JPH05309645A - 半導体バーを片面が極端に平坦でありかつ可能な限り良好な表面性状を有する半導体円板に分割するための方法および装置 - Google Patents

半導体バーを片面が極端に平坦でありかつ可能な限り良好な表面性状を有する半導体円板に分割するための方法および装置

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JPH05309645A
JPH05309645A JP4297463A JP29746392A JPH05309645A JP H05309645 A JPH05309645 A JP H05309645A JP 4297463 A JP4297463 A JP 4297463A JP 29746392 A JP29746392 A JP 29746392A JP H05309645 A JPH05309645 A JP H05309645A
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bar
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体バーを片面が極端に平坦でありかつ可
能な限り良好な表面性状を有する半導体円板に分割する
ための方法および装置を提供すること。 【構成】 粗削り研削盤2のための目直し工具5を、仕
上げ削り研削盤3と粗削り研削盤2の端面の軸方向のず
れが正確に定められた値に保持されるように、作動させ
ること、および壺状の研削工具が二つの互いに同心的に
設けられていてかつ金属的な結合組織を備えた壺形研削
盤13から成り、この場合外方の微粒子を含む仕上げ削
り研削盤3が可能な限り微細な工作物表面を形成するた
めの電解的な目直し工具6を、内方の粗い粒子を粗削り
研削盤2が両研削工具の端面の一定した軸方向のずれを
得るための電解的な目直し工具5を備えていること

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、バーに対して半径方向
で指向して行われる共通の送り運動を利用してバーの下
方の端部において先ず壺状の研削工具の作用によりバー
の下方端面を平坦に研削し、引続きもしくは時間的なず
れをもって分割工具の作用によりウエハーをバーから分
割する際に、仕上げ削り研削盤のための目直し工具を工
作物に最良の表面性状が得られるように駆動させて行
う、半導体バーを片面が極端に平坦でありかつ可能な限
り良好な表面性状を有する半導体円板に分割するための
方法および装置に関する。即ち、本発明は円筒形の、非
脆弱性の非金属から成る工作材料を円板状の中間製品に
分割する方法および装置に関する。
【0002】この方法で加工される、ビッカース硬度H
V1500N/mm2 以下の材料はその特別な材料特性
により削出し工程を行うのに極端な要件が必要である。
この際、この加工は例えば珪素、ゲルマニウム或いはガ
リウム砒化物のような電子部品のための基層物質の場合
に特別な意味を有している。
【0003】
【従来の技術】溶融物から成る半製品材料は円筒形、い
わゆる『バー』或いは『インゴット』の形で用いられ
る。次加工にはこのバーを薄い円板、『ロンデン』或い
はウエハー』とも称される円板に分割する必要がある。
このようにして得られた円板の寸法を正確に維持しかつ
表面特性を良好にするためにこの分割工程にはますます
高度の要件が付加されて来ている。即ち、こような半製
品は可能な限り平坦平行でなければならず、その際特に
両面のうち片面が可能な限り平坦であり、次の加工のた
めの基準面として役立つことができるように加工するこ
とが重要である。
【0004】ドイツ連邦共和国特許第36 13 13
2号公報およびドイツ連邦共和国特許第37 37 5
40号公報から、平坦な基準面のための要件を充足する
ための構成が既に提案されている。即ち、この構成は分
割工程と平坦化工程の統合から成る。先行して行われた
分割工程による非平坦なバーの端面は、次の円板を分割
する以前に、切削加工による削ぎ工程により平坦化され
る。次いでこのように平坦化された表面は次の分割工程
が行われた後これによって得られたウエハーにあって次
の加工のための平坦な基準面として役立つ。
【0005】上記の両方の文献に記載されているよう
に、バー端面の平坦化工程は、特に研削および分割、特
に回転環状バンドソーによって行われる。更にこれらの
文献から明らかなように、生産性の観点からして特に有
利な適用は、研削工程と鋸引き工程とを同時にもしくは
僅かな時間的なずれをもって行い、この研削工程と鋸引
き工程とをそれらの送り運動を利用して行うことにあ
る。
【0006】しかし、特に最後に述べた構成は上記の両
文献に示されている公知技術に著しい限界があることを
示している。平行して行われる両作業工程の比較的重要
な作業工程としての分割工程はそれに特有な最適な送り
運動の下に行われる。即ち運動経過も速度も特に分割工
程に合わされて行われる。上記のような生産性の観点か
らでは、研削工程は同じ送り運動を利用して行われ、そ
の際研削工程のためのプロセス条件は通常では最適なも
のではない。構造的なかつ運動力学的な周辺条件(Randb
edingung) は、研削工程にとって平坦な側面の縦方向研
削のみを問題とし、その際送り運動が分割工程の送り運
動と等しくなければならないことを要件とする。
【0007】諸周辺条件が限られていると言うことは特
に研削工程による表面品質を後々まで阻害する。十分な
削ぎ効率と永久的な切削可能性を得ると言う点で、比較
的粗大な粒子を選択し、これにより得られる表面品質が
必然的に比較的粗くなるようにしなければならない。し
かし、ウエハーの十分な製造には特に、研削によって得
られた平坦な面が既に中間の加工を行わなくとも次の工
程のための要件を十分に充足する程極めて良好な表面特
性を備えている場合有利である。
【0008】上記の研削技術にあって根本的な問題は、
研削が粗大な粒子を使用し、比較的高い削ぎ効率で表面
品質が比較的悪い結果をもって行われるか、或いは微粒
子を使用し、僅かな削ぎ効率で表面品質が良好な結果を
以て行われるかにかかっており、この場合分割工程の上
位の観点とこれに伴う送り速度は比較的高い削ぎ効率と
これにより粗大な粒子を必要として、この粗大な粒子は
必然的に比較的粗い表面を工作物に生成させる。しか
し、既に上記したように、ウエハーの次の加工には微細
な表面が望ましい。このような課題にあって、研削技術
の標準的な解決の手掛かりは二段階により加工を行うこ
と、即ち粗大粒子による予備研削と微粒子による最終加
工を行うことである。しかし、ここにあってはこの簡単
な様式による標準的に具体化されている方法は適用不可
能である。何故なら、典型的な様式の二つの研削工具が
所定の構造的な周辺条件の下では、また同じ送り運動の
利用の下では同じ工作材料を加工することが不可能であ
るからである。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】本発明は研削技術に関
する根本的な課題を解決すること、即ち、本発明の目的
は、此処に述べた側面に沿った平坦切削のために、かつ
本発明による補助手段を使用して、高い削取り効率によ
る粗大粒子による予備研削と高い表面品質の生成を可能
にする微粒子による最終加工との組合わせを共通の送り
運動を利用の下に可能し、かつ予備研削および仕上げ研
削を時間的に相前後して、しかし重なり合って行うよう
にしたことである。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、半導体バ
ーを片面が極端に平坦でありかつ可能な限り良好な表面
性状を有する半導体円板に分割するための本発明による
方法において、粗削り研削盤のための目直し工具を、仕
上げ削り研削盤と粗削り研削盤の端面の軸方向のずれが
正確に定められた値に保持されるように、作動させるこ
とによって解決される。
【0011】更に、バーに対して半径方向で指向して行
われる共通の送り運動を利用して下方のバーの端部を先
ず壺状の研削工具の作用によりバーの下方端面を平坦に
研削し、引続きもしくは時間的なずれをもって分割工具
の作用によりウエハーをバから分割する、本質的に分割
工具と研削工具とを備えた、半導体バーを片面が極端に
平坦でありかつ可能な限り良好な表面性状を有する半導
体円板に分割するための本発明による装置において、上
記壺状の研削工具が二つの互いに同心的に設けられてい
てかつ金属的な結合部を備えた壺形研削盤から成り、こ
の場合外方の微粒子を含む仕上げ削り研削盤が可能な限
り微細な工作物表面を形成するための電解的な目直し工
具を、内方の粗い粒子を含む粗削り研削盤が両研削工具
の端面の一定した軸方向のずれを得るための電解的な目
直し工具を備えていることによって解決される。
【0012】以下に添付した図面に図示した実施例につ
き本発明を詳細に説明する。
【0013】
【実施例】図1から明らかなように、装置は本質的に研
削盤担持体1から成り、この研削盤担持体の支承部は図
面を見やすくするために省略した。この研削盤担持体1
の外周部にこの研削盤担持体の回転軸線に対して同心的
に二つの環状の研削盤2,3が設けられており、この場
合研削盤2は粗削り盤であり、研削盤3は仕上げ削り盤
である。これらの研削盤2,3を備えた研削盤担持体1
は切断敷き金4を備えた鋸引き工具に対して相対的に軸
方向で移動可能であり、従って研削盤の端面と鋸板11
との間の軸方向の中間空域が切断敷き金4で変更可能で
ある。両研削盤はそれぞれ一つの目直し電極5,6を備
えており、これらの目直し電極は別個に駆動可能であ
る。その際目直し電極5は粗削り研削盤2に、目直し電
極6は仕上げ削り研削盤3に属している。
【0014】図2の平面図から明瞭であるように、内方
の研削盤2には目直し電極5が作用するのみならず、研
削盤2の端面の軸方向位置を検出するスペースセンサ1
4も作用する。同様に研削盤3の端面の軸方向の位置は
スペースセンサ15によって検出される。両スペースセ
ンサ14,15によって得られる道程の差値から研削工
程にとって極めて重要な両研削盤の端面の軸方向の位置
ずれが検出される。
【0015】更に装置は分割工具で補足されており、こ
の分割工具はこの実施例では例えば回転環状ソーとして
構成されている。この回転するソーはここでは概略図で
示されている。切断敷き金4は半径方向で粗削り研削盤
3のように回転軸線から幾分遠く離れて設けられてい
る。切断敷き金4は環状の担持板11に設けられてお
り、この担持板は自体下方の固定縁部リング9と上方の
固定縁部リング10間に締付け固定されており、図示し
ていない機構で半径方向に拡張され、その際緊張され
る。両固定縁部リングは回転対称的な基体8と固く結合
されており、この基体は機枠に対して回転可能に支承さ
れている。
【0016】鋸引き工具と研削工具はそれらの回転運動
が共通であるように或いは単独で行われるように支承さ
れており、しかしいずれの場合にあっても共通の軸を中
心にして回転可能である。共通に支承されている場合、
両工具の回転方向と回転数は強制的に等しくされ、別個
に支承されている場合は一般的に異なる。
【0017】以下にこの方法の理解を容易にするために
個々の研削−切断工程に関して説明する。バー7は詳し
く図示していない装置により作業開始時に調心して位置
決めされ、軸方向で下方へと、その所定の切断工程によ
って生じる端面の最高位置が丁度粗削り研削盤2の端面
によって固定されている面に達するまで摺動される。次
いで、バー7のこの軸方向の位置はこの加工工程が継続
する全時間の間維持される。
【0018】軸方向での固定の後、バー7は水平方向に
送り運動されて位置ずれされる。その際その下端部が先
ず比較的粗大な粒子を有する粗削り研削盤2と接触す
る。この粗削り研削盤は端面の平坦化の際材料の大部分
の削取りを行う(図3参照)。水平の送り運動が更に進
捗すると、バー7は微粒子を有している仕上げ削り研削
盤3と接触する(図4参照)。この研削盤は粗削り研削
盤2から僅かに突出しているに過ぎない。この仕上げ削
り研削盤3の削取りの効率は極めて僅かであり、工作材
料に形成される表面は研削盤の微細な粒度により極めて
良好である。
【0019】バーの送り運動が更に進捗すると、バー7
は回転環状ソーの切断敷き金4と接触する(図5参
照)。仕上げ削り研削盤3の上縁部と切断敷き金4の下
縁部間の間隔は予め研削工具と切断工具の相対的な軸方
向の摺動可能性により、ウエハーが所望の厚みで加工さ
れるように調節される。
【0020】図6は切断工程が終了した後の状態を示し
ている。分割されたウエハー12の下側は研削工具13
の極めて剛性な案内により平坦化され、これに伴って更
に加工工程が進捗した際基準面として利用される。これ
に対してウエハーの上方の境界面は非平坦である。何故
なら切断工具がその幾何学的な寸法により軸方向で極め
て可撓性を有しているからである。
【0021】両研削工具は互いに無関係に電解的なそれ
ぞれ一つの目直し装置で目直しされる。この際粗削り研
削盤3の目直し電極6に関する作業パラメータは、可能
な限り良好な表面品質が得られるように可能な限り微細
な粒子を有する研削盤で作業が可能であるように調整さ
れている。電解的な目直し装置により研削工程の間連続
的にその表面における金属結合が金属酸化物に変換され
る。これにより鈍くなった研削粒子が疲労した結合から
析出され、これによりこれに続いて切断可能になる粒子
が生成する。
【0022】粗削り研削盤2のための目直し電極5の作
業様式は同じ原理で行われる。しかし、その作業は全く
異なる作業目標を以ている。粗削り研削盤2と仕上げ削
り研削盤3間の協働作業、もしくは両研削盤に対する削
取り効率の一定した配分は、粗削り研削盤2の上縁部と
仕上げ削り研削盤3の上縁部間の軸方向の位置ずれが制
御により正確に維持されるようにして可能となる。この
値は、仕上げ削り研削盤3の極めて僅かな切り屑収容室
の容量に過大な負担をかけず、またこの仕上げ削り研削
盤3の目ずまりがどんな場合にあっても回避されるよう
に、正確に維持されなければならない。
【0023】粗削り研削盤2の比磨耗率は仕上げ削り研
削盤3より僅かであり、従って構造条件と作業条件が常
に同じである場合研削工具の端面は長期間軸方向で均衡
され、これにより仕上げ操作が徐々に機能外に置かれ
る。最初の粗い近似値で間隔を長期間維持することがで
きるうに、粗削り研削盤2は仕上げ削り研削盤3より細
く形成される。両研削盤の端面の軸方向の間隔を微細に
適合させることは電気的な作業データを介して行われ
る。
【0024】一方では電極5を備えた粗削り研削盤2
と、他方では電極6を備えた仕上げ削り研削盤3の目直
しの協働作業にあっては、仕上げ削り研削盤3の電気的
な作業データが特に、研削盤の重要な鋭利状態の維持の
ために適用されなければならない。この状態は粗削り研
削盤2には重要ではない。これらの研削盤の電気的な作
業データは特に、仕上げ削り研削盤に対する軸方向の位
置ずれを所望の基準に維持するために最適にされる。即
ち、粗削り研削盤2のための目直し電極5の電気的な作
業データにより粗削り研削盤2における結合組織の削取
りを連続的に加速するか或いは遅延して、両研削盤2,
3の間に所望の正確な軸方向のずれが生じ、維持され
る。粗削り研削盤と仕上げ削り研削盤間の軸方向の正確
な位置ずれの調整を行うため、センサ14と15が必要
であり、これらのセンサの差値は信号として粗削り研削
盤の電気的な作業データのために利用され、これにより
閉制御回路が形成される。
【0025】上記の説明は垂直な軸を中心にして回転す
る研削装置と回転環状ソーとの組合わせに関している。
同じ配設は水平な軸を中心にしてに回転する場合にも可
能である。
【0026】上記説明の補足として、上記の研削装置と
他の分割方法との組合わせも可能であり、その場合例え
ば糸鋸或いはバンドソーが設けられている。根本的に別
個に作業が行われる他の分割方法も行われる。
【0027】
【発明の効果】上記の本発明による方法および装置によ
り、研削および切断とが同時に行われ、しかも工作物、
即ち半導体バーの加工が能率的に行われ、その際半導体
バーからの表面が極端に平坦なウエハーが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による装置の加工作業開始時点における
装置の作業位置を示した図である。
【図2】図1の平面図である。
【図3】加工作業工程における装置の一作業位置を示し
た図である。
【図4】加工作業工程における装置の一作業位置を示し
た図である。
【図5】加工作業工程における装置の一作業位置を示し
た図である。
【図6】加工作業工程における装置の一作業位置を示し
た図である。
【符号の説明】
1 研削盤担持体 2 粗削り研削盤 3 仕上げ削り研削盤 4 切断敷き金 5,6 目直し電極 7 バー 8 基体 9,10 固定縁部リング 11 担持板 12 ウエハー 13 研削工具 14,15 スペースセンサ

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 バーに対して半径方向で指向して行われ
    る共通の送り運動を利用してバーの下方の端部において
    先ず壺状の研削工具の作用によりバーの下方端面を平坦
    に研削し、引続きもしくは時間的なずれをもって分割工
    具の作用によりウエハーをバーから分割する際に、仕上
    げ削り研削盤のための目直し工具を工作物に最良の表面
    性状が得られるように駆動させて行う、半導体バーを片
    面が極端に平坦でありかつ可能な限り良好な表面性状を
    有する半導体円板に分割するための方法において、粗削
    り研削盤(2)のための目直し工具(5)を、仕上げ削
    り研削盤(3)と粗削り研削盤(2)の端面の軸方向の
    ずれが正確に定められた値に保持されるように、作動さ
    せることを特徴とする半導体バーを片面が極端に平坦で
    ありかつ可能な限り良好な表面性状を有する半導体円板
    に分割するための方法。
  2. 【請求項2】 バーに対して半径方向で指向して行われ
    る共通の送り運動を利用してバーの下方の端部において
    先ず壺状の研削工具の作用によりバーの下方端面を平坦
    に研削し、引続きもしくは時間的なずれをもって分割工
    具の作用によりウエハーをバーから分割する、本質的に
    分割工具と研削工具とを備えた、半導体バーを片面が極
    端に平坦でありかつ可能な限り良好な表面性状を有する
    半導体円板に分割するための装置において、上記壺状の
    研削工具が二つの互いに同心的に設けられていてかつ金
    属的な結合組織を備えた壺形研削盤から成り、この場合
    外方の微粒子を含む仕上げ削り研削盤が可能な限り微細
    な工作物表面を形成するための電解的な目直し工具
    (6)を、内方の粗い粒子を粗削り研削盤が両研削工具
    の端面の一定した軸方向のずれを得るための電解的な目
    直し工具(5)を備えていることを特徴とする半導体バ
    ーを片面が極端に平坦でありかつ可能な限り良好な表面
    性状を有する半導体円板に分割するための装置。
  3. 【請求項3】 分割工具が回転環状バンドソーであるこ
    とを特徴とする請求項2に記載の装置。
  4. 【請求項4】 分割工具がバンドソーであることを特徴
    とする請求の範囲第1項に記載の装置。
  5. 【請求項5】 分割工具が糸鋸であることを特徴とする
    請求の範囲第2項に記載の装置。
JP4297463A 1991-11-07 1992-11-06 半導体バーを片面が極端に平坦でありかつ可能な限り良好な表面性状を有する半導体円板に分割するための方法および装置 Withdrawn JPH05309645A (ja)

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DE4136566A DE4136566C1 (ja) 1991-11-07 1991-11-07
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN104191328A (zh) * 2014-08-27 2014-12-10 赵水光 自动传输式锅体磨边系统

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5816892A (en) * 1997-02-06 1998-10-06 Cobra Machine Tool Co., Inc. Positioning control for combined milling machine and internally positioned grinding wheel
JPH11135474A (ja) * 1997-10-30 1999-05-21 Komatsu Electron Metals Co Ltd 半導体鏡面ウェハおよびその製造方法
US6383056B1 (en) 1999-12-02 2002-05-07 Yin Ming Wang Plane constructed shaft system used in precision polishing and polishing apparatuses
US7018268B2 (en) * 2002-04-09 2006-03-28 Strasbaugh Protection of work piece during surface processing
JP5338059B2 (ja) * 2007-10-16 2013-11-13 沖電気工業株式会社 自動取引装置
JP5510779B2 (ja) * 2009-06-15 2014-06-04 Ntn株式会社 研削装置
CN103522168A (zh) * 2013-07-26 2014-01-22 浙江工业大学 基于保持架偏心转摆式双平面研磨的圆柱形零件外圆加工装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58184727A (ja) * 1982-04-23 1983-10-28 Disco Abrasive Sys Ltd シリコンウェ−ハの面を研削する方法
US4663890A (en) * 1982-05-18 1987-05-12 Gmn Georg Muller Nurnberg Gmbh Method for machining workpieces of brittle hard material into wafers
JPS61106207A (ja) * 1984-10-31 1986-05-24 株式会社東京精密 ウエハー製造方法並びに装置
DE3613132A1 (de) * 1986-04-18 1987-10-22 Mueller Georg Nuernberg Verfahren zum zerteilen von harten, nichtmetallischen werkstoffen
DE3884903T2 (de) * 1987-10-29 1994-02-10 Tokyo Seimitsu Co Ltd Vorrichtung und Verfahren zum Abschneiden einer Halbleiterscheibe.
DE3737540C1 (de) * 1987-11-05 1989-06-22 Mueller Georg Nuernberg Verfahren und Maschine zum Herstellen von Ronden mit zumindest einer planen Oberflaeche
DE3804873A1 (de) * 1988-02-17 1989-08-31 Mueller Georg Nuernberg Verfahren und vorrichtung zum zerteilen von halbleiter-barren in halbleiter-ronden mit zumindest einer planen oberflaeche
DE58908619D1 (de) * 1988-06-06 1994-12-15 Ciba Geigy Ag Dicyanobenzanthronverbindungen.
US5111622A (en) * 1989-05-18 1992-05-12 Silicon Technology Corporation Slicing and grinding system for a wafer slicing machine
JPH0767692B2 (ja) * 1989-09-07 1995-07-26 株式会社東京精密 スライシングマシンの切断方法
JP2708249B2 (ja) * 1989-12-15 1998-02-04 株式会社日立製作所 セラミック部材の研削加工方法
US5185956A (en) * 1990-05-18 1993-02-16 Silicon Technology Corporation Wafer slicing and grinding system

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104191328A (zh) * 2014-08-27 2014-12-10 赵水光 自动传输式锅体磨边系统

Also Published As

Publication number Publication date
US5285597A (en) 1994-02-15
DE4136566C1 (ja) 1993-04-22
KR930011100A (ko) 1993-06-23

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