JPH05315707A

JPH05315707A - レーザ・ダイオード・モジュール

Info

Publication number: JPH05315707A
Application number: JP4112899A
Authority: JP
Inventors: Hironori Kusunoki; 浩典楠
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1992-05-01
Filing date: 1992-05-01
Publication date: 1993-11-26

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】レーザ・ダイオード・モジュールにおけるレ
ーザ・ダイオード・チップの高精度温度検出。【構成】Ｖ₅₀Ｒｕ₅₀合金からなる薄膜温度センサ３を
レーザ・ダイオード・チップ２の表面に設け、レーザ・
ダイオード・チップの高精度温度測定を可能とする。そ
して、この温度測定情報に基づいて電子冷却素子５を制
御し、レーザ・ダイオードの接合温度の一定化を図り、
レーザ光の出力安定化を達成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はレーザ・ダイオード・モ
ジュール、特にレーザ・ダイオード・チップの温度測定
が高精度に行なえるレーザ・ダイオード・モジュールに
関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、レーザ・ダイオード（半導体レー
ザ）・チップを組み込んだパッケージにおいて、パッケ
ージ内にサーミスタのような温度センサを設置してい
る。この温度センサは温度センサ取付部分の温度を検出
することによってレーザ・ダイオードの接合温度を間接
的に測定する。前記温度検出情報はパッケージ内に設置
されている電子冷却素子（ペルチェ素子）の動作制御情
報として使用され、レーザ・ダイオードの接合温度を一
定に保つように制御される。このような温度制御によっ
て、レーザ・ダイオードの安定動作が可能となる。電子
冷却素子，温度センサを内蔵したレーザ・ダイオード・
モジュールについては、日本電気文化センター発行「Ｎ
ＥＣ技報」１９８５年２月号、Ｐ８４〜Ｐ８９に記載さ
れている。この文献には、光通信用ＤＩＰ型ＬＤモジュ
ールについて記載され、「クーラーの上面にはセラミッ
ク基板が融着されており，さらにその上にはＬＤ，ＰＤ
のチップオンキャリアおよびチップサーミスタがマウン
トされています」なる旨記載されている。

【０００３】一方、Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｆ：Ｍｅｔ．Ｐｈｙ
ｓ．，１２（１９８２）２９５９〜２９６４には、バナ
ジウム−タンタル−ルテニュウム（Ｖ−Ｔａ−Ｒｕ），
Ｖ−Ｒｕ）系合金における抵抗−温度特性について記載
されている。この文献には、前記Ｖ−Ｒｕ，Ｖ−Ｔａ−
Ｒｕ系合金が一定の温度域で抵抗が急峻に変化する旨記
載されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】前記のようなレーザ・
ダイオード・モジュールにおいては、特性安定化のため
にレーザ・ダイオード・チップの温度を間接的に検出し
ている。レーザ・ダイオード・チップは、一辺が数百μ
ｍとなる矩形体であることから、そのままでは取り扱い
難いためサブマウントと呼称される支持体上に固定さ
れ、その後所定の支持体に固定されることになる。従
来、温度検出用のチップサーミスタは前記サブマウント
が固定される他の支持体やさらにはこの他の支持体が取
り付けられる支持体に取り付けられるため、チップサー
ミスタとレーザ・ダイオード・チップとの間に数個の物
品が介在することになり、正確な温度測定ができ難い。

【０００５】一方、温度測定に使用されるサーミスタ
は、マンガン，コバルト，ニッケル等による酸化物焼結
体であり、必ずしも安定した組成とはいえず、サーミス
タを鑞付けによって固定する等の組立プロセスを考慮す
ると、組立時の温度によってサーミスタが信頼度的に不
安定となるおそれがある。

【０００６】本発明の目的は、レーザ・ダイオードの接
合温度を一定に保つため、レーザ・ダイオード・チップ
の温度を正確に測定する技術を提供することにある。

【０００７】本発明の他の目的は、信頼性の高い温度セ
ンサを提供することにある。本発明の前記ならびにその
ほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付
図面からあきらかになるであろう。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。本発明のレーザ・ダイオード・モジ
ュールにあっては、レーザ・ダイオード・チップの表面
に、蒸着，スパッタリング法等によってＶ_50+XＲｕ_50-X
なる構成の合金薄膜からなる温度センサが形成されてい
る。この温度センサによってレーザ・ダイオード・チッ
プの温度が検出され、この検出情報によってレーザ・ダ
イオード・チップを冷却する電子冷却素子が制御され
る。前記Ｘは０となり、２１０Ｋ〜３２０Ｋでは抵抗率
が負の急峻な変化として現れるため、この温度範囲では
高精度な測定が可能となる。

【０００９】本発明の他の構成としては、前記の温度セ
ンサがレーザ・ダイオード・チップが固定される支持体
の表面に設けられてなるものである。

【００１０】

【作用】上記した手段によれば、本発明のレーザ・ダイ
オード・モジュールは温度センサがレーザ・ダイオード
・チップの表面に設けられていることから、レーザ・ダ
イオード・チップの温度を正確に測定することができ
る。この結果、レーザ・ダイオードの接合温度を従来に
も増して正確に知ることができるため、レーザ・ダイオ
ード・チップを冷却する電子冷却素子の駆動制御が高精
度となり、レーザ・ダイオードの接合温度の安定化によ
る安定したレーザ光発振が可能となる。また、前記温度
センサは薄膜合金によって形成されていることから、信
頼性が高く、レーザ・ダイオード・チップの支持体への
固定時に温度による劣化等を引き起こすこともない。

【００１１】本発明の他の構成による構造、すなわち、
レーザ・ダイオード・チップを固定した支持体に薄膜合
金による温度センサを形成した構造も、従来に比較して
レーザ・ダイオード・チップの正確な温度測定が可能と
なる。また、支持体には蒸着，スパッタリング法等によ
って直接温度センサが設けられていることから、温度セ
ンサと支持体との密着性も高く正確な温度測定が可能と
なる。

【００１２】

【実施例】以下図面を参照して本発明の一実施例につい
て説明する。図１は本発明の一実施例によるレーザ・ダ
イオード・チップの概要を示す斜視図、図２は同じくレ
ーザ・ダイオード・チップに組み込まれた温度センサの
温度特性を示すグラフ、図３は同じくレーザ・ダイオー
ド・モジュールの要部を示す断面図、図４は同じくレー
ザ・ダイオード・モジュールの要部を示す平面図、図５
は同じくレーザ・ダイオード・モジュールの要部を示す
斜視図、図６は同じくレーザ・ダイオード・モジュール
における概念的な回路図である。

【００１３】本発明のレーザ・ダイオード・モジュール
１は、図３および図４に示されるような構造となってい
る。そして、このレーザ・ダイオード・モジュール１に
は、図１に示されるようなレーザ・ダイオード・チップ
２が組み込まれている。この実施例において特徴的なこ
とは、前記レーザ・ダイオード・チップ２の表面に温度
センサ３が直接設けられていることである。レーザ・ダ
イオード・チップ２は、特に限定はされないが、この実
施例では埋め込みヘテロ構造（ＢＨ）となっている。す
なわち、レーザ・ダイオード・チップ２は、Ｎ型ＩｎＰ
基板１０上にＮ型ＩｎＰからなるクラッド層１１，Ｉｎ
ＧａＡｓＰからなる活性層１２，Ｐ型ＩｎＰからなるク
ラッド層１３，Ｎ型ＩｎＰからなるキャップ層１４を液
相エピタキシャル成長によって形成した後、前記活性層
１２の両側を化学エッチングにより除去し、この除去部
分にＰ型ＩｎＰよりなる第１埋込層１５，Ｎ型ＩｎＰよ
りなる第２埋込層１６を液相エピタキシャル成長により
形成した構造となっている。また、前記第２埋込層１６
の表面は絶縁膜１７で被われている。また、前記キャッ
プ層１４の表層部は電流狭窄のためのＰ⁺拡散層１８と
なっている。このＰ⁺拡散層１８上にはアノード電極１
９が設けられている。さらに、前記Ｎ型ＩｎＰ基板１０
の表面にはカソード電極２０が設けられている。前記活
性層１２は、一点鎖線で示されるように共振器２１を構
成している。この共振器２１の端面からレーザ光が発光
される。このレーザ・ダイオード・チップ２は、その厚
さが１００μｍ程度であり、縦横は３００〜４００μｍ
程度である。

【００１４】温度センサ３は、前記レーザ・ダイオード
・チップ２の表面、すなわち前記絶縁膜１７の上に形成
されている。この温度センサ３は、Ｖ_50+XＲｕ_50-Xから
なる数μｍ〜数十μｍの厚さの薄膜合金によって形成さ
れている。温度センサ３は電流端子２５，２６また電圧
端子２７，２８がパターン化されており、その端子に図
示しないＡｕ線等を結線し、温度センサ３の抵抗を四端
子法にて測定できるようになっている。測定端子は２端
子でも良い。すなわち、一つの端子で結線端子と測定端
子を兼ねれば、温度センサ３は２端子構造でも良い。図
２はＪ．Ｐｈｙｓ．Ｆ：Ｍｅｔ．Ｐｈｙｓ．，１２（１
９８２）２９５９〜２９６４における３図を示す。Ｖ
_50+XＲｕ_50-X（０≦Ｘ≦４）の薄膜合金の抵抗率ρ
（Ｔ）／ρ（５００Ｋ）と温度との相関を示す。なお、
抵抗率は５００Ｋにおける抵抗率にて正規化した値ρ
（Ｔ）／ρ（５００Ｋ）である。Ｖ_50+XＲｕ_50-X合金
は、温度を０Ｋより上昇させていくと、ある温度より負
の温度係数を示し、抵抗率は低下し、ある温度からは正
の温度係数を示し、抵抗率が上昇する。負の温度係数を
示す温度領域は、Ｖ_50+XＲｕ_50-X合金の組成Ｘ（０≦Ｘ
≦４）を変えることにより、所望範囲に移動できる。そ
こで、半導体レーザの動作温度範囲に適応するように組
成Ｘを選択すれば、大きな負の温度係数を示す抵抗体と
なり、温度センサとしての機能を発揮させることが可能
となる。この実施例では、Ｘが０の場合、ρ（Ｔ）／ρ
（５００Ｋ）が２１０Ｋ〜３２０Ｋで急峻に変化するこ
とから、前記温度センサ３はＶ₅₀Ｒｕ₅₀の薄膜合金を使
用する。また、この温度センサ３は蒸着やスパッタリン
グ法によって再現性よく形成される。この実施例では温
度センサ３をレーザ・ダイオード・チップ２とモノリシ
ックに形成していることから、レーザ・ダイオード・チ
ップ２の温度測定が精密に行なえる。

【００１５】前記レーザ・ダイオード・チップ２は、図
５に示されるように、サブキャリア４に取り付けられ、
レーザ・ダイオード・モジュール１に組み込まれる。つ
ぎに、レーザ・ダイオード・モジュール１について説明
する。本発明のレーザ・ダイオード・モジュール１は、
図３および図４に示されるように、そのパッケージ３０
が箱型となるとともに、このパッケージ３０の一端にパ
ッケージ３０を取り付けるための取付孔３１を設けたフ
ランジ３２を有し、かつ他端にファイバガイド３３を有
して光ファイバケーブル３４を案内する構造となってい
る。このレーザ・ダイオード・モジュール１は、前記パ
ッケージ３０の底から２列に亘ってリード３５を突出さ
せ、デュアルインライン構造を構成している。前記パッ
ケージ３０は、一端にフランジ３２を有しかつ上部が開
口した箱型のパッケージ本体３６と、このパッケージ本
体３６の開口部を気密的に被うパッケージ蓋３７とから
なっていて、いずれも鉄−ニッケル−コバール（Ｆｅ−
Ｎｉ−Ｃｏ）合金からなるコバールによって形成されて
いる。

【００１６】前記パッケージ本体３６の底内面には電子
冷却素子５が固定され、この電子冷却素子５上にはサブ
キャリア４が固定されている。このサブキャリア４は、
図５に示すように、搭載部３９および支持部４０なる突
部を主面に有するヒートシンク４１を台座部材とし、こ
のヒートシンク４１上に、レーザ・ダイオード・チップ
２，このレーザ・ダイオード・チップ２から発光される
レーザ光を先端（内端）から取り込む光ファイバ４２を
案内する筒状の位置決め固定体４５，前記レーザ光をモ
ニターする受光素子４６がそれぞれ固定されている。そ
して、前記光ファイバケーブル３４のパッケージ３０内
における部分は、ジャケットが除去されてコアとこのコ
アを被うクラッドからなる光ファイバ４２となり、かつ
前記位置決め固定体４５に案内されてその先端を前記レ
ーザ・ダイオード・チップ２の一方の出射面に対面させ
ている。

【００１７】また、前記サブキャリア４は、矩形板状の
ヒートシンク４１の主面に搭載部３９および支持部４０
を有しているが、これら搭載部３９および支持部４０は
凸状となっている。搭載部３９はヒートシンク４１の主
面の中央領域を横切るように配設されるとともに、支持
部４０は一端側に設けられかつ前記搭載部３９に平行に
延在している。また、これら搭載部３９および支持部４
０はヒートシンク４１の中心線に対して傾斜した傾斜軸
に直交する方向に延在している。また、前記支持部４０
には筒状の位置決め固定体４５が貫通固定されている。
この位置決め固定体４５は、光ファイバ４２を案内する
ガイド管となるとともに、光ファイバ４２の先端位置を
調整できる調整可能な管となっている。このため、位置
決め固定体４５は塑性変形し易い材料で形成されるとと
もに、支持部４０に挿嵌される細い変形可能な調整管４
７と、支持部４０の外側壁に段付面が当接する太径のガ
イド管４８とからなっている。また、ガイド管４８の外
端の孔部分はテーパ状となり、光ファイバ４２が挿入し
易いようになっている。また、位置決め固定体４５の内
径は光ファイバ４２の直径の１２５μｍよりも僅かに太
い径となっている。光ファイバ４２は調整管４７にフラ
ックスレスの半田で固定されている。

【００１８】また、前記位置決め固定体４５の先端、す
なわち、調整管４７の先端延長線上の搭載部３９上に
は、サブマウント５０が固定されている。サブマウント
５０は、熱伝導度が高くかつ熱膨張係数αがＳｉや化合
物半導体に近似した絶縁性のＳｉＣ（α：３．７×１０
^-6）で構成されている。このサブマウント５０の主面に
は、図示しない導電性のメタライズ層が設けられ、かつ
このメタライズ層上には、それぞれＡｕ−Ｓｎ共晶層等
を介してレーザ・ダイオード・チップ２が固定されてい
る。レーザ・ダイオード・チップ２の下部電極はメタラ
イズ層に固定される図示しないワイヤと電気的に接続さ
れて所定のリード３５に接続される。また、レーザ・ダ
イオード・チップ２の上部電極は、所定のリード３５と
の間に張られるワイヤで電気的に接続される。なお、前
記レーザ・ダイオード・チップ２は、サブマウント５０
に搭載された状態で搭載部３９上に固定される。ところ
で、前記レーザ・ダイオード・チップ２をサブマウント
５０に固定する際、その熱で前記温度センサ３が変質等
損傷することはない。すなわち、温度センサ３はＶとＲ
ｕによる薄膜合金によって形成されていることから、合
金故にレーザ・ダイオード・チップ２の固定プロセスで
生じる熱で特性に影響を受けることはない。

【００１９】一方、前記レーザ・ダイオード・チップ２
がヒートシンク４１の中心線から外れ、かつ光ファイバ
４２を案内する位置決め固定体４５が中心線から外れて
いることから、ファイバガイド３３の延長線上には位置
決め固定体４５は位置しなくなる。この結果、ファイバ
ガイド３３から位置決め固定体４５に亘って延在する光
ファイバ４２は曲線を描いて延在し、伸縮に対応できる
ようになっている。

【００２０】他方、前記ヒートシンク４１の主面には受
光素子４６を取り付けたチップキャリア５１がＡｕ−Ｓ
ｎ共晶層を介して固定されている。前記チップキャリア
５１はセラミックのブロックからなるとともに、その一
側面（主面）および上面に亘って素子固定用メタライズ
層５２およびワイヤ固定用メタライズ層５３がそれぞれ
設けられている。受光素子４６は前記素子固定用メタラ
イズ層５２上にＡｕ−Ｓｎ共晶層を介して固定されてい
る。また、この受光素子４６の上面の電極と、前記ワイ
ヤ固定用メタライズ層５３とはワイヤ５４で電気的に接
続されている。なお、前記チップキャリア５１はチップ
キャリア５１の矩形の一辺がヒートシンク４１の一辺と
一致するようにヒートシンク４１に固定されるため、受
光素子４６の受光面は、図示しないレーザ光に対して垂
直とはならず傾斜する。このため、受光素子４６の受光
面での反射光がレーザ・ダイオード・チップ２の出射面
に戻らなくなり、戻り光による雑音の発生は防げる。

【００２１】レーザ・ダイオード・モジュール１におけ
る各素子の結線状態は、図６に示されるようになってい
る。すなわち、この図は模式図であり、図の上辺および
下辺に沿って並ぶ丸列がリード３５である。それぞれの
リード３５間に配列される素子において、２はレーザ・
ダイオード・チップ、４６は受光素子、３は温度セン
サ、５は電子冷却素子である。各素子とリードとの間は
金線を始めとするワイヤで接続される。なお、温度セン
サ３のワイヤ結線プロセスは、レーザ・ダイオード・チ
ップ２のワイヤ結線プロセスと同時に行うことができ、
組立てプロセスの合理化も図れる。

【００２２】このようなレーザ・ダイオード・モジュー
ル１は、前記レーザ・ダイオード・チップ２からレーザ
光を発光させ、この発光させたレーザ光を光ファイバケ
ーブル３４によって所望個所に伝送することによって光
通信を行う。この際、前記温度センサ３によってレーザ
・ダイオード・チップ２の温度を測定し、この測定情報
に基づいて電子冷却素子５を制御してレーザ・ダイオー
ド・チップ２の温度の一定化、すなわち、レーザ・ダイ
オードの接合温度の一定化を図り、レーザ光出力の変動
化を阻止する。なお、前記温度センサ３はレーザ・ダイ
オード・チップ２の表面に直接的（モノリシック）に設
けられていることから、精密な温度測定が可能となり、
レーザ・ダイオードの接合温度の一定化が高精度に行な
えることになる。また、前記レーザ・ダイオード・モジ
ュール１は受光素子４６でレーザ光をモニターし、この
情報に基づいてレーザ光の出力を制御する。

【００２３】

【発明の効果】（１）本発明のレーザ・ダイオード・モ
ジュールは、レーザ・ダイオード・チップをレーザ・ダ
イオード・チップの表面に設けられた温度センサによっ
て温度測定することから、従来に比較して精密（正確）
な温度測定が行えるという効果が得られる。

【００２４】（２）本発明のレーザ・ダイオード・モジ
ュールに組み込まれた温度センサは、２１０Ｋ〜３２０
Ｋで抵抗率が負の急峻な変化として現れるＶ₅₀Ｒｕ₅₀か
らなる薄膜合金で形成されていることから、高精度な温
度検出が行えるという効果が得られる。

【００２５】（３）本発明のレーザ・ダイオード・モジ
ュールに組み込まれた温度センサは、サーミスタに比較
して熱に対する影響が少ない薄膜合金で形成されている
ことから、レーザ・ダイオード・チップの固定時に熱に
よって特性に影響を与えるような損傷が発生せず、温度
検出の信頼性が高いという効果が得られる。

【００２６】（４）上記（１）〜（３）により、本発明
のレーザ・ダイオード・モジュールは、レーザ・ダイオ
ード・チップの温度検出が高精度で行えることから、こ
の温度検出情報に基づく電子冷却素子の制御も高精度と
なるため、レーザ・ダイオードの接合温度の一定化が可
能となり、安定したレーザ光発振が達成できるという相
乗効果が得られる。

【００２７】（５）本発明のレーザ・ダイオード・モジ
ュールにおける温度センサは薄膜状に形成できるため、
その微細加工が容易となり、微小な温度センサとなると
いう効果が得られる。

【００２８】（６）本発明のレーザ・ダイオード・モジ
ュールは、レーザ・ダイオード・チップの表面に温度セ
ンサを設ける構造となっている。前記温度センサは薄膜
合金によって形成されている。したがって、レーザ・ダ
イオード・チップ製造におけるウエハプロセス時に温度
センサの作製プロセスが行うことができ安価な温度セン
サが提供できるという効果が得られる。

【００２９】（７）上記（１）〜（６）により、本発明
によれば、高精度温度検出が可能な微細で安価な温度セ
ンサを提供できるという相乗効果が得られる。

【００３０】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない、たとえば、
前記実施例によれば、本発明のレーザ・ダイオード・モ
ジュールにおける温度センサは、Ｖ_50+XＲｕ_50-X（Ｘ＝
０）を選択したが、Ｘを変えることによって温度測定範
囲を変えることができる。そして、たとえば、Ｘの異な
る温度センサを複数レーザ・ダイオード・チップの表面
に設けることも可能となり、低温から高温に亘る広い領
域での温度検出も可能となる。

【００３１】本発明の他の実施例としては、温度センサ
を構成する合金の組成を変化させたり、あるいは合金を
さらに多元化することによって温度測定範囲を違うもの
とすることも可能である。また、薄膜合金の単品の温度
センサとしても提供可能である。図７はＪ．Ｐｈｙｓ．
Ｆ：Ｍｅｔ．Ｐｈｙｓ．，１２（１９８２）２９５９〜
２９６４における２図であり、Ｖ_50-XＴａ_XＲｕ₅₀のグ
ラフである。この場合、３００Ｋ前後の温度測定にはＸ
として１や２を選択すれば良く、３００〜３５０Ｋの範
囲の温度測定にはＸとして４を選択すれば良いことが分
かる。

【００３２】図８は本発明の他の実施例を示す斜視図で
ある。この実施例では、レーザ・ダイオード・チップ２
を搭載するサブマウント５０の表面に温度センサ３を設
けた例を示す。サブマウント５０は一辺が１ｍｍ以下の
絶縁性ＳｉＣ板となり、その表面にチップ搭載用メタラ
イズ層６０を有している。そして、このチップ搭載用メ
タライズ層６０の上に、温度センサ３を設けない前記実
施例と同様なレーザ・ダイオード・チップ２が設けられ
ている。そして、前記レーザ・ダイオード・チップ２と
並ぶように、サブマウント５０の表面には温度センサ３
が設けられている。この温度センサ３は前記実施例と同
様にＶ₅₀Ｒｕ₅₀の薄膜合金によって形成されている。説
明の便宜上温度センサ３のパターンは大きいが、各端子
は辺が１００μｍ以下の矩形である。また、図において
２５，２６が電流端子であり、２７，２８が電圧端子で
ある。この温度センサ３はできるだけレーザ・ダイオー
ド・チップ２に近接することが、正確な温度検出をする
点で好ましい。この実施例でも前記実施例同様に、高精
度のレーザ・ダイオード・チップの温度検出が行えるこ
とになり、電子冷却素子５の高精度制御，レーザ光発振
の安定化が達成できることになる。

【００３３】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるレーザ
・ダイオード・モジュールにおける温度検出技術に適用
した場合について説明したが、それに限定されるもので
はない。本発明は少なくとも温度検出技術には適用でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例によるレーザ・ダイオード・
チップの概要を示す斜視図である。

【図２】本発明の一実施例によるレーザ・ダイオード・
チップに組み込まれた温度センサの温度特性を示すグラ
フである。

【図３】本発明の一実施例によるレーザ・ダイオード・
モジュールの要部を示す断面図である。

【図４】本発明の一実施例によるレーザ・ダイオード・
モジュールの要部を示す平面図である。

【図５】本発明の一実施例によるレーザ・ダイオード・
モジュールの要部を示す斜視図である。

【図６】本発明の一実施例によるレーザ・ダイオード・
モジュールにおける概念的な回路図である。

【図７】本発明の他の実施例によるＶ−Ｔａ−Ｒｕの抵
抗率を示すグラフである。

【図８】本発明の他の実施例によるレーザ・ダイオード
・モジュールの要部を示す斜視図である。

【符号の説明】

１…レーザ・ダイオード・モジュール、２…レーザ・ダ
イオード・チップ、３…温度センサ、４…サブキャリ
ア、５…電子冷却素子、１０…Ｎ型ＩｎＰ基板、１１…
クラッド層、１２…活性層、１３…クラッド層、１４…
キャップ層、１５…第１埋込層、１６…第２埋込層、１
７…絶縁膜、１８…Ｐ⁺拡散層、１９…アノード電極、
２０…カソード電極、２１…共振器、２５，２６…電流
端子、２７，２８…電圧端子、３０…パッケージ、３１
…取付孔、３２…フランジ、３３…ファイバガイド、３
４…光ファイバケーブル、３５…リード、３６…パッケ
ージ本体、３７…パッケージ蓋、３９…搭載部、４０…
支持部、４１…ヒートシンク、４２…光ファイバ、４５
…位置決め固定体、４６…受光素子、４７…調整管、４
８…ガイド管、５０…サブマウント、５１…チップキャ
リア、５２…素子固定用メタライズ層、５３…ワイヤ固
定用メタライズ層、５４…ワイヤ、６０…チップ搭載用
メタライズ層。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】レーザ・ダイオード・チップが組み込ま
れたレーザ・ダイオード・モジュールであって、前記レ
ーザ・ダイオード・チップの表面に温度センサが設けら
れていることを特徴とするレーザ・ダイオード・モジュ
ール。
【請求項２】レーザ・ダイオード・チップが組み込ま
れたレーザ・ダイオード・モジュールであって、前記レ
ーザ・ダイオード・チップが固定された支持体の表面に
温度センサが設けられていることを特徴とするレーザ・
ダイオード・モジュール。
【請求項３】前記温度センサは少なくとも２電極端子
を有する薄膜合金によって形成されていることを特徴と
する請求項１または請求項２記載のレーザ・ダイオード
・モジュール。
【請求項４】前記温度センサはバナジューム−ルテニ
ューム系からなる薄膜で形成されていることを特徴とす
る請求項３記載のレーザ・ダイオード・モジュール。