JPH05328742A - 直流−交流変換器 - Google Patents
直流−交流変換器Info
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- JPH05328742A JPH05328742A JP4125833A JP12583392A JPH05328742A JP H05328742 A JPH05328742 A JP H05328742A JP 4125833 A JP4125833 A JP 4125833A JP 12583392 A JP12583392 A JP 12583392A JP H05328742 A JPH05328742 A JP H05328742A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 複数のスイッチング素子が直列あるいはブリ
ッジ構成で接続されている直流−交流変換回路におい
て、構造の異なるスイッチング素子を用いることにより
ノイズを極力抑えることを目的としている。 【構成】 複数のスイッチング素子３，４が直列あるい
はブリッジ構成で接続されている直流−交流変換回路に
おいて、入力直流源１，２の正極あるいは負極に接続さ
れる端子を放熱フィン構造とするスイッチング素子３，
４を用いた構成または、入力直流源１，２の正極あるい
は負極と放熱フィンとの接続配線を、放熱フィンと電気
的に接続された放熱板で兼用させた構成としている。
ッジ構成で接続されている直流−交流変換回路におい
て、構造の異なるスイッチング素子を用いることにより
ノイズを極力抑えることを目的としている。 【構成】 複数のスイッチング素子３，４が直列あるい
はブリッジ構成で接続されている直流−交流変換回路に
おいて、入力直流源１，２の正極あるいは負極に接続さ
れる端子を放熱フィン構造とするスイッチング素子３，
４を用いた構成または、入力直流源１，２の正極あるい
は負極と放熱フィンとの接続配線を、放熱フィンと電気
的に接続された放熱板で兼用させた構成としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、各種インバータやスイ
ッチング電源装置において複数のスイッチング素子で構
成され、それらのオン，オフ動作により直流電圧を交流
電圧に変換する直流−交流変換器に関するものである。
ッチング電源装置において複数のスイッチング素子で構
成され、それらのオン，オフ動作により直流電圧を交流
電圧に変換する直流−交流変換器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、直流−交流変換技術には、電子機
器の小型化、省力化に伴う高効率化あるいは高周波化に
加え、低ノイズ化も厳しく要求されている。
器の小型化、省力化に伴う高効率化あるいは高周波化に
加え、低ノイズ化も厳しく要求されている。
【０００３】以下に従来のスイッチング素子を用いた直
流−交流変換器について説明する。図７は直流−交流変
換器の回路構成図、また図２は図７に示した直流−交流
変換器に使用される従来のスイッチング素子の外観構造
図で、放熱フィンがドレインタイプのものである。図７
において、１は第１の直流電圧源、２は第２の直流電圧
源であり、それぞれスイッチング素子の制御により負荷
に交互にエネルギーを供給する。３は第１のスイッチン
グ素子であり、７はドレイン端子、８はソース端子、９
はゲート端子となっており、放熱フィンは前記ドレイン
端子７と同電位である。１５は第２のスイッチング素子
であり、１６はドレイン端子、１７はソース端子、１８
はゲート端子となっており、放熱フィンは前記第１のス
イッチング素子３と同様にドレイン端子１６と同電位で
ある。５は負荷である。図２において、３０は前記第１
のスイッチング素子３および前記第２のスイッチング素
子１５の外観構造図である。３１は放熱フィンドレイン
端子と同電位である。３２はゲート端子でスイッチング
素子のオンオフ制御信号はこの端子に与えられる。３３
はドレイン端子で、３４はソース端子である。
流−交流変換器について説明する。図７は直流−交流変
換器の回路構成図、また図２は図７に示した直流−交流
変換器に使用される従来のスイッチング素子の外観構造
図で、放熱フィンがドレインタイプのものである。図７
において、１は第１の直流電圧源、２は第２の直流電圧
源であり、それぞれスイッチング素子の制御により負荷
に交互にエネルギーを供給する。３は第１のスイッチン
グ素子であり、７はドレイン端子、８はソース端子、９
はゲート端子となっており、放熱フィンは前記ドレイン
端子７と同電位である。１５は第２のスイッチング素子
であり、１６はドレイン端子、１７はソース端子、１８
はゲート端子となっており、放熱フィンは前記第１のス
イッチング素子３と同様にドレイン端子１６と同電位で
ある。５は負荷である。図２において、３０は前記第１
のスイッチング素子３および前記第２のスイッチング素
子１５の外観構造図である。３１は放熱フィンドレイン
端子と同電位である。３２はゲート端子でスイッチング
素子のオンオフ制御信号はこの端子に与えられる。３３
はドレイン端子で、３４はソース端子である。
【０００４】以上のように構成された従来の直流−交流
変換器において、以下にその動作を説明する。
変換器において、以下にその動作を説明する。
【０００５】まず、前記第１の直流電圧源１が発生する
直流電圧Ｖ１は前記第１のスイッチング素子３のオンに
伴い前記負荷５に印加される。このとき前記第２のスイ
ッチング素子１５はオフである。次に第１のスイッチン
グ素子３をオフにして第２のスイッチング素子１５をオ
ンすることにより前記負荷５に直流電圧Ｖ２を印加す
る。このとき負荷５に印加される電圧は第１のスイッチ
ング素子３のときとは逆の極性である。このようにスイ
ッチング素子３と１５を交互にスイッチングすることに
より負荷に交流電圧を供給することができる。
直流電圧Ｖ１は前記第１のスイッチング素子３のオンに
伴い前記負荷５に印加される。このとき前記第２のスイ
ッチング素子１５はオフである。次に第１のスイッチン
グ素子３をオフにして第２のスイッチング素子１５をオ
ンすることにより前記負荷５に直流電圧Ｖ２を印加す
る。このとき負荷５に印加される電圧は第１のスイッチ
ング素子３のときとは逆の極性である。このようにスイ
ッチング素子３と１５を交互にスイッチングすることに
より負荷に交流電圧を供給することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の構
成においてドレインが放熱フィンとなっている従来のス
イッチング素子だけで回路を構成すると、第１のスイッ
チング素子３のドレインは直接直流源の正極に接続され
ているためドレインつまり放熱フィンの電位を安定に保
つことができるが、その一方で第２のスイッチング素子
１５の場合、ドレインと直流源の負極とは接続できない
ため放熱フィンの電位を安定化することができない。こ
のため、電位が安定化されない第２のスイッチング素子
１５の放熱フィンを通じてノイズが伝搬してしまうとい
う問題点を有していた。
成においてドレインが放熱フィンとなっている従来のス
イッチング素子だけで回路を構成すると、第１のスイッ
チング素子３のドレインは直接直流源の正極に接続され
ているためドレインつまり放熱フィンの電位を安定に保
つことができるが、その一方で第２のスイッチング素子
１５の場合、ドレインと直流源の負極とは接続できない
ため放熱フィンの電位を安定化することができない。こ
のため、電位が安定化されない第２のスイッチング素子
１５の放熱フィンを通じてノイズが伝搬してしまうとい
う問題点を有していた。
【０００７】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、放熱フィンの電位を安定に保ちノイズ抑制に効果を
発揮する直流−交流変換器を提供することを目的として
いる。
で、放熱フィンの電位を安定に保ちノイズ抑制に効果を
発揮する直流−交流変換器を提供することを目的として
いる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の直流−交流変換器は、複数のスイッチング素
子が直列あるいはブリッジ構成で接続されている直流−
交流変換回路において、入力直流源の正極あるいは負極
に接続される端子を放熱フィン構造とするスイッチング
素子を用いる構成、または、入力直流源の正極あるいは
負極と放熱フィンとの接続配線を、放熱フィンで兼用さ
せた構成を有している。
に本発明の直流−交流変換器は、複数のスイッチング素
子が直列あるいはブリッジ構成で接続されている直流−
交流変換回路において、入力直流源の正極あるいは負極
に接続される端子を放熱フィン構造とするスイッチング
素子を用いる構成、または、入力直流源の正極あるいは
負極と放熱フィンとの接続配線を、放熱フィンで兼用さ
せた構成を有している。
【０００９】
【作用】この構成によって、ブリッジ構成される各スイ
ッチング素子の放熱フィンは入力直流電圧源の正極また
は負極に接続されるため放熱フィンの電位は必然的に安
定とでき、したがって放熱フィンを通じて伝搬されるノ
イズは極力抑えられ、しかも入力直流電圧源の正極また
は負極との接続配線として放熱フィンを兼用できるため
ラインインピーダンスを下げることにも大きな効果があ
る。
ッチング素子の放熱フィンは入力直流電圧源の正極また
は負極に接続されるため放熱フィンの電位は必然的に安
定とでき、したがって放熱フィンを通じて伝搬されるノ
イズは極力抑えられ、しかも入力直流電圧源の正極また
は負極との接続配線として放熱フィンを兼用できるため
ラインインピーダンスを下げることにも大きな効果があ
る。
【００１０】
【実施例】（実施例１）以下本発明の一実施例について
図面を参照しながら説明する。図１に本発明の実施例に
おける直流−交流変換器の回路構成図を、図２に放熱フ
ィンがドレイン端子と同電位である従来と同じスイッチ
ング素子の外観構造図を、また図３には放熱フィンがソ
ース端子と同電位であるスイッチング素子の外観構造図
をそれぞれ示している。回路構成そのものは従来例と同
様であるが、従来とは構造の異なるスイッチング素子を
用いている点に大きな特徴がある。
図面を参照しながら説明する。図１に本発明の実施例に
おける直流−交流変換器の回路構成図を、図２に放熱フ
ィンがドレイン端子と同電位である従来と同じスイッチ
ング素子の外観構造図を、また図３には放熱フィンがソ
ース端子と同電位であるスイッチング素子の外観構造図
をそれぞれ示している。回路構成そのものは従来例と同
様であるが、従来とは構造の異なるスイッチング素子を
用いている点に大きな特徴がある。
【００１１】図１，図２，図３において、１は第１の直
流電圧源、２は第２の直流電圧源である。３は第１のス
イッチング素子であり、７，８，９はそれぞれ順に前記
スイッチング素子３のドレイン端子、ソース端子、ゲー
ト端子で、放熱フィンは前記ドレイン端子７と同電位で
ある。４は第２のスイッチング素子であり、１０，１
１，１２はそれぞれ順に前記スイッチング素子４のドレ
イン端子、ソース端子、ゲート端子で、放熱フィンは前
記ソース端子１１と同電位である。５は負荷である。３
０は前記第１のスイッチング素子３の外観構造図で、従
来の構造と同じである。３１は放熱フィンでドレイン端
子と同電位である。３２はゲート端子でスイッチング素
子３のオンオフ制御信号はこの端子に与えられる。３３
はドレイン端子で、３４はソース端子である。４０は前
記第２のスイッチング素子４の外観構造図である。４１
は放熱フィンで、ソース端子と同電位である点で図２の
スイッチング素子３と異なる。４２，４４はそれぞれゲ
ートまたはドレイン端子であり、４３はソース端子であ
る。
流電圧源、２は第２の直流電圧源である。３は第１のス
イッチング素子であり、７，８，９はそれぞれ順に前記
スイッチング素子３のドレイン端子、ソース端子、ゲー
ト端子で、放熱フィンは前記ドレイン端子７と同電位で
ある。４は第２のスイッチング素子であり、１０，１
１，１２はそれぞれ順に前記スイッチング素子４のドレ
イン端子、ソース端子、ゲート端子で、放熱フィンは前
記ソース端子１１と同電位である。５は負荷である。３
０は前記第１のスイッチング素子３の外観構造図で、従
来の構造と同じである。３１は放熱フィンでドレイン端
子と同電位である。３２はゲート端子でスイッチング素
子３のオンオフ制御信号はこの端子に与えられる。３３
はドレイン端子で、３４はソース端子である。４０は前
記第２のスイッチング素子４の外観構造図である。４１
は放熱フィンで、ソース端子と同電位である点で図２の
スイッチング素子３と異なる。４２，４４はそれぞれゲ
ートまたはドレイン端子であり、４３はソース端子であ
る。
【００１２】以上のように構成された直流−交流変換器
において、以下にその動作を説明する。まず、前記第１
の直流電圧源１が発生する直流電圧Ｖ１は前記第１のス
イッチング素子３のオンに伴い前記負荷５に印加され
る。このとき前記第２のスイッチング素子４はオフ状態
である。次に第１のスイッチング素子３をオフして第２
のスイッチング素子４をオンすることにより前記負荷５
に前記第２の直流電圧源２が発生する直流電圧Ｖ２を印
加する。このとき前記負荷５に印加される電圧Ｖ２は第
１のスイッチング素子３のオンのときとは逆の極性であ
る。このようにスイッチング素子３と４を交互にスイッ
チングすることにより前記負荷５に交流電圧を供給する
ことができる。ここで、前記第１のスイッチング素子３
の放熱フィンはドレイン端子、また前記第２のスイッチ
ング素子４の放熱フィンはソース端子となっているため
各端子はそれぞれの放熱フィンを通じて前記第１の直流
電圧源１の正極および前記第２の直流電圧源２の負極と
接続できる。このため前記第１のスイッチング素子３お
よび前記第２のスイッチング素子４の両方の放熱フィン
の電位は前記第１および第２の直流電圧源１，２によっ
て同時に安定に保たれ、その結果、放熱フィンを通じて
伝搬されていたスイッチングノイズを効果的に抑制する
ことができる。
において、以下にその動作を説明する。まず、前記第１
の直流電圧源１が発生する直流電圧Ｖ１は前記第１のス
イッチング素子３のオンに伴い前記負荷５に印加され
る。このとき前記第２のスイッチング素子４はオフ状態
である。次に第１のスイッチング素子３をオフして第２
のスイッチング素子４をオンすることにより前記負荷５
に前記第２の直流電圧源２が発生する直流電圧Ｖ２を印
加する。このとき前記負荷５に印加される電圧Ｖ２は第
１のスイッチング素子３のオンのときとは逆の極性であ
る。このようにスイッチング素子３と４を交互にスイッ
チングすることにより前記負荷５に交流電圧を供給する
ことができる。ここで、前記第１のスイッチング素子３
の放熱フィンはドレイン端子、また前記第２のスイッチ
ング素子４の放熱フィンはソース端子となっているため
各端子はそれぞれの放熱フィンを通じて前記第１の直流
電圧源１の正極および前記第２の直流電圧源２の負極と
接続できる。このため前記第１のスイッチング素子３お
よび前記第２のスイッチング素子４の両方の放熱フィン
の電位は前記第１および第２の直流電圧源１，２によっ
て同時に安定に保たれ、その結果、放熱フィンを通じて
伝搬されていたスイッチングノイズを効果的に抑制する
ことができる。
【００１３】（実施例２）以下、本発明の第２の実施例
について図面を参照しながら説明する。図４に本発明の
第２の実施例を示す直流−交流変換器の実装図を、図５
に図４の回路構成図を示した。図４，図５において、１
は第１の直流電圧源、２は第２の直流電圧源である。３
は第１のスイッチング素子、７は前記第１のスイッチン
グ素子３におけるドレイン端子であり、前記第１のスイ
ッチング素子３の放熱フィンは前記ドレイン端子７と同
電位である。４は第２のスイッチング素子、１１は前記
第２のスイッチング素子４のソース端子であり、前記第
２のスイッチング素子４の放熱フィンは前記ソース端子
１１と同電位である。６はトランス、６ａ，６ｂは前記
トランス６の出力端子である。１３は前記第１のスイッ
チング素子３のドレインである放熱フィンと電気的に接
続される第１の放熱板、１４は前記第２のスイッチング
素子４のソースである放熱フィンと電気的に接続される
第２の放熱板である。
について図面を参照しながら説明する。図４に本発明の
第２の実施例を示す直流−交流変換器の実装図を、図５
に図４の回路構成図を示した。図４，図５において、１
は第１の直流電圧源、２は第２の直流電圧源である。３
は第１のスイッチング素子、７は前記第１のスイッチン
グ素子３におけるドレイン端子であり、前記第１のスイ
ッチング素子３の放熱フィンは前記ドレイン端子７と同
電位である。４は第２のスイッチング素子、１１は前記
第２のスイッチング素子４のソース端子であり、前記第
２のスイッチング素子４の放熱フィンは前記ソース端子
１１と同電位である。６はトランス、６ａ，６ｂは前記
トランス６の出力端子である。１３は前記第１のスイッ
チング素子３のドレインである放熱フィンと電気的に接
続される第１の放熱板、１４は前記第２のスイッチング
素子４のソースである放熱フィンと電気的に接続される
第２の放熱板である。
【００１４】以上のように構成された直流−交流変換器
において、以下にその動作を説明する。まず、前記第１
の直流電圧源１が発生する直流電圧Ｖ１は前記第１のス
イッチング素子３のオンに伴い前記トランス６の１次巻
線に印加される。このとき前記第２のスイッチング素子
４はオフ状態である。次に第１のスイッチング素子３を
オフして第２のスイッチング素子４をオンすることによ
り前記トランス６の１次巻線に前記第２の直流電圧源２
が発生する直流電圧Ｖ２を印加する。このとき前記トラ
ンス６の１次巻線に印加される電圧Ｖ２は第１のスイッ
チング素子３のオンのときとは逆の極性である。このよ
うにスイッチング素子３と４を交互にスイッチングする
ことにより前記トランス６の出力端子６ａ，６ｂから出
力を取り出すことができる。
において、以下にその動作を説明する。まず、前記第１
の直流電圧源１が発生する直流電圧Ｖ１は前記第１のス
イッチング素子３のオンに伴い前記トランス６の１次巻
線に印加される。このとき前記第２のスイッチング素子
４はオフ状態である。次に第１のスイッチング素子３を
オフして第２のスイッチング素子４をオンすることによ
り前記トランス６の１次巻線に前記第２の直流電圧源２
が発生する直流電圧Ｖ２を印加する。このとき前記トラ
ンス６の１次巻線に印加される電圧Ｖ２は第１のスイッ
チング素子３のオンのときとは逆の極性である。このよ
うにスイッチング素子３と４を交互にスイッチングする
ことにより前記トランス６の出力端子６ａ，６ｂから出
力を取り出すことができる。
【００１５】ここで、前記第１のスイッチング素子３の
放熱フィンはドレイン端子、また前記第２のスイッチン
グ素子４の放熱フィンはソース端子となっているため各
端子はそれぞれの放熱フィンを通じて前記第１の直流電
圧源１の正極および前記第２の直流電圧源２の負極と接
続できる。このため前記第１のスイッチング素子３およ
び前記第２のスイッチング素子４の両方の放熱フィンの
電位は前記第１および第２の直流電圧源１，２によって
同時に安定に保たれ、その結果、放熱フィンを通じて伝
搬されていたスイッチングノイズを効果的に抑制するこ
とができるのは実施例１と同様である。
放熱フィンはドレイン端子、また前記第２のスイッチン
グ素子４の放熱フィンはソース端子となっているため各
端子はそれぞれの放熱フィンを通じて前記第１の直流電
圧源１の正極および前記第２の直流電圧源２の負極と接
続できる。このため前記第１のスイッチング素子３およ
び前記第２のスイッチング素子４の両方の放熱フィンの
電位は前記第１および第２の直流電圧源１，２によって
同時に安定に保たれ、その結果、放熱フィンを通じて伝
搬されていたスイッチングノイズを効果的に抑制するこ
とができるのは実施例１と同様である。
【００１６】しかしながら本実施例の場合、入力直流電
源の正極または負極と放熱フィンとが接続可能であるた
め、よりインピーダンスの低い前記第１の放熱板１３と
前記第２の放熱板１４をそのまま接続配線として使用で
き、ラインインピーダンスの大幅な低減が達成できる。
これによってさらなるノイズならびに導通損失の低減が
可能となり、ノイズフィルターの小型化、温度上昇抑
制、効率向上に大きな効果を得ることができる。
源の正極または負極と放熱フィンとが接続可能であるた
め、よりインピーダンスの低い前記第１の放熱板１３と
前記第２の放熱板１４をそのまま接続配線として使用で
き、ラインインピーダンスの大幅な低減が達成できる。
これによってさらなるノイズならびに導通損失の低減が
可能となり、ノイズフィルターの小型化、温度上昇抑
制、効率向上に大きな効果を得ることができる。
【００１７】なお、実施例１，２においてスイッチング
素子としてパワーＭＯＳＦＥＴを例として説明を行った
が、パワートランジスタなど、放熱フィンを有する他の
同様なスイッチング素子においても、放熱フィンの極性
を任意に選べるタイプのものであればどのようなスイッ
チング素子を用いても実施可能であることはいうまでも
ない。また、パワーＭＯＳＦＥＴとして放熱フィンがソ
ースタイプのものとしては、例えば図６に示すような横
型構造を採用し、チップのサブストレート端子５８をソ
ース端子５０と同電位とするものがあげられる。
素子としてパワーＭＯＳＦＥＴを例として説明を行った
が、パワートランジスタなど、放熱フィンを有する他の
同様なスイッチング素子においても、放熱フィンの極性
を任意に選べるタイプのものであればどのようなスイッ
チング素子を用いても実施可能であることはいうまでも
ない。また、パワーＭＯＳＦＥＴとして放熱フィンがソ
ースタイプのものとしては、例えば図６に示すような横
型構造を採用し、チップのサブストレート端子５８をソ
ース端子５０と同電位とするものがあげられる。
【００１８】図６において、５０はソース端子、５１は
ゲート端子、５２はドレイン端子、５８はサブストレー
ト端子で、前記サブストレート端子５８は放熱フィンお
よび前記ソース端子５０と同電位となる。５３，５４は
高濃度Ｎ型層、５５はＮ型層、５６はＰ型層、５７は高
濃度Ｐ型エピタキシャルウェハーである。ここでいう横
型構造とは、前記ゲート端子５１に正の電圧を印加する
ことによって前記Ｐ型層５６中に反転層を形成させ、そ
の反転層をチャンネルとしてソース−ドレイン間を横方
向に導通させる構造のものである。
ゲート端子、５２はドレイン端子、５８はサブストレー
ト端子で、前記サブストレート端子５８は放熱フィンお
よび前記ソース端子５０と同電位となる。５３，５４は
高濃度Ｎ型層、５５はＮ型層、５６はＰ型層、５７は高
濃度Ｐ型エピタキシャルウェハーである。ここでいう横
型構造とは、前記ゲート端子５１に正の電圧を印加する
ことによって前記Ｐ型層５６中に反転層を形成させ、そ
の反転層をチャンネルとしてソース−ドレイン間を横方
向に導通させる構造のものである。
【００１９】
【発明の効果】以上のように本発明は、複数のスイッチ
ング素子がブリッジ構成で接続されている直流−交流変
換回路において、入力直流源の正極あるいは負極に接続
される端子を放熱フィン構造とするスイッチング素子を
用いる構成、または、前記記載の直流−交流変換器にお
いて、入力直流源の正極あるいは負極と放熱フィンとの
接続配線を、放熱フィンで兼用させた構成を有すること
により、ブリッジ構成される各スイッチング素子の放熱
フィンは入力直流電圧源の正極または負極に接続される
ため放熱フィンの電位は必然的に安定とでき、したがっ
て放熱フィンを通じて伝搬されるノイズは極力抑えら
れ、しかも入力直流電圧源の正極または負極との接続配
線として低インピーダンスの放熱板をそのまま利用でき
るためラインインピーダンスを下げることにも大きな効
果を発揮できる優れた直流−交流変換器を実現できるも
のである。
ング素子がブリッジ構成で接続されている直流−交流変
換回路において、入力直流源の正極あるいは負極に接続
される端子を放熱フィン構造とするスイッチング素子を
用いる構成、または、前記記載の直流−交流変換器にお
いて、入力直流源の正極あるいは負極と放熱フィンとの
接続配線を、放熱フィンで兼用させた構成を有すること
により、ブリッジ構成される各スイッチング素子の放熱
フィンは入力直流電圧源の正極または負極に接続される
ため放熱フィンの電位は必然的に安定とでき、したがっ
て放熱フィンを通じて伝搬されるノイズは極力抑えら
れ、しかも入力直流電圧源の正極または負極との接続配
線として低インピーダンスの放熱板をそのまま利用でき
るためラインインピーダンスを下げることにも大きな効
果を発揮できる優れた直流−交流変換器を実現できるも
のである。
【図１】本発明の第１の実施例における直流−交流変換
器の回路構成図
器の回路構成図
【図２】放熱フィンがドレインタイプのスイッチング素
子の外観構造図
子の外観構造図
【図３】放熱フィンがソースタイプのスイッチング素子
の外観構造図
の外観構造図
【図４】本発明の第２の実施例における直流−交流変換
器の回路実装図
器の回路実装図
【図５】本発明の第２の実施例における直流−交流変換
器の回路構成図
器の回路構成図
【図６】放熱フィンがソースタイプのスイッチング素子
の構造図
の構造図
【図７】従来例における直流−交流変換器の回路構成図
１ 第１の直流電圧源 ２ 第２の直流電圧源 ３ 第１のスイッチング素子 ４ 第２のスイッチング素子 ５ 負荷 ６ トランス ６ａ，６ｂ トランス６の出力端子 ７ スイッチング素子３のドレイン端子 ８ スイッチング素子３のソース端子 ９ スイッチング素子３のゲート端子 １０ スイッチング素子４のドレイン端子 １１ スイッチング素子４のソース端子 １２ スイッチング素子４のゲート端子 １３ スイッチング素子３の放熱フィンと電気的に接続
される放熱板 １４ スイッチング素子４の放熱フィンと電気的に接続
される放熱板 １５ スイッチング素子 １６ スイッチング素子１５のドレイン端子 １７ スイッチング素子１５のソース端子 １８ スイッチング素子１６のゲート端子 ３０ 放熱フィンがドレインタイプであるスイッチング
素子の外観構造図 ３１ ドレイン端子と同電位の放熱フィン ３２ ゲート端子 ３３ ドレイン端子 ３４ ソース端子 ４０ 放熱フィンがソースタイプであるようなスイッチ
ング素子 ４１ ソース端子と同電位の放熱フィン ４２，４４ ドレインまたはゲート端子 ４３ ソース端子 ５０ ソース端子 ５１ ゲート端子 ５２ ドレイン端子 ５３ 高濃度Ｎ層 ５４ 高濃度Ｎ層 ５５ Ｎ層 ５６ Ｐ層 ５７ 高濃度Ｐ型エピタキシャルウェハー ５８ サブストレート端子
される放熱板 １４ スイッチング素子４の放熱フィンと電気的に接続
される放熱板 １５ スイッチング素子 １６ スイッチング素子１５のドレイン端子 １７ スイッチング素子１５のソース端子 １８ スイッチング素子１６のゲート端子 ３０ 放熱フィンがドレインタイプであるスイッチング
素子の外観構造図 ３１ ドレイン端子と同電位の放熱フィン ３２ ゲート端子 ３３ ドレイン端子 ３４ ソース端子 ４０ 放熱フィンがソースタイプであるようなスイッチ
ング素子 ４１ ソース端子と同電位の放熱フィン ４２，４４ ドレインまたはゲート端子 ４３ ソース端子 ５０ ソース端子 ５１ ゲート端子 ５２ ドレイン端子 ５３ 高濃度Ｎ層 ５４ 高濃度Ｎ層 ５５ Ｎ層 ５６ Ｐ層 ５７ 高濃度Ｐ型エピタキシャルウェハー ５８ サブストレート端子
Claims (2)
- 【請求項１】複数のスイッチング素子が直列あるいはブ
リッジ構成で接続されている直流−交流変換回路におい
て、入力直流源の正極あるいは負極に接続される端子を
放熱フィン構造とするスイッチング素子を用いる直流−
交流変換器。 - 【請求項２】入力直流源の正極あるいは負極と放熱フィ
ンとの接続配線を、放熱フィンと電気的に接続された放
熱板で兼用させた請求項１記載の直流−交流変換器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4125833A JPH05328742A (ja) | 1992-05-19 | 1992-05-19 | 直流−交流変換器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4125833A JPH05328742A (ja) | 1992-05-19 | 1992-05-19 | 直流−交流変換器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05328742A true JPH05328742A (ja) | 1993-12-10 |
Family
ID=14920069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4125833A Pending JPH05328742A (ja) | 1992-05-19 | 1992-05-19 | 直流−交流変換器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05328742A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008099450A (ja) * | 2006-10-12 | 2008-04-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | インバータ装置 |
| JP2010148229A (ja) * | 2008-12-18 | 2010-07-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ハーフブリッジインバータおよび３相ブリッジインバータ |
| KR101020244B1 (ko) * | 2004-04-19 | 2011-03-07 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | Ｄ／ａ변환 인터페이스 |
| JP2011172442A (ja) * | 2010-02-22 | 2011-09-01 | Daikin Industries Ltd | 電力変換装置 |
| JP2014138541A (ja) * | 2013-01-18 | 2014-07-28 | Mitsubishi Electric Corp | 電力変換装置 |
| JP2016096344A (ja) * | 2009-11-02 | 2016-05-26 | トランスフォーム インコーポレーテッド | 低ｅｍｉ回路のためのパッケージ構成 |
| JP2016101065A (ja) * | 2014-11-26 | 2016-05-30 | 富士電機株式会社 | 半導体電力変換装置 |
-
1992
- 1992-05-19 JP JP4125833A patent/JPH05328742A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101020244B1 (ko) * | 2004-04-19 | 2011-03-07 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | Ｄ／ａ변환 인터페이스 |
| JP2008099450A (ja) * | 2006-10-12 | 2008-04-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | インバータ装置 |
| JP2010148229A (ja) * | 2008-12-18 | 2010-07-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ハーフブリッジインバータおよび３相ブリッジインバータ |
| JP2016096344A (ja) * | 2009-11-02 | 2016-05-26 | トランスフォーム インコーポレーテッド | 低ｅｍｉ回路のためのパッケージ構成 |
| JP2011172442A (ja) * | 2010-02-22 | 2011-09-01 | Daikin Industries Ltd | 電力変換装置 |
| JP2014138541A (ja) * | 2013-01-18 | 2014-07-28 | Mitsubishi Electric Corp | 電力変換装置 |
| JP2016101065A (ja) * | 2014-11-26 | 2016-05-30 | 富士電機株式会社 | 半導体電力変換装置 |
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