JPH05318294A - Ｓｉウエハの研削方法 - Google Patents
Ｓｉウエハの研削方法Info
- Publication number
- JPH05318294A JPH05318294A JP14677792A JP14677792A JPH05318294A JP H05318294 A JPH05318294 A JP H05318294A JP 14677792 A JP14677792 A JP 14677792A JP 14677792 A JP14677792 A JP 14677792A JP H05318294 A JPH05318294 A JP H05318294A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- grinding wheel
- grinding
- rotary table
- center
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 加工度の良いＳｉウエハを得るための研削方
法を提供する。 【構成】 ロータリーテーブルにウエハを固定し、この
ウエハの加工面と対向する位置に研削ホイールを設け、
ウエハの回転中心からずれた位置で、研削ホイールに切
り込みを与えたのちに、ウエハを固定したロータリーテ
ーブルまたは研削ホイールを横送りしてウエハの外周縁
から中心までの間で研削ホイールによる加工を行い中心
でこれを中止する研削方法。
法を提供する。 【構成】 ロータリーテーブルにウエハを固定し、この
ウエハの加工面と対向する位置に研削ホイールを設け、
ウエハの回転中心からずれた位置で、研削ホイールに切
り込みを与えたのちに、ウエハを固定したロータリーテ
ーブルまたは研削ホイールを横送りしてウエハの外周縁
から中心までの間で研削ホイールによる加工を行い中心
でこれを中止する研削方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】平坦度の良いＳｉウエハを得るた
めの研削方法に関する。
めの研削方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電気集積回路の支持結晶として広範囲に
使用されているウエハは、通常、Ｓｉ単結晶のインゴッ
トからスライスし、これらの表面を研磨して、できる限
り凹凸のない平面を形成させた後に、回路形成に供され
ている。
使用されているウエハは、通常、Ｓｉ単結晶のインゴッ
トからスライスし、これらの表面を研磨して、できる限
り凹凸のない平面を形成させた後に、回路形成に供され
ている。
【０００３】従来の研削方法はインフイード方式であ
り、図３に示すように被加工体としての半導体ウエハ
（以上単にウエハと称す。）１は回転自在のロータリー
テーブル２に固定されている。このロータリーテーブル
２は図示しないがモータで駆動される。ロータリーテー
ブル２に固定されたウエハ１の表面を研削するための研
削ホイール４がウエハの加工面と対向する位置に配設さ
れている。研削ホイール４としては例えばダイヤモンド
ホイールが用いられ、円環状に形成された砥粒層の回転
中心軸が、ロータリーテーブルの回転中心軸からずれて
配設されている。
り、図３に示すように被加工体としての半導体ウエハ
（以上単にウエハと称す。）１は回転自在のロータリー
テーブル２に固定されている。このロータリーテーブル
２は図示しないがモータで駆動される。ロータリーテー
ブル２に固定されたウエハ１の表面を研削するための研
削ホイール４がウエハの加工面と対向する位置に配設さ
れている。研削ホイール４としては例えばダイヤモンド
ホイールが用いられ、円環状に形成された砥粒層の回転
中心軸が、ロータリーテーブルの回転中心軸からずれて
配設されている。
【０００４】研削ホイール４は回転軸６に保持され、こ
の回転軸６と共にモータ（図示せず）によって回転駆動
される。研削ホイール４とロータリーテーブル２との位
置関係は、ロータリーテーブル２の回転中心軸が研削ホ
イールの砥粒層５の巾に収まるようになつている。
の回転軸６と共にモータ（図示せず）によって回転駆動
される。研削ホイール４とロータリーテーブル２との位
置関係は、ロータリーテーブル２の回転中心軸が研削ホ
イールの砥粒層５の巾に収まるようになつている。
【０００５】したがつて研削ホイール４の砥粒層５がウ
エハ１の中心に常に位置することになる。そのため、加
工中はウエハ１の中心近傍が常にホイールと接触するた
め熱がこもり熱変形し、研削後中心部が余分に削られて
局部的に凹状となり平坦度が悪くなる。従って次工程で
平坦度の良い鏡面を得るには多くの時間と手間を要する
欠点がある。
エハ１の中心に常に位置することになる。そのため、加
工中はウエハ１の中心近傍が常にホイールと接触するた
め熱がこもり熱変形し、研削後中心部が余分に削られて
局部的に凹状となり平坦度が悪くなる。従って次工程で
平坦度の良い鏡面を得るには多くの時間と手間を要する
欠点がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来は平
坦度のよい鏡面仕上げ面を得るために多くの時間と手間
が必要となる。そこで本発明は、ウエハ中心部分の形状
が平坦となるようなウエハの研削方法を提供することを
目的とする。
坦度のよい鏡面仕上げ面を得るために多くの時間と手間
が必要となる。そこで本発明は、ウエハ中心部分の形状
が平坦となるようなウエハの研削方法を提供することを
目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明はロータリーテー
ブル上にウエハを固定し、ウエハの加工面と対向する位
置に研削ホイールを設け、ウエハを固定したロータリー
テーブルまたは研削ホイールを横送りして、ウエハの外
周縁から中心までの間で研削ホイールによる加工を行い
中心でこれを中止することを特徴とするＳｉウエハの研
削方法である。
ブル上にウエハを固定し、ウエハの加工面と対向する位
置に研削ホイールを設け、ウエハを固定したロータリー
テーブルまたは研削ホイールを横送りして、ウエハの外
周縁から中心までの間で研削ホイールによる加工を行い
中心でこれを中止することを特徴とするＳｉウエハの研
削方法である。
【０００８】
【作用】このように被加工面を周辺部から徐々に研削す
るため被加工面の中心部の近傍を研削するときの発熱が
少なくその結果、中心部の熱変形をなくする事ができ平
坦度が向上する。
るため被加工面の中心部の近傍を研削するときの発熱が
少なくその結果、中心部の熱変形をなくする事ができ平
坦度が向上する。
【０００９】本発明について、図面を示して説明する。
図１においてワーク１は例えばＳｉウエハであり、ロー
タリーテーブル２に固定されている。横送りテーブル３
は回転しているロータリーテーブル２を研削ホイール４
の中心軸に向って横送りするようになっている。５は研
削ホイール４に設けられた円環状の砥粒層である。Ｓｉ
ウエハを研削する場合に研削ホイール４は砥粒層５がウ
エハの表面部に切込む分だけ下降し、ロータリーテーブ
ル２は横送りテーブル３によって、研削ホイール４に向
って移動してウエハ表面を研削して行き、ウエハの中心
Ａ点が研削ホイールの砥粒層５に達した時点で研削ホイ
ール４は上昇し、研削は中止される。
図１においてワーク１は例えばＳｉウエハであり、ロー
タリーテーブル２に固定されている。横送りテーブル３
は回転しているロータリーテーブル２を研削ホイール４
の中心軸に向って横送りするようになっている。５は研
削ホイール４に設けられた円環状の砥粒層である。Ｓｉ
ウエハを研削する場合に研削ホイール４は砥粒層５がウ
エハの表面部に切込む分だけ下降し、ロータリーテーブ
ル２は横送りテーブル３によって、研削ホイール４に向
って移動してウエハ表面を研削して行き、ウエハの中心
Ａ点が研削ホイールの砥粒層５に達した時点で研削ホイ
ール４は上昇し、研削は中止される。
【００１０】図２（Ａ）は回転しているロータリーテー
ブル２に固定されているウエハ１の中心部からずれたＣ
点において研削ホイールを降下せしめ研削ホイール４を
ウエハに切込ませたのちに、図２（Ｂ）に示すようにロ
ータリーテーブル２をウエハの中心が研削ホイールの砥
粒層に収まるＤ点の位置まで移行する。図２（Ｃ）では
研削ホイール４は研削を終了したのちに上昇する。この
場合は実施例１よりも短時間で研削加工を終了すること
ができる。実施例において横送りの仕方として直線スラ
イドで説明したが回転テーブルでもよい。又切込みはロ
ータリーテーブルを上昇、下降せしめてもよいし、研削
ホイールを下降、上昇せしめてもよい。
ブル２に固定されているウエハ１の中心部からずれたＣ
点において研削ホイールを降下せしめ研削ホイール４を
ウエハに切込ませたのちに、図２（Ｂ）に示すようにロ
ータリーテーブル２をウエハの中心が研削ホイールの砥
粒層に収まるＤ点の位置まで移行する。図２（Ｃ）では
研削ホイール４は研削を終了したのちに上昇する。この
場合は実施例１よりも短時間で研削加工を終了すること
ができる。実施例において横送りの仕方として直線スラ
イドで説明したが回転テーブルでもよい。又切込みはロ
ータリーテーブルを上昇、下降せしめてもよいし、研削
ホイールを下降、上昇せしめてもよい。
【００１１】
（実施例１）直径が１５０ｍｍで厚さが０．７ｍｍのシ
リコンウェハを、セラミック真空チャックを備えたロー
タリーテーブルに固定し、図１に示す方法によって平面
研削した。用いたダイヤモンド研削ホイールは、外径が
２００ｍｍで砥粒層の幅が３ｍｍであり、粒度が２００
０番のダイヤモンド砥粒をビトリファイドボンドで固定
したものである。研削条件は、ダイヤモンド研削ホイー
ルの回転数が２０００ｒｐｍであり、ロータリーテーブ
ルの回転数を３００ｒｐｍとした。
リコンウェハを、セラミック真空チャックを備えたロー
タリーテーブルに固定し、図１に示す方法によって平面
研削した。用いたダイヤモンド研削ホイールは、外径が
２００ｍｍで砥粒層の幅が３ｍｍであり、粒度が２００
０番のダイヤモンド砥粒をビトリファイドボンドで固定
したものである。研削条件は、ダイヤモンド研削ホイー
ルの回転数が２０００ｒｐｍであり、ロータリーテーブ
ルの回転数を３００ｒｐｍとした。
【００１２】研削の第一工程では、まず図１に示すよう
な位置関係に研削ホイールとシリコンウェハを配置す
る。このときの研削ホイールとウェハとの干渉量、すな
わち研削ホイールの切り込み量は２．５μｍとした。第
二工程では、ロータリーテーブルを配した横送りテーブ
ルを研削ホイールの方向へ送り速度０．７５ｍｍ／ｓｅ
ｃで移動し、シリコンウェハの外周部から徐々に中心部
の方向へウェハを研削する。第三工程では、ウェハの中
心部が砥粒層の幅に収まった時点で研削ホイールを上昇
させウェハへの切り込みを中止する。したがって正味加
工時間は１００ｓｅｃとなる。
な位置関係に研削ホイールとシリコンウェハを配置す
る。このときの研削ホイールとウェハとの干渉量、すな
わち研削ホイールの切り込み量は２．５μｍとした。第
二工程では、ロータリーテーブルを配した横送りテーブ
ルを研削ホイールの方向へ送り速度０．７５ｍｍ／ｓｅ
ｃで移動し、シリコンウェハの外周部から徐々に中心部
の方向へウェハを研削する。第三工程では、ウェハの中
心部が砥粒層の幅に収まった時点で研削ホイールを上昇
させウェハへの切り込みを中止する。したがって正味加
工時間は１００ｓｅｃとなる。
【００１３】比較例として、図３に示すインフィード研
削法によりウェハを研削した。研削方式以外の加工条件
は同等とした。加工時間については上記と同等となるよ
うに、インフィード切り込み速度を１．５μｍ／ｍｉｎ
に設定した。まず、本発明の方法の場合は、ウェハの平
坦度は０．７μｍでありウェハ全体にわたって、極めて
滑らかな平面が得られた。比較例のインフィード方式で
は、中心部分が半径７ｍｍのすり鉢状に４μｍ凹み、平
坦度は４．５μｍであった。これは、ウェハ中心部に常
に研削ホイールが接してウェハ中心部に熱がこもった結
果、加工中は中心部が熱膨張して他の部分よりも多く研
削されるために、研削後に室温に戻ると収縮して中心部
が凹むためである。
削法によりウェハを研削した。研削方式以外の加工条件
は同等とした。加工時間については上記と同等となるよ
うに、インフィード切り込み速度を１．５μｍ／ｍｉｎ
に設定した。まず、本発明の方法の場合は、ウェハの平
坦度は０．７μｍでありウェハ全体にわたって、極めて
滑らかな平面が得られた。比較例のインフィード方式で
は、中心部分が半径７ｍｍのすり鉢状に４μｍ凹み、平
坦度は４．５μｍであった。これは、ウェハ中心部に常
に研削ホイールが接してウェハ中心部に熱がこもった結
果、加工中は中心部が熱膨張して他の部分よりも多く研
削されるために、研削後に室温に戻ると収縮して中心部
が凹むためである。
【００１４】（実施例２）実施例１で使用した研削装置
をもちいて、図２に示す方法で研削加工を行った。この
とき、（Ａ）に示したＣの位置はウェハの中心から３０
ｍｍとした。工程（Ａ）は、中間研削工程であるため、
切り込み速度を１０μｍ／ｍｉｎとした。その他の研削
加工条件は実施例１と同等とした。本実施例でも実施例
１と同じく、０．７μｍの平坦度のウェハを得ることが
可能で、正味加工時間５５ｓｅｃと実施例１よりも４５
ｓｅｃ短い時間で加工することができた。
をもちいて、図２に示す方法で研削加工を行った。この
とき、（Ａ）に示したＣの位置はウェハの中心から３０
ｍｍとした。工程（Ａ）は、中間研削工程であるため、
切り込み速度を１０μｍ／ｍｉｎとした。その他の研削
加工条件は実施例１と同等とした。本実施例でも実施例
１と同じく、０．７μｍの平坦度のウェハを得ることが
可能で、正味加工時間５５ｓｅｃと実施例１よりも４５
ｓｅｃ短い時間で加工することができた。
【００１５】
【発明の効果】本発明により研削されたＳｉウエハは、
ウエハの中心部に研削ホイールの砥粒層が接する時間が
短いために、中心部の熱変形が極めて少なく平坦度の良
いウエハが得られ、次工程での鏡面仕上げの際に加工代
を少なくすることができる。その結果、少ない加工時間
で高い精度のＳｉウエハを得る事が出来る。
ウエハの中心部に研削ホイールの砥粒層が接する時間が
短いために、中心部の熱変形が極めて少なく平坦度の良
いウエハが得られ、次工程での鏡面仕上げの際に加工代
を少なくすることができる。その結果、少ない加工時間
で高い精度のＳｉウエハを得る事が出来る。
【図１】本発明になるＳｉウエハの研削方法を実施する
過程の説明図
過程の説明図
【図２】本発明になる他の実施例の場合の説明図 （Ａ）はロータリーテーブルの中心軸以外で研削ホイー
ルをワークに切り込む説明図 （Ｂ）はロータリーテーブルに横送りをかける説明図 （Ｃ）は研削ホイールを上昇させる説明図
ルをワークに切り込む説明図 （Ｂ）はロータリーテーブルに横送りをかける説明図 （Ｃ）は研削ホイールを上昇させる説明図
【図３】従来の研削方法
１ ワーク ２ ロータリーテーブル ３ 横送りテーブル ４ 研削ホイール ５ 砥粒層 ６ 回転軸
Claims (1)
- 【請求項１】 ロータリーテーブルにウエハを固定し、
このウエハの加工面と対向する位置に研削ホイールを設
け、ウエハを固定したロータリーテーブルまたは研削ホ
イールを横送りしてウエハの外周縁から中心までの間で
研削ホイールによる加工を行い、中心でこれを中止する
ことを特徴とするＳｉウエハの研削方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14677792A JPH05318294A (ja) | 1992-05-14 | 1992-05-14 | Ｓｉウエハの研削方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14677792A JPH05318294A (ja) | 1992-05-14 | 1992-05-14 | Ｓｉウエハの研削方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05318294A true JPH05318294A (ja) | 1993-12-03 |
Family
ID=15415302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14677792A Withdrawn JPH05318294A (ja) | 1992-05-14 | 1992-05-14 | Ｓｉウエハの研削方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05318294A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003257906A (ja) * | 2002-03-05 | 2003-09-12 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 半導体ウェーハの研磨方法 |
| JP2008028027A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの凹状加工方法 |
| JP2008282925A (ja) * | 2007-05-09 | 2008-11-20 | Sharp Corp | シリコンウエハの製造方法 |
| JP2010137338A (ja) * | 2008-12-12 | 2010-06-24 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの研削方法および研削装置 |
-
1992
- 1992-05-14 JP JP14677792A patent/JPH05318294A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003257906A (ja) * | 2002-03-05 | 2003-09-12 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 半導体ウェーハの研磨方法 |
| JP2008028027A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの凹状加工方法 |
| JP2008282925A (ja) * | 2007-05-09 | 2008-11-20 | Sharp Corp | シリコンウエハの製造方法 |
| JP2010137338A (ja) * | 2008-12-12 | 2010-06-24 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの研削方法および研削装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990803 |