JPH0532751A - 低ヒドロキシル含有率のノボラツク樹脂およびそれから製造される高コントラスト高熱安定性ポジ形ホトレジスト - Google Patents
低ヒドロキシル含有率のノボラツク樹脂およびそれから製造される高コントラスト高熱安定性ポジ形ホトレジストInfo
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- JPH0532751A JPH0532751A JP3014334A JP1433491A JPH0532751A JP H0532751 A JPH0532751 A JP H0532751A JP 3014334 A JP3014334 A JP 3014334A JP 1433491 A JP1433491 A JP 1433491A JP H0532751 A JPH0532751 A JP H0532751A
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- G03F7/004—Photosensitive materials
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Abstract
(57)【要約】
ノボラック樹脂が、ヒドロキシル価、ヒドロキシルの当
量当り約 120〜約 180グラムの樹脂、を有する、（ａ）
フェノール、フェノール誘導体、またはそれらの混合
物、ならびに（ｂ）ホルムアルデヒドまたはホルムアル
デヒド先駆物質および（１）少なくとも一部分のヒドロ
キシル基がエステル化されている、モノヒドロキシ芳香
族アルデヒド、あるいは（２）少なくとも１種のモノヒ
ドロキシ芳香族アルデヒド、および少なくとも１種の非
−ヒドロキシル芳香族アルデヒドの混合物、の混合物、
の縮合生成物である；ノボラック樹脂が供給される。ノ
ボラック樹脂は、ポジ形ホトレジスト配合物で特に有用
であり、増強光速度およびフィルム損失特性、ならびに
改良熱安定性を有する。
量当り約 120〜約 180グラムの樹脂、を有する、（ａ）
フェノール、フェノール誘導体、またはそれらの混合
物、ならびに（ｂ）ホルムアルデヒドまたはホルムアル
デヒド先駆物質および（１）少なくとも一部分のヒドロ
キシル基がエステル化されている、モノヒドロキシ芳香
族アルデヒド、あるいは（２）少なくとも１種のモノヒ
ドロキシ芳香族アルデヒド、および少なくとも１種の非
−ヒドロキシル芳香族アルデヒドの混合物、の混合物、
の縮合生成物である；ノボラック樹脂が供給される。ノ
ボラック樹脂は、ポジ形ホトレジスト配合物で特に有用
であり、増強光速度およびフィルム損失特性、ならびに
改良熱安定性を有する。
Description
【０００１】発明の背景
発明の分野
本発明は一般にノボラック樹脂に、詳細には、低ヒドロ
キシル含有率を有し、アルデヒドの混合物を用いて製造
されるノボラック樹脂に、関する。
キシル含有率を有し、アルデヒドの混合物を用いて製造
されるノボラック樹脂に、関する。
【０００２】本発明はまた一般に放射線過敏(radiation
-sensitive）ポジ形ホトレジスト組成物に、詳細には、
低ヒドロキシル含有率を有し、アルデヒドの混合物から
製造される、ノボラック樹脂を含む上記組成物に、関す
る。
-sensitive）ポジ形ホトレジスト組成物に、詳細には、
低ヒドロキシル含有率を有し、アルデヒドの混合物から
製造される、ノボラック樹脂を含む上記組成物に、関す
る。
【０００３】従来技術の説明
例えば、米国特許第 3,666,473号；第 4,115,128号；第
4,173,470号；第 4,377,631号；第 4,536,465号；およ
び第 4,529,682号に記載の如き、ポジ形ホトレジスト配
合物は、光過敏材料、たいてい置換ナフトキノンジアジ
ド化合物と一緒に、アルカリ−溶解性フェノール−ホル
ムアルデヒドまたはクレゾール−ホルムアルデヒド樹脂
を含む。樹脂および増感剤は、有機溶剤または溶剤の混
合物中に溶解させられ、所望の特定の適用に適当な基材
に対して薄いフィルムもしくはコーチングで適用され
る。
4,173,470号；第 4,377,631号；第 4,536,465号；およ
び第 4,529,682号に記載の如き、ポジ形ホトレジスト配
合物は、光過敏材料、たいてい置換ナフトキノンジアジ
ド化合物と一緒に、アルカリ−溶解性フェノール−ホル
ムアルデヒドまたはクレゾール−ホルムアルデヒド樹脂
を含む。樹脂および増感剤は、有機溶剤または溶剤の混
合物中に溶解させられ、所望の特定の適用に適当な基材
に対して薄いフィルムもしくはコーチングで適用され
る。
【０００４】これらのホトレジスト配合物のノボラック
樹脂成分はアルカリ水溶液に溶解性であるが、ナフトキ
ノン増感剤は樹脂に関して溶解速度妨害剤として働く。
化学線にコート基材の選択領域をさらすとき、しかし、
増感剤は、ノボラックに対する溶解速度妨害剤としての
その効率を低下させ、その結果として、コーチングのさ
らされた領域がさらされない領域より溶解性にされる、
放射線−誘導構造転位を受ける。溶解速度におけるこの
差は、さらされない領域があまり影響されない間、基材
がアルカリ展開(developing)液中に浸漬されるとき、ホ
トレジストコーチングのさらし領域を溶解させられるよ
うにし、従って基材上にホトレジストのポジ形レリーフ
(relief)パターンを製造する。
樹脂成分はアルカリ水溶液に溶解性であるが、ナフトキ
ノン増感剤は樹脂に関して溶解速度妨害剤として働く。
化学線にコート基材の選択領域をさらすとき、しかし、
増感剤は、ノボラックに対する溶解速度妨害剤としての
その効率を低下させ、その結果として、コーチングのさ
らされた領域がさらされない領域より溶解性にされる、
放射線−誘導構造転位を受ける。溶解速度におけるこの
差は、さらされない領域があまり影響されない間、基材
がアルカリ展開(developing)液中に浸漬されるとき、ホ
トレジストコーチングのさらし領域を溶解させられるよ
うにし、従って基材上にホトレジストのポジ形レリーフ
(relief)パターンを製造する。
【０００５】ポジ形ホトレジスト、特にミクロ電子工学
シリコンウェファー(wafers)およびチップを製造するた
めに用いられるそれらは、ホトレジストに関して有害な
効果を有するのに十分高い、完成品の製造の際の温度に
しばしば付される。従って、改良された熱安定性を有す
るポジ形ホトレジストが、長く求められてきた。しか
し、精密なパターンが基材に適用され得るように、ホト
レジストが高い光学的分解能を供給することができるこ
とが、また非常に重要である。Morton Internationalの
Dynachem Division により販売の登録商標 DYNALITH EP
R-5000レジストの如き、高い分解能およびコントラスト
特性を有するポジ形ホトレジストが公知であり、Morton
InternationalのDynachem Division によりまた販売の
登録商標 DYNALITH OFPR-800レジストの如き、良好な熱
安定性を有するポジ形ホトレジストがまた公知であるの
に対して、従来技術は、これらの熱安定性および高い分
解能および高いコントラスト特性を組合せる、ポジ形ホ
トレジストをまだ開発せねばならない。事実、これらの
特性のうちの１つを増すためのポジ形ホトレジストの配
合は、普通他の特性に逆影響を与え、すなわち良好な熱
安定性を有するホトレジストは高い分解能および高いコ
ントラストを供給せず、逆も同様である。
シリコンウェファー(wafers)およびチップを製造するた
めに用いられるそれらは、ホトレジストに関して有害な
効果を有するのに十分高い、完成品の製造の際の温度に
しばしば付される。従って、改良された熱安定性を有す
るポジ形ホトレジストが、長く求められてきた。しか
し、精密なパターンが基材に適用され得るように、ホト
レジストが高い光学的分解能を供給することができるこ
とが、また非常に重要である。Morton Internationalの
Dynachem Division により販売の登録商標 DYNALITH EP
R-5000レジストの如き、高い分解能およびコントラスト
特性を有するポジ形ホトレジストが公知であり、Morton
InternationalのDynachem Division によりまた販売の
登録商標 DYNALITH OFPR-800レジストの如き、良好な熱
安定性を有するポジ形ホトレジストがまた公知であるの
に対して、従来技術は、これらの熱安定性および高い分
解能および高いコントラスト特性を組合せる、ポジ形ホ
トレジストをまだ開発せねばならない。事実、これらの
特性のうちの１つを増すためのポジ形ホトレジストの配
合は、普通他の特性に逆影響を与え、すなわち良好な熱
安定性を有するホトレジストは高い分解能および高いコ
ントラストを供給せず、逆も同様である。
【０００６】1989年７月６日出願の、初期の米国特許出
願第 376,971号で、高い程度の熱安定性および良好な分
解能の両者を有するポジ形ホトレジストが、用いられる
ノボラック樹脂がホルムアルデヒド（またはホルムアル
デヒド先駆物質）およびモノヒドロキシ芳香族アルデヒ
ドを含むアルデヒドの混合物から製造されるとき、製造
され得たことが、発見され開示された。しかし、上記ポ
ジ形ホトレジストはさきの登録商標 DYNALITH EPR-5000
レジストより良好な熱安定性を有したのに対して、それ
らは一般に標準強さ展開剤中で、より早くより多くフィ
ルムを失われた。従って、さらに良好な光速度およびフ
ィルム損失特性を有するホトレジストを製造して、前記
第 376,971号に開示の混合されたアルデヒドホトレジス
トの改良された熱安定性を維持し得るポジ形ホトレジス
トを開発することが、所望になった。“調子を合わせ得
る(tunable）方法”、すなわちホトレジスト組成物の光
速度特性がすぐに容易に調節され得、よってホトレジス
トが広く色々な展開剤中で選択的に実施され得る、ポジ
形ホトレジスト組成物である、ポジ形ホトレジストが手
に入ることが、また所望であった。
願第 376,971号で、高い程度の熱安定性および良好な分
解能の両者を有するポジ形ホトレジストが、用いられる
ノボラック樹脂がホルムアルデヒド（またはホルムアル
デヒド先駆物質）およびモノヒドロキシ芳香族アルデヒ
ドを含むアルデヒドの混合物から製造されるとき、製造
され得たことが、発見され開示された。しかし、上記ポ
ジ形ホトレジストはさきの登録商標 DYNALITH EPR-5000
レジストより良好な熱安定性を有したのに対して、それ
らは一般に標準強さ展開剤中で、より早くより多くフィ
ルムを失われた。従って、さらに良好な光速度およびフ
ィルム損失特性を有するホトレジストを製造して、前記
第 376,971号に開示の混合されたアルデヒドホトレジス
トの改良された熱安定性を維持し得るポジ形ホトレジス
トを開発することが、所望になった。“調子を合わせ得
る(tunable）方法”、すなわちホトレジスト組成物の光
速度特性がすぐに容易に調節され得、よってホトレジス
トが広く色々な展開剤中で選択的に実施され得る、ポジ
形ホトレジスト組成物である、ポジ形ホトレジストが手
に入ることが、また所望であった。
【０００７】発明の要約
本発明に従って、ノボラック樹脂がさきの第 376,971号
に開示のノボラック樹脂のクラスに基づく、低ヒドロキ
シル含有率の新規な改良されたクラスのノボラック樹脂
組成物が供給される。本発明に従って、新規なノボラッ
ク樹脂、ならびに低いフィルム損失および扱いやすい光
速度特性から改良されたコントラスト特性を有する、そ
れからのホトレジストが、前記ノボラック樹脂が、ヒド
ロキシル価、ヒドロキシルの当量当り約 120〜約 180グ
ラムの樹脂を有する、下記（Ａ）ならびに（Ｂ）： （Ａ）フェノール、フェノール誘導体、またはそれらの
混合物、ならびに （Ｂ）ホルムアルデヒド、またはホルムアルデヒド先駆
物質、および （１）前記ノボラック樹脂が、脂肪族または芳香族エス
テル基が水素原子の代りに、少なくとも一部分のヒドロ
キシル基で存在するように、エステル化されたそのヒド
ロキシル基を有する、モノヒドロキシ芳香族アルデヒ
ド、あるいは（２）少なくとも１種のモノヒドロキシ芳
香族アルデヒドおよび少なくとも１種の非−ヒドロキシ
ル芳香族アルデヒドの混合物、を含む、アルデヒドの混
合物、の縮合生成物を含む前記ノボラック樹脂により供
給される。
に開示のノボラック樹脂のクラスに基づく、低ヒドロキ
シル含有率の新規な改良されたクラスのノボラック樹脂
組成物が供給される。本発明に従って、新規なノボラッ
ク樹脂、ならびに低いフィルム損失および扱いやすい光
速度特性から改良されたコントラスト特性を有する、そ
れからのホトレジストが、前記ノボラック樹脂が、ヒド
ロキシル価、ヒドロキシルの当量当り約 120〜約 180グ
ラムの樹脂を有する、下記（Ａ）ならびに（Ｂ）： （Ａ）フェノール、フェノール誘導体、またはそれらの
混合物、ならびに （Ｂ）ホルムアルデヒド、またはホルムアルデヒド先駆
物質、および （１）前記ノボラック樹脂が、脂肪族または芳香族エス
テル基が水素原子の代りに、少なくとも一部分のヒドロ
キシル基で存在するように、エステル化されたそのヒド
ロキシル基を有する、モノヒドロキシ芳香族アルデヒ
ド、あるいは（２）少なくとも１種のモノヒドロキシ芳
香族アルデヒドおよび少なくとも１種の非−ヒドロキシ
ル芳香族アルデヒドの混合物、を含む、アルデヒドの混
合物、の縮合生成物を含む前記ノボラック樹脂により供
給される。
【０００８】さらに、本発明に従って、低ヒドロキシル
含有率のバインダーとして(bindingly) 有効な量のさき
の新規なノボラック樹脂、および光画像(photoimaging)
量の光増感剤を含む、ポジ形ホトレジスト組成物が供給
される。
含有率のバインダーとして(bindingly) 有効な量のさき
の新規なノボラック樹脂、および光画像(photoimaging)
量の光増感剤を含む、ポジ形ホトレジスト組成物が供給
される。
【０００９】本発明はまた、ポジ形ホトレジストが、さ
らしの前に、低ヒドロキシル含有率のさきの新規なノボ
ラック樹脂を含む、下記Ｉ．〜III.： Ｉ．基材を、ポジ形ホトレジスト組成物の層で、コート
すること； II．前記層パターンに関して化学線にさらすこと；なら
びに III. 前記層のさらした部分を、さらしたレジスト組成
物のための水性アルカリ展開剤を用いて、さらした部分
の下の基材の領域をむきだしにするために、除去するこ
と；を含む、基材上にレジスト前記パターンを形成する
方法を供給する。
らしの前に、低ヒドロキシル含有率のさきの新規なノボ
ラック樹脂を含む、下記Ｉ．〜III.： Ｉ．基材を、ポジ形ホトレジスト組成物の層で、コート
すること； II．前記層パターンに関して化学線にさらすこと；なら
びに III. 前記層のさらした部分を、さらしたレジスト組成
物のための水性アルカリ展開剤を用いて、さらした部分
の下の基材の領域をむきだしにするために、除去するこ
と；を含む、基材上にレジスト前記パターンを形成する
方法を供給する。
【００１０】本発明に従って、レジストパターンが、化
学線に対するさらしの前に、本発明のさきのポジ形ホト
レジスト組成物を含む、ポジ形ホトレジスト組成物から
形成される、熱安定性および高い分解能のさらし前記レ
ジストパターンでコートされた基材が、また供給され
る。
学線に対するさらしの前に、本発明のさきのポジ形ホト
レジスト組成物を含む、ポジ形ホトレジスト組成物から
形成される、熱安定性および高い分解能のさらし前記レ
ジストパターンでコートされた基材が、また供給され
る。
【００１１】本発明のなおさらなる特徴は、本発明の新
規なノボラック樹脂の製造方法である。本発明に従っ
て、ノボラック樹脂はいくつかの方法により製造され得
る。１つの方法に従って、本発明のノボラック樹脂組成
物が、ノボラック樹脂が、（Ａ）フェノール、フェノー
ル誘導体、またはそれらの混合物、ならびに（Ｂ）
（１）ホルムアルデヒドまたはホルムアルデヒド先駆物
質、および（２）モノヒドロキシ芳香族アルデヒド、を
含むアルデヒドの混合物、の縮合生成物である、さきの
出願第 376,971号に記載の手順に従って、非エステル化
ノボラック樹脂を製造することにより、製造され得、次
にこのノボラック樹脂が所望の低ヒドロキシル価を有す
る本発明のノボラック樹脂を製造するために、適当な量
の適当なエステル化剤でエステル化される。代りに、最
初に製造された非エステル化ノボラック樹脂は、“過エ
ステル化”、すなわち本発明の最終ノボラック樹脂組成
物で所望であるより高いパーセントエステル化にエステ
ル化され得る。適当な量の上記過エステル化および非エ
ステル化ノボラック樹脂は、次に、所望のヒドロキシル
価、ヒドロキシルの当量当り、約 120〜約 180グラムの
樹脂、を有するノボラック樹脂組成物を製造するため
に、ブレンドされ得る。
規なノボラック樹脂の製造方法である。本発明に従っ
て、ノボラック樹脂はいくつかの方法により製造され得
る。１つの方法に従って、本発明のノボラック樹脂組成
物が、ノボラック樹脂が、（Ａ）フェノール、フェノー
ル誘導体、またはそれらの混合物、ならびに（Ｂ）
（１）ホルムアルデヒドまたはホルムアルデヒド先駆物
質、および（２）モノヒドロキシ芳香族アルデヒド、を
含むアルデヒドの混合物、の縮合生成物である、さきの
出願第 376,971号に記載の手順に従って、非エステル化
ノボラック樹脂を製造することにより、製造され得、次
にこのノボラック樹脂が所望の低ヒドロキシル価を有す
る本発明のノボラック樹脂を製造するために、適当な量
の適当なエステル化剤でエステル化される。代りに、最
初に製造された非エステル化ノボラック樹脂は、“過エ
ステル化”、すなわち本発明の最終ノボラック樹脂組成
物で所望であるより高いパーセントエステル化にエステ
ル化され得る。適当な量の上記過エステル化および非エ
ステル化ノボラック樹脂は、次に、所望のヒドロキシル
価、ヒドロキシルの当量当り、約 120〜約 180グラムの
樹脂、を有するノボラック樹脂組成物を製造するため
に、ブレンドされ得る。
【００１２】本発明の新規なノボラック樹脂組成物を製
造する別の方法は、非エステル化ノボラック樹脂をエス
テル化することなく、またはエステル化および非エステ
ル化樹脂をブレンドすることなしに、低ヒドロキシル含
有率のノボラック樹脂を製造することである。上記他の
方法は、フェノール、フェノール誘導体、またはそれら
の混合物と縮合された、ホルムアルデヒドまたはホルム
アルデヒド先駆物質との混合物中のモノヒドロキシ芳香
族アルデヒドのみを用いることにより製造されたものに
比較して、低ヒドロキシレベルのノボラック樹脂を直接
に製造するために、フェノール、フェノール誘導体、ま
たはそれらの混合物と縮合されたアルデヒドの混合物中
のホルムアルデヒドまたはホルムアルデヒド先駆物質と
組合せて、モノヒドロキシ芳香族アルデヒドおよび非−
ヒドロキシル芳香族アルデヒドの両者を用いる。
造する別の方法は、非エステル化ノボラック樹脂をエス
テル化することなく、またはエステル化および非エステ
ル化樹脂をブレンドすることなしに、低ヒドロキシル含
有率のノボラック樹脂を製造することである。上記他の
方法は、フェノール、フェノール誘導体、またはそれら
の混合物と縮合された、ホルムアルデヒドまたはホルム
アルデヒド先駆物質との混合物中のモノヒドロキシ芳香
族アルデヒドのみを用いることにより製造されたものに
比較して、低ヒドロキシレベルのノボラック樹脂を直接
に製造するために、フェノール、フェノール誘導体、ま
たはそれらの混合物と縮合されたアルデヒドの混合物中
のホルムアルデヒドまたはホルムアルデヒド先駆物質と
組合せて、モノヒドロキシ芳香族アルデヒドおよび非−
ヒドロキシル芳香族アルデヒドの両者を用いる。
【００１３】発明の詳細な説明
本発明に従って、さきの米国第 376,971号に開示のタイ
プのノボラック樹脂が、ヒドロキシル価、ヒドロキシル
の当量当り、約 120〜約180グラムの樹脂を有する、新
規なノボラック樹脂組成物を供給するために、改質され
る。新規なノボラック樹脂組成物は、適当な非エステル
化ノボラック樹脂をエステル化すること、または適当な
エステル化および非エステル化ノボラック樹脂の混合物
をブレンドすることにより、あるいはフェノール、フェ
ノール誘導体、またはそれらの混合物と縮合されたアル
デヒド混合物中の少なくとも１種のモノヒドロキシ芳香
族アルデヒドおよび少なくとも１種の非−ヒドロキシル
芳香族アルデヒドを用いることにより、供給される。い
ずれにせよ、ヒドロキシル価、ヒドロキシルの当量当
り、約 120〜 180グラムの樹脂を有する、ノボラック樹
脂組成物を製造する。
プのノボラック樹脂が、ヒドロキシル価、ヒドロキシル
の当量当り、約 120〜約180グラムの樹脂を有する、新
規なノボラック樹脂組成物を供給するために、改質され
る。新規なノボラック樹脂組成物は、適当な非エステル
化ノボラック樹脂をエステル化すること、または適当な
エステル化および非エステル化ノボラック樹脂の混合物
をブレンドすることにより、あるいはフェノール、フェ
ノール誘導体、またはそれらの混合物と縮合されたアル
デヒド混合物中の少なくとも１種のモノヒドロキシ芳香
族アルデヒドおよび少なくとも１種の非−ヒドロキシル
芳香族アルデヒドを用いることにより、供給される。い
ずれにせよ、ヒドロキシル価、ヒドロキシルの当量当
り、約 120〜 180グラムの樹脂を有する、ノボラック樹
脂組成物を製造する。
【００１４】本発明のノボラック樹脂は、（１）フェノ
ールまたはフェノール誘導体またはそれらの混合物、な
らびに（２）ホルムアルデヒドまたはホルムアルデヒド
先駆物質およびモノヒドロキシ芳香族アルデヒドを含
む、アルデヒドの混合物、から製造される。これらのノ
ボラック樹脂を製造するのに有用なフェノールおよびフ
ェノール誘導体は、フェノール、ｍ−クレゾール、ｐ−
クレゾール、ｏ−クレゾール、およびそれらの混合物を
含むが、限定されない。フェノール誘導体の他の例は、
参照によりここに導入される、H.Hiraoka,“Functional
ly Substituted Novolak Resins : Lithographic Appli
cations, Radiation Chemistry, and Photooxidation",
Materials For Microlithography, ACS Symposium Ser
ies No.266(1984)、に見つけられる。フェノール誘導体
はまた、例えば、アルキルまたはハロゲン部分を含む、
芳香族環上の他の置換基を含んでよい。
ールまたはフェノール誘導体またはそれらの混合物、な
らびに（２）ホルムアルデヒドまたはホルムアルデヒド
先駆物質およびモノヒドロキシ芳香族アルデヒドを含
む、アルデヒドの混合物、から製造される。これらのノ
ボラック樹脂を製造するのに有用なフェノールおよびフ
ェノール誘導体は、フェノール、ｍ−クレゾール、ｐ−
クレゾール、ｏ−クレゾール、およびそれらの混合物を
含むが、限定されない。フェノール誘導体の他の例は、
参照によりここに導入される、H.Hiraoka,“Functional
ly Substituted Novolak Resins : Lithographic Appli
cations, Radiation Chemistry, and Photooxidation",
Materials For Microlithography, ACS Symposium Ser
ies No.266(1984)、に見つけられる。フェノール誘導体
はまた、例えば、アルキルまたはハロゲン部分を含む、
芳香族環上の他の置換基を含んでよい。
【００１５】本発明のノボラック樹脂を製造するのに有
用な混合アルデヒドは、ホルムアルデヒドまたはホルム
アルデヒド先駆物質を含む。ここで用いられるとき、
“ホルムアルデヒド先駆物質”は、ノボラック樹脂を製
造するのに用いられる反応条件下で、ホルムアルデヒド
を製造する、１，３，５−Ｓ−トリオキサンおよびパラ
ホルムアルデヒドの如き化合物に言及する。ここで用い
られるとき、語“ホルムアルデヒド”は、ホルムアルデ
ヒドそれ自体およびホルムアルデヒド先駆物質の両者を
含むことを理解される。アルデヒド混合物の第２の成分
は、フェノールまたはフェノール誘導体またはそれらの
混合物とノボラック樹脂を形成する、どんなモノヒドロ
キシ芳香族アルデヒド、または少なくとも１種の上記モ
ノヒドロキシ芳香族アルデヒドおよび少なくとも１種の
非−ヒドロキシル芳香族アルデヒドの混合物でもある。
一般に、しかし、これらの芳香族アルデヒドは、下記一
般式：
用な混合アルデヒドは、ホルムアルデヒドまたはホルム
アルデヒド先駆物質を含む。ここで用いられるとき、
“ホルムアルデヒド先駆物質”は、ノボラック樹脂を製
造するのに用いられる反応条件下で、ホルムアルデヒド
を製造する、１，３，５−Ｓ−トリオキサンおよびパラ
ホルムアルデヒドの如き化合物に言及する。ここで用い
られるとき、語“ホルムアルデヒド”は、ホルムアルデ
ヒドそれ自体およびホルムアルデヒド先駆物質の両者を
含むことを理解される。アルデヒド混合物の第２の成分
は、フェノールまたはフェノール誘導体またはそれらの
混合物とノボラック樹脂を形成する、どんなモノヒドロ
キシ芳香族アルデヒド、または少なくとも１種の上記モ
ノヒドロキシ芳香族アルデヒドおよび少なくとも１種の
非−ヒドロキシル芳香族アルデヒドの混合物でもある。
一般に、しかし、これらの芳香族アルデヒドは、下記一
般式：
【化１】
（式中、Ｒはアルキル（例えば、Ｃ1 −Ｃ4 アルキル）
である。）を有する化合物を含むが、限定されない。好
ましい芳香族アルデヒドの例は、ベンズアルデヒド、な
らびに２−ヒドロキシベンズアルデヒド、３−ヒドロキ
シベンズアルデヒド、および４−ヒドロキシベンズアル
デヒドの如き、モノヒドロキシ芳香族アルデヒドを含
む。モノヒドロキシアルデヒドが、それらがエステル化
され得る非エステル化ノボラック樹脂を供給するために
用いられ得、次に前記モノヒドロキシ芳香族アルデヒド
からのエステル化および非エステル化ノボラック樹脂の
ブレンドが、本発明の新規なノボラック樹脂を供給する
のに製造され得、広い範囲内のヒドロキシル含有率を有
する上記ノボラック樹脂を製造するので、特に好まし
い。
である。）を有する化合物を含むが、限定されない。好
ましい芳香族アルデヒドの例は、ベンズアルデヒド、な
らびに２−ヒドロキシベンズアルデヒド、３−ヒドロキ
シベンズアルデヒド、および４−ヒドロキシベンズアル
デヒドの如き、モノヒドロキシ芳香族アルデヒドを含
む。モノヒドロキシアルデヒドが、それらがエステル化
され得る非エステル化ノボラック樹脂を供給するために
用いられ得、次に前記モノヒドロキシ芳香族アルデヒド
からのエステル化および非エステル化ノボラック樹脂の
ブレンドが、本発明の新規なノボラック樹脂を供給する
のに製造され得、広い範囲内のヒドロキシル含有率を有
する上記ノボラック樹脂を製造するので、特に好まし
い。
【００１６】本発明のノボラック樹脂を製造するのに用
いられるフェノールまたはフェノール誘導体および混合
アルデヒドの相対量は、かなり変化してよい。一般に、
これらの相対量は、ホルムアルデヒドのみから製造され
たノボラック樹脂に比較して、高い融点（Ｔg)、高程度
のブリッジング(bridging)炭素での置換、および比較的
低い分子量を有する、ノボラック樹脂を製造するため
に、選ばれる。典型的に、下記の量： （全アルデヒドモル／全フェノールまたはフェノール誘
導体モル）× 100＝約60％〜約95％、 （芳香族アルデヒドモル／全アルデヒドモル）× 100＝
約15％〜約95％、 の反応体が、本発明のノボラック樹脂を製造するのに用
いられる。
いられるフェノールまたはフェノール誘導体および混合
アルデヒドの相対量は、かなり変化してよい。一般に、
これらの相対量は、ホルムアルデヒドのみから製造され
たノボラック樹脂に比較して、高い融点（Ｔg)、高程度
のブリッジング(bridging)炭素での置換、および比較的
低い分子量を有する、ノボラック樹脂を製造するため
に、選ばれる。典型的に、下記の量： （全アルデヒドモル／全フェノールまたはフェノール誘
導体モル）× 100＝約60％〜約95％、 （芳香族アルデヒドモル／全アルデヒドモル）× 100＝
約15％〜約95％、 の反応体が、本発明のノボラック樹脂を製造するのに用
いられる。
【００１７】好ましい具体例において、フェノール成分
はフェノール誘導体の混合物；すなわちｍ−クレゾール
およびｐ−クレゾールの混合物である。上記混合物が用
いられるとき、それは典型的にｍ−およびｐ−クレゾー
ルの下記の相対量： （ｍ−クレゾールモル／全クレゾールモル）* × 100＝
約30％〜約75％、 （* 商業的に手に入るクレゾールについては、少量のｏ
−クレゾールを含むことが普通である。従って、“全ク
レゾールモル”は（どちらかというと）ｍ−，ｐ−およ
びｏ−クレゾールのモルに言及し、ｍ−およびｐ−クレ
ゾールだけではない。しかし、ｏ−クレゾール含有率は
全クレゾールの約１％未満であることが、好ましい。）
を含む。
はフェノール誘導体の混合物；すなわちｍ−クレゾール
およびｐ−クレゾールの混合物である。上記混合物が用
いられるとき、それは典型的にｍ−およびｐ−クレゾー
ルの下記の相対量： （ｍ−クレゾールモル／全クレゾールモル）* × 100＝
約30％〜約75％、 （* 商業的に手に入るクレゾールについては、少量のｏ
−クレゾールを含むことが普通である。従って、“全ク
レゾールモル”は（どちらかというと）ｍ−，ｐ−およ
びｏ−クレゾールのモルに言及し、ｍ−およびｐ−クレ
ゾールだけではない。しかし、ｏ−クレゾール含有率は
全クレゾールの約１％未満であることが、好ましい。）
を含む。
【００１８】上記反応体およびそれらの相対量を与えら
れて、当業者は、過度の実験なしに、本発明のノボラッ
ク樹脂を製造することができる。基本的に、すべての成
分が適当な反応器中に入れられ、非反応性溶剤が添加さ
れる。ｐ−トルエンスルホン酸の如き酸触媒が、触媒モ
ル／全クレゾールモルのモル比、約0.01〜約0.04で添加
される。反応混合物は次に還流温度に上げられ、反応が
完結したことを指示して、もはや副生物の水が製造され
なくなるまで、還流が維持される。
れて、当業者は、過度の実験なしに、本発明のノボラッ
ク樹脂を製造することができる。基本的に、すべての成
分が適当な反応器中に入れられ、非反応性溶剤が添加さ
れる。ｐ−トルエンスルホン酸の如き酸触媒が、触媒モ
ル／全クレゾールモルのモル比、約0.01〜約0.04で添加
される。反応混合物は次に還流温度に上げられ、反応が
完結したことを指示して、もはや副生物の水が製造され
なくなるまで、還流が維持される。
【００１９】好ましくは、本発明の新規なノボラック樹
脂は、（Ａ）必要なもしくは所望であるより大きな範囲
までエステル化されたモノヒドロキシ芳香族アルデヒド
のノボラック樹脂を、（Ｂ）モノヒドロキシ芳香族アル
デヒドの非エステル化ノボラック樹脂と、ブレンドする
ことにより製造される。この方法で、エステル化された
ノボラック樹脂のエステル化の範囲、および組成物中の
エステル化対非エステル化ノボラック樹脂の比、の適当
な選択により、われわれは、どんな適当なヒドロキシル
価、ならびに従って変化し得るホトレジスト特性でも有
する、本発明のノボラック樹脂組成物をすぐに製造し得
る。この方法で、写真平版方法において用いられるノボ
ラック樹脂は、あるプロセスパラメーターが所望の特性
をつくりだすための必要なヒドロキシル化を有する本発
明のノボラック樹脂組成物を単に用いることにより、容
易に選択し得るようになるという点において、“調子を
合わせ得る”になる。
脂は、（Ａ）必要なもしくは所望であるより大きな範囲
までエステル化されたモノヒドロキシ芳香族アルデヒド
のノボラック樹脂を、（Ｂ）モノヒドロキシ芳香族アル
デヒドの非エステル化ノボラック樹脂と、ブレンドする
ことにより製造される。この方法で、エステル化された
ノボラック樹脂のエステル化の範囲、および組成物中の
エステル化対非エステル化ノボラック樹脂の比、の適当
な選択により、われわれは、どんな適当なヒドロキシル
価、ならびに従って変化し得るホトレジスト特性でも有
する、本発明のノボラック樹脂組成物をすぐに製造し得
る。この方法で、写真平版方法において用いられるノボ
ラック樹脂は、あるプロセスパラメーターが所望の特性
をつくりだすための必要なヒドロキシル化を有する本発
明のノボラック樹脂組成物を単に用いることにより、容
易に選択し得るようになるという点において、“調子を
合わせ得る”になる。
【００２０】本発明の好ましいノボラック樹脂組成物の
例として、（Ａ）ｍ−クレゾールおよびｐ−クレゾール
の混合物の、ホルムアルデヒドまたはホルムアルデヒド
先駆物質およびｏ−，ｍ−もしくはｐ−ヒドロキシベン
ズアルデヒドを含むアルデヒドの混合物との、縮合によ
り製造される非エステル化ノボラックを、（Ｂ）例えば
無水酢酸で約32％エステル化までエステル化された成分
（Ａ）のノボラック樹脂である、エステル化ノボラック
樹脂と、ブレンドすることにより製造されるさきのヒド
ロキシル価約 120〜約 180を有するものが、言及されて
よい。
例として、（Ａ）ｍ−クレゾールおよびｐ−クレゾール
の混合物の、ホルムアルデヒドまたはホルムアルデヒド
先駆物質およびｏ−，ｍ−もしくはｐ−ヒドロキシベン
ズアルデヒドを含むアルデヒドの混合物との、縮合によ
り製造される非エステル化ノボラックを、（Ｂ）例えば
無水酢酸で約32％エステル化までエステル化された成分
（Ａ）のノボラック樹脂である、エステル化ノボラック
樹脂と、ブレンドすることにより製造されるさきのヒド
ロキシル価約 120〜約 180を有するものが、言及されて
よい。
【００２１】アルデヒドの混合物中のモノヒドロキシ芳
香族アルデヒドを用いることにより製造される非エステ
ル化ノボラック樹脂のエステル化は、非エステル化ノボ
ラック中の少なくとも一部分のヒドロキシル基中の水素
を、基−ＯＣＲ′( 式中、Ｒ′はアルキルまたは芳香族
ラジカル、好ましくは１〜４個の炭素原子のアルキルで
あり、芳香族は６〜10個の炭素原子の好ましい芳香族で
ある。）で置換えるための、どんな適当なエステル化剤
によってでも達成され得る。上記適当なエステル化剤の
例として、例えば、無水酢酸、ｐ−トリルクロリド、ジ
ヒドロクマリン等が言及されてよい。ノボラック樹脂お
よびエステル化剤は一般に還流で約10〜約15時間反応さ
せられて、エステル化ノボラック樹脂を製造する。
香族アルデヒドを用いることにより製造される非エステ
ル化ノボラック樹脂のエステル化は、非エステル化ノボ
ラック中の少なくとも一部分のヒドロキシル基中の水素
を、基−ＯＣＲ′( 式中、Ｒ′はアルキルまたは芳香族
ラジカル、好ましくは１〜４個の炭素原子のアルキルで
あり、芳香族は６〜10個の炭素原子の好ましい芳香族で
ある。）で置換えるための、どんな適当なエステル化剤
によってでも達成され得る。上記適当なエステル化剤の
例として、例えば、無水酢酸、ｐ−トリルクロリド、ジ
ヒドロクマリン等が言及されてよい。ノボラック樹脂お
よびエステル化剤は一般に還流で約10〜約15時間反応さ
せられて、エステル化ノボラック樹脂を製造する。
【００２２】本発明の低ヒドロキシル価のノボラック樹
脂は、ポジ形ホトレジスト配合物で特に有用である。こ
れらの配合物は典型的に、ノボラック樹脂あるいはエス
テル化または非エステル化ノボラック樹脂の混合物、増
感剤または“光活性成分”、溶剤、ならびに着色剤、縦
じわ剤(striation aids)等の如き種々の添加剤を含む。
商業的ポジ形ホトレジストにおいて、ノボラック樹脂は
最も普通にはクレゾール−ホルムアルデヒドノボラック
であり、光活性成分はジアゾキノン化合物であ。ジアゾ
キノン化合物の例は、２，３，４−トリヒドロキシベン
ゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スル
ホン酸モノ−、ジ−、およびトリエステル、ならびに
２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン−１，２−
ナフトキノン−２−ジアゾ−４−スルホン酸モノ−、ジ
−、およびトリエステルを含む。これらのおよび他のジ
アゾ増感剤の例は、Hosakaらに1985年２月12日発行の米
国特許第 4,499,171号に見られる。溶剤の例は、プロピ
レングリコールモノメチルエーテルアセテート(PMA）、
エチルセロソルブアセテート、エチル３−エトキシプロ
ピオネート、ジグリム、ブチロラクトン、キシレン、お
よびブチルアセテートを含むが、限定されない。
脂は、ポジ形ホトレジスト配合物で特に有用である。こ
れらの配合物は典型的に、ノボラック樹脂あるいはエス
テル化または非エステル化ノボラック樹脂の混合物、増
感剤または“光活性成分”、溶剤、ならびに着色剤、縦
じわ剤(striation aids)等の如き種々の添加剤を含む。
商業的ポジ形ホトレジストにおいて、ノボラック樹脂は
最も普通にはクレゾール−ホルムアルデヒドノボラック
であり、光活性成分はジアゾキノン化合物であ。ジアゾ
キノン化合物の例は、２，３，４−トリヒドロキシベン
ゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スル
ホン酸モノ−、ジ−、およびトリエステル、ならびに
２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン−１，２−
ナフトキノン−２−ジアゾ−４−スルホン酸モノ−、ジ
−、およびトリエステルを含む。これらのおよび他のジ
アゾ増感剤の例は、Hosakaらに1985年２月12日発行の米
国特許第 4,499,171号に見られる。溶剤の例は、プロピ
レングリコールモノメチルエーテルアセテート(PMA）、
エチルセロソルブアセテート、エチル３−エトキシプロ
ピオネート、ジグリム、ブチロラクトン、キシレン、お
よびブチルアセテートを含むが、限定されない。
【００２３】ポジ形レジスト配合物の臨界成分、すなわ
ち、本発明のノボラック樹脂および光活性成分は、広い
範囲の相対量にわたって用いられ得る。一般に、十分な
光活性成分が光画像可能であるレジストを製造するのに
用いられ、ノボラック樹脂の量はバインダーとして有効
であること、だけが必要である。相対量によって、本発
明のポジ形ホトレジストは、光活性成分重量部当り約２
重量部のノボラック樹脂〜光活性成分重量部当り約６重
量部のノボラック樹脂を含んでよい。好ましくは、光活
性成分重量部当り約４重量部のノボラック樹脂の比が、
用いられる。
ち、本発明のノボラック樹脂および光活性成分は、広い
範囲の相対量にわたって用いられ得る。一般に、十分な
光活性成分が光画像可能であるレジストを製造するのに
用いられ、ノボラック樹脂の量はバインダーとして有効
であること、だけが必要である。相対量によって、本発
明のポジ形ホトレジストは、光活性成分重量部当り約２
重量部のノボラック樹脂〜光活性成分重量部当り約６重
量部のノボラック樹脂を含んでよい。好ましくは、光活
性成分重量部当り約４重量部のノボラック樹脂の比が、
用いられる。
【００２４】レジスト中の溶剤の量は、同様にかなり変
化してよい。一般に、必要とされるすべては、与えられ
たコーチング条件、例えば、回転速度および予備−ベー
ク温度下で、所望のコーチング厚さをつくりだすため
に、十分な溶剤が用いられることである。典型的に、し
かし、約25〜30％固体を有するホトレジストを製造する
ために、十分な溶剤がポジ形ホトレジスト配合物に添加
される。
化してよい。一般に、必要とされるすべては、与えられ
たコーチング条件、例えば、回転速度および予備−ベー
ク温度下で、所望のコーチング厚さをつくりだすため
に、十分な溶剤が用いられることである。典型的に、し
かし、約25〜30％固体を有するホトレジストを製造する
ために、十分な溶剤がポジ形ホトレジスト配合物に添加
される。
【００２５】本発明のポジ形レジストは、また、着色
剤、縦じわ剤等の如き、種々の添加剤を含んでよい。
剤、縦じわ剤等の如き、種々の添加剤を含んでよい。
【００２６】本発明のノボラック樹脂で配合されたポジ
形レジストは、さきの出願第 376,971号、すなわち、通
常の炉内で約 200〜220℃の温度で少なくとも30分間安
定である、におけるもののように比較的高熱安定性を有
するが、なお、前記出願におけるレジストにわたって非
常に改良された光速度およびフィルム損失特性を有す
る。
形レジストは、さきの出願第 376,971号、すなわち、通
常の炉内で約 200〜220℃の温度で少なくとも30分間安
定である、におけるもののように比較的高熱安定性を有
するが、なお、前記出願におけるレジストにわたって非
常に改良された光速度およびフィルム損失特性を有す
る。
【００２７】
【実施例】本発明の生成物および方法ならびに従来技術
に関してのそれらの実益を、特記なき限り温度が０℃で
あり部が重量部である、下記の例および比較試験により
説明する。
に関してのそれらの実益を、特記なき限り温度が０℃で
あり部が重量部である、下記の例および比較試験により
説明する。
【００２８】出願第 376,971号のタイプの典型的ノボラ
ック樹脂を、反応体の比が下記： ｍ−クレゾールモル／全クレゾールモル＝0.55、 全アルデヒドモル／全クレゾールモル＝0.90、 アルデヒド１モル／全アルデヒドモル＝0.25、 アルデヒド２モル／全アルデヒドモル＝0.75、 触媒モル／全クレゾールモル＝0.010 、 水モル／全クレゾールモル＝0.01、 のようであった、次の剤： 314部のイソプロピルアセテ
ート溶剤中の、 126部のｍ−クレゾール、 103部のｐ−
クレゾール、30部のトリオキサン（アルデヒド１）、お
よび 124部のｏ−ヒドロキシベンズアルデヒド（アルデ
ヒド２）から、４部のｐ−トルエンスルホン酸.H2O触媒
を用いて、製造した。触媒以外のすべての成分を、適当
な反応器中で組合せた。触媒を次に添加し、生成反応混
合物を還流温度で加熱した。還流を、反応の完結を示し
た副生物の水がもはや製造されなくなるまで、続けた。
生成ノボラック樹脂を次に回収し、ＳＥＣによる分析
で、樹脂が重量平均分子量約2600を有することを測定
し、ヒドロキシル価約 110ｇ／当量を有することを計算
した。このノボラック樹脂を後に樹脂X971として参照す
る。ノボラック樹脂X971の３つの別々の部分を次に適当
な量の無水酢酸で還流で約10〜15時間反応によりアセチ
ル化させて、各々約５，20および32％アセチル化のアセ
チル化X971ノボラック樹脂を製造した。３つのアセチル
化ノボラック樹脂を、後にX971-5Ac、X971-20Ac 、およ
びX971-32Ac として参照する。
ック樹脂を、反応体の比が下記： ｍ−クレゾールモル／全クレゾールモル＝0.55、 全アルデヒドモル／全クレゾールモル＝0.90、 アルデヒド１モル／全アルデヒドモル＝0.25、 アルデヒド２モル／全アルデヒドモル＝0.75、 触媒モル／全クレゾールモル＝0.010 、 水モル／全クレゾールモル＝0.01、 のようであった、次の剤： 314部のイソプロピルアセテ
ート溶剤中の、 126部のｍ−クレゾール、 103部のｐ−
クレゾール、30部のトリオキサン（アルデヒド１）、お
よび 124部のｏ−ヒドロキシベンズアルデヒド（アルデ
ヒド２）から、４部のｐ−トルエンスルホン酸.H2O触媒
を用いて、製造した。触媒以外のすべての成分を、適当
な反応器中で組合せた。触媒を次に添加し、生成反応混
合物を還流温度で加熱した。還流を、反応の完結を示し
た副生物の水がもはや製造されなくなるまで、続けた。
生成ノボラック樹脂を次に回収し、ＳＥＣによる分析
で、樹脂が重量平均分子量約2600を有することを測定
し、ヒドロキシル価約 110ｇ／当量を有することを計算
した。このノボラック樹脂を後に樹脂X971として参照す
る。ノボラック樹脂X971の３つの別々の部分を次に適当
な量の無水酢酸で還流で約10〜15時間反応によりアセチ
ル化させて、各々約５，20および32％アセチル化のアセ
チル化X971ノボラック樹脂を製造した。３つのアセチル
化ノボラック樹脂を、後にX971-5Ac、X971-20Ac 、およ
びX971-32Ac として参照する。
【００２９】32％アセチル化X971ノボラック樹脂の合成
を、適当な反応器中で、 279部のX971樹脂、 122部の無
水酢酸、および 275部のイソプロピルアセテート溶剤を
組合せること、ならびに生成反応混合物を還流温度まで
加熱することにより、実施した。還流温度を、ＩＲ分析
により判定されるように無水物が完全に反応してしまう
まで、維持した。他の樹脂を同様に製造した。これらの
アセチル化ノボラック樹脂を回収し、分析で、各々、重
量平均分子量2400, 2500および2500を有するとして測定
し、各々、ヒドロキシル価 119,150および 162ｇ／当量
を有することを計算した。
を、適当な反応器中で、 279部のX971樹脂、 122部の無
水酢酸、および 275部のイソプロピルアセテート溶剤を
組合せること、ならびに生成反応混合物を還流温度まで
加熱することにより、実施した。還流温度を、ＩＲ分析
により判定されるように無水物が完全に反応してしまう
まで、維持した。他の樹脂を同様に製造した。これらの
アセチル化ノボラック樹脂を回収し、分析で、各々、重
量平均分子量2400, 2500および2500を有するとして測定
し、各々、ヒドロキシル価 119,150および 162ｇ／当量
を有することを計算した。
【００３０】改質ヒドロキシル価の２つのさらなるノボ
ラック樹脂を、X971樹脂についてさきに記述したように
して製造した。これら２つの樹脂において、非−ヒドロ
キシル芳香族アルデヒド（アルデヒド３）を、反応体の
アルデヒド混合物中の一部分のモノヒドロキシ芳香族ア
ルデヒド（ｏ−ヒドロキシベンズアルデヒド）と置換え
た。第１に上記改質ノボラック樹脂ベンズアルデヒド、
および第２に上記改質樹脂アニスアルデヒドが、反応中
で用いられたアルデヒドの混合物中の一部分のｏ−ヒド
ロキシベンズアルデヒド反応体と代った。これら改質ノ
ボラック樹脂の両者の製造において、X971樹脂の製造に
おけるように、下記の比を維持した、すなわち： ｍ−クレゾールモル／全クレゾールモル＝0.55、 全アルデヒドモル／全クレゾールモル＝0.90、 アルデヒドモル／全アルデヒドモル＝0.25、 触媒モル／全クレゾールモル＝0.010 、 水モル／全クレゾールモル＝0.01。 しかし、これら２つの反応についてのアルデヒド２モル
／全アルデヒドモルは0.38であり、各々の反応について
のアルデヒド３モル／全アルデヒドモルは0.37であっ
た。反応の完結後、生成ノボラック樹脂を回収した。後
に X971-20Bzとして参照される、ベンズアルデヒドを用
いて製造した樹脂のＳＥＣによる分析はその重量平均分
子量が約1400であることを決定し、そのヒドロキシル価
が 137ｇ／当量であることを計算した。同様に、後に X
971-20Anとして参照される、アニスアルデヒドを用いて
製造した樹脂のＳＥＣによる分析は、その重量平均分子
量が約1420であることを測定し、そのヒドロキシル価が
144ｇ／当量であることを計算した。
ラック樹脂を、X971樹脂についてさきに記述したように
して製造した。これら２つの樹脂において、非−ヒドロ
キシル芳香族アルデヒド（アルデヒド３）を、反応体の
アルデヒド混合物中の一部分のモノヒドロキシ芳香族ア
ルデヒド（ｏ−ヒドロキシベンズアルデヒド）と置換え
た。第１に上記改質ノボラック樹脂ベンズアルデヒド、
および第２に上記改質樹脂アニスアルデヒドが、反応中
で用いられたアルデヒドの混合物中の一部分のｏ−ヒド
ロキシベンズアルデヒド反応体と代った。これら改質ノ
ボラック樹脂の両者の製造において、X971樹脂の製造に
おけるように、下記の比を維持した、すなわち： ｍ−クレゾールモル／全クレゾールモル＝0.55、 全アルデヒドモル／全クレゾールモル＝0.90、 アルデヒドモル／全アルデヒドモル＝0.25、 触媒モル／全クレゾールモル＝0.010 、 水モル／全クレゾールモル＝0.01。 しかし、これら２つの反応についてのアルデヒド２モル
／全アルデヒドモルは0.38であり、各々の反応について
のアルデヒド３モル／全アルデヒドモルは0.37であっ
た。反応の完結後、生成ノボラック樹脂を回収した。後
に X971-20Bzとして参照される、ベンズアルデヒドを用
いて製造した樹脂のＳＥＣによる分析はその重量平均分
子量が約1400であることを決定し、そのヒドロキシル価
が 137ｇ／当量であることを計算した。同様に、後に X
971-20Anとして参照される、アニスアルデヒドを用いて
製造した樹脂のＳＥＣによる分析は、その重量平均分子
量が約1420であることを測定し、そのヒドロキシル価が
144ｇ／当量であることを計算した。
【００３１】比較目的のために、Morton International
の Dynachem Divisionにより販売の登録商標 DYNALITH
EPR 5000ポジ形ホトレジスト、およびさきの出願第376,
971号のX971ノボラック樹脂を、下記のホトレジスト評
価試験におけるコントロールとして用いた。本発明の低
ヒドロキシル化ノボラック樹脂は、さきに記述し製造し
たものであるか、エステル化および非エステル化X971樹
脂を一緒に下記の例で示した量でブレンドすることによ
り製造する。
の Dynachem Divisionにより販売の登録商標 DYNALITH
EPR 5000ポジ形ホトレジスト、およびさきの出願第376,
971号のX971ノボラック樹脂を、下記のホトレジスト評
価試験におけるコントロールとして用いた。本発明の低
ヒドロキシル化ノボラック樹脂は、さきに記述し製造し
たものであるか、エステル化および非エステル化X971樹
脂を一緒に下記の例で示した量でブレンドすることによ
り製造する。
【００３２】各々のレジスト配合物は、示したノボラッ
ク樹脂もしくは樹脂を光活性化合物(OFPR 800)の固体の
重量に基づいて約25〜30重量％、および約２重量％以下
の他の標準成分を含む。
ク樹脂もしくは樹脂を光活性化合物(OFPR 800)の固体の
重量に基づいて約25〜30重量％、および約２重量％以下
の他の標準成分を含む。
【００３３】今度は例および比較例の各々のレジスト組
成物を、４インチ直径および5000オングストローム酸化
物厚さの熱−成長(grown）シリコン／シリコンジオキシ
ドコートウェファー上の、Silicon Valley Group, Cali
forniaにより製造のトラックコーター(track coater)上
に回転(spin)コートした。レジストフィルムの1.０μｍ
の一様なコーチングを、回転速度3,500rpmで得た。コー
トウェファーを次に空気循環炉内で 120℃で30分間、ま
たはホットプレートを有するトラック上で 110℃で60秒
間、ソフト(soft)ベークした。レジストフィルム厚さ
を、次にNanospecAFT厚さ測定器で測定した。
成物を、４インチ直径および5000オングストローム酸化
物厚さの熱−成長(grown）シリコン／シリコンジオキシ
ドコートウェファー上の、Silicon Valley Group, Cali
forniaにより製造のトラックコーター(track coater)上
に回転(spin)コートした。レジストフィルムの1.０μｍ
の一様なコーチングを、回転速度3,500rpmで得た。コー
トウェファーを次に空気循環炉内で 120℃で30分間、ま
たはホットプレートを有するトラック上で 110℃で60秒
間、ソフト(soft)ベークした。レジストフィルム厚さ
を、次にNanospecAFT厚さ測定器で測定した。
【００３４】コートウェファーを、 390nm〜 450nmの範
囲内の紫外さらし放射を供給するための、N.A. 0.315の
レンズを備えた、登録商標 Ultratechウルトラステップ
(ultrastep)1000(１：１）投射ステッパーを用いてさら
した。いくつかの薄い0.75μｍを含む、変化するサイズ
のラインおよびスペース幅を有する登録商標 Micromask
マスクを；選択的さらしパターンを供給するために用い
た。さらし時間を、レジストの光速度を決定するために
変化させた、すなわち、さらし領域中のレジストを展開
の際完全に除去／清浄にするように、レジストのさらし
領域を溶解性にする、ミリジュール／cm2 でのさらしエ
ネルギーの最低量（強度×時間）。
囲内の紫外さらし放射を供給するための、N.A. 0.315の
レンズを備えた、登録商標 Ultratechウルトラステップ
(ultrastep)1000(１：１）投射ステッパーを用いてさら
した。いくつかの薄い0.75μｍを含む、変化するサイズ
のラインおよびスペース幅を有する登録商標 Micromask
マスクを；選択的さらしパターンを供給するために用い
た。さらし時間を、レジストの光速度を決定するために
変化させた、すなわち、さらし領域中のレジストを展開
の際完全に除去／清浄にするように、レジストのさらし
領域を溶解性にする、ミリジュール／cm2 でのさらしエ
ネルギーの最低量（強度×時間）。
【００３５】上記のようにして製造したさらしレジスト
コートウェファーをTeflonウェファーボート(boats）中
に置き、Silicon Valley Group, Californiaにより製造
のSVG Model 2186トラック展開装置上で19±１℃で処理
した。ウェファーを、MortonInternationalのEPD80また
はEPD 85水酸化テトラメチルアンモニウム展開剤溶液中
に60秒間浸漬させておいた。展開剤から取出して、ウェ
ファーを脱イオン水中ですすぎ、窒素ガスの破裂によ
り、またはそれらを回転乾燥機中に置くことにより、乾
燥した。下記の展開、ウェファーを光学顕微鏡を用いて
“1000X"倍率で試験した。
コートウェファーをTeflonウェファーボート(boats）中
に置き、Silicon Valley Group, Californiaにより製造
のSVG Model 2186トラック展開装置上で19±１℃で処理
した。ウェファーを、MortonInternationalのEPD80また
はEPD 85水酸化テトラメチルアンモニウム展開剤溶液中
に60秒間浸漬させておいた。展開剤から取出して、ウェ
ファーを脱イオン水中ですすぎ、窒素ガスの破裂によ
り、またはそれらを回転乾燥機中に置くことにより、乾
燥した。下記の展開、ウェファーを光学顕微鏡を用いて
“1000X"倍率で試験した。
【００３６】展開ウェファーの後−ベーキングを、非溶
解部分のコーチングの接着および化学耐性を増すため
に、空気循環対流炉内で約 150〜 180℃で、またはトラ
ック上のホットプレートベーク上で 160℃／60秒で、実
施した。画像の後−ベーク流れを、光学顕微鏡により
“1000X"倍率で試験した。ホトレジストを、展開時間、
パーセントフィルム損失（ＦＬ）、光速度mJ／cm2 につ
いて、グロス清浄速度(GCS) および／または１ミクロン
清浄速度（１μCS) について、ならびに後展開（ＰＤ）
コントラストおよび分解能について、最も大きなスペー
ス（ミクロンで）をブリッジ(bridged）しないで測定す
ることにより、試験した。
解部分のコーチングの接着および化学耐性を増すため
に、空気循環対流炉内で約 150〜 180℃で、またはトラ
ック上のホットプレートベーク上で 160℃／60秒で、実
施した。画像の後−ベーク流れを、光学顕微鏡により
“1000X"倍率で試験した。ホトレジストを、展開時間、
パーセントフィルム損失（ＦＬ）、光速度mJ／cm2 につ
いて、グロス清浄速度(GCS) および／または１ミクロン
清浄速度（１μCS) について、ならびに後展開（ＰＤ）
コントラストおよび分解能について、最も大きなスペー
ス（ミクロンで）をブリッジ(bridged）しないで測定す
ることにより、試験した。
【００３７】性能試験の結果を下記に記述する。
【００３８】さきに示したように、出願第 376,971号の
ポジ形ホトレジストは、商業的に手に入るEPR 5000レジ
ストより良い熱安定性を有したが、標準強さ展開剤中で
より早くおよびより多くフィルムを失った。下記の試験
は、EPR 5000のものに適合させるために、光速度および
フィルム損失特性を改良して、いかに本発明のレジスト
が出願第 376,971号の樹脂の増強熱安定性を保持するか
を説明する。従って、本発明のポジ形ホトレジストは、
実質的にEPR 5000のものに等しい光速度およびフィルム
損失特性を保持して、EPR 5000より良い熱安定性を有す
ることを示す。
ポジ形ホトレジストは、商業的に手に入るEPR 5000レジ
ストより良い熱安定性を有したが、標準強さ展開剤中で
より早くおよびより多くフィルムを失った。下記の試験
は、EPR 5000のものに適合させるために、光速度および
フィルム損失特性を改良して、いかに本発明のレジスト
が出願第 376,971号の樹脂の増強熱安定性を保持するか
を説明する。従って、本発明のポジ形ホトレジストは、
実質的にEPR 5000のものに等しい光速度およびフィルム
損失特性を保持して、EPR 5000より良い熱安定性を有す
ることを示す。
【表１】
【００３９】X971樹脂のヒドロキシル含有率を20％下げ
ると（組成物３）、フィルム損失が100から＜１％に落
ちたのに対して、光速度が＜20から＞ 260mJ／cm2 に増
加した。同様に、X971樹脂のヒドロキシル含有率を14％
下げると（組成物２）、光速度が＜20から50に増加し、
フィルム損失が 100から11％に減少した。しかし、X971
樹脂のヒドロキシル含有率をわずか７％下げても（組成
物１）、X971樹脂に比較して、光速度およびフィルム損
失特性においてなんら変化はなかった。従って、X971タ
イプ樹脂のヒドロキシル含有率における少なくとも14〜
20％の減少が、本発明の改良ノボラック樹脂を達成する
のに必要である。上記結果は、所望のレベルのヒドロキ
シル価減少を達成するために、ヒドロキシル減少が、エ
ステル化X971タイプ樹脂を適当なエステル化レベルまで
ブレンドすることにより、あるいはエステル化および非
エステル化X971タイプ樹脂をブレンドすることにより、
達成され得ることを示す。
ると（組成物３）、フィルム損失が100から＜１％に落
ちたのに対して、光速度が＜20から＞ 260mJ／cm2 に増
加した。同様に、X971樹脂のヒドロキシル含有率を14％
下げると（組成物２）、光速度が＜20から50に増加し、
フィルム損失が 100から11％に減少した。しかし、X971
樹脂のヒドロキシル含有率をわずか７％下げても（組成
物１）、X971樹脂に比較して、光速度およびフィルム損
失特性においてなんら変化はなかった。従って、X971タ
イプ樹脂のヒドロキシル含有率における少なくとも14〜
20％の減少が、本発明の改良ノボラック樹脂を達成する
のに必要である。上記結果は、所望のレベルのヒドロキ
シル価減少を達成するために、ヒドロキシル減少が、エ
ステル化X971タイプ樹脂を適当なエステル化レベルまで
ブレンドすることにより、あるいはエステル化および非
エステル化X971タイプ樹脂をブレンドすることにより、
達成され得ることを示す。
【００４０】同様な試験を、コントロール樹脂EPR 5000
を用いて、ならびに低ヒドロキシル含有率を、X971混合
アルデヒドノボラックを、樹脂合成において一部分のｏ
−ヒドロキシベンズアルデヒドと置換えられた、非−ヒ
ドロキシル芳香族アルデヒド、ベンズアルデヒドを有す
る混合アルデヒド樹脂とブレンドすることにより得た、
低ヒドロキシル含有率を有する混合アルデヒドノボラッ
ク樹脂を用いて、実施した。生成樹脂を後に樹脂 X971-
20Bzとして参照する。試験結果は下記のようであった：
を用いて、ならびに低ヒドロキシル含有率を、X971混合
アルデヒドノボラックを、樹脂合成において一部分のｏ
−ヒドロキシベンズアルデヒドと置換えられた、非−ヒ
ドロキシル芳香族アルデヒド、ベンズアルデヒドを有す
る混合アルデヒド樹脂とブレンドすることにより得た、
低ヒドロキシル含有率を有する混合アルデヒドノボラッ
ク樹脂を用いて、実施した。生成樹脂を後に樹脂 X971-
20Bzとして参照する。試験結果は下記のようであった：
【表２】
【００４１】組成物４，５および６は、出願第 376,971
号の混合アルデヒドノボラック樹脂(X971)のヒドロキシ
ル含有率から、各々８，11、および14％減少させたヒド
ロキシル含有率を有する、混合アルデヒドノボラック樹
脂である。上記データは、混合アルデヒドノボラックの
合成における一部分のモノヒドロキシ芳香族アルデヒド
の代りに非−ヒドロキシル芳香族アルデヒドを用いるこ
とによる、ヒドロキシル含有率の14％減少（組成物６）
が、EPR 5000レジストのフィルム損失および光速度特性
に適合し、なお改良熱安定性を有する、レジストを製造
することを、示す。
号の混合アルデヒドノボラック樹脂(X971)のヒドロキシ
ル含有率から、各々８，11、および14％減少させたヒド
ロキシル含有率を有する、混合アルデヒドノボラック樹
脂である。上記データは、混合アルデヒドノボラックの
合成における一部分のモノヒドロキシ芳香族アルデヒド
の代りに非−ヒドロキシル芳香族アルデヒドを用いるこ
とによる、ヒドロキシル含有率の14％減少（組成物６）
が、EPR 5000レジストのフィルム損失および光速度特性
に適合し、なお改良熱安定性を有する、レジストを製造
することを、示す。
【００４２】同様な一連の試験を、ヒドロキシル含有率
の減少を、非エステル化混合アルデヒド樹脂(X971)を適
当な量の過エステル化混合アルデヒドノボラック樹脂X9
71-32Ac とブレンドすることにより得て、本発明の方法
の調子を合わせる性質を示し、上記方法が出願第 376,9
71号の混合アルデヒドノボラック樹脂の増強熱安定性の
実益を得て、フィルム損失および光速度特性におけるEP
R 5000レジストに適合するレジストを供給するための、
所望のヒドロキシル含有率の混合アルデヒドレジストを
製造し得る、低ヒドロキシル含有率のホトレジストを用
いて、実施した。また試験において、さきのノボラック
樹脂 X971-20An, X971樹脂を製造するときに用いられた
アルデヒド混合物中の一部分のｏ−ヒドロキシベンズア
ルデヒドの代りにアニスアルデヒドを置換えることによ
り20％減少したそのヒドロキシル含有率を有する、X971
タイプノボラック樹脂を含んだ。配合および試験結果は
下記のようである：
の減少を、非エステル化混合アルデヒド樹脂(X971)を適
当な量の過エステル化混合アルデヒドノボラック樹脂X9
71-32Ac とブレンドすることにより得て、本発明の方法
の調子を合わせる性質を示し、上記方法が出願第 376,9
71号の混合アルデヒドノボラック樹脂の増強熱安定性の
実益を得て、フィルム損失および光速度特性におけるEP
R 5000レジストに適合するレジストを供給するための、
所望のヒドロキシル含有率の混合アルデヒドレジストを
製造し得る、低ヒドロキシル含有率のホトレジストを用
いて、実施した。また試験において、さきのノボラック
樹脂 X971-20An, X971樹脂を製造するときに用いられた
アルデヒド混合物中の一部分のｏ−ヒドロキシベンズア
ルデヒドの代りにアニスアルデヒドを置換えることによ
り20％減少したそのヒドロキシル含有率を有する、X971
タイプノボラック樹脂を含んだ。配合および試験結果は
下記のようである：
【表３】
【００４３】組成物７，８，９，10および11は、出願第
376,971号の混合アルデヒドノボラック樹脂(X971)のヒ
ドロキシル含有率から、各々16, 19, 22, 26および20％
減少したヒドロキシル含有率を有する、混合アルデヒド
ノボラック樹脂である。上記データは、少なくとも16％
以上、特に19％のヒドロキシル減少が、出願第 376,971
号の混合アルデヒドノボラック樹脂の増強熱安定性を保
持して、EPR 5000ノボラック樹脂のフィルム損失および
光速度特性に適合する混合アルデヒドノボラック樹脂を
製造することを、示す。
376,971号の混合アルデヒドノボラック樹脂(X971)のヒ
ドロキシル含有率から、各々16, 19, 22, 26および20％
減少したヒドロキシル含有率を有する、混合アルデヒド
ノボラック樹脂である。上記データは、少なくとも16％
以上、特に19％のヒドロキシル減少が、出願第 376,971
号の混合アルデヒドノボラック樹脂の増強熱安定性を保
持して、EPR 5000ノボラック樹脂のフィルム損失および
光速度特性に適合する混合アルデヒドノボラック樹脂を
製造することを、示す。
【００４４】上記結果は、EPR 5000ノボラック樹脂に等
しい増強熱安定性ならびに光速度およびフィルム損失特
性を有するレジストは、下記： （１）混合アルデヒドノボラック樹脂をさきに記述のX9
71樹脂合成方法により製造するが、アルデヒドの混合物
中のモノヒドロキシ芳香族アルデヒド反応体を、アニス
アルデヒド、ベンズアルデヒド、ｔ−シンナムアルデヒ
ド(cinnamaldehyde)、１，４−テレフタルジカルボキシ
アルデヒドの如き、非−ヒドロキシル芳香族アルデヒド
と完全に置換える−−上記ノボラック樹脂からのレジス
トは非常にゆっくりしてフィルムをまったく失わなかっ
た−−、ならびに（２）ホルムアルデヒドまたはホルム
アルデヒド先駆物質から製造した通常のｍ−クレゾール
／ｐ−クレゾールノボラック樹脂のエステル化（混合ア
ルデヒド反応体なしに、すなわちモノヒドロキシ芳香族
アルデヒドなしに）−−上記エステル化通常樹脂は1.５
および2.０ミクロンでブリッジをつくって弱い熱安定性
を有し、一般にわずかにのみ許容し得る光速度特性を有
する−−のときは得られないという事実によりさらによ
り驚くべきであり予期しないものである。
しい増強熱安定性ならびに光速度およびフィルム損失特
性を有するレジストは、下記： （１）混合アルデヒドノボラック樹脂をさきに記述のX9
71樹脂合成方法により製造するが、アルデヒドの混合物
中のモノヒドロキシ芳香族アルデヒド反応体を、アニス
アルデヒド、ベンズアルデヒド、ｔ−シンナムアルデヒ
ド(cinnamaldehyde)、１，４−テレフタルジカルボキシ
アルデヒドの如き、非−ヒドロキシル芳香族アルデヒド
と完全に置換える−−上記ノボラック樹脂からのレジス
トは非常にゆっくりしてフィルムをまったく失わなかっ
た−−、ならびに（２）ホルムアルデヒドまたはホルム
アルデヒド先駆物質から製造した通常のｍ−クレゾール
／ｐ−クレゾールノボラック樹脂のエステル化（混合ア
ルデヒド反応体なしに、すなわちモノヒドロキシ芳香族
アルデヒドなしに）−−上記エステル化通常樹脂は1.５
および2.０ミクロンでブリッジをつくって弱い熱安定性
を有し、一般にわずかにのみ許容し得る光速度特性を有
する−−のときは得られないという事実によりさらによ
り驚くべきであり予期しないものである。
【００４５】上記通常のノボラック樹脂が、本発明に従
って得た結果をつくりださないという事実は、ヒドロキ
シル価 119ｇ／当量を有する、後に樹脂65／35として参
照される、上記通常のｍ−クレゾール／ｐ−クレゾール
ノボラック樹脂を、無水酢酸で５および15％エステル化
レベルに、あるいはｐ−トルエンスルホニルクロリドで
５および15％エステル化レベルに、またはフタリドで15
％エステル化レベルにエステル化するとき、示される。
通常のノボラック樹脂、すなわち樹脂65／35を、95〜 1
15℃で約58時間下記： ｍ−クレゾールのモル／全クレゾールモル＝0.35、 ホルムアルデヒドモル／全クレゾールモル＝0.64、 触媒モル／全クレゾールモル＝0.66、 水モル／全クレゾールモル＝1.81、 で反応させた反応体から製造した。
って得た結果をつくりださないという事実は、ヒドロキ
シル価 119ｇ／当量を有する、後に樹脂65／35として参
照される、上記通常のｍ−クレゾール／ｐ−クレゾール
ノボラック樹脂を、無水酢酸で５および15％エステル化
レベルに、あるいはｐ−トルエンスルホニルクロリドで
５および15％エステル化レベルに、またはフタリドで15
％エステル化レベルにエステル化するとき、示される。
通常のノボラック樹脂、すなわち樹脂65／35を、95〜 1
15℃で約58時間下記： ｍ−クレゾールのモル／全クレゾールモル＝0.35、 ホルムアルデヒドモル／全クレゾールモル＝0.64、 触媒モル／全クレゾールモル＝0.66、 水モル／全クレゾールモル＝1.81、 で反応させた反応体から製造した。
【００４６】上記樹脂のエステル化は、さきに記述した
のと同じ方法であった。さきに記述の手順と同様に配合
し、さらし、および展開したが、2.40％水酸化テトラメ
チルアンモニウム展開剤（Morton Internationalの Dyn
achem Divisionより販売の2.４％ NMD−３展開剤）を用
いたホトレジストは、下記の結果であった：
のと同じ方法であった。さきに記述の手順と同様に配合
し、さらし、および展開したが、2.40％水酸化テトラメ
チルアンモニウム展開剤（Morton Internationalの Dyn
achem Divisionより販売の2.４％ NMD−３展開剤）を用
いたホトレジストは、下記の結果であった：
【表４】
【００４７】本発明の好ましいポジ形ホトレジスト組成
物の例は、下記：
物の例は、下記：
【表５】
のレジスト配合を含む。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 ランダル コーツ
アメリカ合衆国，カリフオルニア 92714，
アーバイン，ベルベデール 4211
(72)発明者 スニツト エス．デイキイシイツト
アメリカ合衆国，カリフオルニア 92691，
ミツシヨン ビエジヨ，ビア ブリーブ
23572
Claims (32)
- 【請求項１】 ノボラック樹脂が、ヒドロキシル価、ヒ
ドロキシルの当量当り約 120〜約 180グラムの樹脂を有
する、下記（ａ）ならびに（ｂ）： （ａ）フェノール、フェノール誘導体、またはそれらの
混合物、ならびに （ｂ）ホルムアルデヒドまたはホルムアルデヒド先駆物
質、および （１）前記ノボラック樹脂が、脂肪族または芳香族エス
テル基が水素原子の代りに、少なくとも一部分のヒドロ
キシル基で存在するように、エステル化されたそのヒド
ロキシル基を有する、モノヒドロキシ芳香族アルデヒ
ド、あるいは （２）少なくとも１種のモノヒドロキシ芳香族アルデヒ
ドおよび少なくとも１種の非−ヒドロキシル芳香族アル
デヒドの混合物、を含む、アルデヒドの混合物、の縮合
生成物を含むノボラック樹脂。 - 【請求項２】 フェノール成分がｍ−およびｐ−クレゾ
ールの混合物である、請求項１記載のノボラック樹脂。 - 【請求項３】 フェノールおよびアルデヒド成分が下記
の量： （全アルデヒドモル／全フェノールまたはフェノール誘
導体モル）× 100＝約60％〜約95％、 （芳香族アルデヒドモル／全アルデヒドモル）× 100＝
約15％〜約95％、 で存在する、請求項１記載のノボラック樹脂。 - 【請求項４】 ｍ−およびｐ−クレゾールが下記の量： （ｍ−クレゾールモル／全クレゾールモル）× 100＝約
30％〜約75％、 で存在する、請求項２記載のノボラック樹脂。 - 【請求項５】 ノボラック樹脂が、ヒドロキシル価、ヒ
ドロキシルの当量当り約 120〜約 180グラムの樹脂を有
する、下記（ａ）ならびに（ｂ）： （ａ）フェノール、フェノール誘導体、またはそれらの
混合物、ならびに （ｂ）ホルムアルデヒド、またはホルムアルデヒド先駆
物質、および （１）前記ノボラック樹脂が、脂肪族または芳香族エス
テル基が水素原子の代りに、少なくとも一部分のヒドロ
キシル基で存在するように、エステル化されたそのヒド
ロキシル基を有する、モノヒドロキシ芳香族アルデヒ
ド、あるいは （２）少なくとも１種のモノヒドロキシ芳香族アルデヒ
ドおよび少なくとも１種の非−ヒドロキシル芳香族アル
デヒドの混合物、を含む、アルデヒドの混合物、の縮合
生成物を、ノボラック樹脂として、用いることを含むこ
とを特徴とする、バインダーとして(bindingly）有効な
量のノボラック樹脂、および光画像（photoimaging）量
の光増感剤の混合物を含む、ポジ形ホトレジスト。 - 【請求項６】 ノボラック樹脂のフェノール成分がｍ−
およびｐ−クレゾールの混合物である、請求項５記載の
ポジ形ホトレジスト。 - 【請求項７】 ノボラック樹脂のアルデヒド成分が、ホ
ルムアルデヒド、ならびに２−ヒドロキシベンズアルデ
ヒド、３−ヒドロキシベンズアルデヒド、および４−ヒ
ドロキシベンズアルデヒドから選ばれるモノヒドロキシ
芳香族アルデヒド、の混合物である、請求項５記載のポ
ジ形ホトレジスト。 - 【請求項８】 ノボラック樹脂のフェノールおよびアル
デヒド成分が、下記の量： （全アルデヒドモル／全フェノールまたはフェノール誘
導体モル）× 100＝約60％〜約95％、 （モノヒドロキシモル／芳香族アルデヒドモル全アルデ
ヒド）× 100＝約15％〜約95％、 で存在する、請求項５記載のポジ形ホトレジスト。 - 【請求項９】 ｍ−およびｐ−クレゾールが下記の量： （ｍ−クレゾールモル／全クレゾールモル）× 100＝約
30％〜約75％ で存在する、請求項６記載のポジ形ホトレジスト。 - 【請求項10】 ノボラック樹脂が、ヒドロキシル価、ヒ
ドロキシルの当量当り約 120〜約 180グラムの樹脂を有
する、下記（ａ）ならびに（ｂ）： （ａ）フェノール、フェノール誘導体、またはそれらの
混合物、ならびに （ｂ）ホルムアルデヒド、またはホルムアルデヒド先駆
物質、および （１）前記ノボラック樹脂が、脂肪族または芳香族エス
テル基が水素原子の代りに、少なくとも一部分のヒドロ
キシル基で存在するように、エステル化されたそのヒド
ロキシル基を有する、モノヒドロキシ芳香族アルデヒ
ド、あるいは （２）少なくとも１種のモノヒドロキシ芳香族アルデヒ
ドおよび少なくとも１種の非−ヒドロキシル芳香族アル
デヒドの混合物、を含む、アルデヒドの混合物、の縮合
生成物を前記ノボラック樹脂が含む、光画像量の光増感
剤に関してバインダーとして有効な量のノボラック樹脂
の混合物を含む、ポジ形ホトレジスト。 - 【請求項11】 ノボラック樹脂のフェノール成分が、ｍ
−およびｐ−クレゾールの混合物である、請求項10記載
のポジ形ホトレジスト。 - 【請求項12】 ノボラック樹脂のアルデヒド成分が、ホ
ルムアルデヒド、ならびに２−ヒドロキシベンズアルデ
ヒド、３−ヒドロキシベンズアルデヒド、および４−ヒ
ドロキシベンズアルデヒドから選ばれるモノヒドロキシ
芳香族アルデヒド、の混合物である、請求項10記載のポ
ジ形ホトレジスト。 - 【請求項13】 ノボラック樹脂のフェノールおよびアル
デヒド成分が、下記の量： （全アルデヒドモル／全フェノールまたはフェノール誘
導体モル）× 100＝約60％〜約95％、 （モノヒドロキシモル／芳香族アルデヒドモル全アルデ
ヒド）× 100＝約15％〜約95％、 で存在する、請求項10記載のポジ形ホトレジスト。 - 【請求項14】 ｍ−およびｐ−クレゾールが下記の量： （ｍ−クレゾールモル／全クレゾールモル）× 100＝約
30％〜約75％、 で存在する、請求項11記載のポジ形ホトレジスト。 - 【請求項15】 光増感剤がナフトキノンジアジド増感剤
である、請求項10記載のポジ形ホトレジスト。 - 【請求項16】 ナフトキノンジアジド増感剤が、１，２
−ナフトキノン−２−ジアゾ−４−スルホン酸のエステ
ル、および１，２−ナフトキノン−２−ジアゾ−５−ス
ルホン酸のエステル、からなる群から選ばれる、請求項
15記載のポジ形ホトレジスト。 - 【請求項17】 ナフトキノンジアジド増感剤が、２，
３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフ
トキノン−２−ジアゾ−４−スルホン酸モノエステル；
２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン−１，２−
ナフトキノン−２−ジアゾ−４−スルホン酸ジエステ
ル；２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン−１，
２−ナフトキノン−２−ジアゾ−４−スルホン酸トリエ
ステル；およびそれらの混合物からなる群から選ばれ
る、請求項16記載のポジ形ホトレジスト。 - 【請求項18】 ナフトキノンジアジド増感剤が、２，
３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフ
トキノン−２−ジアゾ−５−スルホン酸モノエステル；
２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン−１，２−
ナフトキノン−２−ジアゾ−５−スルホン酸ジエステ
ル；２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン−１，
２−ナフトキノン−２−ジアゾ−５−スルホン酸トリエ
ステル；およびそれらの混合物からなる群から選ばれ
る、請求項16記載のポジ形ホトレジスト。 - 【請求項19】 ノボラック樹脂が、ヒドロキシル価、ヒ
ドロキシルの当量当り約 120〜約 180グラムの樹脂を有
する、前記ノボラック樹脂が、さらしの前に下記（ａ）
ならびに（ｂ）： （ａ）フェノール、フェノール誘導体、またはそれらの
混合物、ならびに （ｂ）ホルムアルデヒド、またはホルムアルデヒド先駆
物質、および （１）前記ノボラック樹脂が、脂肪族または芳香族エス
テル基が水素原子の代りに、少なくとも一部分のヒドロ
キシル基で存在するように、エステル化されたそのヒド
ロキシル基を有する、モノヒドロキシ芳香族アルデヒ
ド、あるいは （２）少なくとも１種のモノヒドロキシ芳香族アルデヒ
ドおよび少なくとも１種の非−ヒドロキシル芳香族アル
デヒドの混合物、を含む、アルデヒドの混合物、を含
む、下記Ｉ．〜III ．： Ｉ．基材を、バインダーとして有効な量のノボラック樹
脂、および光画像量の光増感剤の混合物を含む、ポジ形
ホトレジスト組成物の層で、コートすること； II．層パターンに関して化学線にさらすこと；ならびに III. 前記層のさらした部分を、さらしたレジスト組成
物のための水性アルカリ展開剤(developer）を用いて、
さらした部分の下の基材の領域をむきだしにするため
に、除去すること；を含む、基材上にレジスト前記パタ
ーンを形成する方法。 - 【請求項20】 ノボラック樹脂のフェノール成分がｍ−
およびｐ−クレゾールの混合物である、請求項19記載の
方法。 - 【請求項21】 ノボラック樹脂のアルデヒド成分が、ホ
ルムアルデヒド、ならびに２−ヒドロキシベンズアルデ
ヒド、３−ヒドロキシベンズアルデヒド、および４−ヒ
ドロキシベンズアルデヒドから選ばれるモノヒドロキシ
芳香族アルデヒド、の混合物である、請求項19記載の方
法。 - 【請求項22】 ノボラック樹脂のフェノールおよびアル
デヒド成分が、下記の量： （全アルデヒドモル／全フェノールまたはフェノール誘
導体モル）× 100＝約60％〜約95％、 （モノヒドロキシモル／芳香族アルデヒドモル全アルデ
ヒド）× 100＝約15％〜約95％、 で存在する、請求項19記載の方法。 - 【請求項23】 ｍ−およびｐ−クレゾールが下記の量： （ｍ−クレゾールモル／全クレゾールモル）× 100＝約
30％〜約75％、 で存在する、請求項20記載の方法。 - 【請求項24】 ノボラック樹脂が、ヒドロキシル価、ヒ
ドロキシルの当量当り約 120〜約 180グラムの樹脂を有
する、下記（ａ）ならびに（ｂ）： （ａ）フェノール、フェノール誘導体、またはそれらの
混合物、ならびに （ｂ）ホルムアルデヒド、またはホルムアルデヒド先駆
物質、および （１）前記ノボラック樹脂が、脂肪族または芳香族エス
テル基が水素原子の代りに、少なくとも一部分のヒドロ
キシル基で存在するように、エステル化されたそのヒド
ロキシル基を有する、モノヒドロキシ芳香族アルデヒ
ド、あるいは （２）少なくとも１種のモノヒドロキシ芳香族アルデヒ
ドおよび少なくとも１種の非−ヒドロキシル芳香族アル
デヒドの混合物、 を含む、アルデヒドの混合物、の縮合生成物を前記ノボ
ラック樹脂が含む、化学線にさらす前に、バインダーと
して有効な量のノボラック樹脂および光画像量の光増感
剤を含む、ポジ形ホトレジスト組成物から、レジストパ
ターンが形成される；熱的に安定で高分解能の、さらし
た前記レジストパターンで、コートされた基材。 - 【請求項25】 ノボラック樹脂のフェノール成分がｍ−
およびｐ−クレゾールの混合物である、請求項24記載の
基材。 - 【請求項26】 ノボラック樹脂のアルデヒド成分が、ホ
ルムアルデヒド、ならびに２−ヒドロキシベンズアルデ
ヒド、３−ヒドロキシベンズアルデヒド、および４−ヒ
ドロキシベンズアルデヒドから選ばれるモノヒドロキシ
芳香族アルデヒド、の混合物である、請求項24記載のポ
ジ形ホトレジスト。 - 【請求項27】 ノボラック樹脂のフェノールおよびアル
デヒド成分が、下記の量： （全アルデヒドモル／全フェノールまたはフェノール誘
導体モル）× 100＝約60％〜約95％、 （モノヒドロキシモル／芳香族アルデヒドモル全アルデ
ヒド）× 100＝約15％〜約95％、 で存在する、請求項24記載の基材。 - 【請求項28】 ｍ−およびｐ−クレゾールが下記の量： （ｍ−クレゾールモル／全クレゾールモル）× 100＝約
30％〜約75％、 で存在する、請求項25記載の基材。 - 【請求項29】 光増感剤がナフトキノンジアジド増感剤
である、請求項24記載の基材。 - 【請求項30】 ナフトキノンジアジド増感剤が、１，２
−ナフトキノン−２−ジアゾ−４−スルホン酸のエステ
ル、および１，２−ナフトキノン−２−ジアゾ−５−ス
ルホン酸のエステル、からなる群から選ばれる、請求項
29記載の基材。 - 【請求項31】 ナフトキノンジアジド増感剤が、２，
３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフ
トキノン−２−ジアゾ−４−スルホン酸モノエステル；
２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン−１，２−
ナフトキノン−２−ジアゾ−４−スルホン酸ジエステ
ル；２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン−１，
２−ナフトキノン−２−ジアゾ−４−スルホン酸トリエ
ステル；およびそれらの混合物からなる群から選ばれ
る、請求項30記載の基材。 - 【請求項32】 ナフトキノンジアジド増感剤が、２，
３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフ
トキノン−２−ジアゾ−５−スルホン酸モノエステル；
２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン−１，２−
ナフトキノン−２−ジアゾ−５−スルホン酸ジエステ
ル；２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン−１，
２−ナフトキノン−２−ジアゾ−５−スルホン酸トリエ
ステル；およびそれらの混合物からなる群から選ばれ
る、請求項30記載の基材。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/475,402 US5182184A (en) | 1990-02-05 | 1990-02-05 | Novolak resins of lowered hydroxyl content and high contrast high thermal stability positive photoresists prepared therefrom |
| US475402 | 1990-02-05 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7277872A Division JP2942484B2 (ja) | 1990-02-05 | 1995-10-25 | 高コントラスト高熱安定性ポジ形ホトレジスト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0532751A true JPH0532751A (ja) | 1993-02-09 |
| JP2504624B2 JP2504624B2 (ja) | 1996-06-05 |
Family
ID=23887424
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3014334A Expired - Lifetime JP2504624B2 (ja) | 1990-02-05 | 1991-02-05 | ノボラック樹脂の製造方法 |
| JP7277872A Expired - Fee Related JP2942484B2 (ja) | 1990-02-05 | 1995-10-25 | 高コントラスト高熱安定性ポジ形ホトレジスト |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7277872A Expired - Fee Related JP2942484B2 (ja) | 1990-02-05 | 1995-10-25 | 高コントラスト高熱安定性ポジ形ホトレジスト |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5182184A (ja) |
| EP (1) | EP0441550B1 (ja) |
| JP (2) | JP2504624B2 (ja) |
| KR (1) | KR940002547B1 (ja) |
| AU (1) | AU624758B2 (ja) |
| CA (1) | CA2034602A1 (ja) |
| DE (1) | DE69130745T2 (ja) |
| SG (2) | SG48015A1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0990626A (ja) * | 1995-07-13 | 1997-04-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
| JP2008138128A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Ube Ind Ltd | フォトレジスト用ノボラック型フェノール樹脂およびその製造方法 |
| US7848692B2 (en) | 2005-06-21 | 2010-12-07 | Ricoh Co., Ltd. | Neutralization unit and image forming apparatus having a neutralization unit for removing electric charge |
| JP2017088675A (ja) * | 2015-11-05 | 2017-05-25 | Dic株式会社 | ノボラック型フェノール性水酸基含有樹脂及びレジスト材料 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3424341B2 (ja) * | 1994-04-11 | 2003-07-07 | 住友化学工業株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
| US5726257A (en) * | 1994-08-30 | 1998-03-10 | Sumitomo Chemical Company, Ltd. | Esterified resorcinol-carbonyl compound condensates and epoxy resins therewith |
| JP3324898B2 (ja) * | 1995-02-24 | 2002-09-17 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジストパターンの製造方法 |
| US5707782A (en) * | 1996-03-01 | 1998-01-13 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Photoimageable, dielectric, crosslinkable copolyesters |
| TW475926B (en) * | 1996-06-06 | 2002-02-11 | Sumitomo Chemical Co | Novel ester compound and thermosetting resin composition using the same |
| CN102520580A (zh) | 2005-08-30 | 2012-06-27 | 日立化成工业株式会社 | 光阻图案的形成方法 |
| WO2014017236A1 (ja) * | 2012-07-25 | 2014-01-30 | Dic株式会社 | ラジカル硬化性化合物、ラジカル硬化性化合物の製造方法、ラジカル硬化性組成物、その硬化物、及びレジスト材料用組成物 |
| JP6070020B2 (ja) * | 2012-09-28 | 2017-02-01 | 明和化成株式会社 | ノボラック型フェノール樹脂の製造方法、ノボラック型フェノール樹脂、及びフォトレジスト組成物 |
| KR20150102132A (ko) | 2014-02-27 | 2015-09-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치용 복합 기판, 이를 갖는 표시장치 및 그 제조방법 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU781745A1 (ru) * | 1978-07-24 | 1980-11-23 | Предприятие П/Я Х-5476 | Позитивный фоторезист |
| CA1216697A (en) * | 1981-12-29 | 1987-01-13 | Peter W. Kopf | Process for producing particulate novolac resins and aqueous dispersions |
| DE3484994D1 (de) * | 1983-05-18 | 1991-10-10 | Sumitomo Chemical Co | Verfahren zur herstellung von phenol-verbindungen und -harzen. |
| EP0136110A3 (en) * | 1983-08-30 | 1986-05-28 | Mitsubishi Kasei Corporation | Positive photosensitive compositions useful as photoresists |
| US4564575A (en) * | 1984-01-30 | 1986-01-14 | International Business Machines Corporation | Tailoring of novolak and diazoquinone positive resists by acylation of novolak |
| GB8505402D0 (en) * | 1985-03-02 | 1985-04-03 | Ciba Geigy Ag | Modified phenolic resins |
| US4980264A (en) * | 1985-12-17 | 1990-12-25 | International Business Machines Corporation | Photoresist compositions of controlled dissolution rate in alkaline developers |
| EP0227487B1 (en) * | 1985-12-27 | 1992-07-15 | Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. | Positive type radiation-sensitive resin composition |
| DE3810631A1 (de) * | 1988-03-29 | 1989-10-12 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes lichtempfindliches gemisch und daraus hergestelltes aufzeichnungsmaterial mit hohem waermestand |
| US4920028A (en) * | 1988-03-31 | 1990-04-24 | Morton Thiokol, Inc. | High contrast high thermal stability positive photoresists with mixed cresol and hydroxybenzaldehyde prepared novolak and photosensitive diazoquinone |
| US4996122A (en) * | 1988-03-31 | 1991-02-26 | Morton International, Inc. | Method of forming resist pattern and thermally stable and highly resolved resist pattern |
| NO891063L (no) * | 1988-03-31 | 1989-10-02 | Thiokol Morton Inc | Novolakharpikser av blandede aldehyder og positive fotoresistmaterialer fremstilt fra slike harpikser. |
| US4997734A (en) * | 1988-08-02 | 1991-03-05 | Morton International, Inc. | Method of forming a thermally stable mixed aldehyde novolak resin containing resist pattern and that pattern on a substrate |
| US4983492A (en) * | 1988-06-06 | 1991-01-08 | Shipley Company Inc. | Positive dye photoresist compositions with 2,4-bis(phenylazo)resorcinol |
| US4943511A (en) * | 1988-08-05 | 1990-07-24 | Morton Thiokol, Inc. | High sensitivity mid and deep UV resist |
-
1990
- 1990-02-05 US US07/475,402 patent/US5182184A/en not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-01-18 CA CA002034602A patent/CA2034602A1/en not_active Abandoned
- 1991-02-01 EP EP91300848A patent/EP0441550B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-02-01 DE DE69130745T patent/DE69130745T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-02-01 SG SG1996006189A patent/SG48015A1/en unknown
- 1991-02-01 SG SG1997004401A patent/SG75819A1/en unknown
- 1991-02-01 AU AU70159/91A patent/AU624758B2/en not_active Ceased
- 1991-02-05 KR KR1019910002049A patent/KR940002547B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1991-02-05 JP JP3014334A patent/JP2504624B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-10-25 JP JP7277872A patent/JP2942484B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0990626A (ja) * | 1995-07-13 | 1997-04-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
| US7848692B2 (en) | 2005-06-21 | 2010-12-07 | Ricoh Co., Ltd. | Neutralization unit and image forming apparatus having a neutralization unit for removing electric charge |
| JP2008138128A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Ube Ind Ltd | フォトレジスト用ノボラック型フェノール樹脂およびその製造方法 |
| JP2017088675A (ja) * | 2015-11-05 | 2017-05-25 | Dic株式会社 | ノボラック型フェノール性水酸基含有樹脂及びレジスト材料 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0441550A3 (en) | 1993-01-20 |
| JPH08211601A (ja) | 1996-08-20 |
| EP0441550A2 (en) | 1991-08-14 |
| KR940002547B1 (ko) | 1994-03-25 |
| AU7015991A (en) | 1991-08-08 |
| DE69130745T2 (de) | 1999-09-16 |
| US5182184A (en) | 1993-01-26 |
| EP0441550B1 (en) | 1999-01-13 |
| JP2504624B2 (ja) | 1996-06-05 |
| DE69130745D1 (de) | 1999-02-25 |
| KR910015888A (ko) | 1991-09-30 |
| CA2034602A1 (en) | 1991-08-06 |
| AU624758B2 (en) | 1992-06-18 |
| JP2942484B2 (ja) | 1999-08-30 |
| SG75819A1 (en) | 2000-10-24 |
| SG48015A1 (en) | 1998-04-17 |
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