JPH06265897A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents

液晶表示装置の製造方法

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JPH06265897A
JPH06265897A JP5585693A JP5585693A JPH06265897A JP H06265897 A JPH06265897 A JP H06265897A JP 5585693 A JP5585693 A JP 5585693A JP 5585693 A JP5585693 A JP 5585693A JP H06265897 A JPH06265897 A JP H06265897A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 熱光学効果を利用して液晶分子の配向を行う
ものにおいて、表示品質がより向上する液晶表示装置の
新規な製造方法に関し、所望のツイスト角が正確に得ら
れ、表示品質の低下を防止できる液晶表示装置の製造方
法を提供することを目的とする。 【構成】 液晶の自然ピッチを利用して界面の配向を得
る液晶表示装置の製造方法であって、一対の基板を所定
間隔を保って対向配置させる工程と、前記間隔と所望の
ツイスト角により規定される前記自然ピッチの値を等方
相から液晶相への相転移温度において有する液晶材料を
用意し、前記相転移温度以上に加熱した等方性の前記液
晶材料の液体を前記両基板間に注入する工程と、前記液
体を徐冷しつつ等方性から液晶状態に相転移させて前記
液晶を配向せしめて所望の前記ツイスト角を得る工程と
を有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置の製造方法
に関し、特に、熱光学効果を利用して液晶分子の配向を
行うものにおいて、表示品質がより向上する液晶表示装
置の新規な製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】ツイストネマチック型液晶の表示装置の
従来の製造方法は以下の通りである。まず、一方のガラ
ス基板の上に薄膜トランジスタ(TFT)あるいはMI
M(Metal Insulator Metal)ダ
イオードのような駆動素子を形成する。さらに同基板に
信号ラインと走査ラインからなるマトリックス線ならび
に画素電極を形成し、それらを相互接続して一方のセル
基板を形成する。次に、もう一方のガラス基板に共通電
極を形成してもう一つのセル基板を作る。
【0003】両セル基板の両方に配向膜をそれぞれ形成
し、ラビング処理を行う。両基板の配向膜の配向方向が
互いに90°になるように位置合わせしてから両基板の
間にギャップ制御材を挟んで重ね合わせ、ネマチック液
晶を両基板間に注入した後、注入口を封止して完成す
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の製造方法に
おいては、配向膜の形成のためのラビング処理の際に発
生する静電気によって、TFTあるいはMIMダイオー
ドの電極間の短絡やライン間の断線あるいはTFT素子
自体の破壊や特性変化が発生して点欠陥やライン欠陥が
発生する場合があった。
【0005】これは、TFTあるいはMIM素子の電極
間や信号ラインとゲートラインからなるマトリックスの
ライン間は200〜600nm程度の非常に薄い絶縁膜
で絶縁されているために静電気により絶縁破壊が発生し
易いことと、TFT材料としてアモルファスシリコンや
ポリシリコン半導体を用いているために高電界が電極に
集中するとトランジスタ特性、たとえば閾値などが変化
してしまうことがその理由である。
【0006】この問題を解決するために、本願出願人と
同一人による特許出願である特願平4−47322号と
同じく特願平4−236652号では、液晶セルの一方
の基板の配向膜を無くした構造あるいは、積極的な配向
構造を持たない液晶セルの構造を提案している。
【0007】これら先出願の発明では、配向膜形成のた
めのラビング処理が不要となるか、あるいはラビング処
理を静電気やゴミの影響の比較的少ない基板側のみに制
限することができる。
【0008】これら先出願の発明の実施例において、例
えば液晶分子の配向方向が上下基板間で90°ツイスト
(捩じれ)している、いわゆるツイスト角が90°のツ
イストネマチック液晶表示素子(TN−LCD)を製造
する場合、液晶セルの厚さdと、液晶のカイラルピッチ
pの関係がd/p=Φ/360°=0.25となるよう
に調整している。なお、ΦはTN液晶セルのツイスト角
(90°)である。
【0009】つまり、液晶セルのツイスト角Φとセル厚
dとによって規定されるカイラルピッチpを持った液晶
を使用することによりツイスト角90°のTN−LCD
を得ている。具体的にはネマチック液晶に調整された量
のカイラル剤を添加して上記の関係を満たす所望のカイ
ラルピッチpを得ることが上記先出願に開示されてい
る。
【0010】カイラル剤を液晶に添加してカイラルピッ
チを調整する際、室温を基準として行うのが一般的であ
ろうが、ここで問題があるのは、カイラルピッチが温度
依存性を持つということである。
【0011】このことは、カイラルピッチの調整を室温
を基準として行った場合、この温度条件と異なる温度で
液晶セルに液晶材料を注入してセルを製造すると、所望
のカイラルピッチが得られる保証がないということを意
味する。
【0012】所望のカイラルピッチpが得られないこと
は、上記のカイラルピッチpとセル厚dとツイスト角Φ
との関係式が満たされなくなることになり、設定したツ
イスト角Φが得られずに表示装置のコントラストの低下
などの表示特性が悪くなる原因となる。
【0013】図1で、その実際の問題点について説明す
る。図1は温度に対する液晶のカイラルピッチpの値の
変化の特性を示す。図1にはAとBの2種類の液晶材料
の自然カイラルピッチの特性が示されている。
【0014】図1のAで示す曲線は、TFT−LCD用
の液晶に、STN−LCD用のカイラル剤を添加した場
合、Bで示す曲線はTFT−LCD用の液晶にTN−L
CD用のカイラル剤を添加した場合の温度特性の例であ
る。
【0015】先に述べた先願の特願平4−47322号
に記載したような液晶を相転移温度以上に加熱して等方
性の液体状態にして、空セルに注入し、その後セルを徐
冷して液晶を配向する方法で、実際に液晶セルを製造し
てみた。
【0016】その場合、図1のBで示す温度依存性を持
つカイラル液晶を使用し、室温条件(25°C)でのカ
イラル液晶のカイラルピッチがp=10μmであるの
で、所望の液晶セルのツイスト角を90°と設定し、室
温条件下においてd/p=90°/360°=0.25
の条件を満たす液晶セルの一対の基板間隔をd=2.5
μmと設定した。
【0017】ところが、出来た液晶セルのツイスト角を
測定すると約45°であった。つまり、室温条件下では
d/p=90°/360°=0.25の条件を満たして
90°のツイスト角が得られるはずであったが、実際に
は45°と設定値とは大きなずれが生じてしまった。
【0018】これは、室温下でのカイラルピッチpがツ
イスト角90°を得る条件を満たしていたとしても、液
晶注入の際に相転移温度以上に液晶が加熱され、その際
にカイラルピッチpの値が変化してしまったためである
と考えられる。
【0019】本発明は、所望のツイスト角が正確に得ら
れ、表示品質の低下を防止できる液晶表示装置の製造方
法を提供することを目的とする。
【0020】
【課題を解決するための手段】一方、同じく図1のBで
示す温度依存性を持つカイラル液晶を使用し、カイラル
液晶のネマティック─アイソトロピック相転移温度(N
−I点:98°C)におけるカイラルピッチがp=20
μmであるので、d/p=90°/360°=0.25
の条件を満たす液晶セルの一対の基板間隔をd=5μm
と設定して液晶セルを作成した。この場合、所望の90
°のツイスト角の液晶セルが得られた。
【0021】これらの試験から、液晶セルのツイスト角
を決めるのは、使用する液晶のN−I点におけるピッチ
角が関与していることが判った。さらに、ひとたび液晶
をセルに注入してしまえば、その後の温度変化によって
ツイスト角が変化しないことが判った。
【0022】本発明による液晶表示装置の製造方法おい
ては、液晶の自然ピッチを利用して界面の配向を得るも
のであって、一対の基板を所定間隔を保って対向配置さ
せる工程と、前記間隔と所望のツイスト角により規定さ
れる前記自然ピッチの値を液晶相への相転移温度におい
て有する液晶材料を用意し、前記相転移温度以上に加熱
した等方性の前記液晶材料の液体を前記両基板間に注入
する工程と、前記液体を徐冷しつつ等方性から液晶状態
に相転移させて前記液晶を配向せしめて所望の前記ツイ
スト角を得る工程とを有する。
【0023】
【作用】液晶セルを構成する一対の基板間隔dと所望の
ツイスト角Φとにより規定される液晶の自然ピッチpの
値がその液晶の相転移温度における値であるように設定
することで、液晶セルのツイスト角が設定される。従っ
て、液晶注入後の液晶セルの温度にはツイスト角は影響
されない。
【0024】液晶分子の配向は熱光学効果を利用する。
すなわち、両基板間に上記ピッチ角とセル間隔dとを設
定した液晶材料を相転移温度(N−I温度)以上に加熱
した液体を注入すると液体の分子の方向はランダムであ
り液晶状態を示さず等方性の状態である。その後徐冷す
ることにより等方性から液晶状態に相転移し、その過程
で基板の配向方向にそって液晶分子が配向されていく。
その結果、ツイスト角Φの液晶表示装置が得られる。
【0025】
【実施例】図2を参照して本発明による液晶表示装置の
製造方法の第1の実施例を説明する。図2はツイストネ
マチック型の液晶表示装置の製造方法の概念図である。
【0026】図2において、透明ガラス基板12の上に
は、ゲート信号に応じて画素部分に電界を与えるTFT
14と、TFT14のソース,ドレイン,ゲートの各電
極ライン(図示せず)とTFT14に接続された画素電
極15とが形成される。このガラス基板12上には配向
膜は形成されない。
【0027】図2の他方の透明ガラス基板13には、共
通電極17が形成される。また共通電極17の液晶層1
1と接する面の上には配向膜18が形成され、ラビング
処理が行なわれて配向方向が与えられる。また図示しな
いカラーフィルタ層と、画素表示部以外での光透過を防
止してコントラストを向上させるためのブラックマスク
と呼ばれる遮光膜が形成される場合もある。
【0028】以上の両基板は従来の基板製造技術によっ
て製作できる。ただし、基板の一方には配向膜が形成さ
れず、配向処理も行なわれない。次に、両基板12,1
3を図示しないギャップ制御材を間に挟んで後で説明す
る所定の間隔dを保って対向配置させ、注入口19を設
けて端部で両者が貼り合わされる。
【0029】次に図2に示すように、容器16に入った
液晶材料11の中に注入口19を浸け、両基板12,1
3間に液晶材料11を導入する。液晶材料11はネマチ
ック液晶材料にカイラル分子を混合した液体であり、温
度依存性が図1のAおよびBのものを使用した。この場
合、ネマティック─アイソトロピック相転移温度(N−
I点:98°C)におけるカイラルピッチがAおよびB
のいずれの液晶もp=20μmである。d/p=90°
/360°=0.25の条件を満たすように液晶セルの
一対の基板間隔をd=5μmと設定して液晶セルを作成
した。
【0030】両側からヒータのような加熱装置20,2
1によって液晶材料11が加熱される。液晶材料の加熱
温度は液晶の相転移温度(N−I点)以上の温度にす
る。従って、液晶材料11の液晶分子10はその方向が
ランダムであり、等方性の状態である。
【0031】液晶の温度制御は液晶材料11中に温度検
知器を入れて温度をモニタしながらヒータ20,21の
電流量を調整するような温度制御技術が利用できる。温
度制御は手動でも自動でも可能である。
【0032】加熱された液晶材料11は毛細管現象によ
って注入口19から両基板12,13間のギャップ部分
に注入される。この状態では液晶分子10は等方性であ
り、配向されていない。なお、液晶材料11の注入方法
はどのような方法でもよく、毛細管現象以外の方法で注
入してもよい。
【0033】液晶材料を注入後、加熱装置20,21に
よる発熱量を低下させつつ、徐々に液晶材料11を冷却
してゆく。冷却速度は0.1〜10℃/分の範囲、例え
ば0.5℃/分となるように温度制御する。ネマチック
液晶の場合、冷却速度が速くても比較的均一に配向する
ことが判った。この速度で相転移温度(N−I点)まで
徐冷していくと、液晶材料11は最初等方性(I)状態
であったものが、ネマチック液晶(N)状態に相転移し
ていく。
【0034】徐冷過程において、ガラス基板13の配向
膜18付近の液晶分子10は配向方向に並び、反対側の
ガラス基板12近くの液晶分子10は特に方向が定まら
ずにいる。ところが、冷却速度がゆっくりであるため
に、方向がばらばらであったガラス基板12近くの液晶
分子も次第に配向方向に並んでいる液晶分子に揃うよう
に基板間の液晶分子すべてが配向されていく。
【0035】また、液晶材料11にはカイラルな分子が
混合されているために、冷却過程で液晶分子10が一定
の方向にねじられ光軸方向に螺旋状構造をとるようにな
る。カイラル分子の混合量と基板間隔を調整するとねじ
れ角を90°にでき、TN型液晶表示装置ができる。
【0036】次に、図3を参照して本発明の液晶表示装
置の製造方法の第2の実施例について説明する。図3は
ツイストネマチック型の液晶表示装置の製造方法の概念
図である。
【0037】図3において図2と同じ参照番号のものは
同じものを示す。従って、液晶表示装置の基板12,1
3については基本的に同一である。また、液晶材料のピ
ッチ角pも第1の実施例と同様に相転移温度での値を使
用する。以下、図2の第1の実施例の製造方法と異なる
部分について説明をする。
【0038】図3の実施例において図2の実施例と異な
る点は、共通電極17が形成されたガラス基板13側の
加熱装置20が省略されている点である。この点を積極
的に利用して、第2の実施例においては液晶材料11の
加熱後の冷却において両基板間に温度勾配を持たせる。
【0039】第2の実施例においては、液晶材料11を
転移温度点以上に加熱するまでは第1の実施例と同様で
ある。加熱装置21が一方の側にしかないが、液晶表示
装置全体をN−I点以上に加熱すれば実質的相違は生じ
ない。その後、徐冷工程で、ガラス基板12側とガラス
基板13側との間で液晶材料11に温度勾配をつけつつ
徐冷する。
【0040】具体的には、共通電極17が形成されたガ
ラス基板13側の液晶温度にくらべ、TFT14が形成
されたガラス基板12側の液晶温度を数℃〜十数℃程度
高く保ちつつ徐冷する。
【0041】このように温度勾配をつけることによっ
て、まず共通電極基板13側の液晶材料がN−I温度に
到達し、続いて徐々に基板12側の液晶材料もN−I温
度に到達する。基板13は配向構造を有するので、液晶
材料は基板13側から徐々に配向しつつ、液晶状態にな
る。
【0042】以上の実施例は特願平4−47322号に
開示の液晶表示装置の製造方法に適用したが、特願平4
−236652号に開示のようないずれの基板にも積極
的な配向構造を持たない液晶表示装置の製造方法にも同
じように適用できる。
【0043】たとえば、特願平4−236652号に開
示のようなマルチドメインの配向を利用する液晶表示素
子の場合では、0<d/p<0.75となるような条件
を満たすピッチ角pの値としてその液晶の相転移温度で
の値を採用する。
【0044】なお、実施例は90°ツイスト角の場合と
したが、それ以外の角度に対しても本発明が有効である
ことはもちろんである。さらに、本発明は液晶の自然ピ
ッチを利用して界面の配向を利用する他の製造方法に対
しても有効である。
【0045】また、本発明の製造方法は、単純マトリッ
クス液晶表示装置にも、アクティブマトリックス液晶表
示装置にもいずれにも適用できる。以上説明した実施例
の構成、材料、数値等はあくまでも例示であって、本発
明はこれらに限るものではなく、種々の変更や改良、組
み合わせ等ができることは当業者にとって自明であろ
う。
【0046】
【発明の効果】以上述べたように、本発明による液晶表
示装置の製造方法おいては、液晶セルを構成する一対の
基板間隔dと所望のツイスト角Φとにより規定される液
晶の自然ピッチpの値がその液晶の相転移温度における
値であるように設定することで、液晶セルのツイスト角
が設定されてしまう。従って、液晶注入後の液晶セルの
温度にはツイスト角は影響されない。
【0047】よって、所望のツイスト角を有する液晶表
示素子が得られるために、液晶のカイラルピッチの温度
依存性に起因するコントラスト等の特性低下が発生しな
い。これは、特に温度依存性の大きいカイラル液晶を用
いた場合に有効である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明で利用されるネマチック液晶のカイラル
ピッチの温度依存特性の例を示すグラフである。
【図2】本発明の第1の実施例による液晶表示装置の製
造方法を説明する図である。
【図3】本発明の第2の実施例による液晶表示装置の製
造方法を説明する図である。
【符号の説明】
10 液晶分子 11 液晶材料 12,13 ガラス基板 14 TFT 15 画素電極 16 容器 17 共通電極 18 配向膜 19 液晶注入口 20,21 加熱装置

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 液晶の自然ピッチを利用して界面の配向
    を得る液晶表示装置の製造方法であって、 一対の基板を所定間隔を保って対向配置させる工程と、 前記間隔と所望のツイスト角により規定される前記自然
    ピッチの値を等方相から液晶相への相転移温度において
    有する液晶材料を用意し、前記相転移温度以上に加熱し
    た等方性の前記液晶材料の液体を前記両基板間に注入す
    る工程と、 前記液体を徐冷しつつ等方性から液晶状態に相転移させ
    て前記液晶を配向せしめて所望の前記ツイスト角を得る
    工程とを有する液晶表示装置の製造方法。
  2. 【請求項2】 前記液晶材料は、カイラルネマチック液
    晶を含み、該液晶材料のカイラルピッチをpとし、前記
    一対の基板の所定間隔をdとし、前記ツイスト角をΦと
    したとき、前記カイラルネマチック液晶材料の相転移温
    度においてd/p=Φ/360°の条件を満たすカイラ
    ルピッチpを有する液晶材料である請求項1記載の液晶
    表示装置の製造方法。
  3. 【請求項3】 さらに、前記一対の基板のうち一方の基
    板の電極の上に配向膜を形成して該配向膜のみにラビン
    グ処理を行う工程を有する請求項2記載の液晶表示装置
    の製造方法。
  4. 【請求項4】 前記液体を徐冷する工程において、ラビ
    ング処理を施さない基板側の温度をラビング処理を施し
    た基板側の温度に対し所定の温度だけ高くなるよう温度
    勾配をつけて徐冷するようにした請求項3記載の液晶表
    示装置の製造方法。
  5. 【請求項5】 前記一対の基板は積極的配向構造を持た
    ない基板であって、0<d/p<0.75なる関係を満
    たすように前記カイラルピッチpと前記間隔dとを設定
    する請求項2記載の液晶表示装置の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2003046652A1 (fr) * 2001-11-28 2003-06-05 Sharp Kabushiki Kaisha Dispositif de decalage d'image, affichage d'image, affichage a cristaux liquides, et affichage de projection d'image
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