この密着部分の熱抵抗を低減で
きる）ので、半導体ペレット３に搭載された回路システ
ムの動作で発生する熱を放熱フィン１３に効率良く放出
でき、放熱構造を採用する半導体装置１の放熱性を向上
できる。

【００５４】なお、前記表面被覆層９Ｃは、放熱フィン
１３の上部封止用キャップ９Ｅとの連結領域の表面に形
成してもよい。

【００５５】また、前記放熱フィン１３は、ベース基板
２に半導体ペレット３が搭載される場合に、このベース
基板２に連結してもよい。

【００５６】また、放熱構造を採用する半導体装置は、
半導体ペレット３の裏面に直接々触させた放熱スタッド
を介在してヒートシンク（放熱体）を連結した放熱構造
で構成してもよい。この場合、表面被覆層１６は放熱ス
タッドとヒートシンクとの間に形成される。

【００５７】（実施例３）本実施例３は、半導体装
置の封止体の外部電極間の表面に前述の表面被覆層を形
成した、本発明の第３実施例である。

【００５８】本発明の実施例３である半導体装置の構成
を図３（部分断面側面図）で示す。

【００５９】本実施例３の半導体装置１は、図３に示す
ように、ベース基板２の裏面（実装面）に配置された外
部電極１４の構造が外部電極ピン８と異なるだけで、基
本的には前述の実施例１の半導体装置１と同様の構造で
構成される。この半導体装置１は、図示しないが、プリ
ント配線基板等の実装基板（被実装体）に実装する際に
半田（この場合、半田バンプ電極）１５が使用される。

【００６０】ベース基板２の裏面の外部電極１４間には
表面被覆層１６が形成される。この表面被覆層１６は封
止用キャップ９の表面被覆層９Ｃと同様にＴｉコート層
が使用される。この表面被覆層１６は外部電極１４、ベ
ース基板２の相方に比べて半田に対する濡れ性が低い。

【００６１】このように、半導体ペレット３を封止する
パッケージ本体のベース基板２の外部に、実装する際に
半田１５を介在して被実装体に電気的かつ機械的に接続
される、複数の外部電極１４を配列した半導体装置１に
おいて、前記ベース基板２の外部電極１４間の表面に、
前記ベース基板２に比べて、半田１５に対する濡れ性が
低い表面被覆層１６を形成する。この構成により、前記
濡れ性の低い表面被覆層１６により、ベース基板２の外
部電極１４間への半田１５の流出を防止し、所謂半田ブ
リッジに基づく外部電極１４間の短絡を防止できるの
で、半導体装置１の特に被実装体への実装時の信頼性を
向上できる。

【００６２】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。

【００６３】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。

【００６４】ベース基板に搭載された半導体ペレットを
金属若しくは合金で形成される封止用キャップで封止す
る半導体装置において、前記金属若しくは合金で形成さ
れる封止用キャップの特性を保持した状態で、外観不良
を低減できる。

【００６５】ベース基板と封止用キャップとの間に形成
されるキャビティ内部に半導体ペレットを封止し、前記
ベース基板、封止用キャップのいずれかに放熱体を装着
する半導体装置において、放熱効率を向上できる。

【００６６】半導体ペレットを封止する封止体の外部
に、実装する際に半田を介在して被実装体に電気的かつ
機械的に接続される、複数の外部電極を配列した半導体
装置において、前記外部電極間の半田実装に基づく短絡
を防止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１であるＰＧＡ構造を採用する
半導体装置の構成を示す部分断面側面図。

【図２】本発明の実施例２である放熱構造を採用する半
導体装置の構成を示す部分断面側面図。

【図３】本発明の実施例３である半導体装置の構成を示
す部分断面側面図。

【符号の説明】

１…半導体装置、２…ベース基板、３…半導体ペレッ
ト、６…配線層、８…外部電極ピン、９，９Ｄ，９Ｅ…
封止用キャップ、９Ａ…母体、９Ｂ，１０…メタライズ
層、１１…封止用ろう材、９Ｃ，１６…表面被覆層、１
２…リード、１３…放熱フィン、１４…外部電極、１５
…半田。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ベース基板に封止用ろう材を介在して金
属若しくは合金で形成される封止用キャップを接着し、
このベース基板、封止用キャップの夫々の間に形成され
るキャビティ内部に半導体ペレットを封止する半導体装
置において、前記封止用キャップの封止用ろう材を付着
させる接着領域を除く表面若しくはその表面の一部の領
域に、化学的に不活性で、かつ前記接着領域に比べて前
記封止用ろう材に対する濡れ性が低い表面被覆層を形成
したことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】ベース基板に封止用ろう材を介在して金
属若しくは合金で形成される封止用キャップを接着し、
このベース基板、封止用キャップの夫々の間に形成され
るキャビティ内部に半導体ペレットを封止する半導体装
置において、前記封止用キャップの封止用ろう材を付着
させる接着領域を除く表面若しくはその表面の一部の領
域に、化学的に不活性で、かつ前記封止用キャップに比
べて機械的強度の高い表面被覆層を形成したことを特徴
とする半導体装置。
【請求項３】前記請求項１又は請求項２に記載の表面
被覆層は、封止用キャップの表面若しくはその表面の一
部の領域にイオン処理で形成されたチタンコート層であ
ることを特徴とする。
【請求項４】ベース基板と封止用キャップとの間に形
成されるキャビティ内部に半導体ペレットを封止し、前
記ベース基板、封止用キャップのいずれかに放熱体を装
着する半導体装置において、前記ベース基板、封止用キ
ャップのいずれかの放熱体が装着される領域の表面、又
は前記放熱体の装着される領域の表面に、チタンコート
層を形成したことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】半導体ペレットを封止する封止体の外部
に、実装する際に半田を介在して被実装体に電気的かつ
機械的に接続される、複数の外部電極を配列した半導体
装置において、前記封止体の外部電極間の表面に、前記
封止体に比べて、半田に対する濡れ性が低い表面被覆層
を形成したことを特徴とする半導体装置。