JP2012169583A - 電子部品パッケージ用封止部材、電子部品パッケージ、及び電子部品パッケージ用封止部材の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】一主面に電子部品素子の電極が形成され、他主面に外部電極が形成された電子部品パッケージ用封止部材において、外部電極を実装基板にはんだ付けする際のはんだが、外部電極が形成された他主面から側面を伝って一主面へ這い上がることを抑制する。
【解決手段】一主面４２に電子部品素子２の電極３１，３２が搭載される第１封止部材４と、第１封止部材４の一主面４２に接合されて電子部品素子２の電極３１，３２を気密封止する第２封止部材７とにより電子部品パッケージを構成する。ここで、第１封止部材４の他主面４３には、外部電極５３，５４が設けられている。そして、他主面４３は、外周縁４７と外部電極５３，５４との間の領域４３２が、外部電極５３，５４よりもはんだのぬれ性の低い材料からなるぬれ防止膜（樹脂パターン６１）で被覆されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、第１封止部材及び第２封止部材により電子部品素子の電極が封止された電子部品パッケージの第１封止部材として使用される電子部品パッケージ用封止部材、この電子部品パッケージ用封止部材を使用した電子部品パッケージ、及びその電子部品パッケージ用封止部材の製造方法に関する。

圧電振動デバイス等の電子部品のパッケージ（以下、電子部品パッケージという）の内部空間は、この内部空間に搭載した電子部品素子の電極の特性が劣化するのを防ぐために気密封止される。

この種の電子部品パッケージとしては、ベースと蓋といった２つの封止部材から構成され、その筐体が直方体のパッケージに構成されたものがある。このようなパッケージの内部空間では、圧電振動片等の電子部品素子がベースに保持接合される。そして、ベースと蓋とが接合されることで、パッケージの内部空間の電子部品素子の電極が気密封止される。

例えば、特許文献１に開示の水晶部品（本発明でいう電子部品）では、ろう材（合金）により接合されたベースと蓋により構成されたパッケージの内部空間に、水晶片が気密封止されている。また、ベースの裏面の端部には、水晶片と電気的に接続された配線用金属（外部電極）が設けられている。

特開平６−２８３９５１号公報

ところで、上記した特許文献１の水晶部品において、ベースの裏面に形成された外部電極は、はんだ付けにより、プリント配線板等の実装基板に接着される。この実装基板への外部電極のはんだ付けに際し、溶融したはんだが、ベースの側面を伝って、ベースの表面へ這い上がることがあった。このようなベースの表面へのはんだの這い上がりは、ベースと蓋を接合するためのろう材と外部電極とのショートを引き起こす要因となっていた。

本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであって、電子部品素子が搭載される一主面と対向する他主面に設けられた外部電極に塗布されるはんだの前記一主面への這いあがりを抑制できる電子部品パッケージ用封止部材、この電子部品パッケージ用封止部材が使用されてなる電子部品用パッケージ、及びそのような電子部品パッケージ用封止部材の製造方法を提供することを目的とする。

本発明に係る電子部品パッケージ用封止部材は、一主面に電子部品素子が搭載される第１封止部材と、この第１封止部材の前記一主面に接合されて前記電子部品素子の電極を気密封止する第２封止部材とを備える電子部品パッケージの前記第１封止部材として使用される電子部品パッケージ用封止部材であって、他主面に外部電極が設けられ、前記他主面において、外周縁と前記外部電極との間の領域が、前記外部電極よりもはんだのぬれ性の低い材料からなるぬれ防止膜で被覆されていることを特徴とする。

この本発明に係る電子部品パッケージ用封止部材において、他主面の外周縁と外部電極との間の領域は、外部電極よりもはんだのぬれ性の低いぬれ防止膜で被覆されている。このため、外部電極に塗布されるはんだの濡れ拡がりが、他主面の外周縁と外部電極との間のぬれ防止膜により被覆された領域で留まる。よって、外部電極が形成された他主面から側面を伝った一主面へのはんだの這い上がりが抑制される。

また、本発明に係る電子部品パッケージ用封止部材において、前記ぬれ防止膜は樹脂材からなるものであってもよい。

この場合、ぬれ防止膜を、外部電極と比べてはんだのぬれ性が低い樹脂材で構成できる。

また、本発明に係る電子部品パッケージ用封止部材において、前記ぬれ防止膜が樹脂材からなり、前記他主面の前記外周縁に沿う端部全体が、前記ぬれ防止膜で被覆されていてもよい。

この場合、他主面の外周縁に沿う端部全体が樹脂材により被覆されている。即ち、このような構成の電子部品パッケージ用封止部材の製造において、ガラス材からなるウエハに当該電子部品パッケージ用封止部材を複数個成形し、ウエハをダイシングして、当該電子部品パッケージ用封止部材を個片化する際のウエハの切断部に樹脂材が配されている。このようにウエハの切断部に樹脂材を配すると、ダイシングによるウエハ（ガラス材）のチッピングの発生を抑制することができる。このようなチッピングの発生が抑制された電子部品パッケージ用封止部材は、外部からの衝撃に対し、高い強度を有する。例えば、当該電子部品パッケージ用封止部材を搭載した実装基板が曲がり、当該電子部品パッケージ用封止部材に実装基板の曲げ応力が伝わった場合において、チッピングを起点としたクラックの発生が抑制される。このため、実装基板への搭載時において、実装基板の曲げ応力に対し、高い強度を有する。

また、本発明に係る電子部品パッケージ用封止部材において、前記ぬれ防止膜は樹脂材からなり、前記他主面は、前記外部電極が形成された領域を除く全ての領域が前記ぬれ防止膜で被覆されていてもよい。

この場合、電子部品パッケージ用封止部材の他主面は、広い領域が樹脂材で保護される。このような他主面を保護する樹脂材は、当該電子部品パッケージ用封止部材が搭載された実装基板が曲がった時に、実装基板から電子部品パッケージ用封止部材へと伝わる曲げ応力を軽減させる。このため、本発明に係る電子部品パッケージ用封止部材において、実装基板への搭載時の実装基板の曲げ応力に対する強度を向上させることができる。

また、本発明に係る電子部品パッケージ用封止部材において、前記ぬれ防止膜は樹脂材からなり、前記他主面に、前記一主面に搭載される前記電子部品素子を前記外部電極に電気的に接続する配線パターンが設けられて、前記他主面に、前記配線パターンと前記外部電極とが接触する接触領域が設定され、前記他主面の前記接触領域を除く全ての領域に、前記ぬれ防止膜が形成され、前記外部電極が、前記接触領域に設けられた配線パターン上及び前記ぬれ防止膜上に形成されていてもよい。

この場合、電子部品パッケージ用封止部材の他主面のさらに広い領域を樹脂材で保護することができる。このため、本発明に係る電子部品パッケージ用封止部材において、実装基板への搭載時の実装基板の曲げ応力に対する強度をさらに向上させることができる。

また、本発明に係る電子部品パッケージ用封止部材では、前記他主面の外周縁に沿って、前記他主面から前記一主面の側へ傾斜するテーパー面が形成されていてもよい。

このように、他主面の外周縁に沿ってテーパー面が形成されることで、当該電子部品パッケージ用封止部材の割れ及び欠けが抑制され、機械的強度が向上する。また、当該電子部品パッケージ用封止部材の他主面がはんだにより実装基板に接合する場合には、はんだがテーパー面と実装基板との間に形成された空隙に入り込み、実装基板への接合強度が確保される。さらに、実装基板に当該電子部品パッケージ用封止部材の他主面を接合した時に、当該電子部品パッケージ用封止部材の側方にはんだが介在する上述の空隙が形成されるから、当該電子部品パッケージ用封止部材が実装基板に接合された状態で、当該電子部品パッケージ用封止部材の側方を見ることで、当該電子部品パッケージ用封止部材と実装基板との間に介在するはんだの有無及び量を確認することができる。

また、本発明に係る電子部品パッケージは、一主面に電子部品素子が搭載される第１封止部材と、この第１封止部材の前記一主面に接合されて前記電子部品素子の電極を気密封止する第２封止部材とを備える電子部品パッケージであって、前記第１封止部材が、本発明に係る電子部品パッケージ用封止部材であることを特徴とする。

この本発明に係る電子部品パッケージは、上記した本発明に係る電子部品パッケージ用封止部材を、一主面に電子部品素子が搭載される第１封止部材として使用してなるものであるから、第１封止部材の他主面の外部電極に塗布されるはんだが、第１封止部材の他主面から側面を伝って、第１封止部材の一主面へ這い上がることを抑制することができる。

本発明に係る電子部品パッケージ用封止部材の製造方法は、一主面に電子部品素子が搭載される第１封止部材と、前記第１封止部材の前記一主面に接合されて前記電子部品素子の電極を気密封止する第２封止部材とを備える電子部品パッケージの前記第１封止部材として使用される電子部品パッケージ用封止部材の製造方法であって、前記電子部品パッケージ用封止部材を成形する成形工程と、前記電子部品パッケージ用封止部材の他主面の電極形成領域に外部電極を形成する電極形成工程と、前記他主面の外周縁と前記電極形成領域との間の領域を、前記外部電極よりもはんだのぬれ性の低い材料からなるぬれ防止膜で被覆する被覆工程とを有することを特徴とする。

この本発明に係る電子部品パッケージ用封止部材の製造方法によれば、電子部品パッケージ用封止部材の他主面の外周縁と電極形成領域との間の領域を、電極形成領域に形成する外部電極よりもはんだのぬれ性の低い材料からなるぬれ防止膜で被覆する被覆工程を有することにより、外部電極に塗布されるはんだの濡れ拡がりを他主面の外周縁と外部電極との間のぬれ防止膜により被覆された領域で留めることができる電子部品パッケージ用封止部材を製造することができる。つまり、外部電極が形成された他主面から側面を伝った一主面へのはんだの這い上がりを抑制することができる電子部品パッケージ用封止部材を製造することができる。

この本発明に係る電子部品パッケージ用封止部材の製造方法では、前記成形工程で、ガラス材からなるウエハに複数個の前記電子部品パッケージ用封止部材を成形し、前記被覆工程で、前記他主面の前記外周縁に沿う端部全体を樹脂材からなる前記ぬれ防止膜で被覆した後、前記ウエハをダイシングして前記電子部品パッケージ用封止部材を個片化してもよい。

この場合、電子部品パッケージ用封止部材が複数個成形されたウエハの切断部、即ち、電子部品パッケージ用封止部材の他主面の外周縁に沿う端部全体を、樹脂材で被覆して保護することにより、ウエハのダイシング時に、ウエハ（ガラス材）にチッピングが発生することを抑制することができる。

本発明の電子部品パッケージ用封止部材及び電子部品パッケージによれば、実装基板に外部電極を接着するために使用されるはんだが、その外部電極が形成された電子部品パッケージ用封止部材の他主面から側面を伝って一主面へ這い上がることを抑制できる。

本発明の電子部品パッケージ用封止部材の製造方法によれば、実装基板に外部電極を接着するために使用されるはんだが、外部電極が形成された他主面から側面を伝って一主面へ這い上がることを抑制できる電子部品パッケージ用封止部材を製造することができる。

図１は、実施の形態１に係る水晶振動子の内部空間を公開した概略構成図であり、図２に示すベースのＡ−Ａ線に沿って全体を切断した時の水晶振動子の概略断面図である。 図２は、実施の形態１に係るベースの概略平面図である。 図３は、実施の形態１に係るベースの概略裏面図である。 図４は、実施の形態１に係る水晶振動子をはんだにより実装基板へ接合した時の図１のＢ部分を拡大して示す一部概略断面図である。 図５は、実施の形態１に係る蓋の概略裏面図である。 図６は、実施の形態１に係る水晶振動片の概略平面図である。 図７は、実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。 図８は、実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。 図９は、実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。 図１０は、実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。 図１１は、実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。 図１２は、実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。 図１３は、実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。 図１４は、実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。 図１５は、実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。 図１６は、実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。 図１７は、実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。 図１８は、実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。 図１９は、実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。 図２０は、実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。 図２１は、実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。 図２２は、実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。 図２３は、実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。 図２４は、実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。 図２５は、実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。 図２６は、実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。 図２７は、実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。 図２８は、実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。 図２９は、実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。 図３０は、実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。 図３１は、実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。 図３２は、実施の形態２に係るベースの概略裏面図である。 図３３は、実施の形態３に係るベースの概略裏面図である。 図３４は、実施の形態４に係る水晶振動子の内部空間を公開した概略構成図であり、図３５に示すベースのＡ−Ａ線に沿って全体を切断した時の水晶振動子の概略断面図である。 図３５は、実施の形態４に係るベースの概略裏面図である。 図３６は、他の実施の形態に係る水晶振動片の概略平面図である。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下に示す実施の形態では、電子部品パッケージとして圧電振動デバイスである水晶振動子のパッケージに本発明を適用し、さらに電子部品素子として圧電振動片である音叉型水晶振動片に本発明を適用した場合を示す。

＜実施の形態１＞
本実施の形態１に係る水晶振動子１には、図１に示すように、音叉型水晶片からなる水晶振動片２（本発明でいう電子部品素子）と、この水晶振動片２を保持し、水晶振動片２を気密封止するためのベース４（本発明でいう第１封止部材としての電子部品パッケージ用封止部材）と、ベース４と対向するように配置し、ベース４に保持した水晶振動片２の励振電極３１，３２（本発明でいう電子部品素子の電極）を気密封止するための蓋７（本発明でいう第２封止部材）とが設けられている。

この水晶振動子１では、ベース４と蓋７とがＡｕとＳｎの合金からなる接合材１２と、下記する第１接合層４８と、下記する第２接合層７４とにより接合され、この接合により、気密封止された内部空間１１を備える本体筐体が構成される。この内部空間１１では、ベース４に、水晶振動片２が、金バンプ等の導電性バンプ１３を用いたＦＣＢ法（Ｆｌｉｐ Ｃｈｉｐ Ｂｏｎｄｉｎｇ）により電気機械的に超音波接合されている。なお、本実施の形態１において、導電性バンプ１３には、金バンプ等の非流動性部材のメッキバンプが用いられている。なお、ベース４と水晶振動片２とは、導電性樹脂接合材により接合されていてもよい。

次に、この水晶振動子１の各構成について説明する。

ベース４は、ホウケイ酸ガラス等のガラス材料からなり、図１〜図３に示すように、底部４１と、ベース４の一主面４２の外周に沿って底部４１から上方に延出した壁部４４とから構成された箱状体に成形されている。このようなベース４は、直方体の一枚板の基材をウェットエッチングして箱状体に成形される。

ベース４の壁部４４の内側面は、テーパー状に成形されている。また、壁部４４の天面は、蓋７との接合面であり、この接合面には、蓋７と接合するための第１接合層４８が設けられている。第１接合層４８は、複数の層の積層構造からなり、ベース４の壁部４４の天面にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたスパッタ膜（図１の符号９３参照）と、スパッタ膜の上にメッキ形成されたメッキ膜（図１の符号９４参照）とからなる。スパッタ膜は、ベース４の壁部４４の天面にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＴｉ膜（図示省略）と、Ｔｉ膜の上にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＡｕ膜（図示省略）とからなる。また、メッキ膜は、スパッタ膜の上にメッキ形成されたＡｕ膜からなる。ベース４の一主面４２には、底部４１と壁部４４とによって囲まれた平面視長方形のキャビティ４５が成形されている。キャビティ４５の底面４５１には、その長手方向の一端部４５２の全体に沿って台座部４６がエッチング成形されている。この台座部４６に、水晶振動片２が搭載される。なお、このキャビティ４５の壁面は、壁部４４の内側面であり、上記のようにテーパー状に成形されている。

また、ベース４の他主面４３（筺体裏面）には、図１及び図３に示すように、外周縁４７の全体に沿って、他主面４３から一主面４２の側に傾斜するテーパー面４７１が形成されている。このように、他主面４３の外周縁４７に沿ってテーパー面４７１が形成されることで、ベース４の割れ及び欠けが抑制され、機械的強度が向上する。また、ベース４をはんだ１０２により実装基板１０１に接合して、水晶振動子１を実装基板１０１に実装する際には、図４に示すように、テーパー面４７１に形成された後述する外部端子電極５３，５４と実装基板１０１との間に形成された空隙１０３にはんだ１０２が入り込むことで、実装基板１０１への接合強度が確保される。特に、本実施の形態１では、ベース４の他主面４３の外周縁４７の全体に沿ってテーパー面４７１が形成されており、テーパー面４７１が他主面４３の長辺側及び短辺側の両方に存在している。このため、他主面４３の長辺側及び短辺側の上述の各空隙１０３にはんだ１０２が入り込み、他主面４３の長辺方向及び短辺方向の各方向において、実装基板１０１への接合強度が確保される。さらに、他主面４３の外周縁４７に沿ってテーパー面４７１が形成されていると、実装基板１０１にベース４の他主面４３を接合した時に、ベース４の側方にはんだが介在する上述の空隙１０３が形成されるから、ベース４が実装基板１０１に接合された状態で、ベース４の側方を見ることで、ベース４と実装基板１０１との間に介在するはんだの有無及び量を確認することができる。

また、ベース４には、水晶振動片２の励振電極３１，３２それぞれと電気機械的に接合する一対の電極パッド５１，５２と、外部部品や外部機器と電気的に接続する外部端子電極５３，５４（本発明でいう外部電極）と、電極パッド５１と外部端子電極５３、及び電極パッド５２と外部端子電極５４を電気的に接続させる配線パターン５５とが形成されている。これら電極パッド５１，５２と外部端子電極５３，５４と配線パターン５５とによりべース４の電極が構成される。電極パッド５１，５２は、台座部４６の表面に形成されている。

電極パッド５１，５２は、ベース４の基板上にスパッタリング形成された第１スパッタ膜（図１の符号９２参照）と、この第１スパッタ膜の上に形成された第２スパッタ膜（図１の符号９３参照）と、この第２スパッタ膜の上に形成されたＡｕメッキ膜（図１の符号９４参照）とにより構成されている。なお、電極パッド５１，５２を構成する第１スパッタ膜は、ベース４の一主面４２にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＴｉ膜（図示省略）と、Ｔｉ膜の上にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＣｕ膜（図示省略）とからなり、第２スパッタ膜は、第１スパッタ膜の上にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＴｉ膜（図示省略）と、Ｔｉ膜の上にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＡｕ膜（図示省略）とからなる。また、Ａｕメッキ膜は、第２スパッタ膜の上にメッキ形成されたＡｕ膜からなる。

配線パターン５５は、電極パッド５１，５２と外部端子電極５３，５４とを電気的に接続させるように、ベース４の一主面４２から貫通孔４９（下記参照）の内側面４９１を介してベース４の他主面４３に形成されている。また、配線パターン５５は、ベース４の基板上に形成された第１スパッタ膜（図１の符号９２参照）で構成されており、ベース４の一主面４２に位置する部分の第１スパッタ膜（図１の符号９２参照）上には、第２スパッタ膜（図１の符号９３参照）と、Ａｕメッキ膜（図１の符号９４参照）とが形成されている。配線パターン５５の第１スパッタ膜、第２スパッタ膜、及びＡｕメッキ膜は、それぞれ、上記した電極パターン５１，５２の第１スパッタ膜、第２スパッタ膜、及びＡｕメッキ膜と同様の構成とされている。

外部端子電極５３，５４は、図３に示すように、他主面４３の長手方向の両端部に設定された電極形成領域５６，５７に形成されており、長手方向に沿って離間して並設されている。電極形成領域５６，５７は、それぞれ、長方形状に設定されている。これら電極形成領域５６，５７の長手方向の両端部５６１，５６３，５７１，５７３と短手方向の一端部５６２，５７２は、それぞれ、他主面４３の外周縁に沿って形成されたテーパー面４７１内に存在する。

また、外部端子電極５３，５４は、ベース４の他主面４３に形成された配線パターン５５を構成する第１スパッタ膜（図１の符号９２参照）上に形成された第２スパッタ膜（図１の符号９３参照）と、この第２スパッタ膜（図１の符号９３参照）上に形成されたＮｉメッキ膜（図１の符号９５参照）と、このＮｉメッキ膜上に形成されたＡｕメッキ膜（図１の符号９９参照）とにより構成されている。なお、外部端子電極５３，５４の第２スパッタ膜は、それぞれ、上記した電極パターン５１，５２及び配線パターン５５の第２スパッタ膜と同様の構成とされている。また、外部端子電極５３，５４において、Ｎｉメッキ膜は、第２スパッタ膜にメッキ形成されたＮｉ膜からなり、Ａｕメッキ膜は、Ｎｉメッキ膜にメッキ形成されたＡｕ膜からなる。

また、ベース４には、図１〜図３に示すように、水晶振動片２の励振電極３１，３２を電極パッド５１，５２を介して配線パターン５５により、キャビティ４５内からキャビティ４５外に導出させるための貫通孔４９が形成されている。

貫通孔４９は、ベース４をフォトリソグラフィ法によりエッチングして成形する際、キャビティ４５の成形と同時に形成され、図１〜図３に示すように、ベース４に２つの貫通孔４９が両主面４２，４３間を貫通して形成されている。この貫通孔４９の内側面４９１は、ベース４の一主面４２及び他主面４３に対して傾斜を有し、テーパー状に成形されている。貫通孔４９の径は、図１に示すように、ベース４の他主面４３の側の端部で最大となり、ベース４の一主面４２の側の端部で最小となる。このように、本実施の形態１では、貫通孔４９の内側面４９１は、ベース４の一主面４２及び他主面４３に対して傾斜しており、ベース４の一主面４２と貫通孔４９の内側面４９１とがなす角度θは、約４５度とされているが、これに限定されない。例えば、ベース４の一主面４２と貫通孔４９の内側面４９１とがなす角度θは、４５度より大きく、具体例としては、７０〜９０度であってもよい。ベース４の一主面４２と貫通孔４９の内側面４９１とがなす角度θを９０度に近づけると、ベース４において、貫通孔４９の占める面積が小さくなり、配線パターン５５の形成箇所の自由度を向上させることができる。

このような貫通孔４９の内側面４９１には、配線パターン５５の一部であるＴｉ及びＣｕからなる第１スパッタ膜（図１の符号９２参照）が形成されている。さらに、貫通孔４９の内部には、Ｃｕから構成される充填材が第１スパッタ膜（図１の符号９２参照）上に充填されて充填層９８が形成されており、この充填層９８により、貫通孔４９が塞がれている。この充填層９８は、第１スパッタ膜の表面に電解メッキ形成されたＣｕメッキ層により構成されている。

また、ベース４の他主面４３には、感光性を有する樹脂材で構成された樹脂パターン６１が形成されている。本実施の形態１では、ベース４の他主面４３において、電極形成領域５６，５７を除く全領域に樹脂パターン６１が形成されている。この樹脂パターン６１により、外周縁４７と外部端子電極５３，５４（電極形成領域５６，５７）との間の領域４３２を含む他主面４３の外周縁４７に沿う端部全体が、樹脂材からなる膜（本発明でいうぬれ防止膜）により被覆される。さらに、樹脂パターン６１により、他主面４３の側の貫通孔４９の端部が塞がれる。この樹脂パターン６１を構成する樹脂材は、外部端子電極５３，５４、具体的には、外部端子電極５３，５４の表面を構成するＡｕメッキ膜（図１の符号９９参照）と比べて、はんだのぬれ性が低い材料である。このため、図４に示すように、ベース４の外部端子電極５３，５４が実装基板１０１にはんだ付けされる際、外部端子電極５３，５４に塗布されるはんだ１０２の濡れ拡がりは、他主面４３の外周縁４７と外部端子電極５３，５４との間の樹脂パターン６１（樹脂材）で被覆された領域４３２で留まる。このため、外部端子電極５３，５４の実装基板１０１へのはんだ付けに際し、他主面４３におけるはんだの濡れ拡がりが抑制され、ベース４の外側面を伝って一主面４２にはんだが這い上がることが防止されるので、ベース４と蓋７とを接合させるための第１接合層４８、第２接合層７４及び接合材１２を構成する金属と外部端子電極５３，５４とのショートが防止される。また、ベース４の他主面４３には、外周縁４７に沿う端部全体に樹脂パターン６１が形成されているため、後述する通り、複数のベース４が形成されたガラス材料からなるウエハ８をダイシングする際に、チッピングの発生が抑制される。さらに、他主面４３の電極形成領域５６，５７を除く全領域が樹脂パターン６１で被覆されているので、ベース４の他主面４３を実装基板１０１にはんだ１０２にて接合した時に、はんだ１０２によりベース４の基材（ガラス材等）が変質することが抑制される。

また、樹脂パターン６１を構成する樹脂材には、ポリベンズオキサゾール（ＰＢＯ）が使用されている。なお、樹脂パターン６１を構成する樹脂材は、ＰＢＯに限定されず、ベース４を構成する材料（例えば、ガラス材料）との密着性が良好な樹脂材をいずれも使用することができる。よって、樹脂パターン６１を構成する樹脂材としては、ＰＢＯの他に、例えば、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、エポキシ、ポリイミド等を使用してもよい。また、本実施の形態１で使用した樹脂パターン６１を構成する樹脂材、即ち、ＰＢＯは、感光性を有する樹脂材であり、フォトリソグラフィ法によるパターン形成が可能な樹脂材である。ここで、感光性を有する樹脂材とは、感光性を有する樹脂からなる樹脂材の他、感光剤と樹脂とを含む感光性樹脂組成物を含む広い概念とする。

蓋７は、ホウケイ酸ガラス等のガラス材料からなり、図１及び図５に示すように、頂部７１と、蓋７の一主面７２の外周に沿って頂部７１から下方に延出した壁部７３とから構成されている。このような蓋７は、直方体の一枚板の基材をウェットエッチングして成形される。

蓋７の壁部７３の両側面（内側面７３１及び外側面７３２）は、テーパー状に成形されている。また、壁部７３には、ベース４と接合するための第２接合層７４が形成されている。

蓋７の第２接合層７４は、図１に示すように、蓋７の壁部７３の天面７３３から外側面７３２にかけて形成されている。この第２接合層７４は、ＴｉからなるＴｉ膜（図示省略）が形成され、Ｔｉ膜の上にＡｕからなるＡｕ膜（図示省略）が形成された複数の積層構造からなり、これらＴｉ膜及びＡｕ膜は、スパッタリング法によりスパッタリング形成されている。

上記したベース４と蓋７とを接合させるための接合材１２は、ベース４と蓋７との接合前において、蓋７の第２接合層７４に積層される。この接合材１２は、蓋７の第２接合層７４の上にＡｕとＳｎとの合金からなるＡｕ／Ｓｎ膜（図示省略）がメッキ形成され、このＡｕ／Ｓｎ膜の上にＡｕ膜（図示省略）がメッキ形成された複数の積層構造からなる。なお、Ａｕ膜は、Ａｕストライクメッキ膜がメッキ形成され、Ａｕストライクメッキ膜の上にＡｕメッキ膜がメッキ形成された複数の層の積層構造からなる。このような接合材１２では、Ａｕ／Ｓｎ膜が、加熱により溶融して、ＡｕＳｎ合金膜となる。なお、接合材１２は、蓋７の第２接合層７４の上にＡｕＳｎ合金膜をメッキ形成することにより構成されたものであってもよい。また、本実施の形態１において、接合材１２は、ベース４と蓋７との接合前において、蓋７の第２接合層７４に積層されるが、ベース４の第１接合層４８に積層されてもよい。

水晶振動片２は、異方性材料の水晶片である水晶素板（図示省略）から、ウェットエッチング形成された水晶Ｚ板である。

この水晶振動片２は、図６に示すように、振動部である２本の脚部２１，２２と、基部２３と、ベース４の電極パッド５１，５２に接合される接合部２４とから構成されており、基部２３の一端面２３１に２本の脚部２１，２２が突出して設けられ、基部２３の他端面２３２に接合部２４が突出して設けられた圧電振動素板２０からなる。

基部２３は、図６に示すように、平面視左右対称形状とされている。また、基部２３の側面２３３は、一端面２３１の側の部位が一端面２３１と同一幅で、他端面２３２の側の部位が他端面２３２の側にかけて漸次幅狭になるように形成されている。

２本の脚部２１，２２は、図６に示すように、基部２３の一端面２３１から、同一方向に突出して設けられている。これら２本の脚部２１，２２の先端部２１１，２２１は、脚部２１，２２の他の部位と比べて幅広（突出方向に対して直交する方向に幅広）に形成され、さらに、それぞれの先端隅部は曲面形成されている。また、２本の脚部２１，２２の両主面には、ＣＩ値（直列抵抗値）を改善させるために、溝部２５が形成されている。

接合部２４は、図６に示すように、基部２３の他端面２３２の幅方向の中央部から突出して設けられている。この接合部２４は、基部２３の他端面２３２に対して平面視垂直方向に突出した短辺部２４１と、短辺部２４１の先端部に連なり短辺部２４１の先端部において平面視直角に折曲されて基部２３の幅方向に延出する長辺部２４２とから構成され、接合部２４の先端部２４３は基部２３の幅方向に向いている。すなわち、接合部２４は、平面視Ｌ字状に成形されている。また、接合部２４には、ベース４の電極パッド５１，５２と導電性バンプ１３を介して接合される接合箇所２７が設けられている。

上記した構成からなる水晶振動片２には、異電位で構成された第１及び第２の励振電極３１，３２と、これら第１及び第２の励振電極３１，３２をベース４の電極パッド５１，５２に電気的に接合させるために第１及び第２励振電極３１，３２から引き出された引出電極３３，３４とが形成されている。

また、第１及び第２の励振電極３１，３２の一部は、脚部２１，２２の溝部２５の内部に形成されている。このため、水晶振動片２を小型化しても脚部２１，２２の振動損失が抑制され、ＣＩ値を低く抑えることができる。

第１の励振電極３１は、一方の脚部２１の両主面と、他方の脚部２２の両側面及び先端部２２１の両主面とに形成されている。同様に、第２の励振電極３２は、他方の脚部２２の両主面と、一方の脚部２１の両側面及び先端部２１１の両主面に形成されている。

また、引出電極３３，３４は、基部２３及び接合部２４に形成されており、基部２３に形成された引出電極３３により、一方の脚部２１の両主面に形成された第１の励振電極３１が、他方の脚部２２の両側面及び先端部２２１の両主面に形成された第１の励振電極３１に繋げられ、基部２３に形成された引出電極３４により、他方の脚部２２の両主面に形成された第２の励振電極３２が、一方の脚部２１の両側面及び先端部２１１の両主面に形成された第２の励振電極３２に繋げられている。

なお、基部２３には、圧電振動素板２０の両主面を貫通する２つの貫通孔２６が形成されており、これら貫通孔２６内には、導電性材料が充填されている。これらの貫通孔２６を介して、引出電極３３，３４が基部２３の両主面間に引回されている。

上記した構成からなる水晶振動子１では、図１に示すように、ベース４の一主面４２に形成された台座部４６に水晶振動片２の接合部２４が導電性バンプ１３を介してＦＣＢ法により電気機械的に超音波接合される。この接合により、水晶振動片２の励振電極３１，３２が、引出電極３３，３４と、導電性バンプ１３とを介してベース４の電極パッド５１，５２に電気機械的に接合され、ベース４に水晶振動片２が搭載される。そして、水晶振動片２が搭載されたベース４に、蓋７がＦＣＢ法により仮接合され、その後、真空雰囲気下で加熱されることにより、接合材１２と第１接合層４８と第２接合層７４とが溶融し、これにより、ベース４の第１接合層４８に蓋７の第２接合層７４が接合材１２を介して接合されて、水晶振動片２を気密封止した水晶振動子１が製造される。なお、導電性バンプ１３には、非流動性部材のメッキバンプが用いられている。メッキバンプは、メッキ形成された金属膜、具体的には、下地金属層（シード層）上に電解メッキ等によりメッキ形成された金属膜である。この金属膜の膜厚は、メッキ条件を変更することにより調整可能であり、下地金属層上に金属膜を厚膜に形成することも可能である。また、金属膜上面の形状は、下地金属層の形状に応じて変化するので、下地金属層の形状を適宜調整することによって、金属膜上面の形状を、平坦形状としたり、凸形状としたりすることができる。

次に、この水晶振動子１及びベース４の製造方法について図７〜図３１を用いて説明する。

ガラス材料からなるウエハ８の両主面８１，８２を、図７に示すように、フォトリソグラフィ技術を用いたウェットエッチング法により、エッチングして、ベース４を多数個成形する（ベース成形工程）。図７は、ウエハ８の両主面８１，８２をエッチングして成形されたベース４の１つを示しており、ベース４には、キャビティ４５，台座部４６，貫通孔４９が形成されている。なお、各ベース４の台座部４６、キャビティ４５、貫通孔４９等はドライエッチング法、サンドブラスト法等の機械的加工法を用いて形成してもよい。

ベース成形工程後、ウエハ８（両主面８１，８２や貫通孔４９の内側面４９１など）に、ＴｉからなるＴｉ層をスパッタリング法によりスパッタリング形成する。Ｔｉ層の形成後に、Ｔｉ層上に、ＣｕからなるＣｕ層をスパッタリング法によりスパッタリング形成して積層し、図８に示すように、第１メタル層９２を形成する（第１メタル層形成工程）。ここで形成した第１メタル層９２が、図１〜図３に示すベース４の電極パッド５１，５２及び配線パターン５５を構成するＴｉ膜及びＣｕ膜からなる第１スパッタ膜となる。

第１メタル層形成工程後、第１メタル層９２上にレジストをディップコート法により塗布して、ポジレジスト層９７を形成し（第１レジスト層形成工程）、その後、ウエハ８の他主面８２側の貫通孔４９の開口端部に形成したポジレジスト層９７に対してフォトリソグラフィ法により露光及び現像を行い、図９に示すように、貫通孔４９の内側面のパターン形成を行う（第１パターン形成工程）。

パターン形成工程後、図１０に示すように、貫通孔４９の内側面４９１の露出した第１メタル層９２に対してＣｕ電解メッキを行うことにより、Ｃｕからなる充填層９８をメッキ形成する（充填工程）。

充填工程後、図１１に示すように、ポジレジスト層９７を剥離除去する（レジスト剥離工程）。

レジスト剥離工程後、第１メタル層９２及び充填層９８上にレジストをディップコート法により塗布して、新たなポジレジスト層９７を形成し（第２レジスト層形成工程）、その後、電極パッド５１，５２、配線パターン５５、及び外部端子電極５３，５４を形成する位置以外のポジレジスト層に対して露光および現像を行い、図１〜図３に示すベース４の電極パッド５１，５２、配線パターン５５、及び外部端子電極５３，５４のパターン形成を行う（図１２に示す第２パターン形成工程）。

第２パターン形成工程後、露出した第１メタル層９２をメタルエッチングして除去する（図１３に示すメタルエッチング工程）。

メタルエッチング工程後、図１４に示すように、ポジレジスト層９７を剥離除去する（第２レジスト剥離工程）。

第２レジスト剥離工程後、ウエハ８の一主面８１をマスクした状態で、感光性を有する樹脂材をディップコート法により塗布して、ウエハ８の他主面８２の側全体に樹脂層９６を形成する（図１５の樹脂層形成工程）。

樹脂層形成工程後、フォトリソグラフィ法により露光及び現像を行い、図１６に示すように、樹脂パターン６１を形成する（樹脂パターン形成工程）。

樹脂パターン形成工程後、第１メタル層９２、樹脂層９６、及び露出したウエハ８の両主面８１，８２の上に、ＴｉからなるＴｉ層をスパッタリング法によりスパッタリング形成する。Ｔｉ層の形成後、Ｔｉ層上に、Ａｕ層をスパッタリング法によりスパッタリング形成して積層し、第２メタル層９３を形成する（図１７に示す第２メタル層形成工程）。ここで形成した第２メタル層９３が、図１及び図２に示す第１接合層４８を構成するＴｉ膜及びＡｕ膜からなるスパッタ膜、並びに、図１〜図３に示す電極パッド５１，５２、外部端子電極５３，５４、及び配線パターン５５を構成するＴｉ膜及びＡｕ膜からなる第２スパッタ膜となる。

第２メタル層形成工程後、図１８に示すように、第２メタル層９３上にレジストをディップコート法により塗布して、新たなポジレジスト層９７を形成し（第３レジスト層形成工程）、その後、ベース４の第１接合層４８、電極パッド５１，５２、及びベース４の一主面４２側の配線パターン５５に対してフォトリソグラフィ法により露光および現像を行い、図１〜図３に示すベース４の第１接合層４８、電極パッド５１，５２、及びベース４の一主面４２側の配線パターン５５をパターン形成する（図１９に示す第３パターン形成工程）。

第３パターン形成工程後、露出した第２メタル層９３上に、図２０に示すように、Ａｕからなる第１メッキ層９４をメッキ形成する（第１メッキ形成工程）。ここで、形成した第１メッキ層９４が、図１〜図３に示すベース４の第１接合層４８、電極パッド５１，５２、及びベース４の一主面４２側の配線パターンを構成するＡｕメッキ膜となる。

第１メッキ形成工程後、ポジレジスト層９７を剥離除去する（図２１に示す第３レジスト剥離工程）。

第３レジスト剥離工程後、露出した第２メタル層９３及び第１メッキ層９４上にレジストをディップコート法により塗布して、新たなポジレジスト層９７を形成し（図２２に示す第４レジスト層形成工程）、その後、ベース４の外部端子電極５３，５４を形成する位置上のポジレジスト層９７に対してフォトリソグラフィ法により露光及び現像を行い、図１及び図３に示すベース４の外部端子電極５３，５４のパターン形成を行う（図２３に示す第４パターン形成工程）。

第４パターン形成工程後、露出した第２メタル層９３上に、図２４に示すように、Ｎｉからなる第２メッキ層９５をメッキ形成する（第２メッキ形成工程）。ここで形成した第２メッキ層９５が、図１及び図３に示す外部端子電極５３，５４を構成するＮｉ膜からなるメッキ膜となる。

第２メッキ形成工程後、第２メッキ層９５上に、図２５に示すように、Ａｕからなる第３メッキ層９９をメッキ形成する（第３メッキ形成工程）。ここで形成した第３メッキ層９９が、図１及び図３に示す外部端子電極５３，５４を構成するＡｕ膜からなるメッキ膜となる。

第３メッキ形成工程後、ポジレジスト層９７を剥離する（図２６に示す第４レジスト剥離工程）。

第４レジスト剥離工程後、露出した第２メタル層９３及び第３メッキ層９９上にレジストをディップコート法により塗布し、新たなポジレジスト層９７を形成し（図２７に示す第５レジスト層形成工程）、その後、図２８に示すように、ベース４の第１接合層４８、電極パッド５１，５２、外部端子電極５３，５４及び配線パターン５５を形成する位置上以外のポジレジスト層９７に対してフォトリソグラフィ法により露光及び現像を行い、図１〜図３に示すベース４の第１接合層４８、電極パッド５１，５２、外部端子電極５３，５４及び配線パターン５５、並びにベース４の外形のパターン形成を行う（第５パターン形成工程）。

第５パターン形成工程後、図２９に示すように、露出した第２メタル層９３をメタルエッチングして除去する（第２メタルエッチング工程）。

第２メタルエッチング工程後、ポジレジスト層９７を剥離除去して、図３０に示すように、ベース４をウエハ８に多数個形成する（第５レジスト剥離工程）。

第５レジスト剥離工程後、ウエハ８をダイシングすることにより、多数個のべース４を個別分割して多数個のベース４を個片化し（ベース個片化工程）、多数個の図３１に示すベース４を製造する。このベース個片化工程でのダイシングにおいて、ウエハ８は、隣り合うベース４の間、具体的には、各ベース４の他主面４３のテーパー面４７１が形成された外周縁４７で切断される。この切断部におけるウエハ８の他主面８２は、図３０に示すように、樹脂パターン６１で保護されており、これにより、ダイシングによるチッピングの発生が抑制される。特に、本実施の形態１のように、切断刃をウエハ８の一主面８１から他主面８２の方向に進行させて、最後に樹脂パターン６１を切断すると、ウエハ８（ベース４の基材）へのチッピングの発生を良好に抑制することができる。

そして、図３１に示すベース４に、図６に示す水晶振動片２を配し、導電性バンプ１３を介してベース４に水晶振動片２をＦＣＢ法により電気機械的に超音波接合して、ベース４に水晶振動片２を搭載保持する。また、別工程で、図５に示す蓋７の第２接合層７４上に接合材１２を積層する。その後、水晶振動片２を搭載保持したベース４に蓋７を配し、ベース４の第１接合層４８と蓋７の第２接合層７４とを接合材１２を介してＦＣＢ法により電気機械的に超音波接合して、図１に示す水晶振動子１を製造する。

上記した製造工程のうち、ベース成形工程にてベース４を成形する工程が、本発明でいう成形工程に相当する。また、図８〜１３、１６、及び２０〜２８で示す工程を経て、ベース４の他主面４３に外部端子電極５３，５４を形成する工程が本発明でいう電極形成工程に相当する。また、図１５及び図１６に示す工程を経て、ベース４の他主面４３に樹脂パターン６１を形成することにより、他主面の外周縁４７と電極形成領域５６，５７との間の領域４３２を、外部端子電極５３，５４よりもはんだのぬれ性の低い樹脂材からなるぬれ防止膜（即ち、樹脂パターン６１）で被覆する工程が本発明でいう被覆工程に相当する。なお、本実施の形態１に係る製造方法のベース成形工程において、ベース４は、フォトリソグラフィ技術を用いたウェットエッチング法により成形されているが、本発明の成形工程はこれに限定されず、例えば、ドライエッチング法又はサンドブラスト法によりベース４を成形してもよい。或いは、ウェットエッチング法、ドライエッチング法、及びサンドブラスト法のうちの２つ以上の方法を組み合わせてベース４を成形してもよく、例えば、ウェットエッチング法によりキャビティ４５を形成し、サンドブラスト法により貫通孔２６を形成してもよい。

本実施の形態１に係る水晶振動子１は、上記した通り、ベース４の他主面４３の外周縁４７と外部端子電極５３，５４との間が樹脂パターン６１（樹脂材）で被覆されたものであり、外部端子電極５３，５４の実装基板１０１へのはんだ付けにおいて、ベース４の外側面を伝って一主面４２にはんだが這い上がることが防止されたものである。また、本実施の形態１に係る水晶振動子１は、上記した通り、ベース４の他主面４３の外周縁４７に沿う端部全体に樹脂パターン６１が形成されたものであり、製造工程において、複数のベース４が形成されたガラス材料からなるウエハ８をダイシングする際のチッピングの発生が抑制されたものである。その上、本実施の形態１に係る水晶振動子１は、以下に示す曲げ試験により認められるように、実装基板１０１への搭載時の実装基板１０１の曲げ応力に対し、高い強度を有する。

＜曲げ試験＞
本曲げ試験では、試験対象物として、水晶振動子１の外部端子電極５３，５４を実装基板１０１にはんだ付けして（図４参照）、実装基板１０１に水晶振動子１を搭載したもの（以下、搭載基板という）を使用した。ここで、実装基板１０１には、厚さ１．５ｍｍ、幅４０ｍｍ、長さ１００ｍｍのガラスエポキシのプリント配線基板からなる基板を使用した。また、水晶振動子１には、ベース４の大きさが厚さ２１０μｍ、幅１．０ｍｍ、長さ２．０ｍｍで、蓋７の大きさが厚さ１４５μｍ、幅０．９５ｍｍ、長さ１．９５ｍｍのものを使用した。そして、実装基板１０１の長さ方向に沿って、水晶振動子１の長辺が配置されるように、実装基板１０１の中心に水晶振動子１を搭載した。

また、曲げ試験は、搭載基板の長さ方向の両端部（各短辺から３ｍｍの箇所）を固定し、水晶振動子１が搭載された搭載面の中央を通過し水晶振動子１の短辺方向に沿う箇所全体に、１ｍｍ／ｍｉｎの曲げ速度で荷重を加えることにより行なった。そして、曲げ量が３ｍｍ、５ｍｍ、及び７ｍｍの時において、水晶振動子１のベース４及び蓋７へのクラック発生の有無を調べた。この結果を表１に示す。

表１中、実施例１は、本実施の形態１に係る水晶振動子１が搭載された搭載基板である。また、比較例は、ベースに樹脂パターンが全く形成されていない水晶振動子が搭載された搭載基板である。なお、比較例１の搭載基板の構成は、水晶振動子のベースに樹脂パターンが全く形成されていない以外は、実施例１の搭載基板の構成と全く同じ構成である。
また、表１中、「○」及び「×」で示す評価基準は次に示す通りである。すなわち、試験対象物である搭載基板を５個用意し、これら搭載基板に対して上記曲げ試験を実施した結果、クラックの発生が認められた搭載基板の個数が０個である場合を「○」とし、クラックの発生が認められた搭載基板の個数が１個以上である場合を「×」とする。

表１に示す曲げ試験の結果から、本実施の形態１に係る水晶振動子１が搭載された実施例１では、曲げ量が３ｍｍ、５ｍｍ、及び７ｍｍのいずれの時にも、水晶振動子１のベース４及び蓋７にクラックが発生しないことが認められた。その一方で、ベースの他主面に樹脂パターンが全く形成されていない水晶振動子が搭載された比較例１では、曲げ量が３ｍｍの時点で、クラックが発生することが認められた。つまり、本実施の形態１に係る水晶振動子１（特に、水晶振動子１のベース４）は、ベースの他主面に樹脂パターンが全く形成されていない水晶振動子と比べて、実装基板１０１への搭載時の実装基板１０１の曲げ応力に対し、高い強度を有することが認められた。

このような本実施の形態１に係る水晶振動子１において、実装基板１０１の曲げ応力に対する高い強度は、次に示す理由によりもたらされると考えられる。つまり、本実施の形態１に係る水晶振動子１は、ベース４の他主面４３の外周縁に沿う端部全体が樹脂パターン６１により被覆され、製造工程において生じうるチッピングの発生が抑制されたものであることから、水晶振動子１が実装基板１０１に搭載された状態で実装基板１が曲げられた時に、ベース４の他主面４３のチッピングが起点となってベース４にクラックが発生することが防止される。その上、本実施の形態１に係る水晶振動子１は、ベース４の他主面４３の外部端子電極５３，５４が形成された領域（電極形成領域５６，５７）を除く全ての領域が樹脂パターン６１で被覆されたものであるため、実装基板１０１へ搭載された状態で実装基板１０１が曲げられた時、実装基板１０１の曲げ応力が樹脂パターン６１で分散される。つまり、実装基板１０１からベース４の基材（ガラス材料）へと伝わる曲げ応力が樹脂パターン６１で軽減される。このため、本実施の形態１に係る水晶振動子１は、実装基板１０１への搭載時において、実装基板１０１の曲げに対し、高い強度を有する。

＜実施の形態２＞
本実施の形態２に係る水晶振動子１は、ベース４の他主面４３における樹脂パターン６１の構成が、上記した実施の形態１と異なる。その他の構成については、実施の形態１に係る水晶振動子１と同一の構成であり、実施の形態１に係る水晶振動子１と同一の構成については、実施の形態１と同様の作用効果及び変形例を有する。そこで、本実施の形態２に係る水晶振動子１の説明においては、主に、実施の形態１に係る水晶振動子１と異なる点について説明する。

本実施の形態２に係る水晶振動子１のベース４において、樹脂パターン６１は、図３２に示すように、他主面４３の外周縁４７に沿って形成されたテーパー面４７１にのみ設けられている。

このような本実施の形態２に係る水晶振動子１のベース４では、ベース４の他主面４３の外周縁４７に沿う端部全体が樹脂パターン６１で被覆されているから、外部端子電極５３，５４を実装基板１０１へはんだ付けする場合において、ベース４の他主面４３の外周縁４７に沿う端部全体を被覆する樹脂パターン６１により、はんだがベース４の外側面を伝って一主面４２に這い上がることが防止される。

また、本実施の形態２に係る水晶振動子１のベース４の製造工程において、複数のベース４が形成されたガラス材料からなるウエハ８をダイシングする際には、ベース４の他主面４３の外周縁４７に沿う端部全体に形成された樹脂パターン６１により、チッピングの発生が抑制される。つまり、本実施の形態２に係る水晶振動子１は、他主面４３の外周縁４７に沿う端部全体が樹脂パターン６１で保護され、ベース４におけるチッピングの発生が抑制されたものであるから、ベースの他主面に樹脂パターンが全く形成されていない水晶振動子と比べて、実装基板１０１への搭載時において、実装基板１０１の曲げ応力に対し、高い強度を有する。

＜実施の形態３＞
本実施の形態３に係る水晶振動子１は、ベース４の他主面４３における樹脂パターン６１の構成が、上記した実施の形態１と異なる。その他の構成については、実施の形態１に係る水晶振動子１と同一の構成であり、実施の形態１に係る水晶振動子１と同一の構成については、実施の形態１と同様の作用効果及び変形例を有する。そこで、本実施の形態３に係る水晶振動子１の説明においては、主に、実施の形態１に係る水晶振動子１と異なる点について説明する。

本実施の形態３に係る水晶振動子１のベース４において、樹脂パターン６１は、図３３に示すように、他主面４３の外周縁４７と外部端子電極５３，５４との間の領域４３２にのみ設けられている。

このような本実施の形態２に係る水晶振動子１のベース４では、他主面４３の外周縁４７と外部端子電極５３，５４との間の領域４３２が樹脂パターン６１で保護されているから、外部端子電極５３，５４を実装基板１０１へはんだ付けする場合において、他主面４３の外周縁４７と外部端子電極５３，５４との間の領域４３２を保護する樹脂パターン６１により、はんだがベース４の外側面を伝って一主面４２に這い上がることが防止される。

＜実施の形態４＞
本実施の形態４に係る水晶振動子１は、貫通孔４９の内部の構成、及び、ベース４の他主面４３における樹脂パターン６１の構成が、上記した実施の形態１と異なる。その他の構成については、実施の形態１に係る水晶振動子１と同一の構成であり、実施の形態１に係る水晶振動子１と同一の構成については、実施の形態１と同様の作用効果及び変形例を有する。そこで、本実施の形態４に係る水晶振動子１の説明においては、主に、実施の形態１に係る水晶振動子１と異なる点について説明する。

本実施の形態４に係る水晶振動子１のベース４に形成された貫通孔４９の内部には、図３４に示すように、Ｃｕから構成される充填材が第１スパッタ膜（図３４の符号９２参照）上に充填されて充填層９８が形成されているとともに、樹脂パターン６１を構成する樹脂材が充填されている。具体的には、本実施の形態４に係る水晶振動子１のベース４では、実施の形態１に係る水晶振動子１のベース４（図１参照）と比べて、貫通孔４９の内部における充填層４９の厚みが薄く設定されており、ベース４の他主面４３の樹脂パターン６１の一部が貫通孔４９の内部に入り込んだ構成とされている。このような貫通孔４９の内部への樹脂パターン６１の入り込みによるアンカー効果により、本実施の形態４に係る水晶振動子１では、ベース４の基材と樹脂パターン６１との接合性の向上が図られている。

本実施の形態４に係る水晶振動子１のベース４では、図３４及び図３５に示すように、長手方向の両端部に、外部端子電極５３，５４が形成された電極形成領域５６，５７が設定されている。この電極形成領域５６，５７は、図３５に示すように、長手方向に沿って離間して並設されている。電極形成領域５６，５７は、それぞれ、長方形状に設定されており、電極形成領域５６，５７の長手方向の両端部５６１，５６３，５７１，５７３と短手方向の一端部５６２，５７２は、それぞれ、他主面４３の外周縁に沿って形成されたテーパー面４７１内に存在する。

また、他主面４３の電極形成領域５６，５７内には、外部電子電極５３，５４と配線パターン５５とが接触する接触領域５８，５９が設定されており、これら接触領域５８，５９にて外部端子電極５３，５４と配線パターン５５とが接触することにより、外部電子電極５３，５４と配線パターン５５とが電気的に接続される。具体的には、電極形成領域５６内に配線パターン５５と外部端子電極５３とが接触する接触領域５８が設けられ、電極形成領域５７内に配線パターン５５と外部端子電極５４とが接触する接触領域５９が設けられている。

配線パターン５５は、電極パッド５１，５２と外部端子電極５３，５４とを電気的に接続させるように、ベース４の一主面４２から貫通孔４９（下記参照）の内側面４９１を介してベース４の他主面４３に形成されており、配線パターン５５は、ベース４の他主面４３の電極形成領域５６，５７（接触領域５８，５９を含む）の全体に形成されている。

また、樹脂パターン６１は、ベース４の他主面４３において、接触領域５８，５９を除く全領域に形成されている。

また、外部端子電極５３，５４は、樹脂パターン６１上に形成されている。具体的には、他主面４３の電極形成領域５６，５７（電極形成領域５６，５７の接触領域５８，５９を除く全領域）に形成された樹脂パターン６１上、及び他主面４３の接触領域５８，５９に形成された配線パターン５５上に、外部端子電極５３，５４が形成されている。

このような本実施の形態４に係る水晶振動子１のベース４の製造においては、図１５に示す樹脂層形成工程後の樹脂パターン形成工程（図１６参照）で、ウエハ８の他主面８２の上記接触領域５８，５９を除いた全ての領域に樹脂パターン６１を形成する。そして、図１７〜図３１に示す実施の形態１と同様の製造工程を経て、樹脂パターン６１上に、外部端子電極５３，５４を形成する。なお、本実施の形態４の水晶振動子１のベース４の製造において、樹脂パターン形成工程（図１６参照）後、第１メタル層９２、樹脂層９６、及び露出したウエハ８の両主面８１，８２の上に第２メタル層９３を形成する第２メタル層形成工程前に、樹脂層９６に対してプラズマ照射（例えば、アルゴンプラズマ照射）を行って、樹脂層９６の表面を粗面化してもよい。このようにして、樹脂層９６の表面を粗面化させると、粗面化された樹脂層９６の表面の凹凸に第２メタル層９３を構成するＴｉが入り込むアンカー効果により、樹脂層９６と第２メタル層９３の接合性を向上させることができる。つまり、ベース４の他主面４３において、樹脂パターン６１と外部端子電極５３，５４との接合性を向上させることができる。

このような本実施の形態４に係る水晶振動子１のベース４では、他主面４３の接触領域５８，５９を除く全領域に樹脂パターン６１が形成され、ベース４の他主面４３の外周縁４７に沿う端部全体が樹脂パターン６１で被覆されているから、外部端子電極５３，５４を実装基板１０１へはんだ付けする場合において、ベース４の他主面４３の外周縁４７に沿う端部全体を被覆する樹脂パターン６１により、はんだがベース４の外側面を伝って一主面４２に這い上がることが防止される。

また、本実施の形態４に係る水晶振動子１のベース４の製造工程において、複数のベース４が形成されたガラス材料からなるウエハ８をダイシングする際には、ベース４の他主面４３の外周縁４７に沿う端部全体に形成された樹脂パターン６１により、チッピングの発生が抑制される。つまり、本実施の形態４に係る水晶振動子１は、他主面４３の外周縁４７に沿う端部全体が樹脂パターン６１で保護され、ベース４におけるチッピングの発生が抑制されたものであるから、ベースの他主面に樹脂パターンが全く形成されていない水晶振動子と比べて、実装基板１０１への搭載時において、実装基板１０１の曲げ応力に対し、高い強度を有する。

その上、本実施の形態４に係る水晶振動子１のベース４では、他主面４３の接触領域５８，５９を除く全領域に樹脂パターン６１が形成されていることから、実装基板１０１への搭載時において、実装基板１０１の曲げに対し、さらに高い強度を有する。

以下表２に、実施の形態１と同様の曲げ試験を行った結果を示す。なお、本実施の形態４での曲げ試験では、曲げ量が３ｍｍ、５ｍｍ、及び７ｍｍの時のクラック発生の有無に加え、曲げ量が９ｍｍの時のクラック発生の有無も調べた。

表２中、実施例２は、本実施の形態４に係る水晶振動子１が搭載された搭載基板である。また、比較例１は上記表１に示す比較例１と同じである。また、表２中、「○」及び「×」で示す評価基準は次に示す通りである。すなわち、試験対象物である搭載基板を５個用意し、これら搭載基板に対して上記曲げ試験を実施した結果、クラックの発生が認められた搭載基板の個数が０個である場合を「○」とし、クラックの発生が認められた搭載基板の個数が１個以上である場合を「×」とする。

表２に示す曲げ試験の結果から、本実施の形態４に係る水晶振動子１が搭載された実施例２では、曲げ量が３ｍｍ、５ｍｍ、７ｍｍ、及び９ｍｍのいずれの時にも、水晶振動子１のベース４及び蓋７にクラックが発生しないことが認められた。つまり、本実施の形態４に係る水晶振動子１（特に、水晶振動子１のベース４）は、ベースの他主面に樹脂パターンが全く形成されていない水晶振動子と比べて、実装基板１０１への搭載時において、実装基板１０１の曲げ応力に対し、高い強度を有することが認められた。

このような本実施の形態４に係る水晶振動子１の実装基板１０１の曲げ応力に対する高い強度は、上記した実施の形態１に係る水晶振動子１と同様の理由によりもたらされる。また、本実施の形態４に係る水晶振動子１において、樹脂パターン６１は、ベース４の他主面４３の接触領域５８，５９を除く全領域に形成されており、本実施の形態４に係る水晶振動子１では、ベース４の他主面４３の電極形成領域５６，５７にも樹脂パターン６１が形成されている。つまり、本実施の形態４に係る水晶振動子１では、実施の形態１に係る水晶振動子１よりも、ベース４の他主面４３の広い領域が樹脂パターン６１で保護されている。このため、本実施の形態４に係る水晶振動子１は、実装基板１０１へ搭載された状態で実装基板１０１が曲げられた時、実装基板１０１の曲げ応力が、実施の形態１の水晶振動子１よりも、ベース４の他主面４３の広い領域に分散される。このため、本実施の形態４に係る水晶振動子１は、実施の形態１に係る水晶振動子１と比べ、実装基板１０１への搭載時において、実装基板１０１の曲げ応力に対し、高い強度を有する。

なお、実施の形態１〜４に係る水晶振動子１において、充填層９８は、貫通孔４９の内側面のスパッタ膜（図１の符号９２参照）にメッキ形成されたＣｕメッキ層により構成されているが、充填層９８は、これに限定されるものではない。例えば、充填層９８は、貫通孔４９に金属ペースト（導電性フィラーの添加されたペースト状樹脂材）等の導電性材料を充填することにより構成されてもよい。或いは、実施の形態１〜４のように貫通孔４９の内側面４９１に、金属膜（図１の符号９２及び９３で示される第１スパッタ膜及び第２スパッタ膜）が形成されている場合においては、充填層９８は、貫通孔４９に樹脂等の非導電性材料を充填することにより構成されていてもよい。例えば、充填層９８を、他主面４３（テーパー面４７１を含む）の電極形成領域５６，５７を除く全領域に形成された樹脂パターン６１と同材料の樹脂で構成すると、ベース４の基材への充填層９８及び樹脂パターン６１の接合性を向上させることができる。

また、実施の形態１〜４に係る水晶振動子１において、電極パッド５１，５２及びベース４の一主面４２の側の配線パターン５５は、ベース４の基材上に形成されたＴｉ膜及びＣｕ膜からなる第１スパッタ膜（図１及び図３４の符号９２参照）と、この第１スパッタ膜の上に形成されたＴｉ膜及びＡｕ膜からなる第２スパッタ膜（図１及び図３４の符号９３参照）と、この第２スパッタ膜の上にメッキ形成されたＡｕ膜からなるメッキ膜（図１及び図３４の符号９４参照）とで構成されているが、電極パッド５１，５２及び配線パターン５５の電極構成は、これに限定されず、ベース４の基板上にＴｉ膜及びＣｕ膜からなるスパッタ膜を介さず、直接、Ｔｉ膜及びＡｕ膜からなるスパッタ膜が形成され、このスパッタ膜の上に、Ａｕ膜がメッキ形成された構成であってもよい。つまり、貫通孔４９の内側面４９１の配線パターン５５のスパッタ膜が、Ｔｉ膜及びＡｕ膜からなる構成であってもよい。このように、貫通孔４９の内側面４９１のスパッタ膜をＴｉ膜とＡｕ膜とで構成する場合には、貫通孔４９の内側面４９１の配線パターン５５のスパッタ膜上にメッキ形成する充填層９８をＡｕＳｎメッキ層とすると、内側面４９１の配線パターン５５のスパッタ膜と充填層９８との接着強度を向上させることができる。

また、実施の形態１〜４に係る水晶振動子１のベース４において、第１接合層４８は、上記した通り、ベース４の基材上にスパッタリング形成されたＴｉ膜及びＡｕ膜からなるスパッタ膜（図１及び図３４の符号９３参照）と、このスパッタ膜の上にメッキ形成されたＡｕ膜からなるメッキ膜（図１及び図３４の符号９４参照）とから構成されているが、この構成に限定されるものではない。例えば、第１接合層４８は、ベース４の基材上にスパッタリング形成されたＴｉ膜及びＡｕ膜からなるスパッタ膜と、このスパッタ膜の上にメッキ形成されたＮｉメッキ膜と、Ｎｉメッキ膜の上にメッキ形成されたＡｕメッキ膜とから構成されたものであってもよい。このように、スパッタ膜とＡｕメッキ膜との間にＮｉメッキ膜を介在させると、接合材１２（ろう材）によるスパッタ膜（Ａｕ膜）の侵食を防止することができ、ベース４と蓋７との接合の強度を向上させることができる。

また、実施の形態１〜４に係る水晶振動子１のベース４において、外部端子電極５３，５４は、上記した通り、Ｔｉ膜及びＣｕ膜からなる第１スパッタ膜（図１の符号９２参照）上に形成されたＴｉ膜及びＡｕ膜からなる第２スパッタ膜（図１及び図３４の符号９３参照）と、この第２スパッタ膜の上にメッキ形成されたＮｉからなるＮｉメッキ膜（図１及び図３４の符号９５参照）と、このＮｉメッキ膜の上にメッキ形成されたＡｕからなるＡｕメッキ膜（図１及び図３４の符号９９参照）とから構成されているが、この構成に限定されるものではなく、例えば、第２スパッタ膜（図１及び図３４の符号９３参照）の上に直接（ＮｉからなるＮｉメッキ膜を介さず）ＡｕからなるＡｕメッキ膜が形成されたものであってもよい。または、第２スパッタ膜（図１及び図３４の符号９３参照）の上に、Ｎｉメッキ膜に代えて、Ａｕ／Ｃｕ合金メッキ膜又はＰｄメッキ膜がメッキ形成され、このＡｕ／Ｃｕ合金メッキ膜又はＰｄメッキ膜の上に、Ａｕメッキ膜が形成されたものであってもよい。

また、実施の形態１〜４に係る水晶振動子１のベース４において、電極パッド５１，５２及び配線パターン５５を構成する第１スパッタ膜（図１及び図３４の符号９２参照）は、ベース４の基材上にスパッタリング形成されたＴｉ膜と、このＴｉ膜の上にスパッタリング形成されたＣｕ膜とで構成されているが、この構成に限定されるものではなく、例えば、第１スパッタ膜は、ベース４の基材上にスパッタリング形成されたＴｉ膜と、このＴｉ膜の上にスパッタリング形成されたＡｕ膜とで構成されていてもよい。この場合においても、貫通孔４９の内側面にメッキ形成する充填層９８は、実施の形態１〜４と同様に、Ｃｕメッキ層であってよい。

また、実施の形態１〜４に係る水晶振動子１のベース４において、電極パッド５１，５２、配線パターン５５、及び外部端子電極５３，５４を構成する第２スパッタ膜（図１及び図３４の符号９３参照）は、第１スパッタ膜（図１及び図３４の符号９２参照）の基材上にスパッタリング形成されたＴｉ膜と、このＴｉ膜の上にスパッタリング形成されたＡｕ膜とで構成されているが、この構成に限定されるものではなく、例えば、第２スパッタ膜は、第１スパッタ膜の上にスパッタリング形成されたＭｏ膜と、このＭｏ膜の上にスパッタリング形成されたＡｕ膜とで構成されていてもよい。

また、実施の形態１〜４に係る水晶振動子１において、ベース４の他主面４３は、外周縁４７と外部端子電極５３，５４との間の領域４３２が、樹脂材からなるぬれ防止膜（樹脂パターン６１）で被覆されてなるが、このぬれ防止膜は、外部端子電極５３，５４よりもはんだのぬれ性の低い材料からなるものであれば、樹脂材からなるものに限定されない。本発明において、外部電極（外部端子電極５３，５４）よりもはんだのぬれ性の低い材料とは、具体的には、外部電極の表面を構成する材料よりもはんだのぬれ性の低い材料をいう。例えば、外部電極の表面が金属材料からなる場合、ぬれ防止膜を構成する材料としては、樹脂材の他に、例えば、絶縁材（ＳｉＯ₂、又はＳｉＯ等）等の金属よりもはんだのぬれ性の低い材料を使用できる。そして、実施の形態１〜４のように、外部電極（外部端子電極５３，５４）の表面が、Ｎｉメッキ膜の上にメッキ形成された金属、即ち、Ａｕメッキ膜でなる場合、ぬれ防止膜を構成する材料としては、樹脂材の他に、例えば、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ等のＡｕメッキ膜よりもはんだのぬれ性の低い材料を使用できる。

また、実施の形態１〜４に係る水晶振動子１において、ベース４の他主面４３には、外周縁４７の全体に沿ってテーパー面が形成されているが、本発明はこのような構成に限定されない。例えば、ベース４の他主面４３は、外周縁４７の外部端子電極５３，５４との対向部分にのみ、テーパー面が形成されてなるものであってもよい。或いは、ベース４の他主面４３は、全体が平坦面で構成されていてもよい。このような構成のベース４においても、他主面４３の外周縁４７と外部端子電極５３，５４（電極形成領域５６，５７）との間の領域４３２が、外部端子電極５３，５４よりもはんだのぬれ性の低い材料からなるぬれ防止膜で被覆されていれば、実施の形態１〜４と同様に、他主面４３におけるはんだの濡れ拡がりが抑制され、他主面４３から外側面を伝った一主面４２へのはんだの這い上がり防止される。

また、実施の形態１〜４では、ベース４及び蓋７の材料としてガラスを用いているが、ベース４及び蓋７は、いずれも、ガラスを用いて構成されたものに限定されるものではなく、例えば、水晶を用いて構成されたものであってもよい。

また、実施の形態１〜４では、接合材１２として、主にＡｕＳｎを用いているが、接合材１２は、ベース４と蓋７とを接合させることができるものであれば特に限定されず、例えば、ＣｕＳｎ等のＳｎ合金ろう材を用いて構成されたものであってもよい。

また、上記した実施の形態１〜４水晶振動子１では、水晶振動片として、図６に示す音叉型水晶振動片２を使用したが、図３６に示すＡＴカット水晶振動片２を使用してもよい。ＡＴカット水晶振動片２を使用した水晶振動子１では、ＡＴカット水晶振動片２に合わせてベース４に電極が形成されているが、本発明に係る構成については、実施の形態１〜４と同一であり、実施の形態１〜４と同様の効果を奏する。

また、実施の形態１〜４に係るベース４に、水晶振動片２に加えて、ＩＣチップを搭載し、発振器を構成してもよい。ベース４にＩＣチップを搭載する場合には、ＩＣチップの電極構成に合わせた電極がベース４に形成される。

本発明は、その精神または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施例はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。

１ 水晶振動子
１１ 内部空間
１２ 接合材
１３ 導電性バンプ
２ 水晶振動片（電子部品素子）
２０ 圧電振動素板
２１，２２ 脚部
２１１，２２１ 先端部
２３ 基部
２３１ 一端面
２３２ 他端面
２３３ 側面
２４ 接合部
２４１ 短辺部
２４２ 長辺部
２４３ 先端部
２５ 溝部
２６ 貫通孔
２７ 接合箇所
３１，３２ 励振電極
３３，３４ 引出電極
４ ベース（第１封止部材としての電子部品パッケージ用封止部材）
４１ 底部
４２ 一主面
４３ 他主面
４３２ 領域
４４ 壁部
４５ キャビティ
４５１ 底面
４５２ 一端部
４６ 台座部
４７ 外周縁
４７１ テーパー面
４８ 第１接合層
４９ 貫通孔
４９１ 内側面
５１，５２ 電極パッド
５３，５４ 外部端子電極（外部電極）
５５ 配線パターン
５６，５７ 電極形成領域
５８，５９ 接触領域
６１ 樹脂パターン（ぬれ防止膜）
７ 蓋（第２封止部材）
７１ 頂部
７２ 一主面
７３ 壁部
７３１ 内側面
７３２ 外側面
７３３ 天面
７４ 第２接合層
８ ウエハ
８１，８２ 主面
９２ 第１メタル層
９３ 第２メタル層
９４ 第１メッキ層
９５ 第２メッキ層
９６ 樹脂層
９７ ポジレジスト層
９８ 充填層
９９ 第３メッキ層
１０１ 実装基板
１０２ はんだ
１０３ 空隙

Claims (9)

1. 一主面に電子部品素子が搭載される第１封止部材と、この第１封止部材の前記一主面に接合されて前記電子部品素子の電極を気密封止する第２封止部材とを備える電子部品パッケージの前記第１封止部材として使用される電子部品パッケージ用封止部材であって、
   他主面に外部電極が設けられ、
   前記他主面において、外周縁と前記外部電極との間の領域が、前記外部電極よりもはんだのぬれ性の低い材料からなるぬれ防止膜で被覆されている
   ことを特徴とする電子部品パッケージ用封止部材。
2. 請求項１に記載の電子部品パッケージ用封止部材であって、
   前記ぬれ防止膜が樹脂材からなることを特徴とする電子部品パッケージ用封止部材。
3. 請求項２に記載の電子部品パッケージ用封止部材であって、
   前記他主面の前記外周縁に沿う端部全体が、前記ぬれ防止膜で被覆されていることを特徴とする電子部品パッケージ用封止部材。
4. 請求項３に記載の電子部品パッケージ用封止部材であって、
   前記他主面において、前記外部電極が形成された領域を除く全ての領域が前記ぬれ防止膜で被覆されている
   ことを特徴とする電子部品パッケージ用封止部材。
5. 請求項３に記載の電子部品パッケージ用封止部材であって、
   前記他主面に、前記一主面に搭載される前記電子部品素子を前記外部電極に電気的に接続する配線パターンが設けられて、
   前記他主面に、前記配線パターンと前記外部電極とが接触する接触領域が設定され、
   前記他主面の前記接触領域を除く全ての領域に、前記ぬれ防止膜が形成され、
   前記外部電極が、前記接触領域に設けられた配線パターン上及び前記ぬれ防止膜上に形成されている
   ことを特徴とする電子部品パッケージ用封止部材。
6. 請求項１乃至５のいずれか一つに記載の電子部品パッケージ用封止部材であって、
   前記他主面の前記外周縁に沿って、前記他主面から前記一主面の側へ傾斜するテーパー面が形成されている
   ことを特徴とする電子部品パッケージ用封止部材。
7. 一主面に電子部品素子が搭載される第１封止部材と、この第１封止部材の前記一主面に接合されて前記電子部品素子の電極を気密封止する第２封止部材とを備える電子部品パッケージであって、
   前記第１封止部材が、請求項１乃至６のいずれか１つに記載の電子部品パッケージ用封止部材であることを特徴とする電子部品パッケージ。
8. 一主面に電子部品素子が搭載される第１封止部材と、前記第１封止部材の前記一主面に接合されて前記電子部品素子の電極を気密封止する第２封止部材とを備える電子部品パッケージの前記第１封止部材として使用される電子部品パッケージ用封止部材の製造方法であって、
   前記電子部品パッケージ用封止部材を成形する成形工程と、
   前記電子部品パッケージ用封止部材の他主面の電極形成領域に外部電極を形成する電極形成工程と、
   前記他主面の外周縁と前記電極形成領域との間の領域を、前記外部電極よりもはんだのぬれ性の低い材料からなるぬれ防止膜で被覆する被覆工程とを有する
   ことを特徴とする電子部品パッケージ用封止部材の製造方法。
9. 請求項８に記載の電子部品パッケージ用封止部材の製造方法であって、
   前記成形工程で、ガラス材料からなるウエハに複数個の前記電子部品パッケージ用封止部材を成形し、前記被覆工程で、前記他主面の前記外周縁に沿う端部全体を樹脂材からなる前記ぬれ防止膜で被覆した後、前記ウエハをダイシングして、前記電子部品パッケージを個片化することを特徴とする電子部品パッケージ用封止部材の製造方法。

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