JPH053194A - パターンの作製方法 - Google Patents
パターンの作製方法Info
- Publication number
- JPH053194A JPH053194A JP15434991A JP15434991A JPH053194A JP H053194 A JPH053194 A JP H053194A JP 15434991 A JP15434991 A JP 15434991A JP 15434991 A JP15434991 A JP 15434991A JP H053194 A JPH053194 A JP H053194A
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- Japan
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- wiring
- layer
- layers
- insulating film
- nth
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- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】イオン照射で絶縁膜層２，７，１０と配線層
２，８のミキシング領域１１を作製する。ミキシング領
域１は絶縁体となる。局所的にミキシング領域１１を作
製することにより、配線パターンが作成できる。ミキシ
ングによる膜厚の変化がないので、断差構造を持たない
平坦な配線層２，８になる。上下の配線層を接続する場
合、絶縁体層２，７，１０にあけた孔に、孔をあけたと
きに用いたフォトレジストを用いて配線用金属５，９を
挿入し、孔による断差を小さくなる。 【効果】配線各層の下地を平坦化できるので、断差によ
る配線の切断が無くなり良被覆性配線をすることができ
る。よって、配線の信頼性向上及び配線の多層化を促進
することができる。
２，８のミキシング領域１１を作製する。ミキシング領
域１は絶縁体となる。局所的にミキシング領域１１を作
製することにより、配線パターンが作成できる。ミキシ
ングによる膜厚の変化がないので、断差構造を持たない
平坦な配線層２，８になる。上下の配線層を接続する場
合、絶縁体層２，７，１０にあけた孔に、孔をあけたと
きに用いたフォトレジストを用いて配線用金属５，９を
挿入し、孔による断差を小さくなる。 【効果】配線各層の下地を平坦化できるので、断差によ
る配線の切断が無くなり良被覆性配線をすることができ
る。よって、配線の信頼性向上及び配線の多層化を促進
することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩ，ＩＣにおける
より一層の高集積化を進めるうえで配線の多層化及び微
細化に伴う急峻な断差を無くすための製造方法に関す
る。
より一層の高集積化を進めるうえで配線の多層化及び微
細化に伴う急峻な断差を無くすための製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来技術は、第Ｎ層配線を形成後、その
上に絶縁膜（ＳｉＯ2 ）を設け、さらにその上に配線用
金属を蒸着し第Ｎ＋１配線層を設置していた。第Ｎ配線
層配線と第Ｎ＋１配線層配線を接続する場合は、第Ｎ配
線層上の絶縁膜に局所的エッチングで孔を空け、電極用
金属を蒸着し、第Ｎ＋１配線層を設置している。
上に絶縁膜（ＳｉＯ2 ）を設け、さらにその上に配線用
金属を蒸着し第Ｎ＋１配線層を設置していた。第Ｎ配線
層配線と第Ｎ＋１配線層配線を接続する場合は、第Ｎ配
線層上の絶縁膜に局所的エッチングで孔を空け、電極用
金属を蒸着し、第Ｎ＋１配線層を設置している。
【０００３】（集積回路工学（Ｉ）プロセス・デバイス
技術編，柳井久義，永田穣共著，半導体技術下，庄野克
房著）
技術編，柳井久義，永田穣共著，半導体技術下，庄野克
房著）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、図
２に示すように配線下地５の平坦化について考慮がされ
ておらず、配線８を多層化をする場合、断差が生じ、配
線の被覆性が悪くなるという問題があった。
２に示すように配線下地５の平坦化について考慮がされ
ておらず、配線８を多層化をする場合、断差が生じ、配
線の被覆性が悪くなるという問題があった。
【０００５】本発明の目的は、配線の断差被覆性のレベ
ルは下地の平坦化度合いによって決まるものであるか
ら、下地の平坦化を図り、また、必然的に断差が生じる
場合は断差を小さくするように図り配線の信頼性向上及
び、多層化を促進させることにある。
ルは下地の平坦化度合いによって決まるものであるか
ら、下地の平坦化を図り、また、必然的に断差が生じる
場合は断差を小さくするように図り配線の信頼性向上及
び、多層化を促進させることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に（１）第Ｎ層配線上に絶縁膜を全面蒸着する。(２)フ
ォトレジスト等を用いて、局所エッチングし電極位置に
孔を空ける。（３）孔の部分に孔を埋めるように配線用
金属を蒸着する。（４）第Ｎ＋１層配線用金属を全面蒸
着する。（５）第Ｎ＋１層配線用金属の上に絶縁膜を全
面蒸着する。（６）蒸着面上から局所的にイオン照射
し、照射領域（第Ｎ＋１層配線用金属）を絶縁体領域に
変え、配線パターンを作成する手法で、第Ｎ層配線上の
第Ｎ＋１層配線の平坦化を図り、また、孔を空けた部分
の断差を小さくしたものである（Ｎ：自然数）。
に（１）第Ｎ層配線上に絶縁膜を全面蒸着する。(２)フ
ォトレジスト等を用いて、局所エッチングし電極位置に
孔を空ける。（３）孔の部分に孔を埋めるように配線用
金属を蒸着する。（４）第Ｎ＋１層配線用金属を全面蒸
着する。（５）第Ｎ＋１層配線用金属の上に絶縁膜を全
面蒸着する。（６）蒸着面上から局所的にイオン照射
し、照射領域（第Ｎ＋１層配線用金属）を絶縁体領域に
変え、配線パターンを作成する手法で、第Ｎ層配線上の
第Ｎ＋１層配線の平坦化を図り、また、孔を空けた部分
の断差を小さくしたものである（Ｎ：自然数）。
【０００７】
【作用】第Ｎ配線層の配線用金属は全面均一蒸着され、
第Ｎ配線層は平坦になる。第Ｎ配線層上の第Ｎ絶縁膜層
も全面均一蒸着され平坦となる。同様に第Ｎ＋１配線
層、及び第Ｎ＋１絶縁層も平坦となる。第Ｎ配線層の配
線パターンを作成する場合、第Ｎ＋１絶縁層を設置後、
局所的イオン照射により第Ｎ配線層の配線用金属と第Ｎ
−１，Ｎ絶縁層がミキシングされ、照射領域の配線用金
属が局所的に絶縁体になり、配線パターンが作成でき
る。第Ｎ＋１配線層の配線パターンを作成する場合も第
Ｎ配線層の場合と同様に、第Ｎ＋１層の配線用金属と第
Ｎ，Ｎ＋１絶縁層をミキシングする。照射によるスパッ
タリングの効果は無視できる程小さいため、配線パター
ン作成による断差は生じない。
第Ｎ配線層は平坦になる。第Ｎ配線層上の第Ｎ絶縁膜層
も全面均一蒸着され平坦となる。同様に第Ｎ＋１配線
層、及び第Ｎ＋１絶縁層も平坦となる。第Ｎ配線層の配
線パターンを作成する場合、第Ｎ＋１絶縁層を設置後、
局所的イオン照射により第Ｎ配線層の配線用金属と第Ｎ
−１，Ｎ絶縁層がミキシングされ、照射領域の配線用金
属が局所的に絶縁体になり、配線パターンが作成でき
る。第Ｎ＋１配線層の配線パターンを作成する場合も第
Ｎ配線層の場合と同様に、第Ｎ＋１層の配線用金属と第
Ｎ，Ｎ＋１絶縁層をミキシングする。照射によるスパッ
タリングの効果は無視できる程小さいため、配線パター
ン作成による断差は生じない。
【０００８】第Ｎ配線層の配線と第Ｎ＋１配線層の配線
を接続する場合、第Ｎ絶縁層に孔をあけ、その部分に配
線用金属を蒸着する。その上に配線用金属層（第Ｎ＋１
配線層）蒸着により設置する。孔をあけた直上の第Ｎ＋
１配線層及び第Ｎ＋１絶縁層の微小の断差を生じる。こ
の断差を取り除くことはできないが、その断差の直上
に、再び、孔をあけなければ、多層膜を生成することに
より断差が小さくなる。再び、孔上に孔をあける必要が
ある場合は、何層か蒸着を繰り返した後に孔をあける。
上記手法は、配線層の断差が無くなるように作用する。
を接続する場合、第Ｎ絶縁層に孔をあけ、その部分に配
線用金属を蒸着する。その上に配線用金属層（第Ｎ＋１
配線層）蒸着により設置する。孔をあけた直上の第Ｎ＋
１配線層及び第Ｎ＋１絶縁層の微小の断差を生じる。こ
の断差を取り除くことはできないが、その断差の直上
に、再び、孔をあけなければ、多層膜を生成することに
より断差が小さくなる。再び、孔上に孔をあける必要が
ある場合は、何層か蒸着を繰り返した後に孔をあける。
上記手法は、配線層の断差が無くなるように作用する。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１により説明す
る。まず、基板Ｓｉ１全面に第一絶縁体膜層（ＳｉＯ2)
２を膜厚１μｍで蒸着する。蒸着はスパッタリング法を
用いる。フォトレジストを用いて局所的エッチングを行
ないＮ型Ｓｉ３及びＰ型Ｓｉ４上の第一絶縁層膜（Ｓｉ
Ｏ2)２の部分に孔をあける。フォトレジストは取り付け
たまま、孔の部分を埋めるように配線用金属（Ａｌ）５
を約１μｍ蒸着する。Ａｌ５とＳｉ３，４のオーム接触
を得る球めに熱処理を行なう。熱処理後、第一配線層
（Ａｌ）６を膜厚０.５μｍ で全面蒸着する。蒸着はス
パッタリング法を用いる。更に、その上より第二絶縁膜
層（ＳｉＯ2)７を０.２μｍ 全面蒸着する。この場合も
蒸着はスパッタリング法を用いる。Ｎ型Ｓｉ３とＰ型Ｓ
ｉ４からの配線が絶縁されるように、局所的にイオン照
射しミキシング領域１１を作製する。イオン種は絶縁膜
の自己イオンＳｉを用いる。イオンを局所的に照射をす
る手段として、収束イオンビーム及び、フォトレジスト
等のイオンビーム遮蔽治具を用いる。
る。まず、基板Ｓｉ１全面に第一絶縁体膜層（ＳｉＯ2)
２を膜厚１μｍで蒸着する。蒸着はスパッタリング法を
用いる。フォトレジストを用いて局所的エッチングを行
ないＮ型Ｓｉ３及びＰ型Ｓｉ４上の第一絶縁層膜（Ｓｉ
Ｏ2)２の部分に孔をあける。フォトレジストは取り付け
たまま、孔の部分を埋めるように配線用金属（Ａｌ）５
を約１μｍ蒸着する。Ａｌ５とＳｉ３，４のオーム接触
を得る球めに熱処理を行なう。熱処理後、第一配線層
（Ａｌ）６を膜厚０.５μｍ で全面蒸着する。蒸着はス
パッタリング法を用いる。更に、その上より第二絶縁膜
層（ＳｉＯ2)７を０.２μｍ 全面蒸着する。この場合も
蒸着はスパッタリング法を用いる。Ｎ型Ｓｉ３とＰ型Ｓ
ｉ４からの配線が絶縁されるように、局所的にイオン照
射しミキシング領域１１を作製する。イオン種は絶縁膜
の自己イオンＳｉを用いる。イオンを局所的に照射をす
る手段として、収束イオンビーム及び、フォトレジスト
等のイオンビーム遮蔽治具を用いる。
【００１０】配線パターン作成後、更に、絶縁膜（Ｓｉ
Ｏ2)を０.８μｍ 全面蒸着する。この蒸着により第二絶
縁膜層７の膜厚は１μｍとなる。フォトレジストを用い
て第二配線層８と第一配線層６を接続させる部分に、局
所的エッチングを行ない第二絶縁膜層（ＳｉＯ2)７部分
に孔をあける。フォトレジストは取り付けたまま、孔の
部分を埋めるように配線用金属（Ａｌ）９を約１μｍ蒸
着する。孔をあける場所は、第一絶縁膜２に孔をあけた
部分の直上をさける。その上に、第二配線層８を設置す
る。更に、第三絶縁膜層（ＳｉＯ2)１０を０.２μｍ 全
面蒸着する。配線パターンを作成するために局所的にイ
オン照射しミキシング領域１１を作製する。配線パター
ン作成後、更に、絶縁膜（ＳｉＯ2)を０.８μｍ 全面蒸
着する。この蒸着により第三絶縁膜層１０の膜厚は１μ
ｍとなる。以後、多層化の必要がある限り、上記手法を
繰り返す。最終的には第Ｎ配線層１２の上に第Ｎ＋１絶
縁膜層１３を蒸着し、第Ｎ配線層１２が酸化されないよ
うにする。
Ｏ2)を０.８μｍ 全面蒸着する。この蒸着により第二絶
縁膜層７の膜厚は１μｍとなる。フォトレジストを用い
て第二配線層８と第一配線層６を接続させる部分に、局
所的エッチングを行ない第二絶縁膜層（ＳｉＯ2)７部分
に孔をあける。フォトレジストは取り付けたまま、孔の
部分を埋めるように配線用金属（Ａｌ）９を約１μｍ蒸
着する。孔をあける場所は、第一絶縁膜２に孔をあけた
部分の直上をさける。その上に、第二配線層８を設置す
る。更に、第三絶縁膜層（ＳｉＯ2)１０を０.２μｍ 全
面蒸着する。配線パターンを作成するために局所的にイ
オン照射しミキシング領域１１を作製する。配線パター
ン作成後、更に、絶縁膜（ＳｉＯ2)を０.８μｍ 全面蒸
着する。この蒸着により第三絶縁膜層１０の膜厚は１μ
ｍとなる。以後、多層化の必要がある限り、上記手法を
繰り返す。最終的には第Ｎ配線層１２の上に第Ｎ＋１絶
縁膜層１３を蒸着し、第Ｎ配線層１２が酸化されないよ
うにする。
【００１１】
【発明の効果】本発明は、配線下地の平坦が図れ、ま
た、必然的に断差が生じる場合は、断差を小さくするよ
うにする効果がある。
た、必然的に断差が生じる場合は、断差を小さくするよ
うにする効果がある。
【図１】配線下地の平坦化、及び断差を小さくするため
に用いた手法の一実施例の断面図。
に用いた手法の一実施例の断面図。
【図２】従来技術で多層膜配線を行なった場合生じる断
差の説明図。
差の説明図。
１…Ｓｉ基板、２…第一絶縁体膜層(ＳｉＯ2）、３…Ｎ
型Ｓｉ、４…Ｐ型Ｓｉ、５…配線用金属(Ａｌ)、６…第
一配線層(Ａｌ)、７…第二絶縁膜層(ＳｉＯ2)、８…第
二配線層、９…配線用金属（Ａｌ）、１０…第三絶縁膜
層(ＳｉＯ2）、１１…ミキシング領域、１２…第Ｎ配線
層、１３…第Ｎ＋１絶縁膜層。
型Ｓｉ、４…Ｐ型Ｓｉ、５…配線用金属(Ａｌ)、６…第
一配線層(Ａｌ)、７…第二絶縁膜層(ＳｉＯ2)、８…第
二配線層、９…配線用金属（Ａｌ）、１０…第三絶縁膜
層(ＳｉＯ2）、１１…ミキシング領域、１２…第Ｎ配線
層、１３…第Ｎ＋１絶縁膜層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 磯辺 裕介 茨城県日立市森山町1168番地 株式会社日 立製作所エネルギー研究所内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】イオンビームミキシング法を用いて絶縁体
と金属をミキシングし絶縁体を作製することを特徴とす
る配線パターンの作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15434991A JPH053194A (ja) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | パターンの作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15434991A JPH053194A (ja) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | パターンの作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH053194A true JPH053194A (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=15582224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15434991A Pending JPH053194A (ja) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | パターンの作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH053194A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8168557B2 (en) | 2004-01-20 | 2012-05-01 | Shell Oil Company | Method of restoring catalytic activity to a spent hydrotreating catalyst, the resulting restored catalyst, and a method of hydroprocessing |
-
1991
- 1991-06-26 JP JP15434991A patent/JPH053194A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8168557B2 (en) | 2004-01-20 | 2012-05-01 | Shell Oil Company | Method of restoring catalytic activity to a spent hydrotreating catalyst, the resulting restored catalyst, and a method of hydroprocessing |
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