JPH05341303A - Bonding device - Google Patents

Bonding device

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JPH05341303A
JPH05341303A JP4149244A JP14924492A JPH05341303A JP H05341303 A JPH05341303 A JP H05341303A JP 4149244 A JP4149244 A JP 4149244A JP 14924492 A JP14924492 A JP 14924492A JP H05341303 A JPH05341303 A JP H05341303A
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cylinder
glass substrate
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Masato Yasue
真人 安江
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Abstract

PURPOSE:To provide the bonding device which can bond TAB parts an a glass substrate with good accuracy with decreased failures. CONSTITUTION:This bonding device has a press welding block 18 which presses the TAB parts 2 to the wiring patterns of the glass substrate 1 via an anisotropic conductive film and heats these parts, a cylinder 17 for a low pressure which pressurizes this press welding block 18 always with a prescribed bonding pressure P and a cylinder 14 for a high pressure which can vertically drive this cylinder 17 for the low pressure with the pressure F higher than the bonding pressure P.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、例えば、液晶ガラス
基板にTAB部品である液晶駆動用ICを異方性導電膜
を介して実装するボンディング装置に関するものであ
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a bonding apparatus for mounting a liquid crystal driving IC, which is a TAB component, on a liquid crystal glass substrate via an anisotropic conductive film.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶パネルの製造工程では、図5に示す
ように、液晶ガラス基板1(以下「ガラス基板」とい
う)の周囲に液晶駆動用IC2(以下「IC」とい
う。)が実装される。一般に、液晶駆動用ICはTAB
(Tape Automated Bonnding )部品であり、実装は、こ
のIC2のフィルムキャリアから突出したリ−ドと、上
記液晶ガラス基板1の配線パタ−ンとを接続するもので
ある。
2. Description of the Related Art In a manufacturing process of a liquid crystal panel, as shown in FIG. 5, a liquid crystal driving IC 2 (hereinafter referred to as "IC") is mounted around a liquid crystal glass substrate 1 (hereinafter referred to as "glass substrate"). .. Generally, the liquid crystal driving IC is TAB
This is a (Tape Automated Bonding) component, and mounting is to connect the lead protruding from the film carrier of the IC 2 and the wiring pattern of the liquid crystal glass substrate 1.

【0003】この接続方法としては、異方性導電膜(異
方性導電接着剤)を用いてボンディングする方法が広く
採用されている。異方性導電膜は、その特性により熱硬
化型と熱可塑型に大別されるが、いずれも、この異方性
導電膜を介して上記IC2のリ−ドと上記ガラス基板1
の配線パタ−ンとを位置決めし仮止めした後、図6に示
すように、圧着ブロック3を用いて上記リ−ドを上記配
線パタ−ンに加圧し加熱することで両者を接合するもの
である。
As this connection method, a method of bonding using an anisotropic conductive film (anisotropic conductive adhesive) is widely adopted. The anisotropic conductive film is roughly classified into a thermosetting type and a thermoplastic type depending on its characteristics. In both cases, the lead of the IC 2 and the glass substrate 1 are interposed via the anisotropic conductive film.
The wiring pattern is positioned and temporarily fixed, and then, as shown in FIG. 6, the lead is pressed against the wiring pattern using a crimping block 3 and heated to join the two. is there.

【0004】従来、上記圧着ブロック3は、コンスタン
トヒ−ト方式(常時加熱方式)と、パルスヒ−ト方式
(瞬間加熱方式)のいずれかの方式のものが採用されて
いる。この圧着ブロック3は、エアシリンダ4により上
下駆動され、上記IC2を所定のボンディング圧力Pで
上記ガラス基板1に押圧することで、このIC2をガラ
ス基板1にボンディングするようになっている。
Conventionally, the crimping block 3 employs either a constant heat method (constant heating method) or a pulse heat method (instantaneous heating method). The pressure-bonding block 3 is vertically driven by an air cylinder 4, and the IC 2 is bonded to the glass substrate 1 by pressing the IC 2 against the glass substrate 1 with a predetermined bonding pressure P.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のボン
ディング装置には、以下に説明するような欠点があっ
た。
By the way, the conventional bonding apparatus has the following drawbacks.

【0006】すなわち、第1に、ガラス基板1に異方性
導電膜を介してIC2を圧着する場合に、圧着ブロック
3による加熱によって上記IC2のキャリアテ−プが膨
脹し、あらかじめ位置合わせしたガラス基板1の配線パ
タ−ンとIC2のリ−ドとの間に位置ずれが生じてしま
うこと、第2に、圧着ブロック3の押圧面の平行度や平
坦度等の精度を維持することが困難であることである。
That is, first, when the IC 2 is pressure-bonded to the glass substrate 1 via the anisotropic conductive film, the carrier tape of the IC 2 is expanded by heating by the pressure-bonding block 3, and the pre-aligned glass is used. Positional deviation occurs between the wiring pattern of the substrate 1 and the lead of the IC 2, and secondly, it is difficult to maintain the accuracy such as parallelism and flatness of the pressing surface of the crimping block 3. Is to be.

【0007】上記圧着ブロック3の加熱方式としてパル
スヒ−ト方式を採用した場合には、加圧完了後に通電加
熱を開始することでフィルムキャリアの伸びを抑制する
ことが可能である。しかし、パルスヒ−ト方式ではその
性質上、均一な温度分布、強度、精度が得られる圧着ブ
ロック3の押圧面の長さ(大きさ)に限界がある。この
ため、比較的大きなTAB部品である液晶駆動用IC2
のボンディングには不向きである。また、このパルスヒ
−ト方式の圧着ブロック3の寿命は短いので維持費がか
かるという欠点を持つ。一方、コンスタントヒ−ト方式
を採用した場合、パルスヒ−ト方式に比べて剛性があ
り、寿命も長い。
When the pulse heat method is adopted as the heating method for the pressure-bonding block 3, it is possible to suppress the elongation of the film carrier by starting the electric heating after the completion of the pressurization. However, in the pulse heat method, there is a limit in the length (size) of the pressing surface of the crimping block 3 that can obtain uniform temperature distribution, strength, and accuracy due to its nature. Therefore, the liquid crystal driving IC 2 which is a relatively large TAB component
Is not suitable for bonding. Further, since the life of the pulse heat type pressure-bonding block 3 is short, there is a drawback that maintenance costs are high. On the other hand, when the constant heat method is adopted, it has higher rigidity and longer life than the pulse heat method.

【0008】しかし、図6に示すように、ヒ−タを内装
した一つの圧着ブロック3と、これを上下駆動する一つ
のエアシリンダ4とを具備する装置では、加圧完了前の
フィルムキャリアの伸びを抑制するには圧着ブロック3
の下降スピ−ドを早く設定するしか方策はない。しか
し、上記圧着ブロック3の下降スピ−ドを早く設定する
と、この圧着ブロック3が上記IC2に当接する際の衝
撃が大きく、上記IC2やガラス基板1を破損させる恐
れがある。
However, as shown in FIG. 6, in an apparatus equipped with one pressure-bonding block 3 containing a heater and one air cylinder 4 for vertically driving the pressure-bonding block 3, the film carrier before pressurization is completed. Crimping block 3 to suppress elongation
There is no way but to set the descending speed of. However, if the lowering speed of the crimping block 3 is set earlier, the impact when the crimping block 3 comes into contact with the IC 2 is large, and the IC 2 and the glass substrate 1 may be damaged.

【0009】一方、上記エアシリンダ4としてボンディ
ング圧力以上の圧力を発生させる高圧のシリンダを用い
た場合には、上記リ−ドを初期状態から力強く押圧さえ
ることはできるが、ボンディング圧力Pよりも高圧であ
るため上記IC2やガラス基板1を破損させる問題点が
ある。
On the other hand, when a high pressure cylinder for generating a pressure higher than the bonding pressure is used as the air cylinder 4, the lead can be pressed strongly from the initial state, but the pressure is higher than the bonding pressure P. Therefore, there is a problem that the IC 2 and the glass substrate 1 are damaged.

【0010】また、図6のように、一辺が比較的短い液
晶パネルを製造する場合は、一つの圧着ブロック3を用
いて一括的にボンディングをしても良いが、大型のIC
2…を具備する比較的大きな液晶パネルを製造する場合
には、上記パルスヒ−ト型と同様に精度上の問題があ
る。
Further, as shown in FIG. 6, in the case of manufacturing a liquid crystal panel having a relatively short side, it is possible to collectively bond using one crimp block 3, but a large IC.
When manufacturing a relatively large liquid crystal panel including 2 ..., Similar to the pulse heat type, there is a problem in accuracy.

【0011】したがって、多数個のIC2をボンディン
グする場合には、図7に示すように、上記圧着ブロック
3の押圧面の長さを短くし、かつ複数個設けることが行
われている。しかし、図5に示したように、装着される
IC2の装着間隔が狭い場合には、隣り合う圧着ブロッ
ク3、3同士が干渉し圧着ブロック3の配置が困難とな
る問題点もある。
Therefore, in the case of bonding a large number of ICs 2, as shown in FIG. 7, the pressing surface of the pressure bonding block 3 is shortened and a plurality of ICs 2 are provided. However, as shown in FIG. 5, when the mounting intervals of the mounted ICs 2 are narrow, there is a problem that the adjacent crimping blocks 3 interfere with each other and the crimping block 3 is difficult to dispose.

【0012】この発明は、このような事情に鑑みてなさ
れたもので、ガラス基板やTAB部品を破損させること
が少なくかつ、精度の良い良好なボンディングを行える
ボンディング装置を提供することを目的とするものであ
る。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a bonding apparatus which is less likely to damage a glass substrate or a TAB component and which can perform good bonding with high accuracy. It is a thing.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】この発明の第1の手段
は、基板の配線パタ−ンにTAB部品を接合材を介して
ボンディングする圧着ブロックと、この圧着ブロックを
保持しこの圧着ブロックを所定のボンディング圧力で加
圧する低圧用シリンダと、この低圧用シリンダを上記ボ
ンディング圧力よりも高い圧力で上下駆動可能な高圧用
シリンダとを具備することを特徴とするものである。
The first means of the present invention is to provide a crimping block for bonding a TAB component to a wiring pattern of a substrate through a bonding material, and to hold the crimping block and to predetermine the crimping block. And a high-pressure cylinder capable of vertically driving the low-pressure cylinder at a pressure higher than the above-mentioned bonding pressure.

【0014】第2の手段は、基板に複数個のTAB部品
をボンディングするボンディング装置であって、少なく
とも一つのTAB部品の接合幅に対応する押圧面を有す
る圧着ブロックと、この圧着ブロックと上記基板とを相
対的に移動させて上記圧着ブロックの押圧面を未だボン
ディングされていないTAB部品に順次対向させる駆動
手段とを具備することを特徴とするものである。
A second means is a bonding apparatus for bonding a plurality of TAB components to a substrate, the pressure bonding block having a pressing surface corresponding to the bonding width of at least one TAB component, the pressure bonding block and the substrate. And driving means for causing the pressing surface of the pressure-bonding block to sequentially face the unbonded TAB component by moving the and.

【0015】[0015]

【作用】このような構成によれば、電子部品や圧着ブロ
ックを破損させることが少なくかつ良好なボンディング
が行えるボンディング装置を提供することができる。
According to such a structure, it is possible to provide a bonding apparatus that can perform good bonding with less damage to the electronic components and the crimping block.

【0016】[0016]

【実施例】以下、この発明の一実施例を図面を参照して
説明する。なお、従来例と同様の構成要素には同一符号
を付してその説明は省略する。まず、第1の実施例につ
いて説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. The same components as those of the conventional example are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted. First, the first embodiment will be described.

【0017】図中9は載置テ−ブルである。この載置テ
−ブル9は上面に、複数個の液晶駆動用IC2が接合材
としての異方性導電膜(図3、図4に示す5)で仮止め
された液晶ガラス基板1を保持する。そして、この載置
テ−ブル9は、XYθ駆動手段10によって保持され、
図に矢印(イ)で示す方向にピッチ送り駆動されるよう
になっている。
Reference numeral 9 in the figure denotes a mounting table. The mounting table 9 holds the liquid crystal glass substrate 1 on the upper surface of which a plurality of liquid crystal driving ICs 2 are temporarily fixed by anisotropic conductive films (5 shown in FIGS. 3 and 4) as a bonding material. .. The mounting table 9 is held by the XYθ drive means 10,
Pitch feed drive is performed in the direction indicated by the arrow (a) in the figure.

【0018】上記載置テ−ブル9の側方には、このボン
ディング装置のコラム11が立設されている。このコラ
ム11の上記載置テ−ブル9側の一面には第1の駆動源
12が取り付けられている。この第1の駆動源12は、
ケ−シング13と、このケ−シング13の上面に設けら
れた高圧用の第1のエアシリンダ14(高圧用シリン
ダ)と、このケ−シング13の上記載置テ−ブル9側の
一面にスライド自在に設けられ、かつ上記第1のエアシ
リンダ14により上下駆動されるスライダ15とを具備
する。
A column 11 of this bonding apparatus is erected on the side of the above-mentioned mounting table 9. A first drive source 12 is attached to one surface of the column 11 on the placement table 9 side. The first drive source 12 is
The casing 13, the first high-pressure air cylinder 14 (high-pressure cylinder) provided on the upper surface of the casing 13, and one surface of the casing 13 on the side of the mounting table 9 described above. The slider 15 is provided so as to be slidable and is vertically driven by the first air cylinder 14.

【0019】また、上記スライダ15は、略水平に突設
された保持板部15aを具備する。そして、この保持板
部15aには、低圧用の3つの第2のシリンダ17…
(低圧用シリンダ)が軸線を垂直にして並列に固定され
ている。上記第2のシリンダ17の駆動軸(図示しな
い)はこの保持板部15aの下側に延出され、この駆動
軸には圧着ブロック18が設けられている。
Further, the slider 15 has a holding plate portion 15a which projects substantially horizontally. The holding plate portion 15a has three low pressure second cylinders 17 ...
(Low-pressure cylinders) are fixed in parallel with their axes vertical. A drive shaft (not shown) of the second cylinder 17 extends below the holding plate portion 15a, and a crimp block 18 is provided on the drive shaft.

【0020】この圧着ブロック18は、コンスタントヒ
−ト方式(常時加熱型)のもので、一つのIC2の接合
幅に対応する押圧面18aを具備する。また、上記圧着
ブロック18は、一つのIC2の長さに対応する間隔で
互いに離間して設けられている。次に、このボンディン
グ装置の動作を図4を参照して説明する。図3は、上記
ボンディング装置の第1、第2シリンダ14、17およ
び圧着ブロック18の関係を簡略化して示す模式図であ
る。
The crimping block 18 is of the constant heat type (constant heating type) and has a pressing surface 18a corresponding to the bonding width of one IC2. The crimp blocks 18 are provided so as to be separated from each other at an interval corresponding to the length of one IC 2. Next, the operation of this bonding apparatus will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a schematic view showing a simplified relationship between the first and second cylinders 14 and 17 and the crimping block 18 of the above bonding apparatus.

【0021】すなわち、上記第1のエアシリンダ14は
コラム11に固定され、この第1のエアシリンダ14の
駆動軸14aには、第2のシリンダ17が取り付けられ
ている。したがって上記第1のエアシリンダ14が作動
することで、この第2のシリンダ17全体が上下駆動さ
れるようになっている。また、この第2のエアシリンダ
17の駆動軸17aには圧着ブロック18が設けられて
いる。
That is, the first air cylinder 14 is fixed to the column 11, and the drive shaft 14a of the first air cylinder 14 has the second cylinder 17 attached thereto. Therefore, by operating the first air cylinder 14, the entire second cylinder 17 is vertically driven. A compression block 18 is provided on the drive shaft 17a of the second air cylinder 17.

【0022】上記第1のシリンダ14はクロ−ズドセン
タ形の4ポ−ト弁19を介して高圧ポンプ20に接続さ
れている。上記高圧ポンプ20は上記第1のシリンダ1
4の駆動軸14aをボンディング圧力Pよりも大きい最
大圧力Fで駆動する役割を有する。
The first cylinder 14 is connected to a high-pressure pump 20 via a closed center type four-port valve 19. The high-pressure pump 20 is the first cylinder 1
4 has a role of driving the drive shaft 14a at a maximum pressure F higher than the bonding pressure P.

【0023】第2のシリンダ17は、この第2のシリン
ダ17の駆動軸17aを最大圧力P(F>P)で駆動す
る低圧ポンプ21に接続され、この回路にはリリ−フ弁
22が接続されている。このリリ−フ弁22は上記第2
のシリンダ17内の圧力がP以上になると作動し、上記
第2のシリンダ17内の圧力を常にPに保つ役割を有す
る。次に、図4を参照して上記第1、第2のシリンダ1
4、17、圧着ブロック18の動作を説明する。
The second cylinder 17 is connected to a low pressure pump 21 which drives a drive shaft 17a of the second cylinder 17 at a maximum pressure P (F> P), and a relief valve 22 is connected to this circuit. Has been done. This relief valve 22 is the second
It operates when the pressure in the cylinder 17 becomes P or more, and has a role of always keeping the pressure in the second cylinder 17 at P. Next, referring to FIG. 4, the first and second cylinders 1
The operations of Nos. 4 and 17 and the crimping block 18 will be described.

【0024】(a)は図2に示す状態と同じで、作動前
の状態である。この状態で上記4ポ−ト弁19が作動し
て上記第1のエアシリンダ14が作動し、上記第2のシ
リンダ14および上記圧着ブロック18を下降駆動す
る。このときの上記圧着ブロック18の下降速度は、上
記IC2あるいはガラス基板1に衝撃を与えないような
値に設定される。また、このとき、上記第2のシリンダ
17内はすでに圧力Pに保たれている。
(A) is the same as the state shown in FIG. 2, which is the state before the operation. In this state, the 4-port valve 19 operates and the first air cylinder 14 operates, and the second cylinder 14 and the crimping block 18 are driven downward. At this time, the descending speed of the pressure bonding block 18 is set to a value that does not give an impact to the IC 2 or the glass substrate 1. At this time, the pressure inside the second cylinder 17 is already kept at P.

【0025】ついで、(b)に示すように、上記圧着ブ
ロック18の押圧面18aが上記IC2に当接すると、
上記第1のシリンダ17により、押圧力が上昇する。上
記押圧力がPに達すると、上記第2シリンダ14の駆動
軸14aは圧縮方向に駆動されるが、上記リリ−フ弁2
2からエアが抜けるために、上記圧着ブロック18の押
圧力はP以上に上昇することはない。
Then, as shown in (b), when the pressing surface 18a of the crimping block 18 comes into contact with the IC2,
The first cylinder 17 increases the pressing force. When the pressing force reaches P, the drive shaft 14a of the second cylinder 14 is driven in the compression direction, but the relief valve 2
Since the air is released from 2, the pressing force of the crimping block 18 does not rise above P.

【0026】(c)、(d)に示すように、上記第1の
シリンダ17はさらに下降し、上記第2のエアシリンダ
14を下降駆動する。このあいだ、上記リリ−フ弁22
が作動することで、上記IC2のリ−ドは異方性導電膜
を介して上記ガラス基板1の配線パタ−ンに圧力Pで押
し付けられる。このことで、上記IC2は上記ガラス基
板1に実装される。
As shown in (c) and (d), the first cylinder 17 is further lowered to drive the second air cylinder 14 downward. During this time, the above-mentioned relief valve 22
Is operated, the lead of the IC2 is pressed against the wiring pattern of the glass substrate 1 with pressure P through the anisotropic conductive film. As a result, the IC 2 is mounted on the glass substrate 1.

【0027】ついで、上記4ポ−ト弁19を切り替え、
上記圧着ブロック18を上昇させる。そして、上記XY
θ駆動手段10を作動させて上記載置テ−ブル9を駆動
し、記ガラス基板1を図1に矢印(イ)で示す方向に1
ICピッチ分送り駆動し、未だボンディングされていな
いIC2を上記圧着ブロック18の下方に対向位置決め
する。そして、上述したのとの同様の動作で上記圧着ブ
ロック18を駆動し、上記IC2を上記ガラス基板1に
ボンディングする。
Then, the four-port valve 19 is switched,
The crimp block 18 is raised. And the above XY
The θ driving means 10 is operated to drive the mounting table 9 described above, and the glass substrate 1 is moved in the direction indicated by an arrow (a) in FIG.
The IC 2 is fed and driven by the IC pitch, and the unbonded IC 2 is positioned below the pressure-bonding block 18 so as to face it. Then, the pressure bonding block 18 is driven by the same operation as described above to bond the IC 2 to the glass substrate 1.

【0028】このような構成によれば、上記第1のシリ
ンダ14は高圧用シリンダなので、上記圧着ブロック1
8をゆっくりと下降させても、上記圧着ブロック18の
押圧力は瞬時に所定の圧力Pに達する。また、これ以後
は上記リリ−フ弁19が作動することにより、上記圧着
ブロック17の押圧力は常時Pに保たれるので、P以上
の圧力で上記IC2を押さえ付けることはない。
According to this structure, since the first cylinder 14 is a high pressure cylinder, the crimp block 1 is used.
Even if 8 is slowly lowered, the pressing force of the crimping block 18 instantly reaches a predetermined pressure P. Further, thereafter, since the pressure of the pressure-bonding block 17 is constantly maintained at P by the operation of the relief valve 19, the IC 2 is not pressed by the pressure of P or more.

【0029】このことにより、上記IC2に衝撃を与え
ることがなくかつ瞬時に押圧力を上昇させることができ
るので、熱による上記TAB部品の膨脹を有効に押さえ
ることができる。また、上記IC2に衝撃を加えたり大
圧力で押圧することが防止されるので、上記IC2を破
損させることが少ない。
As a result, since the pressing force can be instantly increased without giving a shock to the IC2, it is possible to effectively suppress the expansion of the TAB component due to heat. Further, since it is possible to prevent the IC2 from being impacted or pressed with a large pressure, the IC2 is less likely to be damaged.

【0030】一方、上記ボンディング装置は、並列に並
べられて配置されたIC2を2回に別けてボンディング
するようにしたので、上記IC2の間隔が狭い場合にで
も、それらのIC2を有効に精度良くボンディングする
ことが可能である。なお、この発明は上記一実施例に限
定されるものではなく、発明の要旨を変更しない範囲で
種々変形可能である。例えば、上記一実施例では、3つ
の圧着ブロックを平行に設けたが、比較的小さな液晶パ
ネルを製造する場合には、一つの圧着ブロックであって
も良い。
On the other hand, in the above-mentioned bonding apparatus, since the ICs 2 arranged side by side in parallel are separately bonded in two times, the ICs 2 can be effectively and accurately used even when the interval between the ICs 2 is narrow. It is possible to bond. It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment, but can be variously modified without changing the gist of the invention. For example, in the above-mentioned one embodiment, three crimping blocks are provided in parallel, but when manufacturing a relatively small liquid crystal panel, one crimping block may be used.

【0031】この場合でも、図2に示すように、一つの
圧着ブロック18´は、第1、第2のシリンダ14、1
7によって駆動されるようになっていて、上述したのと
同様に作動し、上記IC2…を上記ガラス基板1に有効
にボンディングすることができる。
Even in this case, as shown in FIG. 2, one crimping block 18 'includes the first and second cylinders 14 and 1.
7 and operates in the same manner as described above, and the ICs 2 ... Can be effectively bonded to the glass substrate 1.

【0032】また、上記一実施例では、ボンディング装
置として、IC2をガラス基板1にボンディングする装
置を示したが、これに限定されるものではなく、通常の
プリン配線基板にTAB部品を実装するボンディング装
置であっても良い。
Further, in the above-mentioned one embodiment, a device for bonding the IC 2 to the glass substrate 1 has been shown as a bonding device, but the present invention is not limited to this, and bonding for mounting a TAB component on an ordinary pudding wiring substrate. It may be a device.

【0033】さらに、上記一実施例では、TAB部品
(IC2)のリ−ドと配線基板(ガラス基板1)の配線
パタ−ンとを異方性導電膜を介して接合するものであっ
たが、これに限定されるものではなく、接合材としてハ
ンダ材等を用いて接合するものであっても良い。
Further, in the above-mentioned one embodiment, the lead of the TAB component (IC2) and the wiring pattern of the wiring substrate (glass substrate 1) are joined together through the anisotropic conductive film. However, the present invention is not limited to this, and a soldering material or the like may be used as the bonding material.

【0034】[0034]

【発明の効果】以上述べたように、この発明のボンディ
ング装置の第1の構成は、基板の配線パタ−ンにTAB
部品を接合材を介してボンディングする圧着ブロック
と、この圧着ブロックを保持しこの圧着ブロックを所定
のボンディング圧力以下で加圧する低圧用シリンダと、
この低圧用シリンダを上記ボンディング圧力よりも高い
圧力で上下駆動可能な高圧用シリンダとを具備するもの
である。
As described above, according to the first structure of the bonding apparatus of the present invention, the wiring pattern of the substrate is formed by the TAB.
A crimping block for bonding components through a bonding material, a low pressure cylinder for holding the crimping block and pressurizing the crimping block at a predetermined bonding pressure or less,
This low pressure cylinder is provided with a high pressure cylinder that can be driven up and down at a pressure higher than the bonding pressure.

【0035】第1の構成によれば、上記TAB部品のテ
−プの膨脹による位置ずれをそのTAB部品や基板を破
損させることなく防止することができるので、より精度
良くボンディングを行える効果がある。
According to the first structure, the displacement of the TAB component due to the expansion of the tape can be prevented without damaging the TAB component or the substrate, so that the bonding can be performed more accurately. ..

【0036】また第2の構成は、基板に複数個のTAB
部品をボンディングするボンディング装置であって、少
なくとも一つのTAB部品の接合幅に対応する押圧面を
有する圧着ブロックと、この圧着ブロックと上記基板と
を相対的に移動させて上記圧着ブロックの押圧面を未だ
ボンディングされていないTAB部品に順次対向させる
駆動手段とを具備するものである。この第2の構成によ
れば、ボンディングされるTAB部品の配置間隔が狭い
場合でも、良好なボンディングをすることができる効果
がある。
The second structure is that a plurality of TABs are formed on the substrate.
A bonding apparatus for bonding components, comprising: a crimping block having a pressing surface corresponding to a bonding width of at least one TAB component; and the crimping block and the substrate are moved relative to each other so that the pressing surface of the crimping block is And a drive means for sequentially facing the TAB components which have not been bonded yet. According to the second configuration, there is an effect that good bonding can be performed even when the arrangement interval of the TAB components to be bonded is narrow.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の要部の一実施例を示す斜視図。FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of a main part of the present invention.

【図2】同じく、斜視図。FIG. 2 is a perspective view of the same.

【図3】同じく、模式図。FIG. 3 is also a schematic diagram.

【図4】(a)〜(d)は、同じく、ボンディング動作
を示す工程図。
FIGS. 4A to 4D are process diagrams showing a bonding operation similarly.

【図5】一般的な液晶パネルを示す斜視図。FIG. 5 is a perspective view showing a general liquid crystal panel.

【図6】従来例を示す斜視図。FIG. 6 is a perspective view showing a conventional example.

【図7】同じく斜視図。FIG. 7 is a perspective view of the same.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…ガラス基板(基板)、2…液晶駆動用IC(TAB
部品)、5…異方性導電膜(接合材)、10…XYθ駆
動手段(駆動手段)、14…第1のエアシリンダ(高圧
用シリンダ)、17…第2のエアシリンダ(低圧用シリ
ンダ)、18…圧着ブロック、18a…押圧面。
1 ... Glass substrate (substrate), 2 ... Liquid crystal driving IC (TAB)
Parts), 5 ... Anisotropic conductive film (bonding material), 10 ... XYθ driving means (driving means), 14 ... First air cylinder (high pressure cylinder), 17 ... Second air cylinder (low pressure cylinder) , 18 ... Crimping block, 18a ... Pressing surface.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板の配線パタ−ンにTAB部品を接合
材を介してボンディングする圧着ブロックと、この圧着
ブロックを保持しこの圧着ブロックを所定のボンディン
グ圧力で加圧する低圧用シリンダと、この低圧用シリン
ダを上記ボンディング圧力よりも高い圧力で上下駆動可
能な高圧用シリンダとを具備することを特徴とするボン
ディング装置。
1. A pressure-bonding block for bonding a TAB component to a wiring pattern of a substrate via a bonding material, a low-pressure cylinder for holding the pressure-bonding block and pressurizing the pressure-bonding block with a predetermined bonding pressure, and this low-pressure cylinder. And a high-pressure cylinder capable of vertically driving the working cylinder at a pressure higher than the above-mentioned bonding pressure.
【請求項2】 基板に複数個のTAB部品をボンディン
グするボンディング装置であって、少なくとも一つのT
AB部品の接合幅に対応する押圧面を有する圧着ブロッ
クと、この圧着ブロックと上記基板とを相対的に移動さ
せて上記圧着ブロックの押圧面を未だボンディングされ
ていないTAB部品に順次対向させる駆動手段とを具備
することを特徴とするボンディング装置。
2. A bonding apparatus for bonding a plurality of TAB components to a substrate, wherein at least one T
A crimping block having a pressing surface corresponding to the joining width of the AB component, and a driving means for moving the crimping block and the substrate relative to each other so that the pressing surface of the crimping block sequentially faces the unbonded TAB component. A bonding apparatus comprising:
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