SU781745A1 - Позитивный фоторезист - Google Patents

Description

Изобретение относитс  к позитивным фоторезистам, которые используютс  в фотолитографических процессах при изготовлении интегргшьных схем в микроэлектронике, радиотехнике и других област х промышленности. Известен позитивный фоторезист, включающий двухзамещенный эфир 2,4,4-триоксибензофенона и 1,2-нафтохинондиазид- (2)-сульфокислоты, фенолформальдегидную смолу и растворитель диметиловый эфир диэтиленгликол  l Однако он обладает невысокой адгезией к р ду технологических подложек (фосфорсиликатное стекло, плазмохимический окисел кремни ), требуетс  специальна  тщательна  подготовка кремниевых подложек перед нанесением Кроме того технологи  его получени  сложна , стабильность фоторезистивного раствора во времени незначитель , - до 3 мес цев. Наиболее близким к предлагаемому  вл етс  позитивный фоторезист,вклю чакЛций нитровератровый альдегид, новолачную фенолформальдегидную смолу и органический растворитель, наприме диоксан Г2}. Недостатком указанного фоторезиста  вл етс  его малый коэффициент контрастности (не более 8 отн. ед.), высока  микродефектность (10 деф./см и более), а также то, что его растворы имеют большую тенденцию к осадкообразованию , т.е. нестабильны во временк . Цель изобретени  - повышение контрастности , стабильности свойств во времени и снижение микродефектности фоторезиста. Поставленна  цель достигаетс  тем, что позитивный фоторезист дополнительно содержит эфир 1,2-нафтохинондиаэид- (2)-5-сульфокислоты и 2,4,4-триоксибензофенона или зфир 1,2-нафтохинондиазид- (2)-5-сульфокислоты и йодированного дифенилпропана, или зфир 1,2-нафтохинондиазид-(2)-5-сульфокйслоты и оксибензальдегида при следующем соотношении компонентов, вес.,%: Нитровератровый альдегид7 ,5-10 Новолачна  фенолформальдегидна  смола 15-20 Эфир 1,;2-нафтохинондиазид- (2)-5-сульфокчслоты и 2,2,4-триоксибенэофенона или эфир 1,2-нафтохинондиазид- (2)-5-сульфокислоты и йодированМЬгб дйфенилпропана или эфир 1,2-нафтохинондиазид-{2 )-5-сульфо7 Кислоты и оксибенэальдегида7 ,5-10 Органический растворитель Остальное Введение в предложенный фоторезис эфира 1,2-нафтохинондиазид-(2)-5-сул фокислоты позвол ет заметно снизить тенденцию раствора фоторезиста к оса кообразованию, что способствует повы шению стабильности фоторезистивной композиции во времени. Так как молекула эфира 1,2-нафтохинондиазид-(2)-5-сульфокислоты обладает большей ги рофобностью и значительно повышает эадйтные свойства пленкообразующих компонентов, то смесь его с ортонитр бензальдегидом способствует повышени контрастности про влени  фоторезистивной пленки до 30 отн. ед, против 8 отн. ед. дл  известного фоторезист Повышение стойкости пленки фоторези та в щелочном про вителе приводит к снижению до минимума величины микро дефектности . Пример 1. Готов т состав по зитивного фоторезиста, содержащий вес.%: Эфир 1,2-нафтохинондиазид- ( 2 ) -5-сульфокислоты и йодированного дифенилпропана7 ,5 Нитровератровый альд;егид 7,5 Новолачна  фенолформальдегидна  смола15 ДИоксан70 П РИМ ё р 2. Готов т состав позитивного фоторезиста, содержащий вёс.%: Эфир 1,2-нафтохинондиазид- ( 2) -5-сульфокислоты и 2,4,4-триоксибензофенона 8,5 Нитровератровый альдегид 8,5 Новолачна  фенолформальдегидна  смола17 Диметиловый эфир диэтиленгликол 66 Примерз. Готов т состав позитивного фоторезиста, содержащий, вес.%: Эфир 1,2-нафтохинондиаэид (2)-5-сульфокислоты и оксибенз альдегида10 Нитровератровый альдегид 10 Новолачна  фенолформальдегидна  смола 20 Монометиловый эфир ацетатзтиленгликол 60 П р и м е р 4. Готов т позитивный фоторезист по известному составу, содержащий ,вес.%: Нитровератровый альдегид 15 Новолачна  фенолфсрмальдегидна  смола 15 Диоксан70 Позитивные фоторезисты по примерам 1-4 готов т растворением фенолформальдегидной смолы новолачного типа и светочувствительных составл ющих в органическом растворителе с последующей фильтрацией раствора через фильтр с размфом пор 0,5 мкм. Раствор нанос т методом центрифугировани  на технологическую подложку (окисел кремни ). После сушки на воздухе в течение 20 мин, термообработки при 90-5°С в течение 20 мин, слой фоторезиста облучают УФ-светом через фотошаблон с последующим про влением изображени  0,4%-ным водным раствором едкого кали  в течение 40 с. Полученный защитный рельеф с размером элементов до 1 мкм после термообработки при 140°С используют дл  создани  микросхем . Свойства составов фоторезистов по примерам 1-3 сведены в таблицу.

Claims (2)

1. Из таблицы видно, что фоторезисты, приготовленные по примерам 1-3, обладают минимальным уходом размеров элементов изображени  после травлени , считающегос  косвенной оценкой адгезии фоторезиста. Использование предлагаемого позитивного фоторезиста обеспечивает по сравнению с известным высокую адгезию к материалу подложки без специальных методов подготовки кремниевых пластин , лучшую растворимость светочувствительных составл ющих, обеспечивающую повышенную стабильность фоторезистивного раствора во времени, а также достаточный контраст про влени , позвол кщий использование предлагаемого фоторезиста в фотолитографических процессах. Кроме того он обладает низкой никродефектностью. Формула изобретени  Позитивный фоторезист, включающий нитровератровый альдегид, новолачную фенолформальдегидную смолу и органический растворитель, отличаю- 20 щ и и с   тем, что, с целью повышени  контрастности, стабильности свойств во времени и снижени  микродефектности , он дополнительно содержит эфир 1,2-нафтохинондиазид-(2)-5- 25 сульфокислоты и 2,4,4-триоксибензофенона или эфир 1,2-нафтохинондиазид- (2)-5-сульфокислоты и йодированного д н б н пр № 19 № 19 фенилпропана, или эфир 1,2-нафтохиндиазид- (2)-5-сульфокислоты и оксйнзальдегида при следующем соотношеи компонентов, вес.%: Нитровератровый альде .гид7,5-10 Новолачна  фенолформальдегидна  смола 15-20 Эфир 1,2-нафтохинондиазид- (2) -5.-сульфокислоты и 2,4,4-триоксибензофенона или эфир 1,2-нафтохинондиазид- (2)-5-сульфокислоты и йодированного дифенилпропана, или эфир 1,2-нафтохинондиазид- (2)-5-сульфокислоты и оксибензальдегида 7,5-10 Органический растворительОстальное Источники информации, ин тые во внимание при экспертизе 1.Авторское свидетельство СССР 530568, кл, G 03 С 1/68, опублик. 78.
2. 2.Авторское свидетельство СССР 357547, кл. G 03 F 7/08, опублик. 72 (прототип).