JPH05313110A - 強誘電性液晶の注入方法 - Google Patents

強誘電性液晶の注入方法

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JPH05313110A JP4143715A JP14371592A JPH05313110A JP H05313110 A JPH05313110 A JP H05313110A JP 4143715 A JP4143715 A JP 4143715A JP 14371592 A JP14371592 A JP 14371592A JP H05313110 A JPH05313110 A JP H05313110A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 注入不良部及び配向ムラの生じない強誘電性
液晶の注入方法を提供する。 【構成】 注入初期の段階では１０-2Ｔｏｒｒ前後の真
空下で進行速度を抑え、注入中期の段階では進行速度が
略一定になるように徐々に加圧し、注入末期の段階では
加圧状態のまま温度降下して注入する。 【効果】 注入口付近に発生し易い未注入部の発生及び
基板と液晶材料の膨張率との差から生じる未注入部の再
発を防止し、さらには進行速度の一定化により均一な配
向状態を得ることができる。これにより注入不良部が無
く、かつ全面均一な表示品質が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示素子の製造過
程における、液晶セルへの強誘電性液晶の注入方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来より液晶セルへの液晶の注入は、一
般的に、粘度を低下させるために一定温度に加温された
液晶材料を、１０-2Ｔｏｒｒ前後まで真空脱気した空セ
ルの注入口部に付着させ、そのまま常圧中に戻すことに
より行われている。
【０００３】また、セルの大型化に伴い、注入時間を短
くする目的で、常圧以上の一定圧力（例えば１５４０Ｔ
ｏｒｒ）に加圧して注入する場合もあった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例は、一定条件の温度、圧力下で液晶の注入が行われ
るものであり、この場合、空セル内を進行する液晶と空
セル内表面（配向膜表面）の抵抗は、注入口から液晶の
進行先端部までの距離により異なる。このため、特にセ
ル内の空隙が、ツイスト・ネマチック液晶セル等に比べ
て狭い強誘電性液晶セルでは、液晶の注入時に、液晶の
進行速度が変化し、次のような問題を生じていた。
【０００５】（１）液晶の進行速度の違いにより配向状
態の違いを生じ、最終的に全面均一な表示品質が得られ
ない。
【０００６】（２）注入初期からの急激な液晶の進行は
注入不良部を生じる。
【０００７】本発明の目的は、上記従来例の問題点に鑑
み、注入不良部が無く、かつ全面均一な表示品質が得ら
れる強誘電性液晶の注入方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段及び作用】上記目的は以下
の構成により達成することができる。
【０００９】即ち、本発明は、少なくとも電極の形成さ
れた一対の基板を、シール材を介して一定間隔に保持さ
せた液晶セルへの強誘電性液晶の注入工程において、該
液晶セルの周囲の圧力または圧力及び温度を経時変化さ
せ、注入速度を制御することを特徴とする強誘電性液晶
の注入方法である。
【００１０】本発明において、液晶の注入速度は、好ま
しくは注入初期の急激な液晶の進行を抑制し、これ以降
は液晶の進行先端部の進行速度が一定或いは略一定にな
るように制御される。
【００１１】その結果、注入欠損等の注入不良部の発生
を防ぐと共に、表示画素全面にわたって配向状態が均一
となり、全面均一な表示品質を有する液晶表示素子が得
られる。
【００１２】
【実施例】次に、本発明を実施例を用いて詳細に説明す
る。
【００１３】図１は本発明の特徴を最もよく表す図であ
り、注入装置に設けられた温度タイマー，圧力タイマー
にプログラミングされた液晶セル周囲の温度プログラ
ム，圧力プログラムを示している。
【００１４】本図に基づいて注入工程を説明する。ま
ず、注入初期の段階では、急激な液晶の進行による注入
口付近に発生する注入不良部をなくす為に、１０-2Ｔｏ
ｒｒ前後の真空下で、主に加熱による注入により、液晶
の進行を抑えている（圧力プログラムＡ〜Ｂ，温度プロ
グラムａ〜ｂ）。
【００１５】注入中期の段階では、液晶の注入に従い液
晶の進行速度が低下するのを防ぎ、進行速度が略一定に
なるように徐々に加圧している（圧力プログラムＢ〜
Ｆ）。尚、常圧以上の加圧（圧力プログラムＣ〜Ｆ）で
はＮ2 ガス等の不活性ガスを導入する。
【００１６】注入末期の段階では、加圧状態のまま温度
降下することにより、ガラス基板と液晶材料の膨張率の
違いから生じる未注入部をなくしている（圧力プログラ
ムＦ〜Ｇ，温度プログラムｄ〜ｅ）。そして、液晶の注
入が完了すると常温、常圧に戻される。
【００１７】図２は、図１に示した液晶セル周囲の温度
・圧力条件で注入した場合と、従来の様に、一定の温度
・圧力条件下（１００℃，７６０Ｔｏｒｒ）で注入した
場合の、注入時間と注入済みパーセントの関係を示した
ものである。図２の各々の曲線の傾きは液晶の進行速度
を表わしており、従来の一定条件下での注入では初期の
進行速度が速く、注入が進むに従って徐々に遅くなる。
【００１８】一方、本発明による注入方法では、初期の
進行速度は抑えられ、以降はほぼ一定に保たれており、
また、注入時間が大幅に短縮されている。
【００１９】図１に示した液晶セル周囲の温度・圧力条
件でセルギャップが約１．５μｍに作製されたＡ４サイ
ズの空セルに、以下に示す様な相転移温度を有するピリ
ミジン系強誘電性液晶を注入したところ、表示部全体で
均一な配向状態のパネルが得られた。
【００２０】一方、従来のように一定の温度・圧力条件
で同様の空セルに上記のピリミジン系強誘電性液晶を注
入したものは、進行速度の変化によると考えられる配向
ムラが生じていた。
【００２１】本発明において、液晶セル周囲の温度・圧
力条件は図１に示されるような条件に限定されるもので
はなく、例えば温度を一定にして、圧力だけを変化させ
て注入速度を制御することによっても、本実施例と同様
に表示部全体で均一な配向状態を得ることができる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、注入時の圧力また
は圧力及び温度を変化させ注入速度を制御して、注入初
期の液晶の進行速度を抑えることにより注入口付近に発
生し易い未注入部をなくし、また、注入中期の進行速度
を一定化することにより均一な配向状態が得られ、さら
に、注入末期の加圧下での温度降下により、基板と液晶
材料の膨張率の差から生じる未注入部の再発を防ぐこと
ができる。
【００２３】また、注入量に応じた加圧により、注入時
間を極端に短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る圧力・温度の経時変化の一例を示
す図である。
【図２】本発明及び従来方法による注入時間と注入剤パ
ーセントの関係を示す図である。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 少なくとも電極の形成された一対の基板
    を、シール材を介して一定間隔に保持させた液晶セルへ
    の強誘電性液晶の注入工程において、該液晶セルの周囲
    の圧力または圧力及び温度を経時変化させ、注入速度を
    制御することを特徴とする強誘電性液晶の注入方法。
  2. 【請求項２】 注入初期の液晶の進行を抑え、これ以降
    は液晶の進行先端部の進行速度が一定或いは略一定にな
    るように注入速度を制御することを特徴とする請求項１
    に記載の強誘電性液晶の注入方法。
  3. 【請求項３】 液晶セルの周囲の圧力を常圧以上に変化
    させる際に、不活性ガスを導入することを特徴とする請
    求項１又は２に記載の強誘電性液晶の注入方法。
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